【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電極を形成する工程が増えることを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、受光面を有し、該受光面から入射した光を光電変換する光電変換層を有する基板を準備する工程と、該基板の前記受光面の上にアルミニウムを主成分とする被覆層を形成する工程と、該被覆層の一部の上に、アルミニウムと異なる材料を主成分とするマスクを形成する工程と、前記被覆層および前記マスクを酸性溶液に浸すとともに、該酸性溶液内に配置した陰極と前記基板との間に電界を印加して前記マスクから露出している前記被覆層を陽極酸化して、前記基板の前記受光面に到る多数の貫通孔を有する、陽極酸化された該被覆層を形成する工程と、前記被覆層の前記貫通孔を通して前記基板の前記受光面のうち対応する部分をエッチングする工程と、前記マスクを除去して、前記被覆層の前記一部を電極とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスからの光抽出を向上させること。
【解決手段】発光デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とｎ型領域及びｐ型領域のうちの１つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、ＧａＮ又はＧａＰのようなｎ型半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】バッチ処理が可能で、かつ、電極の交換頻度を抑制して稼働率を向上させることができる陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている基板ホルダー４１に複数枚の基板を保持させ、電極２１，２３に通電すると、電極槽２１，２３間でイオンが移動し、イオン交換膜２９，３５を通して複数枚の基板に化成反応が生じる。したがって、複数枚の基板を処理するバッチ処理が可能となる。また、電極槽５，７内に貯留している電解質溶液の濃度は、貯留槽９内に貯留している電解質溶液の濃度よりも低く設定されている。したがって、電極槽５，７内における化成反応が貯留槽９内に比較して抑制されるので、電極槽５，７内における電極２１，２３に生じる局所的な化成反応が抑制できる。その結果、電極２１，２３の劣化を抑制することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム（Ｒｕ）膜などの金属膜を電解エッチングした場合に気泡が発生せず、エッチング形状に凹凸が生じず、良好にエッチングすることができる電解エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】腐食すべき金属材料若しくはその酸化物又は窒化物を含む腐食対象材料に対して所定の直流電圧を印加しながら、上記腐食対象材料に対して、非水系溶液に酸又はアルカリを添加してなるエッチング溶液を付与して電解エッチングする。ここで、上記直流電圧は、水系における上記腐食対象材料のｐＨ−電位図における酸素過電圧境界よりも当該腐食対象材料の腐食領域の高電位側の電圧に設定される。また、上記腐食すべき金属材料はルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）又はシリコン（Ｓｉ）である。 （もっと読む）

【課題】発光効率、発光波長の狭帯域化を図ることができる多孔質シリコン層を形成するため、陽極酸化法で多孔質シリコン層を形成する際、制御性良く微小孔を形成する方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０１と、その表面に埋設された多孔質シリコン層１０２と、多孔質シリコン層に接続するように設けられた透明電極１０３と、単結晶シリコン基板の裏面に設けられたオーミック性電極１０４とを有し、多孔質シリコン層を発光層あるいは受光層とする半導体光素子の製造方法であって、超音波振動を印加しながら、単結晶シリコン基板表面を陽極酸化し、発光層あるいは受光層となる前記多孔質シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）