ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法
【課題】より小型が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、シリコン基板１０の一方の主面に形成することにより、カソード電極２２及びアノード電極２３とをリードフレーム２６に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。
【解決手段】ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、シリコン基板１０の一方の主面に形成することにより、カソード電極２２及びアノード電極２３とをリードフレーム２６に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＰＮ接合ダイオードとしてｎ型の半導体基体の第１の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する一方、この高濃度ｐ型半導体領域から離れるようにして、第２の主面側に高濃度ｎ型半導体領域を形成したものがある。この種のＰＮ接合ダイオードは、製造方法が比較的簡易なこともあって、一般に広く用いられている。このＰＮ接合ダイオードにおいては、ダイオードの種類としてメサ型ダイオード、反転防止型ダイオード等があるが、いずれも一方の主面に形成された高濃度ｐ型半導体領域上にアノード電極を、他方の主面に形成された高濃度ｎ型半導体領域にカソード電極を形成している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このように半導体基体の両主面に電極を形成しているため、リードフレームを備えたパッケージにダイオードを配置し、配線する場合は、一方の主面の電極から金等のワイヤーを使用して、インナーリード部等と接続する。反転防止型シリコンダイオード装置を例にとり、図６を用いて説明する。シリコン基板６０はパッケージ６６に収められている。シリコン基板６０においては、その第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域６１が形成されており、また、領域６１の上にはカソード電極６２が形成されている。また、第２の主面側に、高濃度Ｐ型半導体領域６４及び領域６４から離れて第２の高濃度ｎ型半導体領域である反転防止層６３が形成されている。この反転防止層６３によって、高濃度ｐ型半導体領域６４からの基板表面リーク電流は抑制される。また、高濃度ｐ型半導体領域６４上にアノード電極６５が形成されている。
【０００４】
このように構成されたシリコンチップ６０ａにおいては、カソード電極６２がリードフレーム６７の上に接着するように実装されている。一方、アノード電極６５には金ワイヤー６９が金ボール６８によって接着され、金ワイヤー６９が、更にもう一方のリードフレーム６７に接続されている。パッケージ６６内のシリコンチップ６６ａは図示しない樹脂で封止されており、更に、パッケージの外枠７０によって覆われ、保護されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３，３１３，５６６号公報（第４頁、図４）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＰＮ接合ダイオード装置の用途を拡大するうえで、より一層の小型化が要求されており、外形の高さや幅を更に縮小することが課題となっている。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その目的は、より一層の小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の第１の発明は、ｎ型半導体で構成される第１の半導体基体の第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第１の主面と、少なくとも第１の主面側に第２の高濃度ｎ型半導体領域が形成されている第２の半導体基体の前記第１の主面とを接着して半導体基板を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第２の主面側に、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、第２の発明は、ｎ型半導体基板の第１の主面側の一部に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第１の主面側に、前記第１の高濃度ｎ型半導体領域より浅く第２の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面側の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とすることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第１の発明及び第２の発明によれば、同じ主面上に高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域が存在することにより、それぞれの電極を同じ主面側でパッケージのリードフレームに接着して接続することが可能になる。従って、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
更に、本発明の第３の発明は、ｎ型半導体基板と、前記半導体基板の第１の主面側に形成された高濃度ｐ型半導体領域と、前記半導体基板の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて前記第１の主面側に形成された第３の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び第３の高濃度ｎ型半導体領域から離れ、且つ前記半導体基板に形成された第２の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れ、且つ前記第３の高濃度ｎ型半導体領域及び前記第２の高濃度ｎ型半導体領域と接続し、前記半導体基板に形成された第１の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ形成された電極とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、同じ主面上に高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域が存在することにより、それぞれの電極を同じ主面側でパッケージのリードフレームに接着して接続することが可能になる。従って、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置を提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１及び図２は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図である。また、図２（ｆ）は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【００１５】
先ず、図１（ａ）に示すように半導体基体としてｎ型シリコン基板１０を用意する。次に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第１のシリコン酸化膜１１をｎ型シリコン基板１０の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第１の燐添加シリコン酸化膜１２をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第１のキャップ膜１２ａをＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板１０の中に拡散させ、第１の高濃度ｎ型半導体領域１３を形成する。
【００１６】
続いて、ｎ型シリコン基板１０の上の、第１のキャップ膜１２ａ、第１の燐添加シリコン酸化膜１２及び第１のシリコン酸化膜１１をウェットエッチングで除去する。次に、高濃度ｎ型シリコン基板１４を用意し、図１（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０の高濃度ｎ型半導体領域１３を形成した主面と高濃度ｎ型シリコン基板１４の一方の主面とを、両方の表面のシリコン原子が化学的に結合するように、貼り合せ法によって接着させる。更に、ｎ型シリコン基板１０のｎ層全面が露出している主面側からｎ型シリコン基板１０を研削することによって、研削層１０ａを除去し、貼り合せシリコン基板１５を形成する。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、貼り合せシリコン基板１５のｎ層が全面に露出している主面の上に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜１６を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。次に、ボロン添加シリコン酸化膜１７をＣＶＤ法で形成した後、ｐ型不純物の外方拡散を防止するため、第２のキャップ膜１７ａをＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、ボロンを貼り合せシリコン基板１５の中に拡散させ、高濃度ｐ型半導体領域１８を形成する。この時、高濃度ｎ型シリコン基板１４の部分であった第２の高濃度ｎ型半導体領域１４ａからｎ型不純物がｎ型シリコン基板１０に拡散し、しみ出し層１４ｂが形成される。続いて、第２のキャップ膜１７ａ、ボロン添加シリコン酸化膜１７及び第２のシリコン酸化膜１６をウェットエッチングで除去する。
【００１８】
次に、図１（ｄ）に示すように、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて、貼り合せシリコン基板１５における高濃度ｐ型半導体領域１８を形成した主面側の上に第３のシリコン酸化膜１９を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第２の燐添加シリコン酸化膜２０をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第３のキャップ膜２０ａをＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、燐を貼り合せシリコン基板１５の中に拡散させ、燐が第１の高濃度ｎ型半導体領域１３まで届くように、第３の高濃度ｎ型半導体層２１を形成する。この時、第１の高濃度ｎ型半導体領域１３が存在することによって、第３の高濃度ｎ型半導体領域２１の深さが比較的浅くて良いため、しみ出し層１４ｂの更なる拡散は少なく抑制される。続いて、貼り合せシリコン基板１５の上の、第３のキャップ膜２０ａ、第２の燐添加シリコン酸化膜２０及び第３のシリコン酸化膜１９をウェットエッチングで除去する。
【００１９】
次に、図２（ｅ）に示すように、貼り合せシリコン基板１５の高濃度ｐ型半導体領域１８を形成した主面側の上に、スパッタ法或いは蒸着法によるＣｒ−Ｎｉ−Ａｇ膜の成膜と、リソグラフィ法、リフトオフ法、エッチング法等によるパターニングを行って、カソード電極２２及びアノード電極２３を形成し、ＰＮ接合ダイオードを完成させる。
【００２０】
貼り合せシリコン基板１５に複数のＰＮ接合ダイオードが形成されている場合には、次に、図示しないが、貼り合せシリコン基板１５を、例えばダイヤモンドブレードによりダイシングし、シリコンチップ２４に分割する。続いて、分割したシリコンチップ２４を図２（ｆ）に示すように、パッケージ２５に配置する。
即ち、電極２２、２３がリードフレーム２６の部分２６ａ、２６ｂに接着するようにシリコンチップ２４をマウントし、図示しない樹脂でシリコンチップ２４を封止し、更に保護用としてパッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００２１】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、貼り合せシリコン基板１５の一方の主面に形成することにより、小型化が可能になる。特に、電極とリードフレームをワイヤー等で接続することなく、接着することが可能になる。このため、ＰＮ接合ダイオードを小型なパッケージに実装可能になる。また、一方の主面の高濃度ｎ型不純物領域と他方の主面の高濃度ｎ型半導体領域を接続する熱処理を抑えることにより、しみ出し層１４ｂを小さくし、ＰＮ接合ダイオードの容量及び抵抗を小さく抑えることができる。
【００２２】
（第２の実施の形態）
図３は本発明によるＰＮ接合ダイオード及びその製造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態では、第１の実施の形態とパッケージの形態が異なり、更に、小型化が可能になる。第２の実施の形態では、第１の実施の形態による図１（ａ）〜（ｄ）及び図２（ｅ）までのＰＮ接合ダイオードを形成する工程までは同じである。即ち、不純物導入及び貼り合せ法によるｎ型シリコン基板と高濃度ｎ型シリコン基板の接着を経て、アノード電極及びカソード電極を形成し、更に、貼り合せシリコン基板をダイシングし、シリコンチップに分割する。
【００２３】
その後、本実施の形態では、図３に示すように、シリコンチップ２４を、パッケージ２５におけるパッケージ基板２５ａに同一化されて形成してあるリードフレーム２５ｂの部分２５ｃ、２５ｄにカソード電極２２及びアノード電極２３が接着するようにマウントし、図示しない樹脂で封止し、パッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００２４】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのアノード電極２２及びカソード電極２３を共に、貼り合せシリコン基板１５の第１の主面に形成すること、及びパッケージ基板２５ａに同一化して形成してあるリードフレーム２５ｂを用いることによって、ワイヤー等で接続することなく、より小型化が可能ななＰＮ接合ダイオードが得られる。
【００２５】
（第３の実施の形態）
図４及び図５は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。また、図５（ｆ）は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の第３の実施の形態を示す断面図である。
【００２６】
先ず、図４（ａ）に示すように半導体基体としてｎ型シリコン基板３０を用意する。次に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第１のシリコン酸化膜３１をｎ型シリコン基板３０の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第１の燐添加シリコン酸化膜３２をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第１のキャップ膜３３をＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第１の高濃度ｎ型半導体領域３４を形成する。
【００２７】
続いて、ｎ型シリコン基板３０の上の、第１のキャップ膜３３、第１の燐添加シリコン酸化膜３２及び第１のシリコン酸化膜３１をウェットエッチングで除去する。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０の全面に第２の燐添加シリコン酸化膜３５をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第２のキャップ膜３６をＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第２の高濃度ｎ型半導体領域３７を形成する。この時、第１の高濃度ｎ型半導体領域３４の燐は更に基板中に深く拡散する。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０のｎ型半導体層が露出している主面の上に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜３８を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。続いて、ボロン添加シリコン酸化膜３９をＣＶＤ法で形成した後、ｐ型不純物の外方拡散を防止するため、第３のキャップ膜４０をＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、ボロンをｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、高濃度ｐ型半導体層４１を形成する。この時、第２の高濃度ｎ型半導体領域３７からｎ型半導体層に燐が拡散し、しみ出し層４２を形成する。続いて、第３のキャップ膜４０、ボロン添加シリコン酸化膜３９及び第２のシリコン酸化膜３８をウェットエッチングで除去する。
【００３０】
更に、図４（ｄ）に示すように、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第３のシリコン酸化膜４３をｎ型シリコン基板３０の高濃度ｎ型半導体領域４１を形成した主面側の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第３の燐添加シリコン酸化膜４４をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第４のキャップ膜４５をＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、燐が第１の高濃度ｎ型半導体領域３４まで届くように、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第３の高濃度ｎ型半導体領域４６を形成する。続いて、ｎ型シリコン基板３０上の第４のキャップ膜４５、第３の燐添加シリコン酸化膜４４及び第３のシリコン酸化膜４３をウェットエッチングで除去する。
【００３１】
次に、図５（ｅ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０の高濃度ｐ型半導体領域４１を形成した主面側の上に、スパッタ法或いは蒸着法によるＣｒ−Ｎｉ−Ａｇ膜の成膜と、リソグラフィ法、リフトオフ法、エッチング法等によるパターニングを行って、カソード電極４７及びアノード電極４８を形成し、ＰＮ接合ダイオードを完成させる。
【００３２】
ｎ型シリコン基板３０に複数のＰＮ接合ダイオードが形成されている場合には、次に、図示しないが、ｎ型シリコン基板３０を、例えばダイヤモンドブレードによりダイシングし、シリコンチップ４９に分割する。続いて、分割したシリコンチップ４９を図５（ｆ）に示すようにパッケージ５０に配置する。即ち、電極４７、４８がリードフレーム５１の部分５１ａ、５１ｂに接着するようにシリコンチップ４９をマウントし、図示しない樹脂でシリコンチップ４９を封止し、更に保護用としてパッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００３３】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのカソード電極４７アノード電極４８及びアノード電極４８を共に、シリコン基板３０の第１の主面に形成することにより、小型化を達成できる。特に、電極４７、４８とリードフレーム５１をワイヤー等で接続することなく、直接に接着することが可能になる。このため、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置が得られる。
【００３４】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、例えば、半導体基体としてはシリコン基板だけでなく、化合物半導体であっても良い。また、不純物導入方法は拡散法だけでなく、イオン注入法でも良く、不純物種も燐、ボロンに限るものではない。電極材料はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ等をベースにしても良い。その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、ＰＮ接合ダイオードのアノード電極及びカソード電極を共に、シリコン基板の第１の主面に形成することにより、小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図２】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図３】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第２の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図４】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図５】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図６】従来例を示す断面図。
【符号の説明】
１０、３０、６０ ｎ型シリコン基板
１０ａ 研削層
１１、３１ 第１のシリコン酸化膜
１２、３２ 第１の燐添加シリコン酸化膜
１２ａ、３３ 第１のキャップ膜
１３、３４ 第１の高濃度ｎ型半導体領域
１４ 高濃度ｎ型シリコン基板
１４ａ、３７ 第２の高濃度ｎ型半導体領域
１４ｂ、４２、６１ａ しみ出し層
１５ 貼り合せシリコン基板
１６、３８ 第２のシリコン酸化膜
１７、３９ ボロン添加シリコン酸化膜
１７ａ、３６ 第２のキャップ膜
１８、４１、６４ 高濃度ｐ型半導体領域
１９、４３ 第３のシリコン酸化膜
２０、３５ 第２の燐添加シリコン酸化膜
２０ａ、４０ 第３のキャップ膜
２１、４６ 第３の高濃度ｎ型半導体領域
２２、４７ カソード電極
２３、４８、６５ アノード電極
２４、４９、６０ａ シリコンチップ
２５、５０、６６ パッケージ
２５ａ、５０ａ、６６ａ パッケージ基板
２６、２５ｂ、５１、６７ リードフレーム
２６ａ、２６ｂ、２５ｃ、２５ｄ、５１ａ、５１ｂ リードフレームの部分
２７、５２、７０ 外枠
４４ 第３の燐添加シリコン酸化膜
４５ 第４のキャップ膜
６１ 高濃度ｎ型半導体領域
６３ 反転防止層
６８ 金ボール
６９ 金ワイヤー
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＰＮ接合ダイオードとしてｎ型の半導体基体の第１の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する一方、この高濃度ｐ型半導体領域から離れるようにして、第２の主面側に高濃度ｎ型半導体領域を形成したものがある。この種のＰＮ接合ダイオードは、製造方法が比較的簡易なこともあって、一般に広く用いられている。このＰＮ接合ダイオードにおいては、ダイオードの種類としてメサ型ダイオード、反転防止型ダイオード等があるが、いずれも一方の主面に形成された高濃度ｐ型半導体領域上にアノード電極を、他方の主面に形成された高濃度ｎ型半導体領域にカソード電極を形成している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このように半導体基体の両主面に電極を形成しているため、リードフレームを備えたパッケージにダイオードを配置し、配線する場合は、一方の主面の電極から金等のワイヤーを使用して、インナーリード部等と接続する。反転防止型シリコンダイオード装置を例にとり、図６を用いて説明する。シリコン基板６０はパッケージ６６に収められている。シリコン基板６０においては、その第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域６１が形成されており、また、領域６１の上にはカソード電極６２が形成されている。また、第２の主面側に、高濃度Ｐ型半導体領域６４及び領域６４から離れて第２の高濃度ｎ型半導体領域である反転防止層６３が形成されている。この反転防止層６３によって、高濃度ｐ型半導体領域６４からの基板表面リーク電流は抑制される。また、高濃度ｐ型半導体領域６４上にアノード電極６５が形成されている。
【０００４】
このように構成されたシリコンチップ６０ａにおいては、カソード電極６２がリードフレーム６７の上に接着するように実装されている。一方、アノード電極６５には金ワイヤー６９が金ボール６８によって接着され、金ワイヤー６９が、更にもう一方のリードフレーム６７に接続されている。パッケージ６６内のシリコンチップ６６ａは図示しない樹脂で封止されており、更に、パッケージの外枠７０によって覆われ、保護されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３，３１３，５６６号公報（第４頁、図４）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＰＮ接合ダイオード装置の用途を拡大するうえで、より一層の小型化が要求されており、外形の高さや幅を更に縮小することが課題となっている。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その目的は、より一層の小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の第１の発明は、ｎ型半導体で構成される第１の半導体基体の第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第１の主面と、少なくとも第１の主面側に第２の高濃度ｎ型半導体領域が形成されている第２の半導体基体の前記第１の主面とを接着して半導体基板を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、前記第１の半導体基体の第２の主面側に、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、第２の発明は、ｎ型半導体基板の第１の主面側の一部に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第１の主面側に、前記第１の高濃度ｎ型半導体領域より浅く第２の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面側の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とすることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第１の発明及び第２の発明によれば、同じ主面上に高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域が存在することにより、それぞれの電極を同じ主面側でパッケージのリードフレームに接着して接続することが可能になる。従って、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
更に、本発明の第３の発明は、ｎ型半導体基板と、前記半導体基板の第１の主面側に形成された高濃度ｐ型半導体領域と、前記半導体基板の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて前記第１の主面側に形成された第３の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域及び第３の高濃度ｎ型半導体領域から離れ、且つ前記半導体基板に形成された第２の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れ、且つ前記第３の高濃度ｎ型半導体領域及び前記第２の高濃度ｎ型半導体領域と接続し、前記半導体基板に形成された第１の高濃度ｎ型半導体領域と、前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ形成された電極とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、同じ主面上に高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域が存在することにより、それぞれの電極を同じ主面側でパッケージのリードフレームに接着して接続することが可能になる。従って、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置を提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１及び図２は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図である。また、図２（ｆ）は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の第１の実施の形態を示す断面図である。
【００１５】
先ず、図１（ａ）に示すように半導体基体としてｎ型シリコン基板１０を用意する。次に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第１のシリコン酸化膜１１をｎ型シリコン基板１０の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第１の燐添加シリコン酸化膜１２をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第１のキャップ膜１２ａをＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板１０の中に拡散させ、第１の高濃度ｎ型半導体領域１３を形成する。
【００１６】
続いて、ｎ型シリコン基板１０の上の、第１のキャップ膜１２ａ、第１の燐添加シリコン酸化膜１２及び第１のシリコン酸化膜１１をウェットエッチングで除去する。次に、高濃度ｎ型シリコン基板１４を用意し、図１（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０の高濃度ｎ型半導体領域１３を形成した主面と高濃度ｎ型シリコン基板１４の一方の主面とを、両方の表面のシリコン原子が化学的に結合するように、貼り合せ法によって接着させる。更に、ｎ型シリコン基板１０のｎ層全面が露出している主面側からｎ型シリコン基板１０を研削することによって、研削層１０ａを除去し、貼り合せシリコン基板１５を形成する。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、貼り合せシリコン基板１５のｎ層が全面に露出している主面の上に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜１６を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。次に、ボロン添加シリコン酸化膜１７をＣＶＤ法で形成した後、ｐ型不純物の外方拡散を防止するため、第２のキャップ膜１７ａをＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、ボロンを貼り合せシリコン基板１５の中に拡散させ、高濃度ｐ型半導体領域１８を形成する。この時、高濃度ｎ型シリコン基板１４の部分であった第２の高濃度ｎ型半導体領域１４ａからｎ型不純物がｎ型シリコン基板１０に拡散し、しみ出し層１４ｂが形成される。続いて、第２のキャップ膜１７ａ、ボロン添加シリコン酸化膜１７及び第２のシリコン酸化膜１６をウェットエッチングで除去する。
【００１８】
次に、図１（ｄ）に示すように、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて、貼り合せシリコン基板１５における高濃度ｐ型半導体領域１８を形成した主面側の上に第３のシリコン酸化膜１９を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第２の燐添加シリコン酸化膜２０をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第３のキャップ膜２０ａをＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、燐を貼り合せシリコン基板１５の中に拡散させ、燐が第１の高濃度ｎ型半導体領域１３まで届くように、第３の高濃度ｎ型半導体層２１を形成する。この時、第１の高濃度ｎ型半導体領域１３が存在することによって、第３の高濃度ｎ型半導体領域２１の深さが比較的浅くて良いため、しみ出し層１４ｂの更なる拡散は少なく抑制される。続いて、貼り合せシリコン基板１５の上の、第３のキャップ膜２０ａ、第２の燐添加シリコン酸化膜２０及び第３のシリコン酸化膜１９をウェットエッチングで除去する。
【００１９】
次に、図２（ｅ）に示すように、貼り合せシリコン基板１５の高濃度ｐ型半導体領域１８を形成した主面側の上に、スパッタ法或いは蒸着法によるＣｒ−Ｎｉ−Ａｇ膜の成膜と、リソグラフィ法、リフトオフ法、エッチング法等によるパターニングを行って、カソード電極２２及びアノード電極２３を形成し、ＰＮ接合ダイオードを完成させる。
【００２０】
貼り合せシリコン基板１５に複数のＰＮ接合ダイオードが形成されている場合には、次に、図示しないが、貼り合せシリコン基板１５を、例えばダイヤモンドブレードによりダイシングし、シリコンチップ２４に分割する。続いて、分割したシリコンチップ２４を図２（ｆ）に示すように、パッケージ２５に配置する。
即ち、電極２２、２３がリードフレーム２６の部分２６ａ、２６ｂに接着するようにシリコンチップ２４をマウントし、図示しない樹脂でシリコンチップ２４を封止し、更に保護用としてパッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００２１】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、貼り合せシリコン基板１５の一方の主面に形成することにより、小型化が可能になる。特に、電極とリードフレームをワイヤー等で接続することなく、接着することが可能になる。このため、ＰＮ接合ダイオードを小型なパッケージに実装可能になる。また、一方の主面の高濃度ｎ型不純物領域と他方の主面の高濃度ｎ型半導体領域を接続する熱処理を抑えることにより、しみ出し層１４ｂを小さくし、ＰＮ接合ダイオードの容量及び抵抗を小さく抑えることができる。
【００２２】
（第２の実施の形態）
図３は本発明によるＰＮ接合ダイオード及びその製造方法の第２の実施の形態を示す断面図である。本実施の形態では、第１の実施の形態とパッケージの形態が異なり、更に、小型化が可能になる。第２の実施の形態では、第１の実施の形態による図１（ａ）〜（ｄ）及び図２（ｅ）までのＰＮ接合ダイオードを形成する工程までは同じである。即ち、不純物導入及び貼り合せ法によるｎ型シリコン基板と高濃度ｎ型シリコン基板の接着を経て、アノード電極及びカソード電極を形成し、更に、貼り合せシリコン基板をダイシングし、シリコンチップに分割する。
【００２３】
その後、本実施の形態では、図３に示すように、シリコンチップ２４を、パッケージ２５におけるパッケージ基板２５ａに同一化されて形成してあるリードフレーム２５ｂの部分２５ｃ、２５ｄにカソード電極２２及びアノード電極２３が接着するようにマウントし、図示しない樹脂で封止し、パッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００２４】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのアノード電極２２及びカソード電極２３を共に、貼り合せシリコン基板１５の第１の主面に形成すること、及びパッケージ基板２５ａに同一化して形成してあるリードフレーム２５ｂを用いることによって、ワイヤー等で接続することなく、より小型化が可能ななＰＮ接合ダイオードが得られる。
【００２５】
（第３の実施の形態）
図４及び図５は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を示す断面図である。また、図５（ｆ）は本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の第３の実施の形態を示す断面図である。
【００２６】
先ず、図４（ａ）に示すように半導体基体としてｎ型シリコン基板３０を用意する。次に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第１のシリコン酸化膜３１をｎ型シリコン基板３０の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第１の燐添加シリコン酸化膜３２をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第１のキャップ膜３３をＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第１の高濃度ｎ型半導体領域３４を形成する。
【００２７】
続いて、ｎ型シリコン基板３０の上の、第１のキャップ膜３３、第１の燐添加シリコン酸化膜３２及び第１のシリコン酸化膜３１をウェットエッチングで除去する。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０の全面に第２の燐添加シリコン酸化膜３５をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第２のキャップ膜３６をＣＶＤ法で形成する。次に、熱処理を行って、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第２の高濃度ｎ型半導体領域３７を形成する。この時、第１の高濃度ｎ型半導体領域３４の燐は更に基板中に深く拡散する。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０のｎ型半導体層が露出している主面の上に、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜３８を形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。続いて、ボロン添加シリコン酸化膜３９をＣＶＤ法で形成した後、ｐ型不純物の外方拡散を防止するため、第３のキャップ膜４０をＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、ボロンをｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、高濃度ｐ型半導体層４１を形成する。この時、第２の高濃度ｎ型半導体領域３７からｎ型半導体層に燐が拡散し、しみ出し層４２を形成する。続いて、第３のキャップ膜４０、ボロン添加シリコン酸化膜３９及び第２のシリコン酸化膜３８をウェットエッチングで除去する。
【００３０】
更に、図４（ｄ）に示すように、後の不純物拡散のマスクとして、ＣＶＤ法を用いて第３のシリコン酸化膜４３をｎ型シリコン基板３０の高濃度ｎ型半導体領域４１を形成した主面側の上に形成し、続いてリソグラフィ法とエッチング法を用いてパターニングする。更に、その上に第３の燐添加シリコン酸化膜４４をＣＶＤ法で形成した後、ｎ型不純物の外方拡散を防止するため、第４のキャップ膜４５をＣＶＤ法で形成する。更に、熱処理を行って、燐が第１の高濃度ｎ型半導体領域３４まで届くように、燐をｎ型シリコン基板３０の中に拡散させ、第３の高濃度ｎ型半導体領域４６を形成する。続いて、ｎ型シリコン基板３０上の第４のキャップ膜４５、第３の燐添加シリコン酸化膜４４及び第３のシリコン酸化膜４３をウェットエッチングで除去する。
【００３１】
次に、図５（ｅ）に示すように、ｎ型シリコン基板３０の高濃度ｐ型半導体領域４１を形成した主面側の上に、スパッタ法或いは蒸着法によるＣｒ−Ｎｉ−Ａｇ膜の成膜と、リソグラフィ法、リフトオフ法、エッチング法等によるパターニングを行って、カソード電極４７及びアノード電極４８を形成し、ＰＮ接合ダイオードを完成させる。
【００３２】
ｎ型シリコン基板３０に複数のＰＮ接合ダイオードが形成されている場合には、次に、図示しないが、ｎ型シリコン基板３０を、例えばダイヤモンドブレードによりダイシングし、シリコンチップ４９に分割する。続いて、分割したシリコンチップ４９を図５（ｆ）に示すようにパッケージ５０に配置する。即ち、電極４７、４８がリードフレーム５１の部分５１ａ、５１ｂに接着するようにシリコンチップ４９をマウントし、図示しない樹脂でシリコンチップ４９を封止し、更に保護用としてパッケージの外枠２７を被せてＰＮ接合ダイオード装置が完成する。
【００３３】
本実施の形態によれば、ＰＮ接合ダイオードのカソード電極４７アノード電極４８及びアノード電極４８を共に、シリコン基板３０の第１の主面に形成することにより、小型化を達成できる。特に、電極４７、４８とリードフレーム５１をワイヤー等で接続することなく、直接に接着することが可能になる。このため、小型化が可能なＰＮ接合ダイオード装置が得られる。
【００３４】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、例えば、半導体基体としてはシリコン基板だけでなく、化合物半導体であっても良い。また、不純物導入方法は拡散法だけでなく、イオン注入法でも良く、不純物種も燐、ボロンに限るものではない。電極材料はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ等をベースにしても良い。その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、ＰＮ接合ダイオードのアノード電極及びカソード電極を共に、シリコン基板の第１の主面に形成することにより、小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図２】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第１の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図３】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第２の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図４】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図５】本発明によるＰＮ接合ダイオード装置の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図。
【図６】従来例を示す断面図。
【符号の説明】
１０、３０、６０ ｎ型シリコン基板
１０ａ 研削層
１１、３１ 第１のシリコン酸化膜
１２、３２ 第１の燐添加シリコン酸化膜
１２ａ、３３ 第１のキャップ膜
１３、３４ 第１の高濃度ｎ型半導体領域
１４ 高濃度ｎ型シリコン基板
１４ａ、３７ 第２の高濃度ｎ型半導体領域
１４ｂ、４２、６１ａ しみ出し層
１５ 貼り合せシリコン基板
１６、３８ 第２のシリコン酸化膜
１７、３９ ボロン添加シリコン酸化膜
１７ａ、３６ 第２のキャップ膜
１８、４１、６４ 高濃度ｐ型半導体領域
１９、４３ 第３のシリコン酸化膜
２０、３５ 第２の燐添加シリコン酸化膜
２０ａ、４０ 第３のキャップ膜
２１、４６ 第３の高濃度ｎ型半導体領域
２２、４７ カソード電極
２３、４８、６５ アノード電極
２４、４９、６０ａ シリコンチップ
２５、５０、６６ パッケージ
２５ａ、５０ａ、６６ａ パッケージ基板
２６、２５ｂ、５１、６７ リードフレーム
２６ａ、２６ｂ、２５ｃ、２５ｄ、５１ａ、５１ｂ リードフレームの部分
２７、５２、７０ 外枠
４４ 第３の燐添加シリコン酸化膜
４５ 第４のキャップ膜
６１ 高濃度ｎ型半導体領域
６３ 反転防止層
６８ 金ボール
６９ 金ワイヤー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体で構成される第１の半導体基体の第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第１の主面と、少なくとも第１の主面側に第２の高濃度ｎ型半導体領域が形成されている第２の半導体基体の前記第１の主面とを接着して半導体基板を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第２の主面側に、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項２】
ｎ型半導体基板の第１の主面側の一部に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第１の主面側に、前記第１の高濃度ｎ型半導体領域より浅く第２の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第２の主面側の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項３】
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上に電極を形成する工程の後に、前記第１の半導体基体の第２の主面側をリードフレームに対向させ、前記電極を前記リードフレームに接着させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項４】
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上に電極を形成する工程の後に、前記ｎ型半導体基板の第２の主面側をリードフレームに対向させ、前記電極を前記リードフレームに接着させる工程を有することを特徴とする請求項２に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームはパッケージ基板と同一化して形成されていることを特徴とする請求項３及び請求項４に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項６】
ｎ型半導体基板と、
前記半導体基板の第１の主面側に形成された高濃度ｐ型半導体領域と、
前記半導体基板の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて前記第１の主面側に形成された第３の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域及び第３の高濃度ｎ型半導体領域から離れ、且つ前記半導体基板に形成された第２の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域から離れ、且つ前記第３の高濃度ｎ型半導体領域及び前記第２の高濃度ｎ型半導体領域と接続し、前記半導体基板に形成された第１の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ形成された電極とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置。
【請求項７】
前記電極を接着するリードフレームを有するパッケージを具備したことを特徴とする請求項６に記載するＰＮ接合ダイオード装置。
【請求項８】
前記リードフレームは前記パッケージが有するパッケージ基板に同一化して形成されていることを特徴とする請求項７に記載するＰＮ接合ダイオード装置。
【請求項１】
ｎ型半導体で構成される第１の半導体基体の第１の主面側に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第１の主面と、少なくとも第１の主面側に第２の高濃度ｎ型半導体領域が形成されている第２の半導体基体の前記第１の主面とを接着して半導体基板を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、
前記第１の半導体基体の第２の主面側に、前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項２】
ｎ型半導体基板の第１の主面側の一部に第１の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第１の主面側に、前記第１の高濃度ｎ型半導体領域より浅く第２の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第２の主面側に高濃度ｐ型半導体領域を形成する工程と、
前記半導体基板の第２の主面側の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて、且つ前記第１の高濃度ｎ型半導体領域と接続する第３の高濃度ｎ型半導体領域を形成する工程と、
前記高濃度ｐ型半導体領域及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ電極を形成する工程とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項３】
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上に電極を形成する工程の後に、前記第１の半導体基体の第２の主面側をリードフレームに対向させ、前記電極を前記リードフレームに接着させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項４】
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上に電極を形成する工程の後に、前記ｎ型半導体基板の第２の主面側をリードフレームに対向させ、前記電極を前記リードフレームに接着させる工程を有することを特徴とする請求項２に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームはパッケージ基板と同一化して形成されていることを特徴とする請求項３及び請求項４に記載するＰＮ接合ダイオード装置の製造方法。
【請求項６】
ｎ型半導体基板と、
前記半導体基板の第１の主面側に形成された高濃度ｐ型半導体領域と、
前記半導体基板の前記高濃度ｐ型半導体領域から離れて前記第１の主面側に形成された第３の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域及び第３の高濃度ｎ型半導体領域から離れ、且つ前記半導体基板に形成された第２の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域から離れ、且つ前記第３の高濃度ｎ型半導体領域及び前記第２の高濃度ｎ型半導体領域と接続し、前記半導体基板に形成された第１の高濃度ｎ型半導体領域と、
前記高濃度ｐ型半導体領域上及び前記第３の高濃度ｎ型半導体領域上にそれぞれ形成された電極とを有することを特徴とするＰＮ接合ダイオード装置。
【請求項７】
前記電極を接着するリードフレームを有するパッケージを具備したことを特徴とする請求項６に記載するＰＮ接合ダイオード装置。
【請求項８】
前記リードフレームは前記パッケージが有するパッケージ基板に同一化して形成されていることを特徴とする請求項７に記載するＰＮ接合ダイオード装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００４−２５９９０７（Ｐ２００４−２５９９０７Ａ）
【公開日】平成１６年９月１６日（２００４．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００３−４８５２３（Ｐ２００３−４８５２３）
【出願日】平成１５年２月２６日（２００３．２．２６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１６年９月１６日（２００４．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１５年２月２６日（２００３．２．２６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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