【課題】レンズの配置が高精度でなされたレンズ及びレンズアレイを提供する。
【解決手段】基板２と、基板２が有する複数の貫通孔にエネルギー硬化型樹脂が充填されてなる複数のレンズ部６とを含むレンズアレイ７０において、基板２の線膨張係数は７０ｐｐｍ／℃以下であり、上記エネルギー硬化型樹脂は、レンズ部を形成すると共に、基板２の少なくとも一方の面に延在している。 （もっと読む）

【課題】暗電流があっても高いＳＮ比の信号もしくは鮮明な画像を得ることができる、小型化された近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に形成され、受光層３を有する１つまたは複数の受光素子と、近赤外光の入射側に位置する変調部５０と、後ろ側に位置する信号処理部７０とを備え、受光層３のバンドギャップ波長が、１．２μｍ以上３μｍ以下であり、変調部５０は、シリコンを主成分とするＭＥＭＳで形成されて、１つまたは複数の受光素子をカバーして、該受光素子と一体化しており、そして信号処理部７０は、受光素子の信号を読み出す信号読み出し回路、および当該受光素子からの信号を検出する信号検出部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クランプ演算行の黒レベルが有効行の黒レベルより大きい場合、黒つぶれを防止する必要がある。
【解決手段】黒レベル補正回路は、画像の黒信号のレベルを計数するカウンタと、上記カウンタから出力されたデータを予め設定された閾値と比較してフィードバックゲインを判定する黒レベル判定部と、上記カウンタから供給されたデータから平均値を求める平均値算出部と、上記黒レベル判定部から供給された制御信号によりフィードバックゲインが選択され、該選択されたフィードバックゲインと上記平均化されたデータを演算処理するフィードバック演算処理部と、フィードバック演算処理されたデータが補正され、当該補正されたデータをアナログデータに変換して、アナログの黒信号を出力するディジタルアナログ変換器とを有することにより、過多の引き込みを防止し黒つぶれを回避することができる。 （もっと読む）

【課題】セルサイズが縮小していった場合でも白傷を効果的に抑制することのできる固体撮像素子を提供する
【解決手段】２つの光電変換部列で１つの垂直電荷転送路１３を共用した固体撮像素子１００であって、垂直電荷転送路１３と垂直電荷転送路１３と隣り合う光電変換部列の各光電変換部１１との間に設けられた読み出しゲート１２と、光電変換部１１の表面に設けられた表面低濃度ｐ層２３と、表面低濃度ｐ層２３の表面に読み出しゲート１２から距離をあけて設けられ、表面低濃度ｐ層２３よりも不純物濃度の高い表面高濃度ｐ層２２と、ｐ型の素子分離層３６とを備え、表面高濃度ｐ層２２は、素子分離層３６のうち、垂直電荷転送路１３を挟まずに隣り合う２つの光電変換部１１の間にある部分の上にまで延びている。 （もっと読む）

【課題】露光時間が１フレーム分のリセット信号読み出し時間より短い場合においてもレリーズタイムラグを短くすることができる固体撮像装置およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】トリガ受付部３７は、画素における電荷の蓄積開始の前指示である第１トリガ、及び該蓄積開始の指示である第２トリガを受け付ける。垂直回路３０は、第２トリガが受け付けられた後、複数行の前記画素において蓄積開始及び蓄積終了が同時になされるように、画素を制御する。また、垂直回路３０は、第１トリガが受け付けられた後、画素の電荷保持部がリセットされたときのリセット信号の読み出しを行毎に行うことで蓄積終了以前に１フレーム分の該リセット信号を読み出し、第２トリガが受け付けられた後、蓄積開始から蓄積終了までに画素の光電変換素子に蓄積された電荷に応じた光信号の読み出しを行毎に行うことで１フレーム分の光信号を読み出す。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサに集積しやすいよう小型で低消費電力であり、クロック位相情報をバイナリ値に変換し、かつデジタル加減算可能なバイナリ値変換回路およびその方法、ＡＤ変換装置、固体撮像素子、並びにカメラシステムを提供する。
【解決手段】状態に応じてレベルが反転する信号のレベルが反転した際に、少なくとも一つのクロック信号の位相情報をラッチするラッチ回路１２と、ラッチ回路のラッチ位相情報を、パルス信号に応じてパルス列に変換する少なくとも一つの変換回路１３と、変換回路の変換により得られたパルスをカウントクロックとして用いて、クロックの位相情報をバイナリコードに変換するリップルカウンタ部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】開口率を犠牲にすることなく横型ＯＦＤを形成してＴＤＩ動作を実行可能なＴＤＩ方式のイメージセンサを提供する。
【解決手段】垂直ＣＣＤを４相以上のＶＰＣＣＤ構造とし、仮想電極８ｃ以外の転送ゲート７ａ，７ｂ，７ｄに横型ＯＦＤを形成し、仮想電極に隣接する転送電極７ｂ、７ｄに設けたＯＦＤと、仮想電極に隣接しない転送電極７ａに設けたＯＦＤとで、オーバーフローバリアのポテンシャル障壁を異なる値に設定した。 （もっと読む）

【課題】 複数の保持容量のレイアウトを工夫して、画質の低下を防止する。
【解決手段】 各画素３００から読み出される第１信号及び第２信号をそれぞれ保持する第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎを備えた固体撮像装置において、第１保持容量Ｃｓ及び第２保持容量Ｃｎの短手方向の長さ（ゲート長Ｌ）を、画素ピッチよりも長くする。 （もっと読む）

【課題】構造の複雑化や高コスト化を招くことなく、可視光の光量が十分な環境のみならず不十分な環境下においても被写体を鮮明に撮像することが可能な撮像素子ユニットを得る。
【解決手段】撮像素子１８のＲ画素、Ｇ画素、及び、Ｂ画素の固有の感度の合成値であるＲＧＢ合算相対感度と、赤外線カットフィルタ１７の透過率特性とによって決定される撮像面１９の相対感度が以下の感度を示すように、赤外線カットフィルタの透過率特性を定める。λ（波長：単位ｎｍ）６５０：相対感度７７±１０、λ７００：相対感度６２±１０、λ７５０：相対感度４４±７、λ８００：相対感度２６±７、λ８５０：相対感度７±５、λ９００：相対感度５±５。 （もっと読む）

【課題】消費電流をゲイン設定によらず一定に保つことが可能で、ゲイン切り替え時の装置の動作安定までのセトリング時間を短縮することが可能なＤＡ変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】ＤＡ変換装置１０は、ゲイン制御信号を受けて、デジタル入力信号の値に応じた出力電流および非出力電流を生成し、出力電流を電流電圧変換したアナログ信号を出力し、非出力電流を基準電位に流すアナログ信号出力部２０と、デジタルゲイン制御信号の値に応じたゲイン電流および非選択側電流を生成し、ゲイン電流を電流電圧変換してゲイン制御信号を生成するゲイン制御信号生成部３０と、ゲイン制御信号生成部３０の非選択側電流を基にゲイン制御信号生成部３０でゲイン設定を変化させることによる電流変動分を補った補正電流を生成し、補正電流を基準電位に流す補正電流生成部４０と、を有する。 （もっと読む）