【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置を提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶回路と、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを有する不揮発性の第２の記憶回路と、を有し、高周波数で駆動する場合、電源電圧が供給されている期間では、第１の記憶回路にデータ信号を書き込み及び当該データ信号を出力し、電源電圧の供給が停止する前の期間である、電源電圧が供給されている期間の一部では、第２の記憶回路にデータ信号を書き込み、低周波数で駆動する場合、電源電圧が供給されている期間では、第２の記憶回路にデータ信号を書き込み、第２の記憶回路に書き込まれたデータ信号を第１の記憶回路に書き込み、第１の記憶回路に書き込まれたデータ信号を出力する記憶装置に関する。 （もっと読む）

本発明の種々の実施形態は、インピーダンス駆動ロジックを利用するナノスケール電子回路内に論理値をインピーダンス状態として格納する、論理状態を記憶するインピーダンス符号化ナノスケールラッチ（４０５、４０８、３０２〜３０５）の実現及び使用に関する。これらの実施形態のうちの特定の実施形態では、インピーダンス駆動ロジックを利用するナノスケール電子回路とともに、ナノスケールインピーダンス符号化ラッチを用いることによって、縦続接続される一連の論理回路に沿って電圧余裕が累積的に劣化することが避けられ、中間の論理値が一時的に格納されるようになり、それにより、複雑なナノスケール論理回路パイプライン、ナノスケール論理回路に基づく状態機械（１２００）、並びに種々の異なる相互接続トポロジ及び対応する機能を有する他の複雑な論理デバイスを実現するために、ナノワイヤクロスバーにより実現される論理回路を、ナノスケールインピーダンス符号化ラッチを通じて、他のナノワイヤクロスバーにより実現される論理回路に実用的に相互接続できるようになる。
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