【課題】精確に記憶素子の状態を判別できる記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセル１１を複数備えたメモリアレイ１０と、読み出し対象のメモリセル１１の状態を判別する読み出し回路２０を設ける。メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。抵抗変化素子２３および抵抗変化素子１３は同一の構成材料からなり、抵抗変化素子２３の面積は、抵抗変化素子１３の面積よりも大きい。読み出し電圧の大きさに対する抵抗変化素子２３の抵抗値の変化は、抵抗変化素子１３の抵抗値の変化と対応する。 （もっと読む）

【課題】半導体上に形成された電気回路によって伝達される電気信号を利用せずに情報を記憶する情報記憶装置を提供する。
【解決手段】情報記憶装置は、入力情報を重畳した波動を生成して保持する波動生成手段１、３、５と、波動を検出する検出手段８１〜８４と、検出手段８１〜８４による波動の検出結果に基づいて、入力情報を読み出す読み出し手段１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】余分なインターフェース回路等を必要とせず、記憶情報を光学的に設定して電気的に書き込むことができる不揮発性メモリ回路および装置を提供する。
【解決手段】第１のインバータ２１および第２のインバータ２２からなるフリップフロップ２０と、前記フリップフロップの非反転出力端子Ｃと接地線ＧＮＤとの間に接続された第１のＭＩＳ型トランジスタ１１と、前記フリップフロップの反転出力端子Ｃ＿と前記接地線との間に接続された第２のＭＩＳ型トランジスタ１２と、前記第１のＭＩＳ型トランジスタおよび第２のＭＩＳ型トランジスタのゲートに接続された書込ワード線ＷＬＷとを備えた不揮発性メモリ回路であって、前記フリップフロップの前記非反転出力端子と前記接地線との間に接続された第１のフォトダイオード４１と、前記フリップフロップの前記反転出力端子と前記接地線との間に接続された第２のフォトダイオード４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】信号光に含まれるＤＣ成分を抑制する光学フィルタの特性の如何に拘らず、画質劣化のない良好な記録を行うことができる２次元変換コードを提供すること。
【解決手段】
空間変調器９に表示される2次元変調コードによって変調された信号光と別途照射される参照光との干渉縞をホログラム記録媒体５０に記録するホログラム記録方法であって、前記空間変調後の信号光光路に信号光のＤＣ成分をカットするアパーチャ（ＤＣカットマスク）２１を挿入し、且つ、前記空間変調器９の2次元変調コードは基準となる変調パターンよりも周期の短いパターンとすることにより、信号光に含まれるＤＣ成分を抑制する光学フィルタの特性の如何に拘らず、画質劣化のない良好な記録を行ことができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明はホログラフィック記録媒体（１０６）に記録されたデータページを読み出す光学的ホログラフィック装置およびこれに対応する方法に関する。
【解決手段】
ビット誤り率を改善するために、復元手段（１１５）は、暗いピクセルおよび明るいピクセルのパターンを有している個別のチェッカーボードページから、または撮像検出されたデータページから、暗い画像および明るい画像を復元する手段が提供される。そして、画像修正手段は（１１６）は、前記復元された暗い画像および明るい画像を使用して、利得補償によって前記撮像検出されたデータページを修正する手段を提供する。
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【課題】マトリックス基板に埋設されたナノ結晶から、特に保有時間に優れた光メモリを実装する。
【解決手段】該ナノ結晶をレーザ照射により融解させ、その後の再結晶化によりナノ結晶内に圧縮応力を発生させる。該圧縮応力は、ナノ結晶格子の振動モードを変化させ、分光学的手段により読み取り可能である、対応するラマンフォノンバンドのエネルギー位置を上下にシフトさせる。これらの異なるフォノンバンド位置で、該光メモリの情報ビットを表現することにより該光メモリを実装する。該圧縮応力は長寿命なので、光メモリの保有時間も半永久的である。 （もっと読む）

【課題】情報読み取り装置を小型化することができ、また読み取りのためのレーザー光のパワーが低下しにくい光メモリを提供する。
【解決手段】透明なクラッド層２２の内部にクラッド層２２よりも屈折率の大きな透明樹脂からなる光導波路２３を形成する。光導波路２３内にはメモリビット２４が所定の間隔で複数形成されている。メモリビット２４には、「０」と「１」に相当する２値情報が書き込まれており、メモリビット２４にレーザー光を照射すると光信号（情報）を発信する （もっと読む）

本発明は、光学データメモリに関する。前記メモリには、少なくとも１つの層（６Ａ、６Ｂ、６Ｃ）の支持材料が含まれる。前記支持材料には、局所領域（９）において、少なくとも１つの分子の第１集団状態（４）及び分子の第２集団状態（２）からの分子の集団状態を有する分子（２、４）が含まれる。本発明は、前記局所領域（９）における分子の第１集団状態（４）を有する分子だけが、前記局所領域において読み出し電磁放射によって励起された時、第２高調波信号を生成できることを特徴とする。
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【課題】コア層の膜厚変動による記録情報の再現性の劣化を防止する。
【解決手段】光メモリ１０は、コア層１１と、コア層１１より屈折率が小さいクラッド層１２とが２つの樹脂フイルム１３間に交互に積層され、コア層１１とクラッド層１２との一方の界面に、導波光の波長とほぼ等しい周期でリブ１５が配設されている。コア層１１とクラッド層１２との屈折率差を０．００２５以下とすることにより、コア層１１内の伝搬定数の変動およびリブ１５からの回折光の乱れを、干渉パターンを乱さない範囲内に抑制し、記録情報の再現性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 セキュリティ機能を向上させた画像情報作成装置および画像情報作成方法の提供。
【解決手段】１１は秘密画像を用意する手段、１２は秘密画像に対して複素変換処理を行う手段、１３は複素変換処理をした秘密画像を擬似計算機ホログラムに合成する手段、１４は擬似計算機ホログラムにディザ行列の選定を行う手段、１５は秘密画像を埋め込むカバー画像を用意する手段、１６はカバー画像と擬似計算機ホログラムにディザ処理を施す手段、１７は埋め込み画像を生成する手段、１８は埋め込み画像に対して複素変換処理を行う手段、１９は埋め込み画像から秘密画像を再生する手段である。複素変換処理を行うことで、光学的手段によることなく秘密情報を再生できる。 （もっと読む）