国際特許分類[C30B29/38]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 (5,187) | 無機化合物または組成物 (3,206) | 窒化物 (1,387)
国際特許分類[C30B29/38]に分類される特許
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窒化ガリウム系半導体基板と窒化ガリウム系半導体基板の製造方法
窒化物半導体単結晶ウエハを研磨すると加工変質層ができる。加工変質層を除去するためのエッチングが必要である。しかし窒化物半導体は化学的に不活性であって適当なエッチャントがない。水酸化カリウムとか燐酸がGaNのエッチャントとして提案されているがGa面を腐食する力は弱い。 加工変質層を除去するためにハロンゲンプラズマを用いたドライエッチを行う。ハロゲンプラズマでGa面をも削り取る事ができる。しかしドライエッチによって新たに金属粒子による表面汚染の問題が生ずる。そこで選択性がなく腐食性があって酸化還元電位が1.2V以上であるHF+H2O2、H2SO4+H2O2、HCl+H2O2、HNO3等をエッチャントとしてウエットエッチングする。
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犠牲層上のヘテロエピタキシによるIII族窒化物の自立基板の実現方法
本発明は、III族窒化物の自立基板の作製に関するものである。本発明は、より詳細には、エピタキシによって初期基板からIII族窒化物、とくに窒化ガリウム(GaN)の自立基板を実現する方法であって、III族窒化物のエピタキシ工程の際に自然に蒸発させるための犠牲層として、単結晶珪素ベースの中間層の蒸着を含むことを特徴とする方法を対象とする。この方法はとくに、平坦で直径が2”を超えるIII族窒化物自立基板を得ることを可能にする。 (もっと読む)
高純度結晶成長
反応器中に配置された基材上に結晶を成長させる方法であって、この反応器は、反応器チャンバを提供し、この基材は、この反応器チャンバの中に配置され、この方法は、この反応器チャンバの内部に反応性ガスをこの基材に向かって流す工程であって、この反応性ガスは、互いに結合してこの結晶を形成し得る成分を含有する工程;緩衝ガスを加熱する工程;およびこの加熱された緩衝ガスを、この反応性ガスとこの反応器壁との間のこの反応器チャンバ中で、この反応性ガスおよびこの緩衝ガスが相互作用し得るように、流す工程、を包含し、ここでこの流れている緩衝ガスが、この反応性ガスにより生成される第1の物質の少なくとも1つがこの反応器壁に到達するのを阻害し、そしてこの反応性ガスがこの基材に到達する前に、この反応器壁により生成される第2の物質が反応器チャンバー中のこの反応性ガスに到達するのを阻害する。
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気体透過性の坩堝壁面によるAlN単結晶の製造方法と装置
本発明は、AlN単結晶を製造する方法及び装置に関する。気相を、坩堝(10)の貯蔵領域(12)内にあるAlN供給材料(30)の一部から生成する。AlN単結晶(32)を坩堝(10)の結晶領域(13)内で気相から成長させる。少なくとも1つのガス状成分は、例えば気相内に存在する成分の1つは、坩堝(10)の内部帯域(15)と、坩堝(10)の外部帯域(11)との間で、特に2方向に拡散することができる。
図1
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半絶縁性GaNおよびその製造方法
電子および/または光電子用途用のGaNデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばMn、Fe、Co NiおよびCuなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置
【課題】 混合融液の液面(気液界面)の変動を積極的に利用することで、III族窒化物結晶の結晶成長速度を高め、実用的な結晶サイズのIII族窒化物結晶を低コストで成長させる。
【解決手段】 混合融液103に含まれるアルカリ金属を蒸発させることによって、混合融液表面の相対的位置を低下させることができる。これによって、III族窒化物結晶(GaN)110を治具119の先端部から下方に向けて継続的に成長させることができる。
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シリコン系薄膜の形成方法
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