【課題】残留インダクタンスに起因して生じるインパルス高電圧波形のオーバーシュートをより正確に解析し、当該オーバーシュートを抑止できるようにする。
【解決手段】インパルス電圧発生器の残留インダクタンスを含めて高電圧インパルス試験装置を表すとともに、コンデンサの他にインダクタンスおよび抵抗を含めて供試物を表した等価回路に従って、４階微分方程式で表される回路方程式を解くことでインパルス高電圧波形を解析する。具体的には、４階微分方程式の基本解をｅ^ztとし、ｚ⁴＋ａｚ³＋ｂｚ²＋ｃｚ＋ｅ＝０なる特性方程式において、ａ³／８−ａｂ／２＋ｃ＞０を満足する制約条件のもとでシミュレーションを実施することで、所望のインパルス高電圧波形を得るのに必要な波形調整回路の抵抗Ｒ_S，Ｒ₀の値を算出できるようにする。 （もっと読む）