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国際特許分類[H04N5/351]の内容

電気 (1,674,590) | 電気通信技術 (544,871) | 画像通信,例.テレビジョン (280,882) | テレビジョン方式の細部[4,2011.01] (126,971) | 光または類似信号から電気信号への変換 (12,199) | 固体撮像素子を用いるもの[4,2011.01] (11,052) | シーン,例.シーンにおける動きまたは輝度,に依存した固体撮像素子の制御に特徴のあるもの (222)

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【課題】 動画撮影時に、被写体の輝度変化に対応したゲイン設定を行うと共に、ゲイン設定切換え時に生じる撮影画像の輝度変化による画像劣化を低減すること。
【解決手段】 第1の増幅手段と、第2の増幅手段の出力との合計が入射光量に基づく露出制御手段の出力である制御ゲインによって決定され、第1の増幅手段に設定される第1のゲインと第2の増幅手段に設定される第2のゲインの各々のゲイン切換えを、制御ゲインが所定の第1の閾値以上かつ第1の閾値と第2の閾値の範囲内にある場合に、撮像装置本体のブレ検出手段の出力に基づきパン/チルト判定手段によってパンニングと判定された場合に行う。また、パンニングでない場合は、ゲイン制御手段によって露出制御手段の所定時間毎の出力変化量を算出し、変化量が所定の閾値以上と判断された場合に、第1の増幅手段の第1のゲインと第2の増幅手段の第2のゲインを切り換えるようにする。 (もっと読む)


【課題】 動画撮影時に、被写体の輝度変化に対応したゲイン設定を行うと共に、ゲイン設定切換え時に生じる撮影画像の輝度変化による画像劣化を低減すること。
【解決手段】 第1の増幅手段と、第2の増幅手段との出力の合計が入射光量に基づく露出制御手段の出力である制御ゲインによって決定され、ゲイン制御手段の行う第1及び第2の増幅手段の各々に設定される第1及び第2のゲインの各々のゲイン切換えを、ゲイン制御手段が算出する制御ゲインの所定時間毎の出力変化量と、ヒストグラム算出手段によって撮影画像のヒストグラムからの検出された黒レベル領域結果に基づいて、黒レベル領域判定手段が判定する黒レベル領域判定結果とから、制御ゲインの所定時間毎の出力変化量が所定の閾値以上かつ黒レベル領域判定手段の黒レベル領域判定結果が所定の割合以下と判断された場合に、第1及び第2の増幅手段の第1及び第2のゲインを切り換えるようにする。 (もっと読む)


【課題】放射線の照射検出を迅速かつ正確に行う。
【解決手段】電子カセッテは、FPDの画素を利用してX線源からX線の照射が開始されたことを自己検出する。FPDは画素から信号電荷を非破壊で読み出すことが可能であり、画素が出力する信号のゲインを変更可能である。電子カセッテは、照射開始検出動作において、まず、画素のゲインを高ゲインGnLに設定して出力信号を読み出して、その信号値SVが閾値Th以上になったか否かを判定する一次判定を行う。一次判定が肯定された場合には、低ゲインGnLに変更して出力信号を読み出して、その信号値SVで二次判定を行う。高ゲインGnHで一次判定を行うため、X線の強度が低い段階で照射開始を検出できる。低ゲインGnLで二次判定を行うため、正確な検出が行われる。 (もっと読む)


【課題】センス回路の高速化や消費電力の増加を伴うことなく、低照度時と高照度時においてノイズの少ない高精度な撮像が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子と蓄積部と、蓄積電荷を電気信号として出力するアンプ素子とを有し、光子入射に応じて電気信号を出力信号線に出力する画素が、複数アレイ状に配置された画素アレイ部と、画素からの電気信号を受けて、所定期間における画素への光子入射の有無を判定するセンス回路を含むセンス回路部と、を有し、センス回路は、出力信号線に接続されたAD変換装置を含み、AD変換装置は、少なくともバイナリ判定である1ビット出力と多ビット解像度による階調出力の2モードで動作可能であり、少なくとも1ビット出力モードの選択時は、画素ごとに複数回の露光における出力結果が集積されて、各画素に入射した光の強度が算出される。 (もっと読む)


【課題】撮影状況や製造課題に対応した積層型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第1のリセットトランジスタを備えた第1の画素と、第2のリセットトランジスタを備えた第2の画素とが形成された半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された配線層と、前記配線層の上に形成され、前記第1のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第1の下部電極と、前記配線層の上に形成され、前記第2のリセットトランジスタのソースに電気的に接続された第2の下部電極と、前記第1の下部電極および前記第2の下部電極の上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の上に形成され、上部電極電位が印加される透明な上部電極とを備え、前記第1のリセットトランジスタのドレインにかける第1のリセット電位と前記第2のリセットトランジスタのドレインにかける第2のリセット電位とが異なることを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】 小型の像振れ補正装置及びそれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】 像振れ補正装置1は、永久磁石20を含む基台部10と、永久磁石20に対向する位置にコイル40を設置した可動部30と、を備え、永久磁石20及びコイル40は、ボイスコイルモータ70を構成し、永久磁石20は、切り欠き101,102,103を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダイナミックレンジの広い動画像を得る際に、低照度環境下においてもノイズの少ない動画像を得る。
【解決手段】露光時間を異ならせて固体撮像素子を駆動し複数の画像信号を得る。そして、これら画像信号を合成して合成画像を得て、所定のフレームレートで合成画像をメモリに記録する。この際、固体撮像素子から画像信号を読み出す際の垂直転送期間を露光時間毎に異ならせて、垂直転送期間の合計をフレームレートで規定される時間に相当する時間に制御する。 (もっと読む)


【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極14aと蓄積電極14bとが障壁制御電極14cを挟んで配置される。分離電極14aと蓄積電極14bと障壁制御電極14cとに正極性の電圧が印加されてウェル12にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極14cに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極14bに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 (もっと読む)


【課題】 測光センサにスミアが発生する状況において、スミアの影響を軽減した露出制御を行うことができるようにする。
【解決手段】 被写体像を光電変換して電荷の蓄積を行い蓄積した電荷に応じた信号を出力する測光手段と、前記測光手段により出力される信号の値が目標値となるように前記測光手段を制御するための制御値を設定する設定手段と、前記測光手段により出力される信号に基づいて測光値を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された測光値に基づいて露出制御を行う露出制御手段と、を有し、前記設定手段は、前記制御値が所定範囲を超える場合、前記目標値を大きくする。 (もっと読む)


【課題】画像の画素領域ごとに露光時間を制御する構成において、より遅延の少ない露光時間制御処理を実現する装置、方法を提供する。
【解決手段】撮像素子の画素領域単位の露光時間を設定した露光時間制御データを生成する制御部と、露光時間制御データを入力して画素領域単位の露光時間制御に基づく画像取得を行う撮像素子を有する。制御部は、先行撮影画像の一部の画素領域単位の輝度情報に基づく領域単位の露光時間制御データを、シーケンシャルに順次生成して撮像素子に出力する。撮像素子は、制御部から、領域単位の露光時間制御データを入力し、入力する露光時間制御データを、順次、シーケンシャルに適用して画素領域単位の露光時間制御に基づく画像取得を実行する。この領域単位の露光時間制御情報を順次適用した処理を行うことでより遅延の少ない露光時間制御処理が実現される。 (もっと読む)


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