ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系の半導体デバイスを低コストで製造可能な半導体基板を提供すること。
【解決手段】第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。このとき、低転位密度領域１２の下層部１２ａは第２の基板３０上には転写されずに第１の基板２０上に残存することとなる。低転位密度領域１２の表層部１２ｂが転写された第２の基板３０は本発明の製造方法で得られる半導体基板とされ、低転位密度領域１２の下層部１２ａが残存した状態の第１の基板２０は再度エピタキシャル成長用の基板として利用される。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によりｎ型窒化アルミニウムを得る。
【解決手段】窒化アルミニウム層の表面に、加速エネルギー９０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０¹⁵ｃｍ^-2でシリコンイオン（Ｓｉ⁺）を注入した。１０ＴｏｒｒのＮ₂雰囲気下で１４００℃、１０分間熱処理した。シリコンはＡｌＮ層の表面から０．２μｍの深さに渡ってほぼ均一に注入された。測定温度５０℃において電子濃度が２．０×１０¹⁵ｃｍ^-3、測定温度１５０℃において電子濃度が３．０×１０¹⁶ｃｍ^-3、測定温度３００℃において電子濃度が２．８×１０¹⁷ｃｍ^-3と算出された。また、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）中のシリコンのドナー準位は３１１ｍｅＶであると結論付けられた。このように、本発明によりｎ型の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を品質的に高価に成長させることができる半導体層構造並びに半導体層構造の経済的な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法において、炭素イオンをシリコンウェハの規定の深さに注入し、次いで該シリコンウェハを熱処理し、それにより該シリコンウェハ中に埋め込まれた単結晶炭化ケイ素層が形成し、そしてその炭化ケイ素層の上方と下方とに非晶質の遷移領域が形成し、引き続き上方のシリコン層と、単結晶炭化ケイ素層の上方にある非晶質の遷移領域とを分離し、それにより単結晶炭化ケイ素層が露出され、そして引き続き露出された単結晶炭化ケイ素層の表面を化学的機械的に平坦化して、０．５ｎｍ未満（ＲＭＳ）の表面粗さにする。 （もっと読む）

【課題】
光触媒膜として窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去などの環境浄化への応用やガスセンサー素子への応用が図れる、厚さが数百ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い膜状で、結晶配向により結晶欠陥を低減させた硫黄添加二酸化チタン膜の形成方法。
【解決手段】
イオン注入法により二酸化チタン単結晶膜に硫黄を添加し、イオン注入に伴い発生する結晶乱れをイオン注入後の熱処理により回復させ、結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。又、二硫化チタンを焼成して作製したターゲット材を用いてパルスレーザー蒸着を行うことによっても結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。 （もっと読む）

マスクされ制御されたイオン注入を、アニーリングもしくはエッチングと併せて、CVDで形成した単結晶ダイヤモンドに使用し、光学用途にも、ナノ電子機械装置形成にも、医療装置形成にも使えるような構造を作成できる。イオン注入法は、ダイヤモンドの成長表面下に一種類もしくは複数種類の原子を入れ込む際に使われる手法であって、ダイヤモンドの成長表面下の所定の深さに、ピーク濃度の原子を有する被注入層を形成するために用いられる。この組成物を、適切な条件の非酸化環境下で加熱して、ダイヤモンド基層と被注入層とを分離する。剥がれた構造に対してさらにイオン注入を行って、望みのままに構造をまっすぐに伸ばしたり曲げたりすることもできる。また、硼素添加を用いて、導電性ダイヤモンド構造を作成することも可能である。 （もっと読む）