【課題】容量素子が占有する回路面積の増大を抑制する。
【解決手段】メモリストリングは、複数の第１導電層、メモリゲート絶縁層、及び半導体層を有する。複数の第１導電層は、半導体基板に対して実質的に垂直方向に所定ピッチをもって配列され、メモリトランジスタのゲートとして機能する。半導体層は、複数の第１導電層と共にメモリゲート絶縁層を一方の側面で挟み、半導体基板に対して実質的に垂直方向に延び、メモリトランジスタのボディとして機能する。第１キャパシタは、複数の第２導電層を有する。複数の第２導電層は、半導体基板に対して実質的に垂直方向に所定ピッチをもって配列され、第１キャパシタの電極として機能する。制御回路は、複数の第１導電層に印加される電圧に応じて、複数の第２導電層の各々に印加する電圧を制御し、これにより第１キャパシタの容量を変化させる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する半導体集積回路においても十分動作マージンが確保できるアンチヒューズ回路及びアンチヒューズ回路を備えた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】書き込み時に電位が高いほうから順番に第１乃至第５の電源電圧となる第１乃至第５の電源を使用するアンチヒューズ回路であって、第２乃至第４の電源に接続され、第３の電源電圧と第４の電源電圧との間で変化する第１の論理信号を第２の電源電圧と第４の電源電圧との間で変化する第２の論理信号に変換する第１のレベルシフト回路と、第１、第２及び第４の電源に接続され、第２の論理信号を第１の電源電圧と第４の電源電圧との間で変化する第３の論理信号に変換する第２のレベルシフト回路と、ソースに第１の電源が接続され、ゲートに第３の論理信号が接続されたトランジスタと、一端がトランジスタのドレインに接続され、他端が第５の電源に接続されたアンチヒューズ素子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】記憶素子として用いられるアンチフューズ素子の絶縁膜の薄膜化に伴う０データの保持特性の悪化を許容し、安価で信頼性が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、読み出し信号ＲＥＡＤの入力後所定のタイミングでセンスノード１１ａを初期化する初期化信号ＥＱＬを出力すると共に、入力後所定のタイミングでセンスアンプ１４を活性化させるための読み出し動作用センスアンプ活性化信号ＮＡＳＥを出力する制御回路２１と、通常のデータ読み出しが実行される場合に、読み出し動作用センスアンプ活性化信号ＮＡＳＥをセンスアンプ活性化信号ＳＡＥとして出力する一方、アンチフューズ１１のゲート絶縁膜を破壊される前のテストの実行が指示された場合に、読み出し信号ＲＥＡＤの反転信号をセンスアンプ活性化信号ＳＡＥとして出力する切り替え回路２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気ヒューズ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】電気ヒューズを構成するキャパシタ（１０１）と、ライト信号に応じて前記キャパシタの端子に電圧を印加することにより、前記キャパシタの絶縁膜を破壊するライト回路（１０３）と、前記キャパシタ及び前記ライト回路間に直列接続される少なくとも２個の第１及び第２のトランジスタ（１１２，１０２）とを有することを特徴とする電気ヒューズ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＯＴＰメモリの多ビット同時書き込みを可能とする。
【解決手段】 ワード線制御回路ＷＳを配置して、各ワード線に共通接続されたセルトランジスタのゲートにクロック信号ＣＬＫを印加している。そして、クロック信号ＣＬＫがロウレベルの期間はセルトランジスタがオフのため、絶縁破壊されたキャパシタに係るメモリセルも含めて全てのメモリセルに電流が流れない。そのため、最初の書き込みで一旦共通電源電圧ＶＣＣの高電圧値が下がり、書き込み可能電圧以下になったとしても、クロック信号ＣＬＫがロウレベルの期間で、共通電源電圧ＶＣＣ及びデータ線ＤＬが書き込み可能電圧まで上昇される。そして、共通電源電圧ＶＣＣ及びデータ線ＤＬが回復し、十分な電流供給能力を有した後にクロック信号ＣＬＫをロウレベルからハイレベルに変化させることで、残りのメモリセルについて書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】 未書き込み状態でも読み出し出力を確定させ、使用する回路を動作可能にすると共に、書き込みを２回可能にするＯＴＰヒューズ回路を得る。
【解決手段】 コンデンサ４，５の容量値Ｃ４，Ｃ５をＣ４＞Ｃ５に設定したので、ＯＴＰセル１，２のいずれにも書き込みされていない場合、コンデンサ５の方がコンデンサ４よりも早く電位が上昇し、読み出し電圧確定回路の動作により書き込み読み出し線６は“Ｌ”、書き込み読み出し線７は“Ｈ”に読み出し出力が確定し、使用する回路を動作可能にする。また、ＯＴＰセル１に既に書き込みされており、その上、ＯＴＰセル２に書き込みされた場合に、コンデンサ５の方がコンデンサ４よりも早く電位が上昇し、読み出し電圧確定回路の動作により書き込み読み出し線６は“Ｌ”、書き込み読み出し線７は“Ｈ”に読み出し出力が確定し、書き込みを２回可能にする。 （もっと読む）