【課題】素子数が少なく、遅延が小さく、ドライバ能力を有するＸＯＲゲート回路を提供する。
【解決手段】論理回路１は、電源電位ＶＰＥＲＩとノードｎ１の間に接続されたトランジスタＴ１と、電源電位ＶＰＥＲＩとノードｎ２の間に接続されたトランジスタＴ２と、電源電位ＶＳＳとノードｎ３の間に接続されたトランジスタＴ３と、電源電位ＶＳＳとノードｎ４の間に接続されたトランジスタＴ４と、ノードｎ１とノードｎ３の間に直列接続されたトランジスタＴ５，Ｔ７と、ノードｎ１とノードｎ３の間に直列接続されたトランジスタＴ９，Ｔ１１と、ノードｎ２とノードｎ４の間に直列接続されたトランジスタＴ６，Ｔ８と、ノードｎ２とノードｎ４の間に直列接続されたトランジスタＴ１０，Ｔ１２とを備える。出力信号Ｙは、トランジスタＴ５，Ｔ７の接続点及びトランジスタＴ６，Ｔ８の接続点から取り出される。 （もっと読む）

【課題】エラー箇所の特定を実施する際に、システムを停止しないでエラー発生前の高信頼性までシステム性能を復帰させる。
【解決手段】同一動作を行う複数個の再構成可能な集積回路ユニットを備え、複数の該集積回路ユニットのそれぞれに複数のバンクを有する論理回路において、入力されたデータを、複数個の前記集積回路ユニットの各バンクに振り分けて入力する入力データ制御部と、複数個の集積回路ユニットの各バンクから出力されるデータを比較して、データ間の不一致を検出するエラー解析部と、エラー解析部から、データ間の不一致の通知を受けた場合に、複数個の集積回路ユニットの該当するバンクの再構成を行う構成情報制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号の状態が適正であるかを確認することができる、ラッチ回路、トリミング回路、システム、判定プログラム、確認方法、及び判定方法を提供する。
【解決手段】トリミング回路１４の読出回路２０から出力されるトリミング素子であるヒューズ素子Ｈ１の状態に応じた入力信号Ｉ１が入力されるラッチ回路２２を、ラッチ回路Ｌ１と、ラッチ回路Ｌ２と、一致確認回路２６と、で構成している。ラッチ回路Ｌ１は、入力信号Ｉ１の論理値をタイミングＴ１で保持して、保持した論理値に応じた出力信号Ｏ１をトリミング回路１４の外部に出力する。ラッチ回路Ｌ２は、タイミングＴ１よりも遅いタイミングＴ２で保持して、保持した論理値に応じた出力信号Ｏ２を出力する。一致確認回路２６は、排他的論理和回路３０により構成されており、出力信号Ｏ１と出力信号Ｏ２とが一致しているか否かを示す一致判定信号Ｘ１を外部の判定回路１８に出力する。 （もっと読む）

【課題】耐タンパ性を有する、可変論理機能を実現するための記憶回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】制御回路２４は、記憶回路２３の次の読出しアドレスを先に記憶回路２３から読出した制御フィールドの情報または外部イベント入力に基づいて自律的に制御することが可能である。正規デコーダ２８は、制御回路２４から出力されるアドレスをデコードし、デコード結果に基づいて、データフィールドの少なくとも１つの正規メモリセルと、制御フィールドの少なくとも１つのメモリセルを選択する。冗長制御回路５１は、イネーブル信号が活性化された場合に限り、制御回路２４から出力されるアドレスと、所定の正規メモリセルのアドレスとが一致したときに、正規デコーダ２８による選択を禁止し、データフィールドの少なくとも１つの冗長メモリセルと制御フィールドの少なくとも１つの冗長メモリセルを選択する。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、入力信号ＤＩＮを記憶保持する複数のフリップフロップＦ１と、複数のフリップフロップＦ１からの出力の多数決結果ＭＪを出力する多数決回路７と、複数のフリップフロップＦ１の出力不一致を検出し、エラー信号を出力するエラー検出回路２と、エラー検出回路２からのエラー信号を監視する監視回路３と、を備え、監視回路３は、エラー検出回路２からのエラー信号をもとに、複数のフリップフロップＦ１のうち、出力不一致が発生しているフリップフロップＦ１に対して書き戻しを行うリフレッシュ動作を指示するとともに、リフレッシュ動作により書き戻らなかった場合には外部に通知を行うものである。 （もっと読む）

【課題】伝播遅延時間の短縮を図り高速化に対応可能とした論理回路の提供。
【解決手段】論理信号をそれぞれ入力とする第１及び第２の入力端子Ａ、Ｂを有し、ソースがそれぞれに対応する第１及び第２の入力端子Ａ、Ｂに接続され、ゲートが、第２及び第１の入力端子Ｂ、Ａに交差接続された第１及び第２のＭＯＳトランジスタＮＭ１、ＮＭ２を備え、第１及び第２のＭＯＳトランジスタＮＭ１、ＮＭ２のドレインが共通接続され、第１の電源ＶＤＤと、第１及び第２のＭＯＳトランジスタＮＭ１、ＮＭ２のドレインの共通ノードＮ１との間に接続され、リセット信号／ＲＥＳＥＴをゲートに受けリセット時に導通するＭＯＳトランジスタＰＭ１を備え、さらに共通ノードＮ１を入力端に接続してなるインバータＩＮＶを備えている。 （もっと読む）

ＸＯＲ回路は、第２の入力ノードによって制御されるパスゲートを備える。そのパスゲートは、制御されたとき、第１の入力ノードに存在するロジック状態のバージョンを出力ノードに通すように接続されている。伝送ゲートが、第１の入力ノードによって制御される。その伝送ゲートは、制御されたときに、第２の入力ノードに存在するロジック状態のバージョンを出力ノードに通すように接続されている。プルアップロジックが、第１及び第２の入力ノードの両方によって制御される。そのプルアップロジックは、第１及び第２の入力ノードの両方がハイのときに、出力ノードをロウに駆動するように接続されている。ＸＮＯＲ回路は、プルアップロジックが、第１及び第２の入力ノードの両方がハイときに出力ノードをハイに駆動するように接続されたプルダウンロジックに置換されることを除いて、ＸＯＲ回路と同様に画定される。
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【課題】内蔵のエラー検出回路を持ったドミノロジックのような予備充電されたロジックを含む集積回路を提供すること。
【解決手段】推論ノード２２と検査ノード２４とを含むドミノロジックを持つ集積回路２が提供される。予備充電回路３６は、推論ノードと検査ノードの両方を予備充電する。論理回路２６は、入力信号値に基づいて推論ノードと検査ノードとのため放電路を提供する。評価制御回路２８，３０は、先ず推論ノードを論理回路に結合し、次いで検査ノードを論理回路に結合するので、もし論理回路２６への入力信号が適切な値を持つなら、これらは放電されうる。推論ノードと検査ノードとが両方とも放電されるか又は両方とも放電されないかのいずれでもない場合に、エラー検出回路３２はエラーを検出する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない電子回路を提供する。
【解決手段】第１内部クロック信号ＣＬＫ１の論理値に応じて信号を通過または保持する第１ラッチ回路１１と、第１ラッチ回路１１に従属接続され、第１ラッチ回路１１と逆の動作特性により第１内部クロック信号ＣＬＫ１の論理値に応じて信号を通過または保持する第２ラッチ回路１２とを有する第１ラッチ回路群１３と、第１ラッチ回路１１の信号入力端における信号の論理値と第２ラッチ回路１２の信号出力端における信号の論理値とを比較し、第１ラッチ回路１１の信号入力端における信号の論理値と第２ラッチ回路１２の信号出力端における信号の論理値とが同一の場合は一定の論理値信号を第１内部クロック信号ＣＬＫ１として出力し、異なる場合はクロック信号ＣＬＫを第１内部クロック信号ＣＬＫ１として出力する第１クロック制御手段１４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】エラー検出のためのハードウエア上のオーバーヘッド及び時間的オーバーヘッドを小さくでき、且つエラーを発生した論理素子を特定できる半導体集積回路を提供することを第１目的とする。また、ダイナミック回路のリセット時間による時間的オーバーヘッドを隠蔽でき、実効的な演算スループットを向上させる半導体集積回路を提供することを第２目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、論理素子単位でのハンドシェークを実施し、論理素子単位でのエラー発生の検出を行うことで後段の論理素子にエラー伝搬を行わないこととした。さらに、本発明に係る半導体集積回路は、各論理素子内で同一の論理回路を並列に接続し、２相で動作させることとした。 （もっと読む）