国際特許分類[H03K19/0948]の内容
電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 論理回路,すなわち,1出力に作用する少なくとも2入力を持つもの;反転回路 (4,821) | 特定の構成要素を用いるもの (1,730) | 半導体装置を用いるもの (1,065) | 電界効果トランジスタを用いるもの (1,019) | MOSFETを用いるもの (616) | CMOSを用いるもの (413)
国際特許分類[H03K19/0948]に分類される特許
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自己同期論理回路
【目的】 面積や遅延等の問題を解決する自己同期論理回路を提供すること。
【構成】 論理回路100のいずれかの入力信号対Xi.t,Xi.fが無効の(0,0)である時、関数の他の入力が故障/テストの(1,1)でなければ出力信号対Yj.t,Yj.fが無効の(0,0)となり、いずれかの入力信号対(Xi.t,Xi.f)が故障/テストの(1,1)の時、出力信号対(Yj.t,Yj.f)が故障/テストの(1,1)となり、全ての入力信号対Xi.t,Xi.fが(0,0)あるいは(1,1)ではない時、出力信号Yjが「0」の時、出力信号対Yj.t,Yj.fが(1,0)となり、出力信号Yjが「1」の時、出力信号対(Yj.t,Yj.f)が(0,1)となる。
【効果】 遅延時間が小さく、面積が小さい自己同期システムを実現することができる。
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フローティングウェルCMOS出力ドライバ
【目的】 異なるボルトで作動するよう設計されたチップ同士を簡単にインタフェースさせること。
【構成】 VO−VPがその閾電圧を超えた時にトランジスタQ1がオンになる問題を解決するためにVFGフローティングゲート回路が提供される。VOがバイアス電圧Vdd以下であれば、VFG電圧はVPとなろう。しかし、VOがVddを上回ると、VFG電圧はVOに追従してVOと等しくなる。このように、VFG回路はVOが3.3ボルト以上の論理1である時にトランジスタQ1がオンになることを妨ぐ。同様に、トランジスタQ1の寄生ダイオードの前傾斜の問題を解決するために、VFWフローティングウェル回路を提供する。VOがVdd以下の時は、VFWの電圧はVddと等しい。しかし、VOがVddを上回ると、VFWはVOに追従してVOに等しくなる。VFW回路はVOがVddを上回る論理1である時にトランジスタQ1の寄生ダイオードが前傾斜するのを防ぐ。
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過電圧保護
本発明は、出力バッファ、及び入/出力バッファを提供し、それらは、バス電圧が大きさで内部電源電圧を越えた場合、又はバッファがパワーダウンされた場合、バスから内部電源への電荷漏洩を遮断する。絶縁トランジスタ(140)が、内部電源(VDDI)と、バスに接続される出力端子(YIO)との間で、プルアップ・トランジスタ(130)と直列に接続される。イネーブル信号(EN)、及びデータ入力信号(A)に応答して、プルアップ・トランジスタ(130)を制御する回路が又、絶縁トランジスタ(140)も制御して、その結果ドライバが禁止され、プルアップ・トランジスタ(130)がオンである場合、絶縁トランジスタ(140)も又オンであり、それによりプルアップ・トランジスタ(130)が出力端子(YIO)を駆動可能となる。別のトランジスタ(146)が回路と絶縁トランジスタ(140)のゲートとの間に設けられ、ドライバが禁止された場合、回路からゲートを絶縁する。従って、ドライバが禁止された場合、回路は絶縁トランジスタを制御しない。代わりに、絶縁トランジスタ(140)のゲートと出力端子(YI0)との間に接続された、通過トランジスタ(156)により、絶縁トランジスタ(140)が制御される。ドライバが禁止された場合、通過トランジスタ(156)はオフである。ドライバが禁止され、出力端子上の電圧が、大きさで所定値を越えた場合、通過トランジスタ(156)はオンになり、絶縁トランジスタ(140)をオフにする。絶縁トランジスタ(140)は、幾つかの実施例において、PMOSトランジスタである。絶縁トランジスタ(140)のドレインは、そのバックゲートに接続されて、ドレイン/バックゲート間ダイオードをオフにする。 (もっと読む)
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