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国際特許分類[H01J43/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 二次電子放出管;電子増幅管 (159) | 電子増倍器 (158) | 電極装置 (113) | 事実上1つの2次電子放出電極を用いている電極装置 (2)

国際特許分類[H01J43/16]に分類される特許

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ガス電子増倍管の製造方法は、表面上に第1および第2金属層(14、16)を有する絶縁シート(12)を含んでなるブランクシート(28)を製造する工程、第1金属層を通して孔(18)を形成するために、写真平版印刷により第1金属層にパターン形成する、第1金属層孔形成工程、第1金属層(14)中に形成された孔(18)が、第1表面側からのみのエッチングにより絶縁層(12)を通して延長される、絶縁シート孔形成工程、および、孔(18)が第2金属層(16)を通して延長される、第2金属層孔形成工程、を含む。一実施態様では、第2金属層孔形成工程が、電気化学的エッチングにより、第2金属層(16)のエッチングの際に第1金属層(14)が影響されないように行われる。別の実施態様では、第2金属層孔形成工程で、第1および第2金属層(14、16)が外側からエッチングされて、第1および第2金属層(14、16)の初期厚さが減少し、第2金属層(16)が、第1金属層(14)および絶縁シート(12)中の孔(18)を通して同時にエッチングされ、エッチングが、孔(18)が第2金属層を通して伸びるまで維持される。第1および第2金属層(14、16)の初期平均厚さは6.5μm〜25μm、好ましくは7.5μm〜12μmである。
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画像増強装置(300)及びそのための電子増倍装置(312)が開示されている。1つの画像の光子(308)が光電陰極(306)に衝突し、これが光子を電子に転換させる。電子増倍装置が光電陰極からの電子を増倍させて増大した数の電子を作り出す。センサー(314)は該増大した数の電子を捕捉して増強した画像を生成する。電子増倍装置は、半導体構造(320)を収納する電子ボンバードデバイス(EBD)である。半導体構造は、電子を受け入れるための入力表面(320a)及び増大した数の電子を通過させるための発出表面(320b)を有する。半導体構造は、該半導体構造を通って発出表面上の発出領域まで電子の流れを導くようにドープされる。
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