国際特許分類[C23F1/12]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 機械方法によらない表面からの金属質材料の除去 (2,622) | 化学的手段による金属質材料のエッチング (1,059) | エッチング組成物 (517) | ガス状組成物 (4)
国際特許分類[C23F1/12]に分類される特許
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基板処理方法
【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Wと、複数のダミー基板DWとを、複数段の被処理基板保持部6aを有する被処理基板ボート5に、交互に保持させていく工程と、被処理基板W及びダミー基板DWを、交互に保持した被処理基板ボート5を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート5に保持された被処理基板Wに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。
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磁気抵抗効果素子の製造方法
【課題】真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、MR比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも2層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Taからなる第1のマスクの下層にRu、Rh、Os、Nb、Ir、及びReのいずれか1つである第2のマスクを二重に積層する方法である。
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微細凹凸構造の形成方法、及び微細凹凸構造を有する基板
【課題】高精度・高性能・高額な処理装置を用いないで、また精細で複雑な処理工程を必要としないで、簡素な手法で再現性良く微細な凹凸構造を形成する方法、及び前記方法によって形成された基板を提供する。
【解決手段】エッチング処理によって基板表面に凹凸構造を形成する方法であって、前記基板上に膜を成膜する工程、前記膜をエッチング処理することにより前記膜に微細な凹凸構造を形成する工程、及び前記膜に生じた微細な凹凸構造をエッチングマスクとして前記基板のエッチング処理を行う工程からなることを特徴とする基板表面に凹凸構造を形成する方法、並びに前記方法によって得られた凹凸構造を有する基板。
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層構造の製造方法
【課題】公知の方法よりも費用がかからず、かつエピタキシーの前の単結晶シリコンからなる表面の平滑化のためだけに適しているのではない前記種類の方法を提供すること
【解決手段】平滑化された中間層と、前記中間層上に設けられたその上方にある層とを有する層構造の製造方法において、中間層を、フッ化水素を含有するガス状のエッチング剤で処理して、材料の取り去りを達成しかつ中間層を平滑化することを特徴とする、層構造の製造方法。
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