【目的】 簡易で、再現性の良い細線形成方法を得る。
【構成】 半絶縁性ＧａＡｓ基板を、第１の溶液でエッチングし、その後、第２の溶液で処理し、基板／エピ界面の不純物の偏析現象が変わることを利用して、１回のエピタキシャル成長を施すことにより、細線を形成する。
【効果】 細線形成を簡易に再現性良く実施できる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、被エッチング層となる保護膜パターンのパターン寸法精度を良好にすることができるとともに、下地の基板にダメージを入り難くすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 下地の膜１上に被エッチング層２を形成する工程と、次いで、該被エッチング層２上にマスク層３を形成する工程と、次いで、該マスク層３を用い、該マスク層３下以外の領域の該下地の膜１上で該被エッチング層２が部分的に残るように該被エッチング層（２）をドライエッチングする工程と、次いで、該マスク層３を除去する工程と、次いで、該マスク層３下以外の領域の該下地の膜１上に残された該被エッチング層２をウェットエッチングする工程とを含むように構成する。 （もっと読む）

【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。 （もっと読む）

マイクロメカニカル音叉ジャイロスコープであり、これは、溶解シリコンウェーハ・プロセスにより製造されるもので、このプロセスによって、エッチングされたガラス基板（１２）、これにデポジットされた金属電極（２０２）、およびシリコン櫛型ドライブ音叉ジャイロスコープ（１４）をハーメチックシールするアノードボンドンディングが形成される。溶解シリコンウェーハ・プロセスは、シリコン基板（１００）のシングルサイド・プロセッシングを含み、このプロセッシングには、凹部（１０２）のエッチング工程、エッチレジスタントドーパント（１０４）のシリコン基板（１００）への拡散工程および所望の部位（１０６）における拡散層（１０４）をエッチングしてシリコンジャイロスコープの種々のコンポーネンツをリリースする工程が含まれる。ガラス基板（１２）もまたシングルサイド・プロセッシングを受け、このプロセッシングには、凹部エッチング工程、該凹部（２００）にマルチメタル・システムをデポジットする工程および該マルチメタル・システム（２０２）の一部を選択的にエッチングする工程が含まれる。一方の基板（１００）は他方の基板（１２）の上で裏返しにされ、該二つの基板をアノードボンディングする前に、正合させる。 （もっと読む）