説明

国際特許分類[H01L23/522]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | 動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置 (7,814) | 半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの (2,851)

国際特許分類[H01L23/522]の下位に属する分類

適用できる相互接続を有するもの
相互接続構造のレイアウト
材料に特徴のあるもの (313)

国際特許分類[H01L23/522]に分類される特許

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【目的】 半導体チップを搭載する薄膜多層回路基板と、この薄膜多層回路基板を搭載する半導体装置に関し、簡単な構造で放熱性の優れた放熱用ビアホールを持つ薄膜多層回路基板と、簡単な構造でプリント基板実装の為のピンやリードの取り付け強度が高い半導体装置を得る。
【構成】 絶縁基板1と薄膜多層回路部5の接合部分から前記薄膜多層回路部5の表面まで貫通するように形成された放熱用のビアホール4を有し、前記薄膜多層回路部5表面から前記ビアホール4内面を経て前記絶縁基板1に至るまで連続して形成された金属層6を有しており、前記ビアホール4に充填され、且つ前記薄膜多層回路部5に塗布された熱伝導性ペースト7により半導体チップ8が前記薄膜多層回路部5に搭載されている。 (もっと読む)


【目的】半導体相互間の信号のクロストークを減少させ、かつ多層基板の外形を小さくする。また、ヒートシンクの放熱性を良くする。
【構成】この半導体の実装構造は、LSI2と,LSI2の発熱を放熱するヒートシンク3と,LSI2とヒートシンク3との間に介在しLSI2の発熱をヒートシンク3に伝える複数のサーマルビア4とを備える。また、表面側AにLSI2を搭載し、裏面側BにそのLSI2と対向させてヒートシンク3を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア4でLSI2とヒートシンク3とを連結して組立体10とし、裏面側BにLSI2を搭載し、表面側AにそのLSI2と対向させてヒートシンク3を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア4でLSI2とヒートシンク3とを連結して組立体11とし、組立体10と組立体11とを交互に隣接させて実装する多層基板5を備える。 (もっと読む)


【目的】 製造工程が簡単で、所望の変更した配線を短期間に作製でき、寸法精度の高い2層配線構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【構成】 半導体基板上に、絶縁層を介して第1配線層のマスターパターンを形成し、この上に第1スルーホールを有する第2絶縁層を形成し、第1スルーホール内を含む第2絶縁層上に第2配線層を形成し、この後に第1配線層の線幅より大きい第2スルーホールを形成し第2スルーホールを通して第1配線層のマスタパターンを切断して第1配線層のパターンを完成して半導体装置を製造する。 (もっと読む)


【目的】 複数の電子部品を実装する電子回路実装基板、特に、その電源供給手段に特徴を有する電子回路実装基板に関し、大電流を供給することができ、かつ、実装密度を高くして小型化し、信号の伝播速度を高速化する。
【構成】 支持基板1上に、複数の電源用配線層3と複数の信号用配線層4が互いに絶縁層2によって絶縁された多層配線構造体が形成され、その上に複数の電子部品8が実装され、この電源用配線層3および信号用配線層4と電子部品8の間が必要に応じてVia5によって接続された電子回路実装基板において、支持基板1自体を導電体とし、電源用配線層3の背面から電源を供給することを可能とした。また、この支持基板1自体を電源用配線層の一つに兼用して配線層数を低減する。 (もっと読む)




【目的】 複数の電子部品を実装する電子回路実装基板、特に、その電源供給手段に特徴を有する電子回路実装基板に関し、大電流を供給することができ、かつ、実装密度を高くして小型化し、信号の伝達速度を高速化することができる電子回路実装基板を提供する。
【構成】 複数の電源用配線層3と複数の信号用配線層4が絶縁層2によって相互に絶縁された多層配線構造体の上に複数の電子部品8が搭載され、この電源用配線層3および信号用配線層4と電子部品8の間が必要に応じてVia5によって接続されている電子回路実装基板において、最上層よりも下層に配置された電源用配線層3の少なくとも一つに外部から電源を供給するための電源接続用パッド6が設けられている。上層に形成された電源接続用パッド27から耐湿側壁26を通して下層の電源用配線層23に電源を供給することもできる。 (もっと読む)



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