【目的】半導体相互間の信号のクロストークを減少させ、かつ多層基板の外形を小さくする。また、ヒートシンクの放熱性を良くする。
【構成】この半導体の実装構造は、ＬＳＩ２と，ＬＳＩ２の発熱を放熱するヒートシンク３と，ＬＳＩ２とヒートシンク３との間に介在しＬＳＩ２の発熱をヒートシンク３に伝える複数のサーマルビア４とを備える。また、表面側ＡにＬＳＩ２を搭載し、裏面側ＢにそのＬＳＩ２と対向させてヒートシンク３を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア４でＬＳＩ２とヒートシンク３とを連結して組立体１０とし、裏面側ＢにＬＳＩ２を搭載し、表面側ＡにそのＬＳＩ２と対向させてヒートシンク３を搭載し、自らの板厚方向に貫通する複数のサーマルビア４でＬＳＩ２とヒートシンク３とを連結して組立体１１とし、組立体１０と組立体１１とを交互に隣接させて実装する多層基板５を備える。 （もっと読む）

【目的】 短絡を防止すると共に、高密度実装を実現する。
【構成】 パッケージ１の両側面には等間隔ｌを有して外部接続用端子２、３が導出されている。これら外部接続用端子のうち、２はパッケージ１の下面側に折り曲げられてパッケージ１の下面に電極部が設けられている。一方、外部接続用端子３は、パッケージ１の上面側に折り曲げられてパッケージ１の上面に電極部８が設けられている。これら下面側および上面側の電極部間の距離Ｌは、距離ｌの２倍となる。 （もっと読む）