【課題】パルス幅に基づいて複数の保護回路の何れが保護動作状態であるかを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置を構成する半導体素子を個別に駆動する半導体素子の駆動装置であって、前記半導体素子の保護動作を行うために必要な情報を検出する複数の保護回路３２〜３４と、前記複数の保護回路毎に異なるパルス幅のパルス信号が設定され、前記複数の保護回路のうち最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス信号を、当該保護動作が必要であることを検出している期間継続してアラーム信号として出力するアラーム信号出力回路３５と、該アラーム信号出力回路からアラーム信号が出力されたときに、前記設定されたパルス幅に相当する１パルス分を保護動作通知信号として出力する通知信号出力回路３６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電源供給装置を電源供給システムに投入する前に実施する診断の信頼性を向上する。
【解決手段】
電源供給システムは、複数の電源供給装置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と、常用コンポーネントＣ１、Ｃ２及び予備コンポーネントＹ１を含む負荷に対して電流供給装置からの電源を供給可能な電源ラインＬ１、Ｌ２とを有する。電源供給システム内に電源供給装置Ｐ３を組み込む前に、電源ラインから切り離した状態で単独に電源供給装置Ｐ３を診断する第１の診断ステップと、電源供給装置Ｐ３から、模擬負荷Ｙ１、Ｔ１に電源を供給した状態で、電源供給装置Ｐ３を診断する第２の診断ステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】外部ＦＥＴおよび外部ＦＥＴを駆動する回路の両方を保護することが可能な半導体集積回路および電源装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、外部のＦＥＴＭ１１に結合されるトランジスタＭ１およびトランジスタＭ２を含み、トランジスタＭ１がオン状態であり、かつトランジスタＭ２がオフ状態のときにＦＥＴＭ１１がオフ状態となるスイッチング制御回路１Ａと、トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２がオフ状態の場合、ＦＥＴＭ１１をオフ状態とするためのバイアス電圧をＦＥＴＭ１１に供給するバイアス回路２Ａと、異常が検出された場合には、トランジスタＭ１をオン状態とし、かつトランジスタＭ２をオフ状態とすることによりＦＥＴＭ１１をオフ状態とし、所定時間経過後、トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２をオフ状態とする保護制御回路３とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力回路に接続された短絡検出回路を用いて短絡検出を行い、従来の不要な電圧降下を防止することを目的とする。
【解決手段】本発明による出力回路短絡保護回路は、駆動制御回路(15)へ出力駆動信号(6)が入力されると、短絡検出用駆動回路(11)が駆動され、短絡検出回路(14)からの検出信号(14a)により出力回路(4)の短絡有無を検出した後に出力駆動回路(10)を駆動させる構成である。 （もっと読む）

【課題】 可能な限り電子機器の停止時間を短くし、必要最小限の部品交換で電子機器を再動作可能な、安全性と信頼性を確保した電源装置を供給する。
【解決手段】 商用電源から供給される電圧を変換して負荷に対して電力を供給する電源装置１１０は、電源回路１７０の出力の異常を検出する異常検出手段として機能する電流検出回路１７４、電圧検出回路１７５と、電源回路１７０への電力供給をオンオフする第１のスイッチ手段１２１と、電源回路１７０から負荷への電力供給をオンオフする第２のスイッチ手段１２２と、異常検出手段で異常が検出された場合、第１及び第２のスイッチ手段１２１、１２２をオンオフ制御することにより電源回路１７０の異常か負荷の異常かを診断するコントロール部１９０とを備える。 （もっと読む）