【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）

【課題】 低コストでガス供給配管内を流れるガスの再液化を効果的に防止でき、しかも、安全性も高めることができる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 液化ガスを蓄積した液化ガスボンベ２０と、液化ガスを気化した反応ガスを用いて半導体の反応処理を行うための反応処理装置２２と、反応ガスを液化ガスボンベ２０から反応処理装置２２に導くためのガス供給配管２４と、ガス供給配管２４を通る反応ガスの流量をコントロールするガス流量コントローラー２６とを備え、液化ガスボンベ２０からガス流量コントローラー２６迄のガス供給配管２４が下り勾配となる場合は水平に対する勾配角度φを３０°以下としたこと。 （もっと読む）

【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）

コロナ放電によって支持体上にプラズマ重合堆積を生成する方法を記載する。コロナ放電は電極と支持体を支持する対電極との間に発生される。バランスガスと作動ガスとの混合物は、電極を速やかに貫流し、コロナ放電によってプラズマ重合し、光学的に透明な被覆として支持体上に堆積する。この方法は、大気圧下又はその近くで実施するのが好ましく、表面改質、耐薬品性及び気体遮断性のような性質を支持体に与える、光学的に透明な粉体を含まない又は粉体をほとんど含まない堆積層を生成するように設計することができる。 （もっと読む）