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国際特許分類[H01L21/339]の内容

国際特許分類[H01L21/339]に分類される特許

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【課題】大容量なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】メモリ用シフトレジスタは、基板101と、基板101上に形成され、基板101の主面に垂直な軸Lの周りを回転する螺旋形状を有するチャネル層111とを備える。さらに、メモリ用シフトレジスタは、基板101上に形成され、軸Lに平行な方向に延びており、チャネル層111内の電荷を転送するために使用される3本以上の制御電極1121,1122,1123を備える。 (もっと読む)


【課題】グレーティング技術によりポテンシャルを形成する場合に、ポテンシャルのばらつきを抑制することを目的とする。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、グレーティングマスクを用いてレジスト層を露光する工程と、 露光されたレジスト層を現像し、勾配を有するレジストマスクを形成する工程と、レジストマスクを介して、半導体基板にイオンを注入することで不純物領域を形成する工程と、を具備する。イオンを注入する工程において、520keV以上でイオン注入を行う。 (もっと読む)


【課題】不純物層の深さおよび濃度のばらつきを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板11のチャネル層12上に、酸化膜14を介して、レジスト材料16を一様に形成する工程と、電荷の転送方向に向かって光の透過率が変化するグレーティングマスク17を用いてレジスト材料16を露光する工程と、露光されたレジスト材料16を現像することにより、膜厚が変化する薄膜部18Aを有するレジスト膜18を形成する工程と、レジスト膜18を介してチャネル層12にイオンを注入することにより、第1の不純物層13を形成する工程と、レジスト膜18を除去後、第1の不純物層13上の一部に、酸化膜14を介して転送電極15を形成する工程と、を具備し、レジスト材料16は、単位露光量あたりの膜厚減少量を示すスロープの傾きが、0.0013[μm/mJ/cm]以上、0.005[μm/mJ/cm]以下のレジスト融解特性を有する材料である。 (もっと読む)


【課題】CCDを駆動するクロック信号を自動的に最適な位相に調整し、CCDからクロック信号成分が出力されない位相調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の位相調整装置は、2相駆動型の電荷結合素子を用いたフィルタ回路に入力する第1の信号及び第2の信号の位相関係を調整する位相調整装置において、第1の信号に対して遅延を与える遅延付与手段と、遅延付与手段により遅延が与えられた第1の信号と、第2の信号とを加算又は減算する合成手段と、合成手段から出力する参照信号の電力値に基づいて、第1の信号と第2の信号とが逆位相となるように遅延付与手段の遅延設定量を制御する位相調整制御手段とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】目ずれ補正の精度を向上させた固体撮像素子用のレチクルを提供する。
【解決手段】レチクルは、繰返しパターン12と周辺パターン11、13とを備える。繰返しパターン12及び周辺パターン11、13のうち、第1方向の辺の長さが同じか長い方を、当該辺の長さが第1長さである第1パターンとし、第1方向の辺の長さが同じか短い方を、当該辺の長さが第2長さである第2パターンとすると、第1長さは、第2長さのn倍(nは1以上の整数)である。第1パターンは、第1パターンの上端部から、第2長さ以下の第3長さの位置、及び、第3長さ+(n−1)×第2長さに目ずれ測定パターン60を備える。第2パターンは、第2パターンの上端部から、第3長さの位置に目ずれ測定パターン60を備える。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子のチップの大きさを低減することができ、かつ、信号電荷の転送を良好に行うことができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われる受光部と、半導体基体11に形成された水平転送レジスタ4と、半導体層によって形成された水平転送電極14と、水平転送電極14の水平転送レジスタ4上の部分に電気的に接続され、金属層によって形成されたバスライン16,17と、水平転送電極14とバスライン16,17とを接続するコンタクト部15において、水平転送電極14とバスライン16,17との界面付近に形成され、水平転送電極14の半導体層の仕事関数及びバスライン16,17の金属層の仕事関数の間の大きさの仕事関数を有する、バリアメタル層21とを含む固体撮像素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】転送効率の向上が図られた固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を適用した電子機器を提供する。
【解決手段】受光部2と、垂直転送チャネル11と、転送電極8と、シャント配線9とを有する固体撮像装置において、シャント配線9に接続された抵抗素子Rを構成する。抵抗素子Rをシャント配線9に接続することにより、シャント配線9の全体の抵抗値を調整できる。これにより、転送電極8と、シャント配線9とを伝達するそれぞれの転送パルスの波形の鈍りを調整し、転送効率の劣化を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】単位面積当たりの取り扱い電荷量を拡大しながら、転送効率を向上させ、高速駆動が実現できる電荷転送装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板表面の少なくともn型領域5を高濃度に、且つn型領域5、p型領域4ともに浅く形成して単位面積当たりの取り扱い電荷量を拡大した場合であっても、ゲート電極(7〜10,17〜20)をくの字形状に折り曲げることにより、電界強度を局所的に高めることができるため、転送効率を向上させ、高速駆動が実現できる。 (もっと読む)


【課題】出力回路から出力される信号に含まれるノイズに対する影響を評価可能である固体撮像装置を提供する。
【解決手段】出力回路3は、FDアンプ30を有し、FDアンプ30は、出力トランジスタT1と出力トランジスタとT2,T3とが従属接続されており、固体撮像装置1は、出力トランジスタT1のゲートT1に電位を与えるリセットトランジスタ2を備え、ノード7が出力トランジスタのゲートT1に接続され、ノード6には、外部電源31より第1の電位を与えることが可能であり、出力トランジスタT1のドレインには、外部電源32より第2の電位を与える事が可能である。 (もっと読む)


【課題】信号電荷を分岐させて転送するに際して、信号電荷を誤って別の分岐転送路に転送することを防ぎ、転送効率を改善する。
【解決手段】分岐部の上流側の電荷転送部の転送電極に印加する駆動パルスφH1、φH2の遷移開始時点taが、下流側の電荷転送部の転送電極に印加する駆動パルスφHP1、φHP2の遷移期間B、C内になるように駆動する。 (もっと読む)


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