【課題】検出感度の向上を図ることの可能な磁界検出型の物理量センサ及びマイクロフォンを提供する。
【解決手段】被検出磁界を形成する磁界形成部１０と、被検出磁界の第１方向成分Ｈｘに応じた電気信号を出力する磁界検出部４と、外部からの振動入力に応じて第１方向ｘと交差する第２方向ｙに磁界形成部１０と磁界検出部４とを相対振動させる振動薄膜３とを備えたマイクロフォン１において、磁界形成部１０を、磁界検出部４の第２方向ｙ一方側に配置され一組の磁極間に第１磁界Ｈ１を発生する第１磁界発生部１１と、磁界検出部４の第２方向ｙ他方側に配置され一組の磁極間に第２磁界Ｈ２を発生する第２磁界発生部１３とから構成する。これにより、第１磁界発生部１１と第２磁界発生部１３との間に互いの第１方向成分が逆向きの第１磁界Ｈ１と第２磁界Ｈ２との合成磁界である被検出磁界を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で精度の調整を行うことができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム２０の周縁部は継手本体１０と上側本体３０とにより挟持されている。ダイヤフラム２０には、永久磁石２６が設けられた受圧板２４が取り付けられており、上側本体３０に取り付けられたリニアホールＩＣ３４により、前記永久磁石２６すなわちダイヤフラム２０の変位を検出する。リニアホールＩＣ３４の外側には、角孔が設けられた鉄板を有するプレート４０が装着されており、鉄板の位置が異なるプレート又は角孔の縦寸法が異なるプレートを選択すること、あるいは、プレートを取り外すことにより、圧力センサの精度が要求精度となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】自らの内圧を求め、過大な圧力損失を表示できるピストン・シリンダユニットを提供する。
【解決手段】中心長手方向軸（Ａ）、第１の端部（３）、流体で満たされたシリンダ（２）、シリンダ（２）の中に摺動自在に配置されていて、シリンダ（２）を第１の端部（３）から遠い第１の動作室（１１）と前記第１の端部（３）に近い第２の動作室（１２）とに区分するピストン（１３）、ピストン（１３）に配置されていて、第１の動作室（１１）を突き抜け、中心長手方向軸（Ａ）に対して同心で第１の端部（３）と向き合った第２の端部（６）においてガイド／シール装置（７）により封止された形でシリンダ（２）から外へ通じているピストンロッド（８）を備えたピストン・シリンダユニット（１）に、特に、ピストン・シリンダユニット（１）の内圧を直接的又は間接的に検出するセンサ装置（１４）を備え付ける。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の磁気抵抗を大きくすることができ、ハード磁性層の磁界強度を高くすること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、一方の主面側に設けられたＧＭＲ素子１４を有するガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の主面上に接合されており、ＧＭＲ素子１４と対向するようにハード磁性層１９を有するダイヤフラム１８ａを持つシリコン基板１８と、を具備し、ＧＭＲ素子１４及びハード磁性層１９の組が少なくとも２つ形成されており、ハード磁性層１９は、その中心を含む領域でプラトー領域Ｐを含む磁場強度分布を持つために十分な着磁方向の幅を有し、ＧＭＲ素子１４は、ハード磁性層１９の着磁方向の幅よりも小さい幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い圧力測定を行うことができる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、シリコン基板１１と、このシリコン基板１１との間でキャビティ領域１７を形成するようにシリコン基板１１上に接合されており、ダイヤフラム領域Ｘを有するシリコン基板１１と、ダイヤフラム領域Ｘにおけるキャビティ領域１７の外側の主面上に設けられたハード磁性層１６と、前記主面のダイヤフラム領域以外の領域上に設けられたＧＭＲ素子１４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い圧力測定を行うことができる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】キャビティ１８の突出部１１ｂ上には、ＧＭＲ素子１３と電気的に接続するようにコンタクト層１４ａが形成されている。キャビティ１８の外側の突出部１１ａ上には電極パッド１５が形成されている。キャビティ１８の内側のガラス基板１２には、ＧＭＲ素子１３と電気的に接続にするように突出部１２ａにコンタクト層１４ｂが形成されている。キャビティ１８の外側のガラス基板１２には電極パッド１５が形成されており、突出部１２ａから突出部１２ａの外側を経て電極パッド１５までコンタクト層１４ｃが形成されている。ガラス基板１２の突出部１２ａ上には、ガラス基板１２との間でキャビティ１８を形成するようにシリコン基板１６が接合されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い圧力測定を行うことができる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、シリコン基板１１と、シリコン基板１１との間でキャビティ領域１７を形成するようにシリコン基板１１上に接合されており、ダイヤフラム領域Ｘを有するＳＯＩ基板１３と、ダイヤフラム領域Ｘにおけるキャビティ領域１７の外側の主面上に設けられたハード磁性層１６と、前記主面のダイヤフラム領域Ｘ以外の領域上に設けられたＧＭＲ素子１４と、を具備し、ダイヤフラム領域Ｘは、ＳＯＩ基板１３に対して薄肉部１３ｆにより揺動可能に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い圧力測定を行うことができる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、主面を有するガラス基板１１と、ガラス基板１１の主面上に絶縁層１４を介して形成されたＧＭＲ素子１６と、絶縁層１４上に形成されており、ＧＭＲ素子１６と電気的に接続された配線パターン１５と、ガラス基板１１との間でキャビティ２０を形成するように絶縁層１４上に接合されており、ＧＭＲ素子１６と対向するようにハード磁性層１９を有するダイヤフラム１８ａを持つシリコン基板１８と、平面視において前記接合の領域を含む領域の絶縁層１４とガラス基板１１との間に形成され、ＧＭＲ素子１６の出力をキャビティ２０外に引き出す引き出し電極１２と、配線パターン１５と引き出し電極１２とを電気的に接続する導電部材１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高温の処理を行うことなく、磁気抵抗効果素子を有する基板と、ハード磁性層を有する基板とを確実に接合してなる磁気式圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式圧力センサは、一方の主面側に設けられたＧＭＲ素子１２を有するガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の主面上に金−スズ共晶接合されており、ＧＭＲ素子１２と対向するようにハード磁性層２０を有するシリコン基板１６と、金−スズ共晶接合の接合領域を区画すると共に、ガラス基板１１とシリコン基板１６との間の間隔を制御するスペーサ１８と、を具備し、シリコン基板１６側の金−スズ共晶接合領域に密着性向上層１９が設けられている。 （もっと読む）