国際特許分類[C25D3/18]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 電気鍍金;そのための鍍金浴 (804) | 溶液から (766) | ニッケルまたはコバルト (64) | アセチレン化合物または複素環式化合物を含有する浴から (2) | 複素環式化合物 (2)
国際特許分類[C25D3/18]に分類される特許
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ニッケルめっき液およびそれを利用した柔軟性を有するスタンプの製造方法
【課題】柔軟性を有するニッケルスタンプを提供する。
【解決手段】本発明の一実施例に係るニッケルめっき液は、600〜650g/Lのスルファミン酸ニッケルと、5〜6g/Lの塩化ニッケルと、25〜35g/Lのホウ酸と、を含む。このような本発明の一実施例に係るニッケルめっき液は、それ自体の応力が減少され、柔軟性を有するニッケルスタンプを提供することができる。
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マイクロバンプの形成方法
【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式(I)、
【化1】
(式中、R1は水素原子または水酸基を示し、R2は水素原子またはビニル基を示す)
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。
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