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国際特許分類[H01S5/062]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 誘導放出を用いた装置 (18,077) | 半導体レーザ (12,571) | レーザ出力パラメータの制御,例.活性媒質を制御することによるもの (1,194) | 電極に印加する電圧を変えることによるもの (304)

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【課題】高出力の光が外部に漏れることを抑制し安全性を確保することが可能な光源装置及びプロジェクターを提供する。
【解決手段】励起光を射出する励起光源10と、励起光源10から射出された励起光を受けて蛍光を放射する蛍光体層32と、蛍光体層32が設けられた基体31と、励起光源10から射出された励起光が蛍光体層32と基体31とを突き抜けたか否かを検知する検知装置60と、検知装置60が励起光源10から射出された励起光が蛍光体層32と基体31とを突き抜けたことを検知したときに、励起光源10から励起光が射出されることを停止させる制御装置70と、を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子を高速且つ安定化してPWM信号で駆動する。
【解決手段】LED18と、直流の動作電力を供給する電源電圧変換部11と、電源電圧変換部11からの電力を蓄積して放出するインダクタ13、及びインダクタ13に電源電圧変換部11からの電力を供給して蓄積する充電経路R1と、インダクタ13に蓄積された電力をLED18で発光させて放出する放電経路R2とを切換えるFET12、15、14、19を含み、FET12、15、14、19での切換えによりLED18を間欠駆動する駆動回路と、充電経路及び放電経路の各選択時に経路にかかる電圧を検出し、その検出結果に応じてFET12、15、14、19を切換えて、インダクタ13を流れる電流を一定値に保つ定電流制御部21と、定電流制御部21によるFET12、15、14、19の切換えデューティ比に応じて電源回路が供給する直流電圧値を調整するデューティ監視部22とを備える。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源からの光を短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることができるレーザ光源駆動装置、レーザ発振器及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】第1電源スイッチ20がオン、第2電源スイッチ23がオフの状況下で、スイッチング素子22がオン/オフされると、CR回路27(コンデンサ26)が充放電されることにより、CR回路27を電源としてレーザダイオード7がレーザ光を短パルスで出力する。一方、第1電源スイッチ20がオフ、第2電源スイッチ23がオンの状況下で、スイッチング素子22がオン/オフされると、主電源+Vを電源としてレーザダイオード7がレーザ光を長パルスで出力する。このため、レーザ光のパルス幅を、短パルス又は長パルスのいずれかに切り換えることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】発光素子の点灯状態と消灯状態との切り替え速度をさらに向上する技術を提供する
【解決手段】入力信号に同期して発光素子の点灯状態と消灯状態とを切り替える駆動回路が提供される。この駆動回路は、制御端子を有し、制御端子の電位に依存して値が変化する駆動電流を発光素子へ供給する駆動電流供給部と、入力信号に同期して制御端子の電位を変化させることによって、発光素子の点灯状態と消灯状態とを切り替える制御部と、制御端子の電位の変化を促進する補助電流を制御端子へ供給する補助電流供給部とを備える。補助電流供給部はキャパシタを有し、入力信号に同期してキャパシタに印加される電圧が変化し、キャパシタの電圧変化によって補助電流が生成される。 (もっと読む)


【課題】広帯域化を図ること。
【解決手段】駆動回路100は、入力信号により直接変調した光を出射する発光素子101を駆動する。入力トランジスタ121には、発光素子101の駆動信号がベースへ入力される。変調電流源130は、入力トランジスタ121のエミッタに接続され、入力トランジスタ121へ入力された駆動信号の変調振幅imodを調整する。トランジスタ153は、入力トランジスタ121のコレクタに接続され、入力トランジスタ121へ入力された駆動信号のバイアス電流ibiasを調整する。出力部160は、変調電流源130により変調振幅imodを調整され、トランジスタ153によりバイアス電流ibiasを調整された駆動信号を発光素子101へ出力する。インダクタ140は、入力トランジスタ121のコレクタに一端が接続され、トランジスタ153と出力部160との間に他端が接続されている。 (もっと読む)


【課題】発振波長の高速制御を安定的に実現すること。
【解決手段】この波長可変半導体レーザの制御方法は、波長可変半導体レーザの発振波長を制御する制御方法であって、SG−DFB領域24における注入電流の変化に対する発振波長の変化率aと、CSG−DBR領域22におけるヒータ印加電力の変化に対する発振波長の変化率bとを取得し、目標発振波長と現在の発振波長との差分を算出し、差分がゼロに近づくように偏差が与えられた注入電流を、帰還制御によってSG−DFB領域24に供給し、該注入電流の偏差及び変化率a,bを基に、ヒータ印加電力の目標値を決定し、該目標値と現在のヒータ印加電力との差がゼロに近づくように、帰還制御によってCSG−DBR領域22に供給するヒータ電流を調整する。 (もっと読む)


【課題】バイアスティーのような外付けの部品を用いずとも低電圧で高速動作ができる半導体レーザー駆動回路を提供する。
【解決手段】 入力端子から入力される入力信号に基づき、出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、バイアス電流、及び前記入力信号の第1周波数以下の周波数成分を有する第1供給信号を供給する第1供給部と、前記入力信号の第2周波数より大きい周波数成分を有する第2供給信号を供給する第2供給部と、を備える半導体レーザー駆動回路。 (もっと読む)


【課題】 バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 複数の光源それぞれに供給するバイアス電流を複数の光源に共通のフォトダイオードの受光結果に基づいて決定すると精度の高いバイアス電流を設定することがでない。
【解決手段】 Pofs_aを用いてPD13が検出する光量またはPD13の検出結果に基づく発光特性を補正し、各LDの実際の発光特性を求め、実際の発光特性から各LDのバイアス電流を決定する。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子の発光効率を向上することができる半導体発光装置。
【解決手段】半導体発光素子D1と、半導体発光素子D1に流れるパルス電流を遮断して半導体発光素子D1の発光量を制御し且つパルス電流の遮断に伴って発生する半導体発光素子D1の拡散容量の放電が終了する前に半導体発光素子D1にパルス電流を流すように、半導体発光素子D1に印加すべきパルス信号のオン/オフのタイミングを制御するパルスタイミング制御部1とを備える。 (もっと読む)


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