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国際特許分類[H01L27/148]の内容

国際特許分類[H01L27/148]に分類される特許

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【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する2以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第1のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第2のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】より安定した黒レベルを得られるようにする。
【解決手段】N行のオプティカルブラック画素行を含む行列状に配列された複数の画素を有するフレーム・トランスファ方式のCCD固体撮像素子において(Nは2以上の整数)、 垂直転送部から水平転送部へ転送されてくるオプティカルブラック画素の電荷を垂直転送部から水平転送部へ転送するにあたり、先に転送されてくるN−1行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させず、最後の1行分のオプティカルブラック画素の電荷については水平転送部へ転送させる転送制御を行う。 (もっと読む)


【課題】 静止画モード時にA/D変換時のセトリング期間を確保でき、画像信号の劣化を抑制できる撮像装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 撮像装置は、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部と、前記信号電荷を蓄積し、信号電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、前記信号電圧をデジタル信号に変換するアナログ・デジタル変換部と、リセットパルスが入力されることで、前記フローティングディフュージョン部に蓄積された信号電荷を破棄するリセット部と、前記画素部の信号電荷をそれぞれ信号電圧に変換する第1モードの場合、第1のLowレベルを有する第1のリセットパルスを生成し、前記複数の画素の信号電荷を加算して前記信号電圧に変換する第2モードの場合、前記第1のLowレベルより低い第2のLowレベルを有する第2のリセットパルスを生成して、前記リセット部に供給するリセットパルス生成部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 垂直転送レジスタの電荷の掃き出し駆動を行う際に発生する、撮像素子のポテンシャル電位の揺れ量を軽減し、撮像素子の信号電荷の飽和容量が減少することを抑制する。
【解決手段】 ダイナミックレンジを必要とするときには、垂直CCD23に存在する偽信号電荷を排出するための垂直CCD23の駆動周波数が、ダイナミックレンジを必要としないときを下回り、且つ、信号電荷を転送するときよりも高くなるようにする。 (もっと読む)


【課題】ダーク成分やシェーディングの影響の抑制し、読み取り速度の高速化を図る。
【解決手段】リニアセンサ10は、1次元方向に配列された複数の第1光電変換部11aを有する第1センサ列12aと、1次元方向に配列された複数の第2光電変換部11bを有する第2センサ列12bと、各第1光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第1水平転送部14aと、各第2光電変換部から信号電荷を読み出して列方向に転送する第2水平転送部14bと、第1水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力し、第2水平転送部により転送された信号電荷を検出して出力する出力部18とを備える。第1光電変換部11aは光が入射する開口を有する受光センサであり、第2光電変換部は光が入射する開口が塞がれた遮光センサであり、各遮光センサは各々対応する受光センサに隣接して設けられ、第1センサ列と第2センサ列とが並列に設けられて構成される。 (もっと読む)


【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板10中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部2と、基板10上の受光部2に隣接する位置に形成されて受光部2が生じた電荷の転送を行う転送電極12と、転送電極12上に形成される上部構造14〜16と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部2の直上かつ上部構造14〜16に挟まれた空間に、光導波路18を形成する。このとき、光導波路18を成す材料を、少なくとも第1ステップ及び第2ステップにより成膜するが、第1ステップは、第2ステップよりも前に行い、第1ステップにおける成膜速度を、第2ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 (もっと読む)


【課題】TDI動作によって撮像を行う際に、撮像に要する時間を短くすることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置1Aは、M×N個(M,Nは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成る撮像面12、撮像面12に対して列方向の一端側に各列毎に配置されたN個の信号読出回路20、及び、撮像面に対して列方向の他端側に各列毎に配置されたN個の信号読出回路30を有するCCD型の固体撮像素子10と、信号読出回路20から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子50と、信号読出回路30から各列毎に出力される電気信号をディジタル変換したのちシリアル信号として順次出力する半導体素子60とを備える。 (もっと読む)


【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子100において、垂直CCD部110は、シリコン基板1内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル3と、シリコン基板1上にゲート絶縁膜7を介して転送チャネル3に沿って配列された複数の電荷転送電極8と、隣接する電荷転送電極8の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部101は、シリコン基板1内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域5と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜11とを有する構造とした。 (もっと読む)


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