【課題】光電変換部が並進対称性配列の位置から位置ずれして配置されていても、入射光を光電変換部に効果的に集光することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子を用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】２個の単位画素、例えば単位画素１０と２０に共通のＦＤ（フローティングディフュージョン）部４を境界位置に設ける。シリコン基板に光電変換部２を形成するとともに、これとＦＤ部４とを電荷転送ゲート３を介して連結する。ＦＤ部４の上方に高屈折率材料層３３を設け、それ以外の領域には低屈折率材料層３４を設け、入射光の光路を変更し、中心位置からＦＤ部４側に偏位して設けられた光電変換部２に集光する。画素間でトランジスタを共用することで、１画素当りのトランジスタ数を減少させることができる。また、高屈折率材料層３３がレンズ形状を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】画素電極パターンと半導体基板とを電気的に接続するコンタクトプラグを形成するための工程数を低減できる固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置を提供する。
【解決手段】製造方法は、光電変換膜を覆う共通電極膜を形成する工程と、前記共通電極膜を加工し、前記光電変換膜における第１の部分を覆う共通電極パターンと、前記光電変換膜における第２の部分を露出する開口パターンとを形成する工程と、前記共通電極パターンと前記光電変換膜における前記開口パターンにより露出された前記第２の部分とを覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜、前記光電変換膜、及び金属膜を貫通し半導体基板の表面を露出する穴を形成する工程と、前記穴に導電物質を埋め込んでコンタクトプラグを形成する工程と、前記コンタクトプラグ及び前記絶縁膜を覆う画素電極膜を形成する工程とを備え、前記開口パターンの幅は、前記コンタクトプラグの幅より大きい。 （もっと読む）

【課題】画素の駆動に際し同時性を保持した高速駆動が実現され、画素ムラが低減された固体撮像装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の画素４が形成された第１のチップ２と、画素４を駆動する複数の画素駆動回路１１が形成された第２のチップ３とが積層された構成の固体撮像装置において、全画素同時に露光を開始し、全画素同時に露光を終了する。それと共に、全画素の受光部で生成された信号電荷を電荷蓄積容量部に読み出す。次に、所望の画素に、所望の画素の下部に配された画素駆動回路から駆動パルスを入力して、所望の画素の電荷蓄積容量部に保持された信号電荷を、画素信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】高い外部量子効率を示し、かつ、暗電流値が低く、素子を加熱処理した場合にも、外部量子効率の低下を抑え、暗電流の増加幅を小さくすることが可能な、耐熱性に優れた光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性薄膜、有機光電変換膜、ブロッキング層及び透明導電性薄膜を含んでなる光電変換素子。有機光電変換膜が、ガラス転移点（Ｔｇ）が１００℃以上のｐ型有機光電変換材料であってアモルファス膜を形成するｐ型有機光電変換材料を含有し、ブロッキング層が、Ｔｇが１４０℃以上であるブロッキング材料を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｅを主成分とする読取用光導電層を有する静電記録体において、電極との界面での界面結晶化の問題を解消する。
【解決手段】読取光に対して透過性を有する支持体８上に、読取光に対して透過性を有する電極層５、ａ−Ｓｅを主成分とする、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層４、記録用光導電層２で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部２３を形成するための電荷輸送層３、ａ−Ｓｅを主成分とする、記録光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、および記録光に対し透過性を有する電極層１とがこの順に積層された静電記録体１０において、読取用光導電層４と電極層５の電極との界面に、界面結晶化を抑制する物質として、Ａｓを０．５〜４０ａｔｏｍ％ドープして、読取光の最も入射側に、界面結晶化を抑制する薄層を設けたのと実質的に等価な状態にする。 （もっと読む）

【課題】画素個々の蓄積期間の同時性を持った良好な画像を得るために、有効な画素数を損なうことなく、偽信号の補正を行うことができるようにする。
【解決手段】第１，第２の電荷蓄積部３３，３５を有する画素構成のＣＭＯＳイメージセンサ１０において、先ず、全画素３０のフォトダイオード３１を一括してリセットして信号電荷の蓄積を開始し、蓄積時間終了時に第１、第２の電荷蓄積部３３，３５をリセットする。次に、フォトダイオード３１に蓄積された信号電荷を第１の電荷蓄積部３３に一括転送する。第１の電荷蓄積部３３に信号電荷を一括転送した後、順次行読出しにおいて、先ず、第２の電荷蓄積部３５の信号レベルを読み出す。次いで、第１の電荷蓄積部３３の信号電荷を第２の電荷蓄積部３５に読み出し、当該第２の電荷蓄積部３５の電荷に応じた信号レベルを読み出す。しかる後、後で読み出した信号レベルから、先に読み出した信号レベルを減算する。 （もっと読む）

【課題】微細化しても高いＳＮ比を得ることを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体基板上に設けられた複数の画素２０１であって、それぞれが半導体基板の第１面側から入射する光を信号電荷に変換し蓄積する第２導電型の半導体領域２０１ａを有する複数の画素２０１と、半導体基板の第１面と反対の第２面側に設けられ、画素に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出し回路と、半導体領域の光が入射する側の面上に周期的に設けられた微細金属構造２５０と、微細金属構造と半導体領域との間に設けられた絶縁膜２３６ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】露光期間に近いタイミングまで画像信号の取得を行うことができる固体撮像装置、駆動方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部と、光電変換部をリセットする第１のリセット部と、信号電荷を転送する転送部と、信号電荷を増幅する増幅部と、増幅部をリセットする第２のリセット部と、増幅信号を出力する選択部と、を有する画素を２次元に複数配列した画素部と、画素を行毎に選択して読み出す垂直走査部と、を備え、垂直走査部は、ノイズ信号読み出しモードと、同時露光モードと、第１の画素信号読み出しモードと、第２の画素信号読み出しモードと、を有し、画素部の複数の行の画素を組とし、同時露光モードによって露光を開始する前に、画素行の組毎にノイズ信号読み出しモードでノイズ信号の読み出しを行い、ノイズ信号の読み出しが終了していない組の画素行を用いて第２の画素信号読み出しモードで画素信号の読み出しを行う。 （もっと読む）

【課題】列回路へのクロック波形の精度を向上し、ＡＤ変換の高速化と高精度化を実現する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】画素信号とランプ波とを比較し、画素信号とランプ波とが一致するタイミングを検知する列比較回路と、画素列毎に設けられ、列比較回路でのタイミングを、クロック信号が供給されることにより計測するカウンタ回路１０と、等間隔に直列接続されたＭ個の第１インバータとを有し、カウンタ回路１０は、上位クロック段に配置されたＭ個の第１インバータのそれぞれに対応したＭ個のグループのいずれかに属し、奇数番目のグループは、当該グループに対応する第１インバータの出力端子と、当該グループのカウンタ回路１０との間に配置された第２インバータを有し、偶数番目のグループは、当該グループに対応する第１インバータの出力端子と、当該グループのカウンタ回路１０との間に配置されたバッファを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素の変曲点の、基準特性の変曲点からのズレを補正することで、高画質化に寄与する。
【解決手段】本発明の撮像装置は、変曲点を境に異なる光電変換特性を有する複数の画素からなる撮像素子を備えた撮像装置であって、前記画素の変曲点の、基準となる光電変換特性の変曲点からのズレを画素毎に補正する変曲点バラツキ補正手段を有し、前記バラツキ補正手段は、複数の画素の光電変換特性を変曲点位置により画素数より少ない複数のパターンに分類し、前記各パターンに分類された各画素の光電変換特性を、前記複数のパターン毎に記憶されている変曲点補正のための特性変換パターン情報により補正することにより、前記画素の変曲点を前記基準となる光電変換特性の変曲点に画素毎に合わせこむ。 （もっと読む）