【課題】 高周波領域でも発振周波数のばらつきのないガンダイオード発振器を提供する。
【解決手段】 表面接地電極と裏面接地電極とを接続するヴィアホールの形状を、信号電極側の側面が信号電極の信号伝搬方向と平行となるような柱状構造としている。これにより、表面接地電極からヴィアホールを経由して裏面接地電極に至るショートスタブとして機能する線路長が、従来の円柱状ヴィアホールを経由する線路長と比べて、ばらつかなくなる。 （もっと読む）

【課題】 より高い周波数と出力強度を発生させることができる積層ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ発振器を提供する。
【解決手段】 超伝導層と絶縁層との固有ジョセフソン接合が直列に積層されている積層ジョセフソン接合を有する超伝導体単結晶の素子を用いたテラヘルツ発振器において、前記ジョセフソン接合が、幅が狭く、奥行きが長い接合であり、狭い素子幅に磁界を印加して四角形に並んだ磁束格子を形成し、前記狭い素子幅による定在波の共鳴を起こさせるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発振特性をチューニングすることができる高周波発振器を提供すること。
【解決手段】 高周波信号を発生する高周波発振用素子としてのガンダイオード（51）と、ガンダイオード（51）に接続された共振器（54）と、共振器（54）に設けられた、共振周波数を変化させる可変容量素子としてのバラクタダイオード１（55）と、バラクタダイオード１（55）に接続された、容量を変化させるために印加するバイアス電圧を供給するバイアス供給回路（56）とを備えており、このバイアス供給回路（56）は、バラクタダイオード１（55）に印加するバイアス電圧を調節する半固定抵抗器としてのトリマブルチップ抵抗２を具備している高周波発振器である。トリマブルチップ抵抗２の抵抗値を調整することによりバラクタダイオード１の容量値を制御して発振特性を所望の状態にチューニングすることができる。 （もっと読む）

導波管（２０）と，導波管（２０）内に突出するヒートシンク（１４）上に取り付けられた励振器（１６）と，励振器（１６）に直流電圧を供給するための電気部品（２４）を備えた導体プレート（１２）と，を有する，マイクロ波発振器は，導体プレート（１２）または金属層が，上記導体プレートの上，中または下に導波管（２０）の壁を形成し，励振器（１６）のヒートシンク（１４）が導体プレート（１２）内に取り付けられていることを特徴としている。
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【課題】水晶発振器エミュレータを備えた集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路は、クロック信号を受信する第１の回路を備える第１の温度センサは、第１の温度を検出する。第１の温度センサと通信を行う不揮発性メモリは、第１の温度の関数としてキャリブレーションデータを出力する。不揮発性メモリおよび第１の回路と通信を行う半導体発振器は、キャリブレーションデータと関連がある周波数を持ったクロック信号を生成する。 （もっと読む）