国際特許分類［H01L21/318］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの；これらの層の後処理；これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層， (4,431) | 窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類［H01L21/318］に分類される特許
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半導体素子の製造方法
【目的】 水素化工程を改善した半導体素子の製造方法を提供する。
【構成】 本発明の半導体素子の製造方法は、基板１上にソース３、ドレイン４、活性層５、ゲート絶縁層６、ゲート７、絶縁層１０、電極８および電極９を形成する第１工程と、前記第１工程で形成された層の上面にプラズマ窒化物層１１を形成する第２工程と、プラズマ窒化物層１１の上面にキャップ層１２を形成する第３工程と、前記第３工程によりキャップ層１２の形成されたトランジスタにプラズマ窒化物層１１から発生する水素が拡散されて入るように熱処理する第４工程とを含む。水素拡散係数の低い材料からなるキャップ層１２により、前記第４工程時に外部へ逃げる水素の量が少なくなり内部に拡散する水素の量が多くなるため水素化効果が増大する。
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