【目的】 製造工程を簡略化し、製造工程の歩留まりを向上し、材料の効率的利用とあいまって低コストで、安価な光電変換装置を提供する。
【構成】 少なくともＭＩＳ型フォトダイオード１０とスイッチ素子１１とを同一基板上に具備する光電変換装置であって、ＭＩＳ型フォトダイオード１０とスイッチ素子１１との半導体層を同一工程で堆積される同一半導体材料で構成した。 （もっと読む）

【目的】 伝送線の寄生容量を低減する。
【構成】 二次元に配列した複数の光電変換画素と、一配列方向に配された複数の光電変換画素を複数のグループに分割し、各グループの光電変換画素ごとに設けた複数の信号出力線２，２′と、を備える。 （もっと読む）

【目的】 主走査方向の中央部での完全密着型イメージセンサの解像力の低下や白出力の低下等を防止する。
【構成】 原稿１上の情報を電気信号に変換する受光素子２と原稿１との間に、ガラスファイバが組み込まれた基板３を配置した構成の完全密着型イメージセンサを前提とし、ガラスファイバが組み込まれた基板３の原稿１面側を略中央が他の部位よりも突出して主走査方向に沿って滑らかに連なる凸面４としたものである。 （もっと読む）

差分画素検出器における実効差分ダイナミックレンジは、検出される光エネルギーにおける共通モードの寄与による飽和効果を避けることにより、増大される。各光検出器のペアによって生成された光電流は、積分時間Tにわたって、関連コンデンサにより直接積分される。時間T内で、いずれかの積分されたコンデンサ電圧が光検出器におけるV_satに達する前に、少なくとも1つのコンデンサが、所望の差分検出器信号がなおも特定可能であるような電圧にリセットされる。リセットは、差分画素検出器の外部でも、又は内部でも、生成することができる。
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本発明は、電磁波の位相及び振幅を検出するための装置に関する。本装置は、当該電磁波に対して敏感である少なくとも２つの変調フォト・ゲート（１，２）から成っている。本装置は、また前記変調フォト・ゲートに対して関連付けられかつ感光性でない累算ゲート（４，５）から成り、そして累算ゲートが読出し装置に接続され、変調フォト・ゲートは変調装置に接続され得る変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）のための電気接続部を有している。前記変調装置はそれら変調フォト・ゲート（１，２）の当該電位を互いに増減させ、かつ所望の変調関数に対応して好ましくは一定の累算ゲート（４，５）の当該電位をも増減させる。本発明は、複数の変調フォト・ゲート（１，２）と累算ゲート（４，５）が、ＰＭＤピクセルをグループ形式で形成する長くて狭い平行ストリップの形態を採るように構成されている。 （もっと読む）