国際特許分類[H01L29/417]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00〜47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00 (54,759) | 電極 (8,931) | その形状,相対的大きさまたは配置に特徴のあるもの (5,475) | 整流,増幅またはスイッチされる電流を流すもの (1,983)
国際特許分類[H01L29/417]に分類される特許
1,981 - 1,983 / 1,983
PN接合ダイオード装置及びその製造方法
【課題】より小型が可能なPN接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】PN接合ダイオードのカソード電極22及びアノード電極23を共に、シリコン基板10の一方の主面に形成することにより、カソード電極22及びアノード電極23とをリードフレーム26に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。
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表示装置及びその作製方法
【課題】 配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明はEL表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Cuを有する配線を設ける。また、該配線のCuを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。
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半導体装置
【課題】低オン抵抗の縦型トランジスタが形成されてなる半導体装置を提供する。また、マルチチャネル化の自由度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板30の一方の表面である主面側に形成された第1電極と、もう一方の表面である裏面側に形成された第2電極とを有する縦型トランジスタ101が形成されてなる半導体装置100であって、第1電極が、主面上に形成された層間絶縁膜43を介して、主面側の半導体基板30表層部に形成された拡散領域41,42,48に接続する第1金属層44からなり、裏面側には、半導体基板30の内部に向かってトレンチ35が形成され、第2電極が、トレンチ内に形成され、トレンチ35によって露出された半導体基板30内の半導体層33に接続する第2金属層37からなる半導体装置100とする。
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1,981 - 1,983 / 1,983
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