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国際特許分類[H01L29/84]の内容

国際特許分類[H01L29/84]に分類される特許

1,971 - 1,980 / 1,980


【課題】 小型のセンサを量産する。
【解決手段】 シリコンからなる下層部110Aと、SiOからなる中層部120と、シリコンからなる上層部130との三層構造からなる第1の基板100を用意する。下層部110Aには、不純物がドープされており導電性を有する。下層部110の下面をエッチングして、ダイヤフラム部112と台座部111とを形成し、その下に、ガラスからなる第2の基板200を接合する。第2の基板200上の電極Eと、ダイヤフラム部112とにより容量素子が形成される。上層部130の上面側からダイシングブレードにより溝G11〜G17を切削した後、溝の底部を、下層部110Aの上面が露出するまでエッチングにより掘り下げる。単位領域U1,U2を切り離すと、ダイヤフラム部112の中央に重錘体131が位置し、周囲に台座132が形成された構造が得られる。容量素子に代えてピエゾ抵抗素子を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】 可動電極と固定電極との絶縁を確保できるとともに十分な接合強度が得られ、容易に製造できる静電容量型トランスデューサの製造方法および静電容量型トランスデューサを提供すること。
【解決手段】 基板30と、この基板30に対して変位可能に空隙を介して対向配置された可動電極20と、基板30の可動電極20と対向する検出面30Aに設けられた固定電極31,32とを備えた静電容量型トランスデューサ10を、基板30の検出面30Aの固定電極31,32を含むほぼ全面に絶縁膜11を形成した後に、この絶縁膜11を介して基板30と可動電極20とを互いに陽極接合して製造する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、半導体センサの製造方法に関し、非常に簡単な方法によりメタライズ層をガラス材料からなる台座とステムとの接合面のみに形成させる方法を提供する。
【解決手段】 連通孔形成工程は、ガラス台座(台座)2の表面から裏面に連通し、一方側の孔径を径大、他方側の孔径を径小とし、内面2c’がテーパー状の圧力導入孔(連通孔)2a’を形成する。メタライズ層形成工程は、ガラス台座2の前記他方側にガラス台座2と金属ベース板(ステム)4とを半田6により接合させるためのメタライズ層7を真空蒸着法により形成する。 (もっと読む)


【目的】シリコンウェハとガラス基板を陽極接合する工程において、ボイドの発生がなく、電極の長寿命化と接合時間の短縮が図れる陽極接合装置の提供。
【構成】円筒電極11は、アーム16、16′に回転自在に装着されネジリコイルバネ22で常にガラス基板9に押圧され、円筒電極11をモータ10の駆動によりシリコンウェハ8とガラス基板9が重ね合わさった端部から平行移動させることにより、順次接合部を広げていく。 (もっと読む)


【目的】 外来雑音の影響を受け難く、良好な温度補償を行い、かつ歩留りがよく、小形、安価に構成できる。
【構成】 単結晶シリコンでおもり13、支持部15、おもりを支持部に支持するはり14が形成され、はり14にピエゾ抵抗素子16が取付けられ、支持部15の両面にストッパ22,23が取付けられ、おもり13の所定値以上の変位が防止される。ストッパ22が単結晶シリコン基板で構成され、ストッパ22に、抵抗素子16からなるブリッジに対する電圧を印加する駆動回路18、前記ブリッジの出力を増幅する検出回路19、これらに対する温度補償回路21がICとして構成されている。 (もっと読む)



【目的】 閉ループ制御による加速度検出が可能な薄膜構造の半導体加速度センサを提供する。
【構成】 基板101上に絶縁膜104を介して梁部105が両側に設けられた変位検出用可動電極102を設ける。この変位検出用可動電極102には変位制御用可動電極107が設けられており、これを一定の間隔を隔てて挟むように基板101上に変位制御用固定電極106が設けられている。また基板101上には変位検出用可動電極102と対面するように変位検出用固定電極103が設けられている。この半導体加速度センサに加速度が加わると変位検出用可動電極102が変位し変位検出用可動電極102と変位検出用固定電極103間の静電容量が変化する。この変化を打ち消すように変位制御用可動電極107と変位制御用固定電極106との間に静電引力を発生させる電圧をかける。加速度はその電圧を処理することにより求めることができる。 (もっと読む)


【目的】 薄膜に半導体素子を有する半導体装置の機械的強度並びに信頼性を高め、かつ高性能、安価な冷却を可能とする。
【構成】 半導体基板11の少なくとも一部が薄膜化され、この薄膜12に半導体素子14を有する半導体装置において、前記半導体基板11と前記半導体基板に対向する基板15とにより出入口を2つ以上有する容器を形成し、該出入口の少なくとも一つより前記半導体素子14を冷却するための冷却液16を流入し、他の出入口の少なくとも一つより該冷却液16を流出せしめる。 (もっと読む)




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