【目的】ディレイ変動の低減
【構成】化合物半導体層と、この化合物半導体層に設けられた第１導電型のチャネル領域と、化合物半導体層中でこのチャネル領域を挟んで対向して設けられた、第１導電型のソースおよびドレイン領域と、チャネル領域上に設けられ、ソース、ドレイン領域の対向する方向を横切る方向に延在するとともに、チャネル領域よりも外側に突出する突出部を有するゲート電極と、ソースおよびドレイン領域に電気的に接続されたソースおよびドレイン電極と、化合物半導体層中に形成され、かつチャネル領域、ソース、ドレイン領域および前記ゲート電極の突出部よりも外側でこれらを囲み、且つチャネル、ソース、ドレイン領域よりも深く形成された第１導電型とは反対の第２導電型のウエル領域とを備える。 （もっと読む）