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国際特許分類[H01L31/14]の内容

国際特許分類[H01L31/14]の下位に属する分類

光源および放射に感応する装置すべてが少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のある半導体装置であるもの

国際特許分類[H01L31/14]に分類される特許

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【課題】変換効率が優れたアップコンバージョン機能を有する波長変換膜および光電変換装置を提供する。
【解決手段】波長変換膜において、マトリクス層内の第1の量子ドットおよび第2の量子ドットは第1の量子ドットに多重光を照射して励起される第1の基底エネルギー準位が第2の量子ドットに多重光を照射して励起される第2の基底エネルギー準位より大きい。マトリクス層はバンドギャップが第1の基底エネルギー準位よりも大きい誘電体または有機材料で構成される。第1の量子ドットと第2の量子ドットを接合させた場合、そのエネルギーバンド構造がタイプIIをなし、各量子ドットの周囲のマトリクス層は選択的なトンネル障壁を形成し、かつマトリクス層内の輝尽性発光材の発光遷移するエネルギー準位差より高いエネルギー準位でのエネルギー遷移確率が高くなるミニバンドを形成し、輝尽性発光材にエネルギー遷移させてアップコンバージョンさせる。 (もっと読む)


【課題】容易にテラヘルツ波の出射方向を変更することができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置1は、パルス光を発生する複数の光源3と、前記複数の光源3で発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナ2とを備え、前記アンテナ2は、ギャップ23を介して対向配置された1対の電極22を複数有しており、前記複数の光源3の各々は、前記複数の1対の電極22のうちそれぞれ異なる前記1対の電極22間に前記パルス光を照射し、前記複数の1対の電極22のうち少なくとも2つの前記1対の電極22間に、互いにタイミングをずらしてパルス光を照射するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】シリコンナノ結晶を備えた、新規な機能を有する光学素子の提供。
【解決手段】エルビウムが添加されたシリコンナノ結晶と、該シリコンナノ結晶の温度を調節する温調手段と、該シリコンナノ結晶に励起光を照射する励起手段とを備え、前記シリコンナノ結晶が、励起光照射時の温度に依存して異なる発光スペクトルを示すことを特徴とする温度可変光センサ素子;エルビウムが添加されたシリコンナノ結晶と、該シリコンナノ結晶の温度を調節する温調手段と、該シリコンナノ結晶に励起光を照射する励起手段とを備え、前記シリコンナノ結晶の発光強度が、励起光照射時の温度の上昇に伴い増大することを特徴とする温度可変光センサ素子。 (もっと読む)


【課題】光伝導層における空乏層を制御して光伝導素子の抵抗を制御できる光伝導素子を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、励起光(5)の照射によりキャリアを発生させるための光伝導層(1)と、光伝導層(1)に配置される第1の電極と、第1の電極に対して間隙を有し且つ光伝導層(1)に配置される第2の電極と、第3の電極(3)とを有する。第3の電極(3)は、第1及び第2の電極(2)に印加される電圧による電界又はテラヘルツ波の照射による電界が及ぶ範囲内に配置される。第3の電極(3)に印加される電圧により光伝導層(1)の空乏層が制御可能である。 (もっと読む)


【課題】光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。
【解決手段】少なくとも基板、正極、負極、光電変換層および光−光変換層を有する光起電力素子であって、該光−光変換層が少なくともホスト材料とゲスト材料を含有する光起電力素子。 (もっと読む)


【課題】高精細化パターンを有する光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、光電効果を利用して入力光イメージを電流信号に変換する光電変換素子20と、光電変換素子20から伝えられる電流信号を出力光イメージに変換し発光する電光変換素子30を含む。光電変換素子20から電光変換素子30に電気的に信号を伝達する時、画素間の電気的干渉を遮断するもしくは削減し、光電変換素子20または電光変換素子30の少なくとも一面から所定の深さまでトレンチ50が形成される。 (もっと読む)


【課題】ナノオーダの領域において出力信号に転流ノッチを発生させる。
【解決手段】供給される入力光に応じて励起子が励起される第1のエネルギー準位21を有し、当該第1のエネルギー準位21から放出されたエネルギーに応じて出力光を生成する第1の量子ドット11と、信号光による励起子の励起状態に応じて第1のエネルギー準位21と共鳴するようにシフトする第2のエネルギー準位22を有する第2の量子ドット12とが誘電性の基板10上に形成され、第1の量子ドット11は、上記シフトされた第2のエネルギー準位22に対して、第1のエネルギー準位21から励起子を注入することにより、放出されるエネルギーを減少させて出力光に転流ノッチを発生させ、第2の量子ドット12は、注入された励起子をゲート用エネルギー準位23へと遷移させて一時的に蓄積させ、信号光による励起子の励起に代替させて第2のエネルギー準位22をシフトさせる。 (もっと読む)


【課題】受光部と発光部の間に挿入された中間電極を有する積層型光−光変換デバイスにおいて、高い空間分解能を有する光−光変換デバイスを提供すること。
【解決手段】光−光変換デバイスとして、外部からの光が入射する第1電極と、前記第1電極に入射した前記光を電気に変換する受光部と、受光部において変換された電気により発光する発光部と、前記発光部の、前記受光部側とは反対側に設けられた第2電極とが積層され、且つ、前記受光部と前記発光部の間に中間電極が設けられ、中間電極は、電気的に分離された複数のセルに仕切られていることを特徴とする。これにより、高い光−光変換効率を有し、空間分解能に優れた光−光変換デバイスが得られる。 (もっと読む)


【課題】 ナノスケールの領域まで高効率に近接場を集光させることができる近接場集光器を提供する。
【解決手段】 導電性の結晶により構成される基板511上に、大きさの異なる第1の量子ドット12及び第2の量子ドット13を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、照射光学系518から照射される光の波長に応じて第1の量子ドット12内で励起された励起子を第2の量子ドット13の量子準位へ注入させる。そして励起子を注入させることにより第2の量子ドット13の量子準位間に生成される反転分布に応じて光を放出する。 (もっと読む)


本発明は、埋設された希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子を有するマトリクス層を備えた波長変換層である。希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子は、ランタノイドの少なくとも1つでドープされている。希土類イオンドープの微結晶及び/又はドープされたアモルファス粒子は、10nmから500μmの平均直径d50をを有し、マトリクス層は透明であり、希土類イオンドープの微結晶及び/又は希土類イオンドープのアモルファス粒子の屈折率は、400nmから1200nmの範囲の少なくとも1つの波長に対して、0≦Δn≦0.1で、マトリクス層の屈折率と整合する。 (もっと読む)


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