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国際特許分類[H05K3/22]の内容

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【目的】 出発基材に被圧縮性の多孔質基材を使用し、任意の電極層間のインナビアホール接続を安定に行うことが可能な回路形成用基板の製造方法およびそれを用いた回路基板並びに多層回路基板を得る。
【構成】 離形性フィルム1を備えた被圧縮性の多孔質基材2に貫通孔3を設け、前記貫通孔3に導電性ペースト4を充填してペースト中のバインダ成分を基材2中に浸透させてペースト中のバインダに対する導電物質の構成比を増大させる工程、離形性フィルム1を剥離した基材面に金属箔5を張り合わせて加熱加圧し、積層基材を圧縮する工程によって導電物質を緻密化させて金属箔間の電気的接続を図る。 (もっと読む)


【目的】両面に導電層を有する基板に導通用スルーホール(以下、単にスルーホールという)を有する配線パターンを形成した回路基板を、簡易に且つ高精度で形成でき、特に配線パターンの多層形成に適した回路基板の製造方法を提供する。
【構成】両面に導電層1を有する絶縁基板2に配線パターン4を形成した後、スルーホール用貫通孔5を設け、該貫通孔に硬化性導電物質を充填して硬化させて硬化体6を得、その硬化体により表裏の配線パターンを導通した後、上記配線パターンの導通を必要とする箇所を除いて絶縁層7で被覆し、次いで、該絶縁層が存在する面を平滑に研削する工程よりなり、更に、上記研削後、該絶縁層上に、絶縁層を介して導電層を設け、配線パターンを形成する工程を含む回路基板の製造方法である。 (もっと読む)




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