めっき装置及びめっき方法
【課題】広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜できるようにする。
【解決手段】ロードステージ１４に搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダ１６と、ガラス基板を保持した基板ホルダ１６を把持して搬送するトランスポータ５８と、基板ホルダ１６で保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽３２と、基板ホルダ１６で保持しためっき後のガラス基板の表面を基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽３４，３８と、洗浄後のガラス基板を基板ホルダ１６から取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６に受渡す乾燥ステージ５４を有する。
【解決手段】ロードステージ１４に搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダ１６と、ガラス基板を保持した基板ホルダ１６を把持して搬送するトランスポータ５８と、基板ホルダ１６で保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽３２と、基板ホルダ１６で保持しためっき後のガラス基板の表面を基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽３４，３８と、洗浄後のガラス基板を基板ホルダ１６から取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６に受渡す乾燥ステージ５４を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、矩形平板状で、広い表面積を持つ、例えば薄型テレビのスクリーン（ディスプレイ）に用いられるガラス基板の表面に、銅等の金属膜をその全面に亘って均一な膜厚で成膜するのに使用されるめっき装置及びめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、矩形平板状のガラス基板の表面に金属膜をめっきするめっき装置としては、複数枚のガラス基板をバスケットに入れ、ガラス基板の表面をバスケットと共に洗浄槽で洗浄し、しかる後、ガラス基板をバスケットと共にめっき槽内のめっき液に浸漬させて、ガラス基板の表面に金属膜を成膜するようにしたものが一般に知られている。めっき槽は、例えば、その下部から導入しためっき液がめっき槽の内部を上方に向かって流れ、めっき槽の上端の１辺をオーバフローすることで、めっき槽の内部に挿入したガラス基板の表面に沿ってめっき液が流れるようになっている。
【０００３】
ガラス基板の表面に、特に無電解めっきで銅等の金属膜をその全面に亘って均一な膜厚で成膜するためには、ガラス基板の表面温度がその全面に亘って均一で、ガラス基板の表面に沿ってめっき液が均一な流速で流れるようにすることが好ましい。このため、めっき槽内のめっき液をパドル等で攪拌することが一般に行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイ）の製造工程においては、ガラス基板の表面に金属膜をめっきする工程が用いられ、例えば１３００×８００ｍｍといった、広い表面積を有する矩形平板状のガラス基板の全面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で連続して成膜することが求められている。しかし、このように、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜しようとすると、例えばガラス基板を入れるバスケットがめっき液のガラス基板の表面に沿った流れを阻害したり、ガラス基板やめっき液の熱を奪ったりするため、ガラス基板の表面温度をその全面に亘って一定にしたり、ガラス基板の表面に沿って流れるめっき液の流速を一定にしたりすることは一般に困難であった。
【０００５】
また、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜しようとすると、ガラス基板の表面状態や無電解めっき液の状態等によって、ガラス基板の表面の一部でめっき金属の析出が開始せず、ガラス基板の全面に亘って均一にめっき金属が析出しないことがあった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板の全表面に、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜できるようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、前記基板ホルダで保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽と、前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置である。
【０００８】
このように、ガラス基板の端面間で挟持してガラス基板を基板ホルダで保持することで、この基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダごとめっき液中に浸漬させた時に、基板ホルダがガラス基板の表面に沿っためっき液の流れを阻害したり、ガラス基板の表面温度が均一になることを阻害したりすることを防止することができる。しかも、基板ホルダで保持したまま、ガラス基板の表面にめっき及びめっき後の洗浄等の各処理を行い、しかる後、基板ホルダの保持を解いてガラス基板を乾燥させることで、めっきから乾燥までの一連の処理を連続して行うことができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、１枚のガラス基板の表面にめっきを行う複数のめっき槽を有することを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
例えば銅めっき槽、コバルトめっき槽及びニッケルめっき槽を備えることで、ガラス基板の表面に、銅、コバルト及びニッケルの３つの異なる金属膜を連続して成膜することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記めっき槽は、無電解めっきでガラス基板の表面にめっきを行うことを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置である。
請求項４に記載の発明は、前記めっき槽は、ガラス基板を鉛直方向に立ててめっき槽の内部に前記基板ホルダとともに挿入するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき装置である。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、前記めっき槽は、下部よりめっき液を導入し、上端で４方向にめっき液をオーバフローさせて、内部に配置した基板ホルダで保持したガラス基板の表面にめっきを行う反応槽を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、反応槽の上端からめっき液を４方向にオーバフローさせることで、反応槽内のめっき液の液温を均一にして、ガラス基板の表面温度をその全面に亘ってより均一にすることができる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、前記めっき槽は、前記反応槽内のめっき液を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項５記載のめっき装置である。
これにより、めっき液が反応槽内を流れる間にその液温が低下してしまうことを防止して、反応槽内のめっき液の液温が一定となるように管理することができる。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、前記洗浄槽は、基板ホルダで保持したガラス基板の洗浄槽内への挿入時及び／または洗浄槽からの引出し時に前記ガラス基板の表面に向けて洗浄液を噴射するシャワーノズルを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、シャワーノズルから噴射される洗浄液、例えば純水でガラス基板及び基板ホルダの表面に付着しためっき液を洗い流すことができる。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共にめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行い、基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法である。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時及び／またはめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止し、前記ガラス基板の垂直姿勢を保たせることを特徴とするめっき方法である。
【００１６】
ガラス基板が傾いた姿勢でめっきを行うと、めっき液の上昇の流れが均一でなくなり、めっき膜の厚さが不均一となるが、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止することで、ガラス基板をめっき槽内に挿入する時に、下部からのめっき槽内に導入されるめっき液の上昇流でガラス基板が傾き、傾いた姿勢のままめっきされることを防ぐことができる。また、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止することで、ガラス基板を垂直のままめっき槽から引上げて、その後の搬送エラーを防ぐことができる。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、前記基板ホルダで保持したままガラス基板を無電解めっき液に浸漬させてガラス基板の表面に無電解めっきを行うめっき槽と、前記めっき槽に付設され、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加して無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置と、前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置である。
【００１８】
無電解めっきによってガラス基板の表面に金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加することで、ガラス基板の全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させることができる。この時、カソード電極とアノード電極と間に印加する電圧は、ガラス基板の表面に０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流を流すことが可能な電圧であることが好ましい。これにより、ガラス基板表面のカソード電極との接触部にめっき金属の異常析出が発生することを防止しつつ、ガラス基板の全表面にめっき金属を析出させることができる。カソード電極とアノード電極との間に電圧を印加する時間は、めっき金属の析出が開始するまでで良く、その後、電圧印加を停止しても無電解めっき反応が継続される。このため、所定の膜厚が得られるまでガラス基板を無電解めっき液に浸漬させておく。カソード電極とアノード電極との間に電圧を印加する時間は、この時間が長過ぎると、ガラス基板表面にカソード電極痕が残りやすくなるため、数十秒から数分間程度であることが好ましい。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接離自在に構成されていることを特徴とする請求項１０記載のめっき装置である。
これにより、アノード電極とガラス基板の表面に接触させたカソード電極との間に電圧を印加した後、カソード電極をガラス基板から離すことで、ガラス基板表面のカソード電極と接触する部位にもめっき金属を析出させることができる。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動自在であることを特徴とする請求項１１記載のめっき装置である。
これにより、カソード電極の無電解めっき液との接触を最小限として、カソード電極表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、前記析出改善装置は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置に設置されて前記カソード電極を駆動するカソード電極駆動部を有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２２】
請求項１４に記載の発明は、前記カソード電極は、表面をフッ素系樹脂でコーティングした金属で構成されていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のめっき装置である。
この金属としては、ステンレス、チタン、金または白金等が挙げられる。
【００２３】
請求項１５に記載の発明は、前記カソード電極は、１つのめっき槽に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１６に記載の発明は、前記カソード電極は、１枚のガラス基板に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、ガラス基板表面とカソード電極との接触を確保して、ガラス基板表面に確実に給電することができる。
【００２４】
請求項１７に記載の発明は、前記アノード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に対向する位置と、めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置との間を移動自在であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２５】
これにより、アノード電極の無電解めっき液との接触を最小限として、アノード電極表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極のメンテナンスを容易に行うことができる。更に、カソード電極を無電解めっき液に接触しない待避位置に移動させることと併せて、必要に応じて、無電解めっき液をパドル等で攪拌させることもできる。
アノード電極の表面積は、ガラス基板表面のめっき面積に対して０．１％以上であることが好ましい。これにより、抵抗が高くなって、ガラス基板表面に十分な電流が流れなくなることを防止して、ガラス基板表面にめっき金属を確実に析出させることができる。
【００２６】
請求項１８に記載の発明は、前記アノード電極は、ステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１９に記載の発明は、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、外部電源としての直流電源から所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２７】
請求項２０に記載の発明は、端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共に無電解めっき液に浸漬させ、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に所定時間電圧を印加し、前記カソード電極と前記アノード電極との間の電圧の印加を解いてガラス基板の表面に無電解めっきを行い、基板ホルダで保持した無電解めっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、表面積が広い矩形平板状のガラス基板の表面にめっきによって金属膜を成膜する時に、ガラス基板の表面温度をその全面に亘ってより均一にするとともに、ガラス基板の表面に沿ってより均一な流速でめっき液が流れるようにして、ガラス基板の表面に成膜される金属膜の膜厚をより均一にすることができる。
【００２９】
また、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加することで、ガラス基板の全表面からめっき金属の析出を開始させて、ガラス基板の全表面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、矩形平板状のガラス基板の表面に、無電解めっきによって、第１金属（例えば銅）、第２金属（例えばコバルト）及び第３金属（例えばニッケル）からなる３種類の金属膜を連続して成膜するようにした例を示す。
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す平面図で、図２は、図１のＡ−Ａ線拡大断面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置の装置フレーム１０の天井には、装置フレーム１０の内部に流入する空気をろ過するフィルタ１２（図２参照）が備えられている。装置フレーム１０の内部には、上流側に位置して、ガラス基板搬送機等により装置フレーム１０内に搬入されためっき前のガラス基板Ｗ（図２参照）を受取って水平に支持するロードステージ１４と、このロードステージ１４で水平に支持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６（図２参照）に装着する第１脱着ステージ１８が配置されている。
【００３２】
更に、装置フレーム１０の内部には、第１脱着ステージ１８から下流側に向けて、脱脂等のめっき前洗浄を行う前洗浄槽２０、前洗浄によってガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した前洗浄液を純水等で洗い流す２つの前洗浄液水洗槽２２，２４、前洗浄後のガラス基板Ｗの表面を酸等で洗浄して活性化させる活性化槽２６、活性化によってガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した活性化剤を純水等で洗い流す２つの活性化剤水洗槽２８，３０が配置されている。
【００３３】
この例では、活性化剤水洗槽３０の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき等の第１めっきを行う２個の第１めっき槽３２が配置され、この下流側に第１めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を純水等で洗い流す２つの第１めっき液水洗槽（後洗浄槽）３４，３６が配置されている。そして、この２つの第１めっき液水洗槽３４，３６の間に、複数の基板ホルダ１６を吊下げ保持して貯蔵するストッカー３８が配置されている。
【００３４】
第１めっき液水洗槽３６の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えばコバルトめっき等の第２めっきを行う第２めっき槽４０が配置され、この第２めっき槽４０の下流側に、第２めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第２めっき液を純水等で洗い流す２つの第２めっき液水洗槽（後洗浄槽）４２，４４が配置されている。第２めっき液水洗槽４４の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えばニッケルめっき等の第３めっきを行う第３めっき槽４６が配置され、この第３めっき槽４６の下流側に、第３めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第３めっき液を純水等で洗い流す２つの第３めっき液水洗槽（後洗浄槽）４８，５０が配置されている。
【００３５】
第３めっき液水洗槽５０の下流側に位置して、めっき終了後のガラス基板Ｗを基板ホルダ１６から取出す第２脱着ステージ５２が配置され、この第２脱着ステージ５２の下流側に、めっき終了後のガラス基板Ｗを水平状態で一方向に走行させながら表裏両面を乾燥させる乾燥ステージ５４が配置されている。そして、乾燥ステージ５４の下流側に位置して、乾燥後のガラス基板Ｗを装置フレーム１０の外部に配置されたガラス基板搬送機等に受渡すアンロードステージ５６が配置されている。
【００３６】
前記各機器の側方に位置して、ストッカー３８に貯蔵した基板ホルダ１６を把持して第１脱着ステージ１８に搬送し、この第１脱着ステージ１８でガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を把持して順次下流側に向けて搬送し、第２脱着ステージ５２でガラス基板Ｗの保持を解いた基板ホルダ１６を把持してストッカー３８まで搬送するトランスポータ５８が走行自在に配置されている。
【００３７】
次に、基板ホルダ１６の詳細を図３乃至図７に示す。図３及び図４は、仮想線で示す第１めっき槽３２の周壁に仮想線で示すガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を吊下げ支持した状態を示す。図３及び図４に示すように、基板ホルダ１６は、水平方向に直線状に延びるハンガ６０を有している。このハンガ６０の長さは、ハンガ６０を介して、基板ホルダ１６を第１めっき槽３２の周壁間に吊下げ支持できるよう、第１めっき槽３２の長さよりも長く設定されている。
【００３８】
ハンガ６０には、例えばＰＰＳ等の樹脂製のベースプレート６２が取付けられており、このベースプレート６２には、トランスポータ５８で基板ホルダ１６のハンガ６０を把持する時の把持部としての切欠き６２ａが設けられている。ベースプレート６２には、平行に延びる一対のサポートプレート６４の上端が取付けられており、このサポートプレート６４の長さ方向に沿った所定の位置には、図５に詳細に示すように、ガラス基板Ｗを保持した時に、ガラス基板Ｗの裏面に当接する、例えばＰＴＦＥ等の樹脂製の複数のブッシュ６６がサポートプレート６４の表面側にやや突出して取付けられている。また、ガラス基板Ｗが横にずれて外れることを防止するため、ベースプレート６２の両側には、ストッパープレート６５が取付けられている。
【００３９】
サポートプレート６４の下端には、図５に詳細に示すように、鉤状に前方に突出し、ガラス基板Ｗの下端面を当接させてガラス基板Ｗを支持するフック６８が取付けられ、上部には、フック６８で下端面を当接させて支持したガラス基板Ｗの上端面に当接し、更にガラス基板Ｗを下方に押圧して保持するプッシュシリンダ部７０が設けられている。
【００４０】
プッシュシリンダ部７０は、図６及び図７に詳細に示すように、サポートプレート６４に長さ方向に沿って摺動自在に支持されたプッシャ７２と、サポートプレート６４の裏面側に取付けられ、プッシャ７２の下面に当接してプッシャ７２を上方に持ち上げるシリンダ７４と、プッシャ７２の上面とサポートプレート６４に取付けたスプリング押え７６との間に介装され、ガイドピン７８に沿ってプッシャ７２を下方に付勢するスプリング８０とを有している。プッシャ７２の裏面側中央には、センサ検知用溝７２ａが設けられている。プッシャ７２の表面は、サポートプレート６４の表面より外方にやや突出し、表面側下面には、下方に突出して、ガラス基板Ｗの前方への脱出を防止する突出片７２ｂが設けられている。
【００４１】
これにより、下記のように、サポートプレート６４が水平状態にある時に、シリンダ７４を作動させてプッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させ、この状態で、サポートプレート６４の上面の所定位置にガラス基板Ｗを水平状態で載置する。この時、ガラス基板Ｗは、その裏面でブッシュ６６の表面に接触して支持される。そして、シリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させ、これによって、ガラス基板Ｗをその両端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持して保持する。この時の保持力は、スプリング８０の弾性力で決まる。このように、ガラス基板Ｗの端面間で基板ホルダ１６のフック６８とプッシャ７２で挟持してガラス基板Ｗを保持することで、この基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを鉛直方向に立てて基板ホルダ１６ごとめっき液中に浸漬させた時に、基板ホルダ１６がガラス基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れを阻害したり、ガラス基板Ｗの表面温度が均一になることを阻害したりすることを防止することができる。基板ホルダ１６の各部品は、めっき液に対する腐食を抑えるため、樹脂およびチタン鋼を用いて作られている。
【００４２】
ロードステージ１４と第１脱着ステージ１８の詳細を図８及び図９に示す。ロードステージ１４には、回転用モータ９０の駆動に伴って回転する回転板９２と、この回転板９２に取付けられた昇降用シリンダ９４の作動に伴って昇降し、回転板９２と一体に回転する昇降板９６とを有している。回転板９２には、固定用シリンダ９８の作動に伴って開閉する方向に移動する複数の支柱１００が備えられ、この各支柱１００の上端にコマ１０２がそれぞれ取付けられている。昇降板９６の上面には、複数の支持ピン１０４が立設されている。
【００４３】
第１脱着ステージ１８には、一対のアーム１１０を有する支持体１１２の両端を支持して該支持体１１２を走行させる走行部１１４が備えられており、一対のアーム１１０は、モータ１１６の駆動に伴って、鉛直位置と水平位置との間を上下方向に揺動するようになっている。
【００４４】
これにより、装置フレーム１０の外部から縦長の状態で水平にロードステージ１４に搬入されたガラス基板Ｗを、先ずロードステージ１４の支持ピン１０４の上面に載置して保持する。次に、固定用シリンダ９８を作動させて、コマ１０２を閉じる（近づく）方向に移動させ、このコマ１０２でガラス基板Ｗの周縁部を把持してガラス基板Ｗを保持する。この状態で、回転用モータ９０を駆動させて、回転板９２を昇降板９６と共に水平方向に９０°回転させ、これによって、ガラス基板Ｗを縦長の状態から横長の状態にする。次に、固定用シリンダ９８を逆作動させ、コマ１０２を開く（遠ざかる）方向に移動させてガラス基板Ｗの周縁部の把持を解き、しかる後、昇降用シリンダ９４を作動させて、ガラス基板Ｗを支持ピン１０４で支持したまま、下記の水平状態で前進した基板ホルダ１６の上方位置まで上昇させる。
【００４５】
一方、第１脱着ステージ１８にあっては、アーム１１０は反ロードステージ側に後退した鉛直位置にあり、このアーム１１０の前面に、トランスポータ５８で把持して搬送し、更に下降させた基板ホルダ１６を位置させて保持する。そして、モータ１１６を駆動して、基板ホルダ１６をアーム１１０と共に水平位置まで９０°上方に揺動させ、しかる後、支持体１１２をロードステージ１４の方向に走行させて、基板ホルダ１６をアーム１１０と共に上昇させたガラス基板Ｗの下方に入り込ませる。次に、昇降板９６を下降させて、支持ピン１０４で支持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６に受渡し、昇降板９６を更に下降させて、支持ピン１０４を元の位置に位置させる。
【００４６】
基板ホルダ１６にあっては、前述と同様にして、プッシュシリンダ部７０のシリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させて、ガラス基板Ｗの端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持してガラス基板Ｗを保持し、しかる後、前記と逆の動作で、支持体１１２を後退させ、更にガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をアーム１１０と共に９０°下方に揺動させて元の鉛直位置に戻す。これによって、ガラス基板Ｗの基板ホルダ１６による保持が完了する。
【００４７】
第１めっき槽３２の詳細を図１０乃至図１３に示す。なお、第２めっき槽４０及び第３めっき槽４６も、使用するめっき液が異なるだけで、第１めっき槽３２と同じ構成である。更に、前洗浄槽２０及び活性化槽２６も、使用する処理液（薬液）が異なるだけで、第１めっき槽３２とほぼ同じ構成である。ただし、前洗浄槽２０には、ヒータ及びそれに付帯する設備は備えられていない。ここでは、第２めっき槽４０、第３めっき槽４６、前洗浄槽２０及び活性化槽２６の説明を省略する。
【００４８】
第１めっき槽３２は、反応槽１２０と、この反応槽１２０の全周囲を取り囲んで、反応槽１２０の上端を４方向にオーバフローしためっき液を集めるオーバフロー槽１２２を有している。図３に示すように、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６は、オーバフロー槽１２２の周壁上面間にハンガ６０を掛け渡して吊下げ保持され、これにより、ガラス基板Ｗは、基板ホルダ１６で保持されたまま反応槽１２０の内部に鉛直方向に配置される。
【００４９】
反応槽１２０の底部には、図１１に示すように、反応槽１２０の内部にめっき液を下方から導入するヘッダ管１２４が横方向のほぼ全長に亘って水平に配置され、このヘッダ管１２４はめっき液供給管１２６に接続されている。このヘッダ管１２４には、長さ方向に沿った等間隔で上方に開口するめっき液吐出口が設けられている。このヘッダ管１２４の上方に、ヘッダ管１２４のめっき液吐出口から吐出さられるめっき液の流れを整える整流板１２８が配置されている。この整流板１２８には、例えば長さ方向に沿った等間隔で２列に亘って上下に連通するめっき液流通口が設けられている。ヘッダ管１２４のやや下方に位置して、図１２に示すように、散気管１３０が横方向のほぼ全長に亘って配置されており、この散気管１３０には、長手方向に沿った等間隔で下方に開口する空気吐出口が設けられている。また、この反応槽１２０の底面には、液の入れ替え時に残液が少なくなるように傾きを設けてある。
【００５０】
基板ホルダ１６をオーバフロー槽１２２の周壁上面に吊下げ保持した時、反応槽１２０の内部の基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗの表面と対向する位置に、互いに平行に上下方向に延びる複数のパドル棒１３２を有するパドル１３４がガラス基板Ｗと水平に左右及び上下動自在に配置されている。また、反応槽１２０には、反応槽１２０の底部におけるめっき液の液温を検出して、下記のヒータ１４０を制御する温度センサ１３６が備えられている。
【００５１】
オーバフロー槽１２２には、図１３に示すように、反応槽１２０内のめっき液を加熱してめっき液の温度を所定の温度、例えば６５℃に管理するヒータ１４０と、オーバフロー槽１２２の内部に溜まっためっき液の液面を検知して、この液面が所定の位置以下に達したときに、安全のためにヒータ１４０の電源を切る液面センサ１４２が配置されている。オーバフロー槽１２２の側面には、ヒータ１４０の過熱を防止するヒータ過熱防止センサ１４４が備えられている。オーバフロー槽１２２の底部には、図１１に示すように、内部に排水バルブ１４６を備えた排水管１４８が接続され、これによって、反応槽１２０の上端を４方向にオーバフローしてオーバフロー槽１２２に流れ込んだめっき液は、排水管１４８から外部に排水され、反応槽１２０の底部からこの内部に供給されて循環する。
【００５２】
この第１めっき槽３２にあっては、めっき液供給管１２６を通して、反応槽１２０の内部に、例えば無電解銅めっき液等の第１めっき液を底部から導入し、反応槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）をオーバフローさせることで、反応槽１２０内のめっき液に上方に向かう一様な流れを形成する。そして、ヒータ１４０によって、反応槽１２０内のめっき液の液温を、例えば６５℃の一定に管理しながら、パドル棒１３２を左右及び上下動させ、同時に、散気管１３０から反応槽１２０内のめっき液中に空気を吹き込んで反応槽１２０内のめっき液を攪拌する。この状態で、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して反応槽１２０の直上方まで搬送し、下降させて第１めっき槽３２で吊下げ保持する。この、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を下降させるときに、めっき液の供給、空気の供給及びパドル棒の動作を一旦停止させる。これにより、ガラス基板Ｗにめっき液からの不規則な抵抗が作用することを防止しつつめっき液中を降下させて、ガラス基板を垂直な状態で反応槽１２０内に吊下げることができる。これによって、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、反応槽１２０内にめっき液中に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき膜等の第１金属膜を成膜する。
【００５３】
そして、めっき終了後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６ごと反応槽１２０内のめっき液から引抜いた後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４の直上方までトランスポータ５８で搬送する。このガラス基板Ｗをめっき液から引抜く間に、めっき液の供給、空気の供給及びパドル棒の動作を一旦停止することにより、トランスポータ５８への受け渡しを容易に行うことができる。
【００５４】
特に、無電解めっきによってガラス基板Ｗの表面に均一な膜厚のめっき膜を成膜するには、ガラス基板Ｗの表面温度をその全面に亘って均一にすることが重要である。この第１めっき槽３２にあっては、ヒータ１４０で反応槽１２０内を流れるめっき液を加熱し、反応槽１２０の上部の４面からオーバフローさせることで、ガラス基板Ｗの表面温度をより一定にすることができる。更に、反応槽１２０内にパドル棒１３２を設置して、めっき中に左右及び／または上下動させたり、反応槽１２０の底部に配置した散気管１３０から反応槽１２０内のめっき液中に空気を吹き込んだりすることによりめっき液を攪拌することで、ガラス基板Ｗの表面温度をその全面に亘ってより均一にすることができる。
【００５５】
図２７は、反応槽１２０の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示す。図２８は、反応槽１２０の上部の３辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示す。この図２７及び図２８により、反応槽１２０の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせたることで、反応槽１２０の上部３辺からめっき液をオーバフローさせた場合に比較して、ガラス基板表面は、均一な温度分布を示すことが判る。なお、この時のめっき液の供給量は７５Ｌ／ｍｉｎ、設定温度は６５℃である。
【００５６】
第１めっき槽３２には、図１４及び図１５に示すように、無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置４００が付設されている。つまり、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板Ｗの表面に無電解めっきで銅めっき膜等の金属膜を成膜しようとすると、ガラス基板Ｗの表面状態や無電解めっき液の状態等によって、ガラス基板Ｗの表面の一部でめっき金属の析出が開始せず、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属が析出しないことがある。この析出改善装置４００は、このような弊害を防止して、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属を析出させるためのものである。
【００５７】
析出改善装置４００は、第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２の上端の長さ方向に沿った両側に固定された一対の支持板４０２を有しており、この支持板４０２は、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２で吊下げ支持した時、ガラス基板Ｗの表面側に位置するようになっている。
【００５８】
この支持板４０２の上面には、図１５に示すように、カソード電極駆動部としての昇降用シリンダ４０４の駆動に伴って昇降する昇降板４０６が配置され、前後動ロッド４０８を有するカソード電極駆動部としての前後動機構４１０が昇降板４０６に固定されている。そして、前後動ロッド４０８の先端部に、この例では、棒状体を所定の形状に屈曲させて形成した、つまり下方に向けて屈曲させ、反応槽１２０内に配置されるガラス基板Ｗに向けて更に屈曲させて形成されたカソード電極４１２が連結されている。
【００５９】
これにより、カソード電極４１２は、図１５に示すように、通常は、処理槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）に接触しない待避位置に位置し、昇降用シリンダ（カソード電極駆動部）４０４の駆動に伴って昇降板４０６と共に下降し、前後動機構（カソード電極駆動部）４１０の駆動に伴って反応槽１２０内に配置されるガラス基板Ｗに向けって前進して、その先端端面が、ガラス基板Ｗの表面に設けられた導電膜４１４にばね性を持って接触し、この逆の動作で、ガラス基板Ｗの表面に設けられた導電膜４１４から離れて待避位置に戻るようになっている。 このカソード電極４１２は、ステンレス、チタン、金または白金等の金属の表面をフッ素系樹脂でコーティングして構成されている。
【００６０】
このように、カソード電極４１２をガラス基板Ｗの導電膜４１４に接離自在として、下記のように、アノード電極４２４とガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２との間に電圧を印加した後、カソード電極４１２をガラス基板Ｗから離すことで、ガラス基板Ｗの導電膜４１４のカソード電極４１２と接触する部位にもめっき金属を析出させることができる。しかも、カソード電極４１２を無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動させることで、カソード電極４１２の無電解めっき液との接触を最小限として、カソード電極４１２の表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極４１２のメンテナンスを容易に行うことができる。特に、カソード電極４１２として、棒状体を使用し、この棒状体の端面をガラス基板Ｗの導電膜４１４に接触させることで、接触面積を最小に抑えることができる。
【００６１】
なお、この例では、カソード電極４１２を２個備えているが、カソード電極４１２の数は、１個でも、３個以上でもよい。カソード電極４１２を複数とすることで、ガラス基板Ｗの表面とカソード電極４１２との接触を確保して、ガラス基板Ｗの表面に確実に給電することができる。
【００６２】
一対の支持板４０２間に跨って、支持棒４２０が水平に配置されている。この支持棒４２０の軸方向に沿った、この例では２カ所に、鉛直位置と水平位置との間を９０°揺動する揺動アーム４２２の基部が取付けられ、この揺動アーム４２２の自由端に、平板状のアノード電極４２４が連結されている。これにより、揺動アーム４２２が水平位置にあるとき、アノード電極４２４は反応槽１２０内のめっき液に接触せず、揺動アーム４２２が鉛直位置にあるとき、アノード電極４２４は反応槽１２０内のめっき液に浸漬し、かつガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に対向するようになっている。アノード電極４２４は、例えばステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなる。
【００６３】
このように、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液と接触しない位置に位置させることで、アノード電極４２４のめっき液との接触を最小限として、アノード電極４２４の表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、アノード電極４２４のメンテナンスを容易に行うことができる。更に、カソード電極４１２をめっき液に接触しない待避位置に移動させることと併せて、必要に応じて、反応槽１２０内のめっき液をパドル等で攪拌させることもできる。
【００６４】
アノード電極４２４の表面積は、ガラス基板Ｗの表面のめっき面積に対して０．１％以上であることが好ましい。これにより、抵抗が高くなって、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に十分な電流が流れなくなることを防止して、ガラス基板Ｗの表面にのめっき金属を確実に析出させることができる。
【００６５】
カソード電極４１２は、導線４２６ａを介して、外部電源としての直流電源４２８の陰極に接続され、アノード電極４２４は、導線４２６ｂを介して、外部電源としての直流電源４２８の陽極に接続される。この直流電源４２８でカソード電極４１２とアノード電極４２４と間に電圧を印加した時に、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に、例えば０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流が流れるようになっている。
【００６６】
この析出改善装置４００において、カソード電極４１２は上昇した待避位置に位置し、アノード電極４２４は揺動アーム４２２が水平位置に位置して反応槽１２０内のめっき液に接触しない位置に位置する。そして、前述のようにして、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して反応槽１２０の直上方まで搬送し、下降させて第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２で吊下げ保持して、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６と共に反応槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）に浸漬させた後、カソード電極４１２をガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に接触させ、同時に揺動アーム４２２を下方に向けて９０°揺動させて鉛直位置に位置させることで、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液に浸漬させ、かつガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に対向させる。
【００６７】
次に、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に、例えば０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流が流れるように、直流電源（外部電源）４２８から電圧を印加する。そして、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に所定時間電圧を印加した後、カソード電極４１２及びアノード電極４２４を直流電源４２８から切り離し、更に、カソード電極４１２を待避位置に待避させ、同時に揺動アーム４２２を上方に向け９０°揺動させて水平位置に位置させることで、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液から引上げる。
【００６８】
この状態で、例えば前述のように、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、反応槽１２０内にめっき液中に所定時間浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき膜等の第１金属膜を成膜する。
【００６９】
このように、無電解めっきによってガラス基板Ｗの表面に金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２と該表面と対向する位置に配置したアノード電極４２４との間に電圧を印加することで、ガラス基板Ｗの全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させることができる。この時、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に印加する電圧は、ガラス基板の表面に０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流を流すことが可能な電圧であることが好ましく、これにより、ガラス基板Ｗの表面のカソード電極４１２との接触部にめっき金属の異常析出が発生することを防止しつつ、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属を析出させることができる。カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に電圧を印加する時間は、めっき金属の析出が開始するまでで良いが、この時間が長過ぎると、ガラス基板Ｗの表面にカソード電極痕が残りやすくなるため、数十秒から数分間程度であることが好ましい。
【００７０】
なお、第２めっき槽４０にあっては、第１めっき液の代わりにコバルトめっき液等の第２めっき液が、第３めっき槽４６にあっては、ニッケルめっき液等の第３めっき液が、前洗浄槽２０にあっては、界面活性剤を含む溶液等の前洗浄液が、活性化槽２６にあっては、酸溶液等の活性剤溶液がそれぞれ使用される。そして、第２めっき槽４０及び第３めっき槽４６には、必要に応じて、前記構成の析出改善装置４００が付設される。
【００７１】
第１めっきの直後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した、例えば銅めっき液等の第１めっき液（無電解めっき液）を純水等で洗い流す第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）３４の詳細を図１６及び図１７に示す。前洗浄液水洗槽２２、活性化剤水洗槽２８、第２めっき液水洗槽４２及び第３めっき液水洗槽４８も、第１めっき液水洗槽３４と同じ構成であるので、ここでは、これらの説明を省略する。
【００７２】
すなわち、この第１めっき液水洗槽３４は、シャワー方式を採用したもので、槽本体１５０と、この槽本体１５０の上部内周面の互いに対峙した位置に横方向のほぼ全長に亘って延びる一対の洗浄液供給管１５２とを有している。この各洗浄液供給管１５２は、内部を流れる純水等の洗浄液の流量をコントロールする定圧コントロールバルブを介装した配管（図示せず）にそれぞれ接続されており、各洗浄液供給管１５２の長さ方向に沿った所定の位置に、下方に向け拡がるように純水等の洗浄液を噴霧する複数のシャワーノズル１５４が所定間隔離間して配置されている。第１めっき液水洗槽３４の底部には、第１めっき液水洗槽３４の内部に溜まった廃液を外部に排出する排水管（図示せず）が接続されている。
【００７３】
この第１めっき液水洗槽３４では、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し鉛直方向に向けた状態でガラス基板Ｗと共に第１めっき液水洗槽３４の槽本体１５０の内部に挿入する。しかる後、シャワーノズル１５４からガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６に向けて、純水等の洗浄液を噴霧しながら、基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４から徐々に引出することで、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した第１めっき液を純水等の洗浄液で洗い流して粗洗浄する。なお、シャワーノズル１５４から純水等の洗浄液を噴霧しながら、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４の槽本体１５０の内部に挿入するようにしてもよく、また両者を併用しても良い。
【００７４】
上記粗洗浄後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を洗い流す第１めっき液水洗槽（浸漬式水洗槽）３６の断面を図１８に示す。前洗浄液水洗槽２４、活性化剤水洗槽２８、第２めっき液水洗槽４４及び第３めっき液水洗槽５０も、第１めっき液水洗槽３６と同じ構成であるので、ここでは、これらの説明を省略する。
【００７５】
すなわち、この第１めっき液水洗槽３６は、浸漬方式を採用したもので、上部にオーバフロー槽１６０を一体に設けた槽本体１６２と、槽本体１６２の底部に配置した幅方向のほぼ全長に亘って延びる洗浄液供給管１６４と、この洗浄液供給管１６４の上部に配置された整流板１６６を有している。この洗浄液供給管１６４の長さ方向に沿った等間隔位置には、上方に開口した洗浄液供給口が設けられている。オーバフロー槽１６０の底部には、オーバフロー槽１６０の内部に溜まった洗浄液（廃液）を外部に排出する排水管（図示せず）が接続されている。
【００７６】
この第２めっき液水洗槽３６では、洗浄液供給管１６４を通して供給した純水等の洗浄液で槽本体１６２の内部を満たしておく。そして、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して第２めっき液水洗槽３６の直上方まで搬送し、下降させて槽本体１６２に吊下げ保持する。これによって、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６を純水等の洗浄液に浸漬させて洗浄する。洗浄終了後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し上昇させて、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６ごと槽本体１６２内の純水等の洗浄液から引抜く。
槽本体１６２内の純水等の洗浄液を新しい純水等の洗浄液に少量ずつ入れ替えることにより、槽本体１６２内の純水等の洗浄液の汚れをなくすことができる。
【００７７】
第２脱着ステージ５２、乾燥ステージ５４及びアンロードステージ５６の詳細を図１９及び図２０に示す。第２脱着ステージ５２は、枢軸１７０を中心に鉛直位置と水平位置との間を上下方向に揺動自在で、走行部１７１に両端を支持されて走行自在な支持体１７２を有し、この支持体１７２に、該支持体１７２が水平位置にある時に、上下動自在で、且つ乾燥ステージ５４に向けて走行自在なゴムベルト１７４を有する複数のベルトコンベア１７６が平行に取付けられている。
【００７８】
そして、先ず、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８から受取って支持体１７２の前面に保持する。図１９は、基板ホルダ１６をトランスポータ５８から受取って保持した状態を示している。そして、基板ホルダ１６を保持した支持体１７２を乾燥ステージ５４に向けて走行させ、しかる後、水平位置まで上方に向けて揺動させる。この状態で、前述のように、基板ホルダ１６のシリンダ７４を作動させ、プッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させて、基板ホルダ１６によるガラス基板Ｗの保持を解く。
【００７９】
次に、ベルトコンベア１７６を上昇させて、基板ホルダ１６による保持を解いたガラス基板Ｗをベルトコンベア１７６のゴムベルト１７４の上面で受取り、ゴムベルト１７４を乾燥ステージ５４に向けて走行させて、めっき後のガラス基板Ｗを乾燥ステージ５４に送り込む。
【００８０】
一方、ガラス基板Ｗを取外した基板ホルダ１６を保持した支持体１７２にあっては、水平位置から鉛直位置に下方に揺動させ、しかる後、反乾燥ステージ側に前進させて、図１９に示す元の位置に復帰させる。この位置で、トランスポータ５８は、支持体１７２から空となった基板ホルダ１６を受取って把持し、例えばストッカー３８まで搬送する。
【００８１】
乾燥ステージ５４は、水平位置にある第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６に連続するように配置されたころコンベア１８０と、例えば図示しない排気ブロアとミストセパレータを有するハウジング１８２と、このハウジング１８２の内部に配置された一対のエアナイフ１８４を有している。ころコンベア１８０は、横方向に互いに平行に配置されて同時に回転する複数の回転軸１８６を有し、この回転軸１８６の長さ方向に沿った所定間隔離間した位置に複数のころ１８８が取付けられている。エアナイフ１８４は、この先端から乾燥したエアを吹付けるもので、ハウジング１８２の幅方向のほぼ全長に亘って延びており、ころコンベア１８０を挟んだ上下の位置に互いに対向して配置されている。
【００８２】
これにより、水平位置にある第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６で搬送されたガラス基板Ｗは、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０に乗り移ってハウジング１８２の内部を搬送される。そして、一対のエアナイフ１８４で挟まれた位置を通過するときに、エアナイフ１８４からガラス基板Ｗに向けて吹付けられる乾燥エアによって、その表裏両面が乾燥されてアンロードステージ５６に搬送される。
【００８３】
アンロードステージ５６は、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０に連続して配置され、ガラス基板Ｗの側縁部を支持してガラス基板Ｗを搬送する一対のローラコンベア１９０と、回転用モータ１９２の駆動に伴って回転する回転板１９４と、この回転板１９４に取付けられた昇降用シリンダ１９６の作動に伴って昇降する昇降板１９８とを有している。回転板１９４には、固定用シリンダ２００の作動に伴って開閉する方向に移動する複数の支柱２０２が備えられ、この各支柱２０２の上端にコマ２０４がそれぞれ取付けられている。昇降板１９８には、上端を真空チャックとした複数の支持ピン２０６が立設されている。
【００８４】
これにより、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０で搬送された乾燥後のガラス基板を、ローラコンベア１９０に移して更に搬送させ、アンロードステージ５６の所定の位置に停止させる。次に、昇降用シリンダ１９６を作動させ、支持ピン２０６でガラス基板Ｗを吸着保持してローラコンベア１９０の上方まで持ち上げる。この状態で、回転用モータ１９２を駆動させて、昇降板１９８を回転板１９４と共に９０°水平方向に回転させ、これによって、ガラス基板Ｗを横長の状態から縦長の状態にする。
【００８５】
次に、昇降用シリンダ１９６を逆作動させて昇降板１９８を下降させ、縦長となったガラス基板Ｗをローラコンベア１９０の間を通過させてローラコンベア１９０の下方の所定位置に停止させる。そして、固定用シリンダ２００を作動させて、コマ２０４を閉じる方向に移動させ、このコマ２０４で乾燥後のガラス基板Ｗの周縁部を把持して待機する。そして、装置フレーム１０外部に配置したガラス基板搬送機によって、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６から取出して次工程に搬送する。
【００８６】
トランスポータ５８の詳細を図２１乃至図２６に示す。図２１及び図２２は、トランスポータ５８の走行部であるリニアモータ部２８０を示すもので、このリニアモータ部２８０は、長尺状に延びるベース２８２と、このベース２８２に沿って走行する２台のスライダ２８４，２８６とから主に構成され、この各スライダ２８４，２８６の上面にトランスポータ５８が搭載されている。また、ベース２８２の側部には、ケーブルベアブラケット２８８とケーブルベア受け２９０が設けられ、このケーブルベアブラケット２８８とケーブルベア受け２９０に沿ってケーブルベア２９２が延びるようになっている。
【００８７】
このように、トランスポータ５８の移動方式としてリニアモータ方式を採用することで、長距離移動を可能にするとともに、トランスポータ５８の長さを短く抑えて装置の全長をより短くし、更に長いボールネジなどの精度とメンテナンスを要する部品を削減することができる。なお、この例では、２台のトランスポータを備えているが、トランスポータは１台でも良いことは勿論である。
【００８８】
図２３乃至図２６は、トランスポータ５８を示すものである。このトランスポータ５８は、トランスポータ本体３００と、このトランスポータ本体３００から横方向に突出するアーム部３０２と、アーム部３０２を昇降させるアーム部昇降機構３０４と、アーム部３０２を回転させるアーム部回転機構３０６と、アーム部３０２の内部に設けられて基板ホルダ１６を着脱自在に把持する把持機構３０８とから主に構成されている。
【００８９】
アーム部昇降機構３０４は、図２３及び図２４に示すように、鉛直方向に延びる回転自在なボールねじ３１０と、このボールねじ３１０に螺合するナット３１２とを有し、このナット３１２にＬＭベース３１４が連結されている。そして、トランスポータ本体３００に固定した昇降用モータの駆動軸に固着した駆動プーリ３１８とボールねじ３１０の上端に固着した従動プーリ３２０との間にタイミングベルト３２２が掛け渡されている。これによって、昇降用モータの駆動に伴ってボールねじ３１０が回転し、このボールねじ３１０に螺合するナット３１２に連結したＬＭベース３１４がＬＭガイドに沿って上下に昇降する。
【００９０】
アーム部回転機構３０６は、図２４に仮想線で示すように、内部に回転軸３３０を回転自在に収納し取付け台３３２を介してＬＭベース３１４に固着したスリーブ３３４と、このスリーブ３３４の端部にモータベース３３６を介して取付けた回転用モータ３３８とを有している。そして、この回転用モータ３３８の駆動軸に固着した駆動プーリ３４０と回転軸３３０の端部に固着した従動プーリ３４２との間にタイミングベルト３４４が掛け渡されている。これによって、回転用モータ３３８の駆動に伴って回転軸３３０が回転する。そして、アーム部３０２は、この回転軸３３０にカップリング３４６を介して連結されて回転軸３３０と一体となって昇降し回転する。
【００９１】
アーム部３０２は、図２４の仮想線、図２５及び図２６に示すように、回転軸３３０に連結されて該回転軸３３０と一体に回転する一対の側板３５０，３５０を備え、この側板３５０，３５０間に把持機構３０８が配置されている。
【００９２】
把持機構３０８は、端部を側板３５０，３５０間に幅方向に移動自在に収納した固定ホルダ３５２と、この固定ホルダ３５２の内部を挿通させたガイドシャフト３５４と、このガイドシャフト３５４の一端（図２６における下端）に連結した可動ホルダ３５６とを有している。そして、固定ホルダ３５２は、一方の側板３５０に取付けた幅方向移動用シリンダ３５８にシリンダジョイント３６０を介して連結されている。一方、ガイドシャフト３５４の他端（図２６における上端）には、シャフトホルダ３６２が取付けられ、このシャフトホルダ３６２は、上下移動用シリンダ３６６にシリンダコネクタ３６４を介して連結されている。
【００９３】
これにより、幅方向移動用シリンダ３５８の作動に伴って、固定ホルダ３５２が可動ホルダ３５６と共に側板３５０，３５０間をその幅方向に移動し、上下移動用シリンダ３６６の作動に伴って、可動ホルダ３５６がガイドシャフト３５４にガイドされつつ上下に移動する。
【００９４】
この把持機構３０８でストッカー３８等に吊下げ保持した基板ホルダ１６を把持する時には、固定ホルダ３５２を基板ホルダ１６のハンガ６０の上方に、可動ホルダ３５６をハンガ６０の下方にそれぞれ位置させる。そして、幅方向移動用シリンダ３５８を作動させて、固定ホルダ３５２と可動ホルダ３５６を、基板ホルダ１６のハンガ６０を上下から挟む位置に位置させる。この時、可動ホルダ３５６は、ベースプレート６２に設けた切欠き６２ａ内に位置する。この状態で、上下移動用シリンダ３６６を作動させて、ハンガ６０を固定ホルダ３５２と可動ホルダ３５６で上下から狭持して基板ホルダ１６を把持する。そして、この逆の動作を行わせることで、この把持を解く。
【００９５】
次に、上記構成のめっき装置における一連の操作について説明する。
先ず、矩形平板状のめっき前のガラス基板Ｗを装置フレーム１０の内部に横長の状態で搬入し、ロードステージ１４の支持ピン１０４で水平に支持する。そして、ガラス基板Ｗの周縁部をコマ１０２で把持してガラス基板Ｗを保持し、９０°水平に回転させて横長の状態にした後、支持ピン１０４で支持して上昇させる。一方、トランスポータ５８は、ストッカー３８に吊下げ保持されて貯蔵されていた基板ホルダ１６を把持して上昇させ、第１脱着ステージ１８のアーム１１０前面まで搬送した後、下降させて、基板ホルダ１６をアーム１１０に受渡す。
【００９６】
次に、アーム１１０を水平状態となるように９０°上方に揺動させ、しかる後、ロードステージ１４の方向に前進させて、上昇させたガラス基板Ｗの下方に基板ホルダ１６を入り込ます。そして、ガラス基板Ｗを下降させて支持ピン１０４から基板ホルダ１６で受取り、しかる後、基板ホルダ１６のシリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させ、これによって、ガラス基板Ｗをその両端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持して水平に保持する。
【００９７】
このガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を有するアーム１１０を、上記と逆の動作で後退させ、更に下方に９０°揺動させて鉛直状態となす。そして、このガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、前洗浄槽２０の上方まで搬送した後、下降させて、前洗浄槽２０で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、前洗浄槽２０内の前処理液に浸漬させて、脱脂等のめっき前洗浄を行う。この前処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、前洗浄液水洗槽２２，２４に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した前処理液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【００９８】
前処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、活性化槽２６の上方まで搬送した後、下降させて、活性化槽２６で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを活性化槽２６内の活性剤溶液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面の酸による洗浄等の活性化処理を行う。この活性化処理のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、活性化剤水洗槽２８，３０に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した活性化剤溶液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【００９９】
活性化処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第１めっき槽３２の上方まで搬送した後、下降させて、第１めっき槽３２で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第１めっき槽３２内の第１めっき液、例えば銅めっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に第１金属膜、例えば銅膜を成膜する。この時、前述のように、めっき液に浸漬させたガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２と該表面と対向する位置に配置したアノード電極４２４との間に電圧を印加することで、ガラス基板Ｗの全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させる。このことは、以下のめっき槽でのめっき処理においても同様である。この第１めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第１めっき液水洗槽３４，３６に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１００】
第１めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第２めっき槽４０の上方まで搬送した後、下降させて、第２めっき槽４０で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第２めっき槽４０内の第２めっき液、例えばコバルトめっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に形成した第１金属膜、例えば銅膜の表面に、第２金属膜、例えばコバルト膜を成膜する。この第２めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第２めっき液水洗槽４２，４４に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第２めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１０１】
第２めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第３めっき槽４６の上方まで搬送した後、下降させて、第３めっき槽４６で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第３めっき槽４６内の第３めっき液、例えばニッケルめっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に形成した第２金属膜、例えばコバルト膜の表面に、第３金属膜、例えばニッケル膜を成膜する。この第３めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第３めっき液水洗槽４８，５０に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第３めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１０２】
そして、第３めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第２脱着ステージ５２の支持体１７２の前面まで搬送し、下降させて、支持体１７２に受渡す。そして、支持体１７２をアンロードステージ５６の方向に走行させ、９０°上方に揺動させることで、水平状態にする。この状態で、前述のように、基板ホルダ１６のシリンダ７４を作動させ、プッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させて、基板ホルダ１６によるガラス基板Ｗの保持を解く。次に、ベルトコンベア１７６を上昇させて、基板ホルダ１６による保持を解いたガラス基板Ｗをベルトコンベア１７６のゴムベルト１７４の上面で受取り、ゴムベルト１７４を乾燥ステージ５４に向けて走行させる。
【０１０３】
ガラス基板Ｗを取外した基板ホルダ１６を保持した支持体１７２にあっては、支持体１７２を水平位置から鉛直位置に９０°下方に揺動させ、しかる後、反乾燥ステージ側に前進させて元の位置に復帰させる。トランスポータ５８は、この位置で、支持体１７２から空となった基板ホルダ１６を受取って把持し、例えばストッカー３８まで搬送して、ストッカー３８で吊下げ支持する。
【０１０４】
第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６で搬送したガラス基板Ｗを、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０でハウジング１８２の内部を搬送し、この間に、ガラス基板Ｗの表裏両面に一対のエアナイフ１８４からガラス基板Ｗに向けて乾燥エアを吹付けて乾燥させる。しかる後、この乾燥させたガラス基板Ｗをアンロードステージ５６に搬送する。
【０１０５】
アンロードステージ５６で、乾燥後のガラス基板Ｗを、昇降用シリンダ１９６で保持してローラコンベア１９０の上方まで持ち上げ、昇降板１９８を回転板１９４と共に９０°回転させて、横長の状態から縦長の状態にする。そして、縦長となったガラス基板Ｗをローラコンベア１９０の間を通過させてローラコンベア１９０の下方の所定位置まで下降させ、コマ２０４で乾燥後のガラス基板Ｗの周縁部を把持して待機する。そして、装置フレーム１０外部に配置したガラス基板搬送機によって、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６から取出して次工程に搬送する。
【０１０６】
なお、上記の例では、３つのめっき槽と、各めっき槽によるめっきによってガラス基板及び基板ホルダの表面に付着しためっき液を洗い流す各１対の３つのめっき液水洗槽を備えた例を示しているが、例えば、ガラス基板の表面に、銅膜等の１種類の金属膜を成膜する場合には、めっき槽及びめっき液を洗い流すめっき液水洗槽は、それぞれ１つでもよいことは勿論である。また、前洗浄槽や活性化槽、及びこれらに付帯する水洗槽は、必要に応じて備えられる。
【０１０７】
次に、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないことは勿論である。
【実施例１】
【０１０８】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．０Ｖの電圧を1分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧の印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離して無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は、洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【実施例２】
【０１０９】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．５Ｖの電圧を３０秒間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離し、さらに自動でカソード電極とアノード電極をめっき液中から引上げて、パドルによる撹拌を開始して無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき析出の有無を目視で確認した。
【実施例３】
【０１１０】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により５．０Ｖの電圧を５分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離して無電解銅めっきを１５分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【実施例４】
【０１１１】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．０Ｖの電圧を１分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。電圧印加を停止させた後も、カソード電極をガラス基板表面から離さずに無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【０１１２】
上記実施例１〜４の結果を下記の表１に示す
【表１】
【０１１３】
この表１から、ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、カソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したアノード電極とカソード電極との間に直流電源により電圧を印加することによって、ガラス基板の全面にめっき金属が析出することが判る。しかし、アノード電極とカソード電極との間に直流電源により５．０Ｖの電圧を５分間印加したり（実施例３）、電圧印加を停止させた後も、カソード電極をガラス基板表面から離さずに無電解銅めっきを継続すると（実施例４）、カソード接触部分に接触痕が残る。このため、カソード接触部分に接触痕が残るのを防止するためには、アノード電極とカソード電極との間の電圧の印加時間は、数十秒から数分以内で、また電圧印加を停止させた後にカソード電極をガラス基板表面から離すことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施の形態のめっき装置の全体平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】基板ホルダの正面図である。
【図４】基板ホルダの断面図である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】プッシュシリンダ部を拡大して示す拡大図である。
【図７】図６の右側面図である。
【図８】ロードステージと第１脱着ステージを示す側面図である。
【図９】図８の左側面図である。
【図１０】第１めっき槽の断面図である。
【図１１】第１めっき槽の反応槽の縦断側面図である。
【図１２】第１めっき槽の反応槽の散気管を示す縦断側面図である。
【図１３】第１めっき槽のオーバフロー槽の縦断側面図である。
【図１４】第１めっき槽の付設した析出改善装置の正面図である。
【図１５】第１めっき槽に付設した析出改善装置の要部拡大側面図である。
【図１６】第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）の断面図である。
【図１７】第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）の平面図である。
【図１８】第１めっき液水洗槽（浸漬式水洗槽）の断面図である。
【図１９】第２脱着ステージ、乾燥ステージ及びアンロードステージを示す側面図である。
【図２０】第２脱着ステージ、乾燥ステージ及びアンロードステージを示す平面図である。
【図２１】トランスポータのリニアモータ部（走行部）を示す平面図である。
【図２２】図２１の正面図である。
【図２３】トランスポータの正面図である。
【図２４】トランスポータのアーム部回転機構を仮想線で示す平面図である。
【図２５】アーム部に備えられた把持機構の平面図である。
【図２６】アーム部に備えられた把持機構の縦断正面図である。
【図２７】反応槽の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示すグラフである。
【図２８】反応槽の上部の３辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１５】
１０ 装置フレーム
１２ フィルタ
１４ ロードステージ
１６ 基板ホルダ
１８ 脱着ステージ
２０ 前洗浄槽
２２，２８，３４，４２，４８ シャワー式水洗槽
２４，３６，４４，５０ 浸漬式水洗槽
２６ 活性化槽
３２，４０，４６ めっき槽
３８ ストッカー
５２ 脱着ステージ
５４ 乾燥ステージ
５６ アンロードステージ
５８ トランスポータ
６０ ハンガ
６２ ベースプレート
６４ サポートプレート
６５ ストッパープレート
６６ ブッシュ
６８ フック
７０ プッシュシリンダ部
７２ プッシャ
８０ スプリング
９２ 回転板
９６ 昇降板
１００ 支柱
１０２ コマ
１０４ 支持ピン
１１０ アーム
１１２ 支持体
１１４ 走行部
１２０ 反応槽
１２２ オーバフロー槽
１２４ ヘッダ管
１２８ 整流板
１３０ 散気管
１３２ パドル棒
１３４ パドル
１４０ ヒータ
１４８ 排水管
１５０ 槽本体
１５２ 洗浄液供給管
１５４ シャワーノズル
１６０ オーバフロー槽
１６２ 槽本体
１６４ 洗浄液供給管
１６６ 整流板
１７０ 枢軸
１７２ 支持体
１７４ ゴムベルト
１７６ ベルトコンベア
１８０ ころコンベア
１８２ ハウジング
１８４ エアナイフ
１９０ ローラコンベア
１９４ 回転板
１９８ 昇降板
２０４ コマ
２０６ 支持ピン
２８０ リニアモータ部
２８４，２８６ スライダ
３００ トランスポータ本体
３０４ アーム部昇降機構
３０６ アーム部回転機構
３０８ 把持機構
３５０ 側板
３５２ 固定ホルダ
３５６ 可動ホルダ
４００ 析出改善装置
４０４ 昇降シリンダ（カソード電極駆動部）
４０８ 前後動ロッド
４１０ 前後動機構（カソード電極駆動部）
４１２ カソード電極
４１４ 導電膜
４２０ 支持棒
４２２ 揺動アーム
４２４ アノード電極
４２６ａ，４２６ｂ 導線
４２８ 直流電源（外部電源）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、矩形平板状で、広い表面積を持つ、例えば薄型テレビのスクリーン（ディスプレイ）に用いられるガラス基板の表面に、銅等の金属膜をその全面に亘って均一な膜厚で成膜するのに使用されるめっき装置及びめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、矩形平板状のガラス基板の表面に金属膜をめっきするめっき装置としては、複数枚のガラス基板をバスケットに入れ、ガラス基板の表面をバスケットと共に洗浄槽で洗浄し、しかる後、ガラス基板をバスケットと共にめっき槽内のめっき液に浸漬させて、ガラス基板の表面に金属膜を成膜するようにしたものが一般に知られている。めっき槽は、例えば、その下部から導入しためっき液がめっき槽の内部を上方に向かって流れ、めっき槽の上端の１辺をオーバフローすることで、めっき槽の内部に挿入したガラス基板の表面に沿ってめっき液が流れるようになっている。
【０００３】
ガラス基板の表面に、特に無電解めっきで銅等の金属膜をその全面に亘って均一な膜厚で成膜するためには、ガラス基板の表面温度がその全面に亘って均一で、ガラス基板の表面に沿ってめっき液が均一な流速で流れるようにすることが好ましい。このため、めっき槽内のめっき液をパドル等で攪拌することが一般に行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイ）の製造工程においては、ガラス基板の表面に金属膜をめっきする工程が用いられ、例えば１３００×８００ｍｍといった、広い表面積を有する矩形平板状のガラス基板の全面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で連続して成膜することが求められている。しかし、このように、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜しようとすると、例えばガラス基板を入れるバスケットがめっき液のガラス基板の表面に沿った流れを阻害したり、ガラス基板やめっき液の熱を奪ったりするため、ガラス基板の表面温度をその全面に亘って一定にしたり、ガラス基板の表面に沿って流れるめっき液の流速を一定にしたりすることは一般に困難であった。
【０００５】
また、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜しようとすると、ガラス基板の表面状態や無電解めっき液の状態等によって、ガラス基板の表面の一部でめっき金属の析出が開始せず、ガラス基板の全面に亘って均一にめっき金属が析出しないことがあった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板の全表面に、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜できるようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、前記基板ホルダで保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽と、前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置である。
【０００８】
このように、ガラス基板の端面間で挟持してガラス基板を基板ホルダで保持することで、この基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダごとめっき液中に浸漬させた時に、基板ホルダがガラス基板の表面に沿っためっき液の流れを阻害したり、ガラス基板の表面温度が均一になることを阻害したりすることを防止することができる。しかも、基板ホルダで保持したまま、ガラス基板の表面にめっき及びめっき後の洗浄等の各処理を行い、しかる後、基板ホルダの保持を解いてガラス基板を乾燥させることで、めっきから乾燥までの一連の処理を連続して行うことができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、１枚のガラス基板の表面にめっきを行う複数のめっき槽を有することを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
例えば銅めっき槽、コバルトめっき槽及びニッケルめっき槽を備えることで、ガラス基板の表面に、銅、コバルト及びニッケルの３つの異なる金属膜を連続して成膜することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記めっき槽は、無電解めっきでガラス基板の表面にめっきを行うことを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置である。
請求項４に記載の発明は、前記めっき槽は、ガラス基板を鉛直方向に立ててめっき槽の内部に前記基板ホルダとともに挿入するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき装置である。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、前記めっき槽は、下部よりめっき液を導入し、上端で４方向にめっき液をオーバフローさせて、内部に配置した基板ホルダで保持したガラス基板の表面にめっきを行う反応槽を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、反応槽の上端からめっき液を４方向にオーバフローさせることで、反応槽内のめっき液の液温を均一にして、ガラス基板の表面温度をその全面に亘ってより均一にすることができる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、前記めっき槽は、前記反応槽内のめっき液を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項５記載のめっき装置である。
これにより、めっき液が反応槽内を流れる間にその液温が低下してしまうことを防止して、反応槽内のめっき液の液温が一定となるように管理することができる。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、前記洗浄槽は、基板ホルダで保持したガラス基板の洗浄槽内への挿入時及び／または洗浄槽からの引出し時に前記ガラス基板の表面に向けて洗浄液を噴射するシャワーノズルを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、シャワーノズルから噴射される洗浄液、例えば純水でガラス基板及び基板ホルダの表面に付着しためっき液を洗い流すことができる。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共にめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行い、基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法である。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時及び／またはめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止し、前記ガラス基板の垂直姿勢を保たせることを特徴とするめっき方法である。
【００１６】
ガラス基板が傾いた姿勢でめっきを行うと、めっき液の上昇の流れが均一でなくなり、めっき膜の厚さが不均一となるが、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止することで、ガラス基板をめっき槽内に挿入する時に、下部からのめっき槽内に導入されるめっき液の上昇流でガラス基板が傾き、傾いた姿勢のままめっきされることを防ぐことができる。また、基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止することで、ガラス基板を垂直のままめっき槽から引上げて、その後の搬送エラーを防ぐことができる。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、前記基板ホルダで保持したままガラス基板を無電解めっき液に浸漬させてガラス基板の表面に無電解めっきを行うめっき槽と、前記めっき槽に付設され、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加して無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置と、前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置である。
【００１８】
無電解めっきによってガラス基板の表面に金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加することで、ガラス基板の全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させることができる。この時、カソード電極とアノード電極と間に印加する電圧は、ガラス基板の表面に０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流を流すことが可能な電圧であることが好ましい。これにより、ガラス基板表面のカソード電極との接触部にめっき金属の異常析出が発生することを防止しつつ、ガラス基板の全表面にめっき金属を析出させることができる。カソード電極とアノード電極との間に電圧を印加する時間は、めっき金属の析出が開始するまでで良く、その後、電圧印加を停止しても無電解めっき反応が継続される。このため、所定の膜厚が得られるまでガラス基板を無電解めっき液に浸漬させておく。カソード電極とアノード電極との間に電圧を印加する時間は、この時間が長過ぎると、ガラス基板表面にカソード電極痕が残りやすくなるため、数十秒から数分間程度であることが好ましい。
【００１９】
請求項１１に記載の発明は、前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接離自在に構成されていることを特徴とする請求項１０記載のめっき装置である。
これにより、アノード電極とガラス基板の表面に接触させたカソード電極との間に電圧を印加した後、カソード電極をガラス基板から離すことで、ガラス基板表面のカソード電極と接触する部位にもめっき金属を析出させることができる。
【００２０】
請求項１２に記載の発明は、前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動自在であることを特徴とする請求項１１記載のめっき装置である。
これにより、カソード電極の無電解めっき液との接触を最小限として、カソード電極表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００２１】
請求項１３に記載の発明は、前記析出改善装置は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置に設置されて前記カソード電極を駆動するカソード電極駆動部を有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２２】
請求項１４に記載の発明は、前記カソード電極は、表面をフッ素系樹脂でコーティングした金属で構成されていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のめっき装置である。
この金属としては、ステンレス、チタン、金または白金等が挙げられる。
【００２３】
請求項１５に記載の発明は、前記カソード電極は、１つのめっき槽に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１６に記載の発明は、前記カソード電極は、１枚のガラス基板に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、ガラス基板表面とカソード電極との接触を確保して、ガラス基板表面に確実に給電することができる。
【００２４】
請求項１７に記載の発明は、前記アノード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に対向する位置と、めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置との間を移動自在であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２５】
これにより、アノード電極の無電解めっき液との接触を最小限として、アノード電極表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極のメンテナンスを容易に行うことができる。更に、カソード電極を無電解めっき液に接触しない待避位置に移動させることと併せて、必要に応じて、無電解めっき液をパドル等で攪拌させることもできる。
アノード電極の表面積は、ガラス基板表面のめっき面積に対して０．１％以上であることが好ましい。これにより、抵抗が高くなって、ガラス基板表面に十分な電流が流れなくなることを防止して、ガラス基板表面にめっき金属を確実に析出させることができる。
【００２６】
請求項１８に記載の発明は、前記アノード電極は、ステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１９に記載の発明は、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、外部電源としての直流電源から所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれかに記載のめっき装置である。
【００２７】
請求項２０に記載の発明は、端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共に無電解めっき液に浸漬させ、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に所定時間電圧を印加し、前記カソード電極と前記アノード電極との間の電圧の印加を解いてガラス基板の表面に無電解めっきを行い、基板ホルダで保持した無電解めっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、表面積が広い矩形平板状のガラス基板の表面にめっきによって金属膜を成膜する時に、ガラス基板の表面温度をその全面に亘ってより均一にするとともに、ガラス基板の表面に沿ってより均一な流速でめっき液が流れるようにして、ガラス基板の表面に成膜される金属膜の膜厚をより均一にすることができる。
【００２９】
また、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に無電解めっきで金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加することで、ガラス基板の全表面からめっき金属の析出を開始させて、ガラス基板の全表面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の例では、矩形平板状のガラス基板の表面に、無電解めっきによって、第１金属（例えば銅）、第２金属（例えばコバルト）及び第３金属（例えばニッケル）からなる３種類の金属膜を連続して成膜するようにした例を示す。
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す平面図で、図２は、図１のＡ−Ａ線拡大断面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置の装置フレーム１０の天井には、装置フレーム１０の内部に流入する空気をろ過するフィルタ１２（図２参照）が備えられている。装置フレーム１０の内部には、上流側に位置して、ガラス基板搬送機等により装置フレーム１０内に搬入されためっき前のガラス基板Ｗ（図２参照）を受取って水平に支持するロードステージ１４と、このロードステージ１４で水平に支持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６（図２参照）に装着する第１脱着ステージ１８が配置されている。
【００３２】
更に、装置フレーム１０の内部には、第１脱着ステージ１８から下流側に向けて、脱脂等のめっき前洗浄を行う前洗浄槽２０、前洗浄によってガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した前洗浄液を純水等で洗い流す２つの前洗浄液水洗槽２２，２４、前洗浄後のガラス基板Ｗの表面を酸等で洗浄して活性化させる活性化槽２６、活性化によってガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した活性化剤を純水等で洗い流す２つの活性化剤水洗槽２８，３０が配置されている。
【００３３】
この例では、活性化剤水洗槽３０の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき等の第１めっきを行う２個の第１めっき槽３２が配置され、この下流側に第１めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を純水等で洗い流す２つの第１めっき液水洗槽（後洗浄槽）３４，３６が配置されている。そして、この２つの第１めっき液水洗槽３４，３６の間に、複数の基板ホルダ１６を吊下げ保持して貯蔵するストッカー３８が配置されている。
【００３４】
第１めっき液水洗槽３６の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えばコバルトめっき等の第２めっきを行う第２めっき槽４０が配置され、この第２めっき槽４０の下流側に、第２めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第２めっき液を純水等で洗い流す２つの第２めっき液水洗槽（後洗浄槽）４２，４４が配置されている。第２めっき液水洗槽４４の下流側に位置して、ガラス基板Ｗの表面に、例えばニッケルめっき等の第３めっきを行う第３めっき槽４６が配置され、この第３めっき槽４６の下流側に、第３めっき後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第３めっき液を純水等で洗い流す２つの第３めっき液水洗槽（後洗浄槽）４８，５０が配置されている。
【００３５】
第３めっき液水洗槽５０の下流側に位置して、めっき終了後のガラス基板Ｗを基板ホルダ１６から取出す第２脱着ステージ５２が配置され、この第２脱着ステージ５２の下流側に、めっき終了後のガラス基板Ｗを水平状態で一方向に走行させながら表裏両面を乾燥させる乾燥ステージ５４が配置されている。そして、乾燥ステージ５４の下流側に位置して、乾燥後のガラス基板Ｗを装置フレーム１０の外部に配置されたガラス基板搬送機等に受渡すアンロードステージ５６が配置されている。
【００３６】
前記各機器の側方に位置して、ストッカー３８に貯蔵した基板ホルダ１６を把持して第１脱着ステージ１８に搬送し、この第１脱着ステージ１８でガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を把持して順次下流側に向けて搬送し、第２脱着ステージ５２でガラス基板Ｗの保持を解いた基板ホルダ１６を把持してストッカー３８まで搬送するトランスポータ５８が走行自在に配置されている。
【００３７】
次に、基板ホルダ１６の詳細を図３乃至図７に示す。図３及び図４は、仮想線で示す第１めっき槽３２の周壁に仮想線で示すガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を吊下げ支持した状態を示す。図３及び図４に示すように、基板ホルダ１６は、水平方向に直線状に延びるハンガ６０を有している。このハンガ６０の長さは、ハンガ６０を介して、基板ホルダ１６を第１めっき槽３２の周壁間に吊下げ支持できるよう、第１めっき槽３２の長さよりも長く設定されている。
【００３８】
ハンガ６０には、例えばＰＰＳ等の樹脂製のベースプレート６２が取付けられており、このベースプレート６２には、トランスポータ５８で基板ホルダ１６のハンガ６０を把持する時の把持部としての切欠き６２ａが設けられている。ベースプレート６２には、平行に延びる一対のサポートプレート６４の上端が取付けられており、このサポートプレート６４の長さ方向に沿った所定の位置には、図５に詳細に示すように、ガラス基板Ｗを保持した時に、ガラス基板Ｗの裏面に当接する、例えばＰＴＦＥ等の樹脂製の複数のブッシュ６６がサポートプレート６４の表面側にやや突出して取付けられている。また、ガラス基板Ｗが横にずれて外れることを防止するため、ベースプレート６２の両側には、ストッパープレート６５が取付けられている。
【００３９】
サポートプレート６４の下端には、図５に詳細に示すように、鉤状に前方に突出し、ガラス基板Ｗの下端面を当接させてガラス基板Ｗを支持するフック６８が取付けられ、上部には、フック６８で下端面を当接させて支持したガラス基板Ｗの上端面に当接し、更にガラス基板Ｗを下方に押圧して保持するプッシュシリンダ部７０が設けられている。
【００４０】
プッシュシリンダ部７０は、図６及び図７に詳細に示すように、サポートプレート６４に長さ方向に沿って摺動自在に支持されたプッシャ７２と、サポートプレート６４の裏面側に取付けられ、プッシャ７２の下面に当接してプッシャ７２を上方に持ち上げるシリンダ７４と、プッシャ７２の上面とサポートプレート６４に取付けたスプリング押え７６との間に介装され、ガイドピン７８に沿ってプッシャ７２を下方に付勢するスプリング８０とを有している。プッシャ７２の裏面側中央には、センサ検知用溝７２ａが設けられている。プッシャ７２の表面は、サポートプレート６４の表面より外方にやや突出し、表面側下面には、下方に突出して、ガラス基板Ｗの前方への脱出を防止する突出片７２ｂが設けられている。
【００４１】
これにより、下記のように、サポートプレート６４が水平状態にある時に、シリンダ７４を作動させてプッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させ、この状態で、サポートプレート６４の上面の所定位置にガラス基板Ｗを水平状態で載置する。この時、ガラス基板Ｗは、その裏面でブッシュ６６の表面に接触して支持される。そして、シリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させ、これによって、ガラス基板Ｗをその両端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持して保持する。この時の保持力は、スプリング８０の弾性力で決まる。このように、ガラス基板Ｗの端面間で基板ホルダ１６のフック６８とプッシャ７２で挟持してガラス基板Ｗを保持することで、この基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを鉛直方向に立てて基板ホルダ１６ごとめっき液中に浸漬させた時に、基板ホルダ１６がガラス基板Ｗの表面に沿っためっき液の流れを阻害したり、ガラス基板Ｗの表面温度が均一になることを阻害したりすることを防止することができる。基板ホルダ１６の各部品は、めっき液に対する腐食を抑えるため、樹脂およびチタン鋼を用いて作られている。
【００４２】
ロードステージ１４と第１脱着ステージ１８の詳細を図８及び図９に示す。ロードステージ１４には、回転用モータ９０の駆動に伴って回転する回転板９２と、この回転板９２に取付けられた昇降用シリンダ９４の作動に伴って昇降し、回転板９２と一体に回転する昇降板９６とを有している。回転板９２には、固定用シリンダ９８の作動に伴って開閉する方向に移動する複数の支柱１００が備えられ、この各支柱１００の上端にコマ１０２がそれぞれ取付けられている。昇降板９６の上面には、複数の支持ピン１０４が立設されている。
【００４３】
第１脱着ステージ１８には、一対のアーム１１０を有する支持体１１２の両端を支持して該支持体１１２を走行させる走行部１１４が備えられており、一対のアーム１１０は、モータ１１６の駆動に伴って、鉛直位置と水平位置との間を上下方向に揺動するようになっている。
【００４４】
これにより、装置フレーム１０の外部から縦長の状態で水平にロードステージ１４に搬入されたガラス基板Ｗを、先ずロードステージ１４の支持ピン１０４の上面に載置して保持する。次に、固定用シリンダ９８を作動させて、コマ１０２を閉じる（近づく）方向に移動させ、このコマ１０２でガラス基板Ｗの周縁部を把持してガラス基板Ｗを保持する。この状態で、回転用モータ９０を駆動させて、回転板９２を昇降板９６と共に水平方向に９０°回転させ、これによって、ガラス基板Ｗを縦長の状態から横長の状態にする。次に、固定用シリンダ９８を逆作動させ、コマ１０２を開く（遠ざかる）方向に移動させてガラス基板Ｗの周縁部の把持を解き、しかる後、昇降用シリンダ９４を作動させて、ガラス基板Ｗを支持ピン１０４で支持したまま、下記の水平状態で前進した基板ホルダ１６の上方位置まで上昇させる。
【００４５】
一方、第１脱着ステージ１８にあっては、アーム１１０は反ロードステージ側に後退した鉛直位置にあり、このアーム１１０の前面に、トランスポータ５８で把持して搬送し、更に下降させた基板ホルダ１６を位置させて保持する。そして、モータ１１６を駆動して、基板ホルダ１６をアーム１１０と共に水平位置まで９０°上方に揺動させ、しかる後、支持体１１２をロードステージ１４の方向に走行させて、基板ホルダ１６をアーム１１０と共に上昇させたガラス基板Ｗの下方に入り込ませる。次に、昇降板９６を下降させて、支持ピン１０４で支持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６に受渡し、昇降板９６を更に下降させて、支持ピン１０４を元の位置に位置させる。
【００４６】
基板ホルダ１６にあっては、前述と同様にして、プッシュシリンダ部７０のシリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させて、ガラス基板Ｗの端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持してガラス基板Ｗを保持し、しかる後、前記と逆の動作で、支持体１１２を後退させ、更にガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をアーム１１０と共に９０°下方に揺動させて元の鉛直位置に戻す。これによって、ガラス基板Ｗの基板ホルダ１６による保持が完了する。
【００４７】
第１めっき槽３２の詳細を図１０乃至図１３に示す。なお、第２めっき槽４０及び第３めっき槽４６も、使用するめっき液が異なるだけで、第１めっき槽３２と同じ構成である。更に、前洗浄槽２０及び活性化槽２６も、使用する処理液（薬液）が異なるだけで、第１めっき槽３２とほぼ同じ構成である。ただし、前洗浄槽２０には、ヒータ及びそれに付帯する設備は備えられていない。ここでは、第２めっき槽４０、第３めっき槽４６、前洗浄槽２０及び活性化槽２６の説明を省略する。
【００４８】
第１めっき槽３２は、反応槽１２０と、この反応槽１２０の全周囲を取り囲んで、反応槽１２０の上端を４方向にオーバフローしためっき液を集めるオーバフロー槽１２２を有している。図３に示すように、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６は、オーバフロー槽１２２の周壁上面間にハンガ６０を掛け渡して吊下げ保持され、これにより、ガラス基板Ｗは、基板ホルダ１６で保持されたまま反応槽１２０の内部に鉛直方向に配置される。
【００４９】
反応槽１２０の底部には、図１１に示すように、反応槽１２０の内部にめっき液を下方から導入するヘッダ管１２４が横方向のほぼ全長に亘って水平に配置され、このヘッダ管１２４はめっき液供給管１２６に接続されている。このヘッダ管１２４には、長さ方向に沿った等間隔で上方に開口するめっき液吐出口が設けられている。このヘッダ管１２４の上方に、ヘッダ管１２４のめっき液吐出口から吐出さられるめっき液の流れを整える整流板１２８が配置されている。この整流板１２８には、例えば長さ方向に沿った等間隔で２列に亘って上下に連通するめっき液流通口が設けられている。ヘッダ管１２４のやや下方に位置して、図１２に示すように、散気管１３０が横方向のほぼ全長に亘って配置されており、この散気管１３０には、長手方向に沿った等間隔で下方に開口する空気吐出口が設けられている。また、この反応槽１２０の底面には、液の入れ替え時に残液が少なくなるように傾きを設けてある。
【００５０】
基板ホルダ１６をオーバフロー槽１２２の周壁上面に吊下げ保持した時、反応槽１２０の内部の基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗの表面と対向する位置に、互いに平行に上下方向に延びる複数のパドル棒１３２を有するパドル１３４がガラス基板Ｗと水平に左右及び上下動自在に配置されている。また、反応槽１２０には、反応槽１２０の底部におけるめっき液の液温を検出して、下記のヒータ１４０を制御する温度センサ１３６が備えられている。
【００５１】
オーバフロー槽１２２には、図１３に示すように、反応槽１２０内のめっき液を加熱してめっき液の温度を所定の温度、例えば６５℃に管理するヒータ１４０と、オーバフロー槽１２２の内部に溜まっためっき液の液面を検知して、この液面が所定の位置以下に達したときに、安全のためにヒータ１４０の電源を切る液面センサ１４２が配置されている。オーバフロー槽１２２の側面には、ヒータ１４０の過熱を防止するヒータ過熱防止センサ１４４が備えられている。オーバフロー槽１２２の底部には、図１１に示すように、内部に排水バルブ１４６を備えた排水管１４８が接続され、これによって、反応槽１２０の上端を４方向にオーバフローしてオーバフロー槽１２２に流れ込んだめっき液は、排水管１４８から外部に排水され、反応槽１２０の底部からこの内部に供給されて循環する。
【００５２】
この第１めっき槽３２にあっては、めっき液供給管１２６を通して、反応槽１２０の内部に、例えば無電解銅めっき液等の第１めっき液を底部から導入し、反応槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）をオーバフローさせることで、反応槽１２０内のめっき液に上方に向かう一様な流れを形成する。そして、ヒータ１４０によって、反応槽１２０内のめっき液の液温を、例えば６５℃の一定に管理しながら、パドル棒１３２を左右及び上下動させ、同時に、散気管１３０から反応槽１２０内のめっき液中に空気を吹き込んで反応槽１２０内のめっき液を攪拌する。この状態で、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して反応槽１２０の直上方まで搬送し、下降させて第１めっき槽３２で吊下げ保持する。この、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を下降させるときに、めっき液の供給、空気の供給及びパドル棒の動作を一旦停止させる。これにより、ガラス基板Ｗにめっき液からの不規則な抵抗が作用することを防止しつつめっき液中を降下させて、ガラス基板を垂直な状態で反応槽１２０内に吊下げることができる。これによって、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、反応槽１２０内にめっき液中に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき膜等の第１金属膜を成膜する。
【００５３】
そして、めっき終了後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６ごと反応槽１２０内のめっき液から引抜いた後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４の直上方までトランスポータ５８で搬送する。このガラス基板Ｗをめっき液から引抜く間に、めっき液の供給、空気の供給及びパドル棒の動作を一旦停止することにより、トランスポータ５８への受け渡しを容易に行うことができる。
【００５４】
特に、無電解めっきによってガラス基板Ｗの表面に均一な膜厚のめっき膜を成膜するには、ガラス基板Ｗの表面温度をその全面に亘って均一にすることが重要である。この第１めっき槽３２にあっては、ヒータ１４０で反応槽１２０内を流れるめっき液を加熱し、反応槽１２０の上部の４面からオーバフローさせることで、ガラス基板Ｗの表面温度をより一定にすることができる。更に、反応槽１２０内にパドル棒１３２を設置して、めっき中に左右及び／または上下動させたり、反応槽１２０の底部に配置した散気管１３０から反応槽１２０内のめっき液中に空気を吹き込んだりすることによりめっき液を攪拌することで、ガラス基板Ｗの表面温度をその全面に亘ってより均一にすることができる。
【００５５】
図２７は、反応槽１２０の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示す。図２８は、反応槽１２０の上部の３辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示す。この図２７及び図２８により、反応槽１２０の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせたることで、反応槽１２０の上部３辺からめっき液をオーバフローさせた場合に比較して、ガラス基板表面は、均一な温度分布を示すことが判る。なお、この時のめっき液の供給量は７５Ｌ／ｍｉｎ、設定温度は６５℃である。
【００５６】
第１めっき槽３２には、図１４及び図１５に示すように、無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置４００が付設されている。つまり、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板Ｗの表面に無電解めっきで銅めっき膜等の金属膜を成膜しようとすると、ガラス基板Ｗの表面状態や無電解めっき液の状態等によって、ガラス基板Ｗの表面の一部でめっき金属の析出が開始せず、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属が析出しないことがある。この析出改善装置４００は、このような弊害を防止して、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属を析出させるためのものである。
【００５７】
析出改善装置４００は、第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２の上端の長さ方向に沿った両側に固定された一対の支持板４０２を有しており、この支持板４０２は、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２で吊下げ支持した時、ガラス基板Ｗの表面側に位置するようになっている。
【００５８】
この支持板４０２の上面には、図１５に示すように、カソード電極駆動部としての昇降用シリンダ４０４の駆動に伴って昇降する昇降板４０６が配置され、前後動ロッド４０８を有するカソード電極駆動部としての前後動機構４１０が昇降板４０６に固定されている。そして、前後動ロッド４０８の先端部に、この例では、棒状体を所定の形状に屈曲させて形成した、つまり下方に向けて屈曲させ、反応槽１２０内に配置されるガラス基板Ｗに向けて更に屈曲させて形成されたカソード電極４１２が連結されている。
【００５９】
これにより、カソード電極４１２は、図１５に示すように、通常は、処理槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）に接触しない待避位置に位置し、昇降用シリンダ（カソード電極駆動部）４０４の駆動に伴って昇降板４０６と共に下降し、前後動機構（カソード電極駆動部）４１０の駆動に伴って反応槽１２０内に配置されるガラス基板Ｗに向けって前進して、その先端端面が、ガラス基板Ｗの表面に設けられた導電膜４１４にばね性を持って接触し、この逆の動作で、ガラス基板Ｗの表面に設けられた導電膜４１４から離れて待避位置に戻るようになっている。 このカソード電極４１２は、ステンレス、チタン、金または白金等の金属の表面をフッ素系樹脂でコーティングして構成されている。
【００６０】
このように、カソード電極４１２をガラス基板Ｗの導電膜４１４に接離自在として、下記のように、アノード電極４２４とガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２との間に電圧を印加した後、カソード電極４１２をガラス基板Ｗから離すことで、ガラス基板Ｗの導電膜４１４のカソード電極４１２と接触する部位にもめっき金属を析出させることができる。しかも、カソード電極４１２を無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動させることで、カソード電極４１２の無電解めっき液との接触を最小限として、カソード電極４１２の表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、カソード電極４１２のメンテナンスを容易に行うことができる。特に、カソード電極４１２として、棒状体を使用し、この棒状体の端面をガラス基板Ｗの導電膜４１４に接触させることで、接触面積を最小に抑えることができる。
【００６１】
なお、この例では、カソード電極４１２を２個備えているが、カソード電極４１２の数は、１個でも、３個以上でもよい。カソード電極４１２を複数とすることで、ガラス基板Ｗの表面とカソード電極４１２との接触を確保して、ガラス基板Ｗの表面に確実に給電することができる。
【００６２】
一対の支持板４０２間に跨って、支持棒４２０が水平に配置されている。この支持棒４２０の軸方向に沿った、この例では２カ所に、鉛直位置と水平位置との間を９０°揺動する揺動アーム４２２の基部が取付けられ、この揺動アーム４２２の自由端に、平板状のアノード電極４２４が連結されている。これにより、揺動アーム４２２が水平位置にあるとき、アノード電極４２４は反応槽１２０内のめっき液に接触せず、揺動アーム４２２が鉛直位置にあるとき、アノード電極４２４は反応槽１２０内のめっき液に浸漬し、かつガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に対向するようになっている。アノード電極４２４は、例えばステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなる。
【００６３】
このように、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液と接触しない位置に位置させることで、アノード電極４２４のめっき液との接触を最小限として、アノード電極４２４の表面にめっき金属が析出することを防止するとともに、アノード電極４２４のメンテナンスを容易に行うことができる。更に、カソード電極４１２をめっき液に接触しない待避位置に移動させることと併せて、必要に応じて、反応槽１２０内のめっき液をパドル等で攪拌させることもできる。
【００６４】
アノード電極４２４の表面積は、ガラス基板Ｗの表面のめっき面積に対して０．１％以上であることが好ましい。これにより、抵抗が高くなって、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に十分な電流が流れなくなることを防止して、ガラス基板Ｗの表面にのめっき金属を確実に析出させることができる。
【００６５】
カソード電極４１２は、導線４２６ａを介して、外部電源としての直流電源４２８の陰極に接続され、アノード電極４２４は、導線４２６ｂを介して、外部電源としての直流電源４２８の陽極に接続される。この直流電源４２８でカソード電極４１２とアノード電極４２４と間に電圧を印加した時に、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に、例えば０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流が流れるようになっている。
【００６６】
この析出改善装置４００において、カソード電極４１２は上昇した待避位置に位置し、アノード電極４２４は揺動アーム４２２が水平位置に位置して反応槽１２０内のめっき液に接触しない位置に位置する。そして、前述のようにして、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して反応槽１２０の直上方まで搬送し、下降させて第１めっき槽３２のオーバフロー槽１２２で吊下げ保持して、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６と共に反応槽１２０内のめっき液（無電解めっき液）に浸漬させた後、カソード電極４１２をガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に接触させ、同時に揺動アーム４２２を下方に向けて９０°揺動させて鉛直位置に位置させることで、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液に浸漬させ、かつガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に対向させる。
【００６７】
次に、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に、ガラス基板Ｗの表面の導電膜４１４（図１５参照）に、例えば０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流が流れるように、直流電源（外部電源）４２８から電圧を印加する。そして、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に所定時間電圧を印加した後、カソード電極４１２及びアノード電極４２４を直流電源４２８から切り離し、更に、カソード電極４１２を待避位置に待避させ、同時に揺動アーム４２２を上方に向け９０°揺動させて水平位置に位置させることで、アノード電極４２４を反応槽１２０内のめっき液から引上げる。
【００６８】
この状態で、例えば前述のように、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、反応槽１２０内にめっき液中に所定時間浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に、例えば銅めっき膜等の第１金属膜を成膜する。
【００６９】
このように、無電解めっきによってガラス基板Ｗの表面に金属膜を成膜する際、無電解めっき液に浸漬させたガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２と該表面と対向する位置に配置したアノード電極４２４との間に電圧を印加することで、ガラス基板Ｗの全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させることができる。この時、カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に印加する電圧は、ガラス基板の表面に０．１Ａ〜３．０Ａ程度の電流を流すことが可能な電圧であることが好ましく、これにより、ガラス基板Ｗの表面のカソード電極４１２との接触部にめっき金属の異常析出が発生することを防止しつつ、ガラス基板Ｗの全表面にめっき金属を析出させることができる。カソード電極４１２とアノード電極４２４との間に電圧を印加する時間は、めっき金属の析出が開始するまでで良いが、この時間が長過ぎると、ガラス基板Ｗの表面にカソード電極痕が残りやすくなるため、数十秒から数分間程度であることが好ましい。
【００７０】
なお、第２めっき槽４０にあっては、第１めっき液の代わりにコバルトめっき液等の第２めっき液が、第３めっき槽４６にあっては、ニッケルめっき液等の第３めっき液が、前洗浄槽２０にあっては、界面活性剤を含む溶液等の前洗浄液が、活性化槽２６にあっては、酸溶液等の活性剤溶液がそれぞれ使用される。そして、第２めっき槽４０及び第３めっき槽４６には、必要に応じて、前記構成の析出改善装置４００が付設される。
【００７１】
第１めっきの直後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した、例えば銅めっき液等の第１めっき液（無電解めっき液）を純水等で洗い流す第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）３４の詳細を図１６及び図１７に示す。前洗浄液水洗槽２２、活性化剤水洗槽２８、第２めっき液水洗槽４２及び第３めっき液水洗槽４８も、第１めっき液水洗槽３４と同じ構成であるので、ここでは、これらの説明を省略する。
【００７２】
すなわち、この第１めっき液水洗槽３４は、シャワー方式を採用したもので、槽本体１５０と、この槽本体１５０の上部内周面の互いに対峙した位置に横方向のほぼ全長に亘って延びる一対の洗浄液供給管１５２とを有している。この各洗浄液供給管１５２は、内部を流れる純水等の洗浄液の流量をコントロールする定圧コントロールバルブを介装した配管（図示せず）にそれぞれ接続されており、各洗浄液供給管１５２の長さ方向に沿った所定の位置に、下方に向け拡がるように純水等の洗浄液を噴霧する複数のシャワーノズル１５４が所定間隔離間して配置されている。第１めっき液水洗槽３４の底部には、第１めっき液水洗槽３４の内部に溜まった廃液を外部に排出する排水管（図示せず）が接続されている。
【００７３】
この第１めっき液水洗槽３４では、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し鉛直方向に向けた状態でガラス基板Ｗと共に第１めっき液水洗槽３４の槽本体１５０の内部に挿入する。しかる後、シャワーノズル１５４からガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６に向けて、純水等の洗浄液を噴霧しながら、基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４から徐々に引出することで、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６に付着した第１めっき液を純水等の洗浄液で洗い流して粗洗浄する。なお、シャワーノズル１５４から純水等の洗浄液を噴霧しながら、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を第１めっき液水洗槽３４の槽本体１５０の内部に挿入するようにしてもよく、また両者を併用しても良い。
【００７４】
上記粗洗浄後にガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を洗い流す第１めっき液水洗槽（浸漬式水洗槽）３６の断面を図１８に示す。前洗浄液水洗槽２４、活性化剤水洗槽２８、第２めっき液水洗槽４４及び第３めっき液水洗槽５０も、第１めっき液水洗槽３６と同じ構成であるので、ここでは、これらの説明を省略する。
【００７５】
すなわち、この第１めっき液水洗槽３６は、浸漬方式を採用したもので、上部にオーバフロー槽１６０を一体に設けた槽本体１６２と、槽本体１６２の底部に配置した幅方向のほぼ全長に亘って延びる洗浄液供給管１６４と、この洗浄液供給管１６４の上部に配置された整流板１６６を有している。この洗浄液供給管１６４の長さ方向に沿った等間隔位置には、上方に開口した洗浄液供給口が設けられている。オーバフロー槽１６０の底部には、オーバフロー槽１６０の内部に溜まった洗浄液（廃液）を外部に排出する排水管（図示せず）が接続されている。
【００７６】
この第２めっき液水洗槽３６では、洗浄液供給管１６４を通して供給した純水等の洗浄液で槽本体１６２の内部を満たしておく。そして、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して第２めっき液水洗槽３６の直上方まで搬送し、下降させて槽本体１６２に吊下げ保持する。これによって、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６を純水等の洗浄液に浸漬させて洗浄する。洗浄終了後、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し上昇させて、ガラス基板Ｗを基板ホルダ１６ごと槽本体１６２内の純水等の洗浄液から引抜く。
槽本体１６２内の純水等の洗浄液を新しい純水等の洗浄液に少量ずつ入れ替えることにより、槽本体１６２内の純水等の洗浄液の汚れをなくすことができる。
【００７７】
第２脱着ステージ５２、乾燥ステージ５４及びアンロードステージ５６の詳細を図１９及び図２０に示す。第２脱着ステージ５２は、枢軸１７０を中心に鉛直位置と水平位置との間を上下方向に揺動自在で、走行部１７１に両端を支持されて走行自在な支持体１７２を有し、この支持体１７２に、該支持体１７２が水平位置にある時に、上下動自在で、且つ乾燥ステージ５４に向けて走行自在なゴムベルト１７４を有する複数のベルトコンベア１７６が平行に取付けられている。
【００７８】
そして、先ず、ガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８から受取って支持体１７２の前面に保持する。図１９は、基板ホルダ１６をトランスポータ５８から受取って保持した状態を示している。そして、基板ホルダ１６を保持した支持体１７２を乾燥ステージ５４に向けて走行させ、しかる後、水平位置まで上方に向けて揺動させる。この状態で、前述のように、基板ホルダ１６のシリンダ７４を作動させ、プッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させて、基板ホルダ１６によるガラス基板Ｗの保持を解く。
【００７９】
次に、ベルトコンベア１７６を上昇させて、基板ホルダ１６による保持を解いたガラス基板Ｗをベルトコンベア１７６のゴムベルト１７４の上面で受取り、ゴムベルト１７４を乾燥ステージ５４に向けて走行させて、めっき後のガラス基板Ｗを乾燥ステージ５４に送り込む。
【００８０】
一方、ガラス基板Ｗを取外した基板ホルダ１６を保持した支持体１７２にあっては、水平位置から鉛直位置に下方に揺動させ、しかる後、反乾燥ステージ側に前進させて、図１９に示す元の位置に復帰させる。この位置で、トランスポータ５８は、支持体１７２から空となった基板ホルダ１６を受取って把持し、例えばストッカー３８まで搬送する。
【００８１】
乾燥ステージ５４は、水平位置にある第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６に連続するように配置されたころコンベア１８０と、例えば図示しない排気ブロアとミストセパレータを有するハウジング１８２と、このハウジング１８２の内部に配置された一対のエアナイフ１８４を有している。ころコンベア１８０は、横方向に互いに平行に配置されて同時に回転する複数の回転軸１８６を有し、この回転軸１８６の長さ方向に沿った所定間隔離間した位置に複数のころ１８８が取付けられている。エアナイフ１８４は、この先端から乾燥したエアを吹付けるもので、ハウジング１８２の幅方向のほぼ全長に亘って延びており、ころコンベア１８０を挟んだ上下の位置に互いに対向して配置されている。
【００８２】
これにより、水平位置にある第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６で搬送されたガラス基板Ｗは、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０に乗り移ってハウジング１８２の内部を搬送される。そして、一対のエアナイフ１８４で挟まれた位置を通過するときに、エアナイフ１８４からガラス基板Ｗに向けて吹付けられる乾燥エアによって、その表裏両面が乾燥されてアンロードステージ５６に搬送される。
【００８３】
アンロードステージ５６は、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０に連続して配置され、ガラス基板Ｗの側縁部を支持してガラス基板Ｗを搬送する一対のローラコンベア１９０と、回転用モータ１９２の駆動に伴って回転する回転板１９４と、この回転板１９４に取付けられた昇降用シリンダ１９６の作動に伴って昇降する昇降板１９８とを有している。回転板１９４には、固定用シリンダ２００の作動に伴って開閉する方向に移動する複数の支柱２０２が備えられ、この各支柱２０２の上端にコマ２０４がそれぞれ取付けられている。昇降板１９８には、上端を真空チャックとした複数の支持ピン２０６が立設されている。
【００８４】
これにより、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０で搬送された乾燥後のガラス基板を、ローラコンベア１９０に移して更に搬送させ、アンロードステージ５６の所定の位置に停止させる。次に、昇降用シリンダ１９６を作動させ、支持ピン２０６でガラス基板Ｗを吸着保持してローラコンベア１９０の上方まで持ち上げる。この状態で、回転用モータ１９２を駆動させて、昇降板１９８を回転板１９４と共に９０°水平方向に回転させ、これによって、ガラス基板Ｗを横長の状態から縦長の状態にする。
【００８５】
次に、昇降用シリンダ１９６を逆作動させて昇降板１９８を下降させ、縦長となったガラス基板Ｗをローラコンベア１９０の間を通過させてローラコンベア１９０の下方の所定位置に停止させる。そして、固定用シリンダ２００を作動させて、コマ２０４を閉じる方向に移動させ、このコマ２０４で乾燥後のガラス基板Ｗの周縁部を把持して待機する。そして、装置フレーム１０外部に配置したガラス基板搬送機によって、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６から取出して次工程に搬送する。
【００８６】
トランスポータ５８の詳細を図２１乃至図２６に示す。図２１及び図２２は、トランスポータ５８の走行部であるリニアモータ部２８０を示すもので、このリニアモータ部２８０は、長尺状に延びるベース２８２と、このベース２８２に沿って走行する２台のスライダ２８４，２８６とから主に構成され、この各スライダ２８４，２８６の上面にトランスポータ５８が搭載されている。また、ベース２８２の側部には、ケーブルベアブラケット２８８とケーブルベア受け２９０が設けられ、このケーブルベアブラケット２８８とケーブルベア受け２９０に沿ってケーブルベア２９２が延びるようになっている。
【００８７】
このように、トランスポータ５８の移動方式としてリニアモータ方式を採用することで、長距離移動を可能にするとともに、トランスポータ５８の長さを短く抑えて装置の全長をより短くし、更に長いボールネジなどの精度とメンテナンスを要する部品を削減することができる。なお、この例では、２台のトランスポータを備えているが、トランスポータは１台でも良いことは勿論である。
【００８８】
図２３乃至図２６は、トランスポータ５８を示すものである。このトランスポータ５８は、トランスポータ本体３００と、このトランスポータ本体３００から横方向に突出するアーム部３０２と、アーム部３０２を昇降させるアーム部昇降機構３０４と、アーム部３０２を回転させるアーム部回転機構３０６と、アーム部３０２の内部に設けられて基板ホルダ１６を着脱自在に把持する把持機構３０８とから主に構成されている。
【００８９】
アーム部昇降機構３０４は、図２３及び図２４に示すように、鉛直方向に延びる回転自在なボールねじ３１０と、このボールねじ３１０に螺合するナット３１２とを有し、このナット３１２にＬＭベース３１４が連結されている。そして、トランスポータ本体３００に固定した昇降用モータの駆動軸に固着した駆動プーリ３１８とボールねじ３１０の上端に固着した従動プーリ３２０との間にタイミングベルト３２２が掛け渡されている。これによって、昇降用モータの駆動に伴ってボールねじ３１０が回転し、このボールねじ３１０に螺合するナット３１２に連結したＬＭベース３１４がＬＭガイドに沿って上下に昇降する。
【００９０】
アーム部回転機構３０６は、図２４に仮想線で示すように、内部に回転軸３３０を回転自在に収納し取付け台３３２を介してＬＭベース３１４に固着したスリーブ３３４と、このスリーブ３３４の端部にモータベース３３６を介して取付けた回転用モータ３３８とを有している。そして、この回転用モータ３３８の駆動軸に固着した駆動プーリ３４０と回転軸３３０の端部に固着した従動プーリ３４２との間にタイミングベルト３４４が掛け渡されている。これによって、回転用モータ３３８の駆動に伴って回転軸３３０が回転する。そして、アーム部３０２は、この回転軸３３０にカップリング３４６を介して連結されて回転軸３３０と一体となって昇降し回転する。
【００９１】
アーム部３０２は、図２４の仮想線、図２５及び図２６に示すように、回転軸３３０に連結されて該回転軸３３０と一体に回転する一対の側板３５０，３５０を備え、この側板３５０，３５０間に把持機構３０８が配置されている。
【００９２】
把持機構３０８は、端部を側板３５０，３５０間に幅方向に移動自在に収納した固定ホルダ３５２と、この固定ホルダ３５２の内部を挿通させたガイドシャフト３５４と、このガイドシャフト３５４の一端（図２６における下端）に連結した可動ホルダ３５６とを有している。そして、固定ホルダ３５２は、一方の側板３５０に取付けた幅方向移動用シリンダ３５８にシリンダジョイント３６０を介して連結されている。一方、ガイドシャフト３５４の他端（図２６における上端）には、シャフトホルダ３６２が取付けられ、このシャフトホルダ３６２は、上下移動用シリンダ３６６にシリンダコネクタ３６４を介して連結されている。
【００９３】
これにより、幅方向移動用シリンダ３５８の作動に伴って、固定ホルダ３５２が可動ホルダ３５６と共に側板３５０，３５０間をその幅方向に移動し、上下移動用シリンダ３６６の作動に伴って、可動ホルダ３５６がガイドシャフト３５４にガイドされつつ上下に移動する。
【００９４】
この把持機構３０８でストッカー３８等に吊下げ保持した基板ホルダ１６を把持する時には、固定ホルダ３５２を基板ホルダ１６のハンガ６０の上方に、可動ホルダ３５６をハンガ６０の下方にそれぞれ位置させる。そして、幅方向移動用シリンダ３５８を作動させて、固定ホルダ３５２と可動ホルダ３５６を、基板ホルダ１６のハンガ６０を上下から挟む位置に位置させる。この時、可動ホルダ３５６は、ベースプレート６２に設けた切欠き６２ａ内に位置する。この状態で、上下移動用シリンダ３６６を作動させて、ハンガ６０を固定ホルダ３５２と可動ホルダ３５６で上下から狭持して基板ホルダ１６を把持する。そして、この逆の動作を行わせることで、この把持を解く。
【００９５】
次に、上記構成のめっき装置における一連の操作について説明する。
先ず、矩形平板状のめっき前のガラス基板Ｗを装置フレーム１０の内部に横長の状態で搬入し、ロードステージ１４の支持ピン１０４で水平に支持する。そして、ガラス基板Ｗの周縁部をコマ１０２で把持してガラス基板Ｗを保持し、９０°水平に回転させて横長の状態にした後、支持ピン１０４で支持して上昇させる。一方、トランスポータ５８は、ストッカー３８に吊下げ保持されて貯蔵されていた基板ホルダ１６を把持して上昇させ、第１脱着ステージ１８のアーム１１０前面まで搬送した後、下降させて、基板ホルダ１６をアーム１１０に受渡す。
【００９６】
次に、アーム１１０を水平状態となるように９０°上方に揺動させ、しかる後、ロードステージ１４の方向に前進させて、上昇させたガラス基板Ｗの下方に基板ホルダ１６を入り込ます。そして、ガラス基板Ｗを下降させて支持ピン１０４から基板ホルダ１６で受取り、しかる後、基板ホルダ１６のシリンダ７４の作動を解き、プッシャ７２をスプリング８０の弾性力でフック６８の方向に移動させ、これによって、ガラス基板Ｗをその両端面間でフック６８とプッシャ７２で挟持して水平に保持する。
【００９７】
このガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６を有するアーム１１０を、上記と逆の動作で後退させ、更に下方に９０°揺動させて鉛直状態となす。そして、このガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、前洗浄槽２０の上方まで搬送した後、下降させて、前洗浄槽２０で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを基板ホルダ１６で保持したまま、前洗浄槽２０内の前処理液に浸漬させて、脱脂等のめっき前洗浄を行う。この前処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、前洗浄液水洗槽２２，２４に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した前処理液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【００９８】
前処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、活性化槽２６の上方まで搬送した後、下降させて、活性化槽２６で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを活性化槽２６内の活性剤溶液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面の酸による洗浄等の活性化処理を行う。この活性化処理のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、活性化剤水洗槽２８，３０に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した活性化剤溶液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【００９９】
活性化処理後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第１めっき槽３２の上方まで搬送した後、下降させて、第１めっき槽３２で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第１めっき槽３２内の第１めっき液、例えば銅めっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に第１金属膜、例えば銅膜を成膜する。この時、前述のように、めっき液に浸漬させたガラス基板Ｗの表面に接触させたカソード電極４１２と該表面と対向する位置に配置したアノード電極４２４との間に電圧を印加することで、ガラス基板Ｗの全表面に亘ってめっき金属を確実に析出させる。このことは、以下のめっき槽でのめっき処理においても同様である。この第１めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第１めっき液水洗槽３４，３６に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第１めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１００】
第１めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第２めっき槽４０の上方まで搬送した後、下降させて、第２めっき槽４０で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第２めっき槽４０内の第２めっき液、例えばコバルトめっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に形成した第１金属膜、例えば銅膜の表面に、第２金属膜、例えばコバルト膜を成膜する。この第２めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第２めっき液水洗槽４２，４４に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第２めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１０１】
第２めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持して上昇させ、第３めっき槽４６の上方まで搬送した後、下降させて、第３めっき槽４６で吊下げ保持する。これによって、基板ホルダ１６で保持したガラス基板Ｗを、第３めっき槽４６内の第３めっき液、例えばニッケルめっき液に浸漬させて、ガラス基板Ｗの表面に形成した第２金属膜、例えばコバルト膜の表面に、第３金属膜、例えばニッケル膜を成膜する。この第３めっき終了後のガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第３めっき液水洗槽４８，５０に順次搬送して、ガラス基板Ｗ及び基板ホルダ１６の表面に付着した第３めっき液を純水等の洗浄液で洗い流す。
【０１０２】
そして、第３めっき膜を成膜したガラス基板Ｗを保持した基板ホルダ１６をトランスポータ５８で把持し、第２脱着ステージ５２の支持体１７２の前面まで搬送し、下降させて、支持体１７２に受渡す。そして、支持体１７２をアンロードステージ５６の方向に走行させ、９０°上方に揺動させることで、水平状態にする。この状態で、前述のように、基板ホルダ１６のシリンダ７４を作動させ、プッシャ７２をフック６８から離れる方向に移動させて、基板ホルダ１６によるガラス基板Ｗの保持を解く。次に、ベルトコンベア１７６を上昇させて、基板ホルダ１６による保持を解いたガラス基板Ｗをベルトコンベア１７６のゴムベルト１７４の上面で受取り、ゴムベルト１７４を乾燥ステージ５４に向けて走行させる。
【０１０３】
ガラス基板Ｗを取外した基板ホルダ１６を保持した支持体１７２にあっては、支持体１７２を水平位置から鉛直位置に９０°下方に揺動させ、しかる後、反乾燥ステージ側に前進させて元の位置に復帰させる。トランスポータ５８は、この位置で、支持体１７２から空となった基板ホルダ１６を受取って把持し、例えばストッカー３８まで搬送して、ストッカー３８で吊下げ支持する。
【０１０４】
第２脱着ステージ５２のベルトコンベア１７６で搬送したガラス基板Ｗを、乾燥ステージ５４のころコンベア１８０でハウジング１８２の内部を搬送し、この間に、ガラス基板Ｗの表裏両面に一対のエアナイフ１８４からガラス基板Ｗに向けて乾燥エアを吹付けて乾燥させる。しかる後、この乾燥させたガラス基板Ｗをアンロードステージ５６に搬送する。
【０１０５】
アンロードステージ５６で、乾燥後のガラス基板Ｗを、昇降用シリンダ１９６で保持してローラコンベア１９０の上方まで持ち上げ、昇降板１９８を回転板１９４と共に９０°回転させて、横長の状態から縦長の状態にする。そして、縦長となったガラス基板Ｗをローラコンベア１９０の間を通過させてローラコンベア１９０の下方の所定位置まで下降させ、コマ２０４で乾燥後のガラス基板Ｗの周縁部を把持して待機する。そして、装置フレーム１０外部に配置したガラス基板搬送機によって、乾燥後のガラス基板をアンロードステージ５６から取出して次工程に搬送する。
【０１０６】
なお、上記の例では、３つのめっき槽と、各めっき槽によるめっきによってガラス基板及び基板ホルダの表面に付着しためっき液を洗い流す各１対の３つのめっき液水洗槽を備えた例を示しているが、例えば、ガラス基板の表面に、銅膜等の１種類の金属膜を成膜する場合には、めっき槽及びめっき液を洗い流すめっき液水洗槽は、それぞれ１つでもよいことは勿論である。また、前洗浄槽や活性化槽、及びこれらに付帯する水洗槽は、必要に応じて備えられる。
【０１０７】
次に、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないことは勿論である。
【実施例１】
【０１０８】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．０Ｖの電圧を1分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧の印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離して無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は、洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【実施例２】
【０１０９】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．５Ｖの電圧を３０秒間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離し、さらに自動でカソード電極とアノード電極をめっき液中から引上げて、パドルによる撹拌を開始して無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき析出の有無を目視で確認した。
【実施例３】
【０１１０】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により５．０Ｖの電圧を５分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。その後、電圧印加を停止させ、カソード電極をガラス基板表面から離して無電解銅めっきを１５分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【実施例４】
【０１１１】
ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、ステンレスをフッ素系樹脂でコーティングしたカソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したステンレス製アノード電極と前記カソード電極との間に直流電源により１．０Ｖの電圧を１分間印加した。このときアノード電極の表面積はガラス基板のめっき面積に対して２％であった。電圧印加を停止させた後も、カソード電極をガラス基板表面から離さずに無電解銅めっきを２０分間継続した。めっき終了後は洗浄から乾燥まで一連の動作で行い、めっき金属析出の有無を目視で確認した。
【０１１２】
上記実施例１〜４の結果を下記の表１に示す
【表１】
【０１１３】
この表１から、ガラス基板を無電解銅めっき液の入っためっき槽に挿入した後、カソード電極をガラス基板表面に接触させ、めっき液に浸漬させてガラス基板表面に対面させて配置したアノード電極とカソード電極との間に直流電源により電圧を印加することによって、ガラス基板の全面にめっき金属が析出することが判る。しかし、アノード電極とカソード電極との間に直流電源により５．０Ｖの電圧を５分間印加したり（実施例３）、電圧印加を停止させた後も、カソード電極をガラス基板表面から離さずに無電解銅めっきを継続すると（実施例４）、カソード接触部分に接触痕が残る。このため、カソード接触部分に接触痕が残るのを防止するためには、アノード電極とカソード電極との間の電圧の印加時間は、数十秒から数分以内で、また電圧印加を停止させた後にカソード電極をガラス基板表面から離すことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の実施の形態のめっき装置の全体平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】基板ホルダの正面図である。
【図４】基板ホルダの断面図である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】プッシュシリンダ部を拡大して示す拡大図である。
【図７】図６の右側面図である。
【図８】ロードステージと第１脱着ステージを示す側面図である。
【図９】図８の左側面図である。
【図１０】第１めっき槽の断面図である。
【図１１】第１めっき槽の反応槽の縦断側面図である。
【図１２】第１めっき槽の反応槽の散気管を示す縦断側面図である。
【図１３】第１めっき槽のオーバフロー槽の縦断側面図である。
【図１４】第１めっき槽の付設した析出改善装置の正面図である。
【図１５】第１めっき槽に付設した析出改善装置の要部拡大側面図である。
【図１６】第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）の断面図である。
【図１７】第１めっき液水洗槽（シャワー式水洗槽）の平面図である。
【図１８】第１めっき液水洗槽（浸漬式水洗槽）の断面図である。
【図１９】第２脱着ステージ、乾燥ステージ及びアンロードステージを示す側面図である。
【図２０】第２脱着ステージ、乾燥ステージ及びアンロードステージを示す平面図である。
【図２１】トランスポータのリニアモータ部（走行部）を示す平面図である。
【図２２】図２１の正面図である。
【図２３】トランスポータの正面図である。
【図２４】トランスポータのアーム部回転機構を仮想線で示す平面図である。
【図２５】アーム部に備えられた把持機構の平面図である。
【図２６】アーム部に備えられた把持機構の縦断正面図である。
【図２７】反応槽の上部の４辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示すグラフである。
【図２８】反応槽の上部の３辺からめっき液をオーバフローさせた時のガラス基板の表面全面における格子状の各交点（２５箇所）の表面温度を熱電対で測定した時の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１５】
１０ 装置フレーム
１２ フィルタ
１４ ロードステージ
１６ 基板ホルダ
１８ 脱着ステージ
２０ 前洗浄槽
２２，２８，３４，４２，４８ シャワー式水洗槽
２４，３６，４４，５０ 浸漬式水洗槽
２６ 活性化槽
３２，４０，４６ めっき槽
３８ ストッカー
５２ 脱着ステージ
５４ 乾燥ステージ
５６ アンロードステージ
５８ トランスポータ
６０ ハンガ
６２ ベースプレート
６４ サポートプレート
６５ ストッパープレート
６６ ブッシュ
６８ フック
７０ プッシュシリンダ部
７２ プッシャ
８０ スプリング
９２ 回転板
９６ 昇降板
１００ 支柱
１０２ コマ
１０４ 支持ピン
１１０ アーム
１１２ 支持体
１１４ 走行部
１２０ 反応槽
１２２ オーバフロー槽
１２４ ヘッダ管
１２８ 整流板
１３０ 散気管
１３２ パドル棒
１３４ パドル
１４０ ヒータ
１４８ 排水管
１５０ 槽本体
１５２ 洗浄液供給管
１５４ シャワーノズル
１６０ オーバフロー槽
１６２ 槽本体
１６４ 洗浄液供給管
１６６ 整流板
１７０ 枢軸
１７２ 支持体
１７４ ゴムベルト
１７６ ベルトコンベア
１８０ ころコンベア
１８２ ハウジング
１８４ エアナイフ
１９０ ローラコンベア
１９４ 回転板
１９８ 昇降板
２０４ コマ
２０６ 支持ピン
２８０ リニアモータ部
２８４，２８６ スライダ
３００ トランスポータ本体
３０４ アーム部昇降機構
３０６ アーム部回転機構
３０８ 把持機構
３５０ 側板
３５２ 固定ホルダ
３５６ 可動ホルダ
４００ 析出改善装置
４０４ 昇降シリンダ（カソード電極駆動部）
４０８ 前後動ロッド
４１０ 前後動機構（カソード電極駆動部）
４１２ カソード電極
４１４ 導電膜
４２０ 支持棒
４２２ 揺動アーム
４２４ アノード電極
４２６ａ，４２６ｂ 導線
４２８ 直流電源（外部電源）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、
前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、
前記基板ホルダで保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽と、
前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
１枚のガラス基板の表面にめっきを行う複数のめっき槽を有することを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記めっき槽は、無電解めっきでガラス基板の表面にめっきを行うことを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記めっき槽は、ガラス基板を鉛直方向に立ててめっき槽の内部に前記基板ホルダと共に挿入するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項５】
前記めっき槽は、下部よりめっき液を導入し、上端で４方向にめっき液をオーバフローさせて、内部に配置した基板ホルダで保持したガラス基板の表面にめっきを行う反応槽を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項６】
前記めっき槽は、前記反応槽内のめっき液を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項５記載のめっき装置。
【請求項７】
前記後洗浄槽は、基板ホルダで保持したガラス基板の洗浄槽内への挿入時及び／または洗浄槽からの引出し時に前記ガラス基板の表面に向けて洗浄液を噴射するシャワーノズルを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項８】
端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共にめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行い、
基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法。
【請求項９】
基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時及び／またはめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止し、前記ガラス基板の垂直姿勢を保たせることを特徴とするめっき方法。
【請求項１０】
ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、
前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、
前記基板ホルダで保持したままガラス基板を無電解めっき液に浸漬させてガラス基板の表面に無電解めっきを行うめっき槽と、
前記めっき槽に付設され、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加して無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置と、
前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１１】
前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接離自在に構成されていることを特徴とする請求項１０記載のめっき装置。
【請求項１２】
前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動自在であることを特徴とする請求項１１記載のめっき装置。
【請求項１３】
前記析出改善装置は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置に設置されて前記カソード電極を駆動するカソード電極駆動部を有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１４】
前記カソード電極は、表面をフッ素系樹脂でコーティングした金属で構成されていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１５】
前記カソード電極は、１つのめっき槽に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１６】
前記カソード電極は、１枚のガラス基板に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１７】
前記アノード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に対向する位置と、めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置との間を移動自在であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１８】
前記アノード電極は、ステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１９】
前記カソード電極と前記アノード電極との間に、外部電源としての直流電源から所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項２０】
端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共に無電解めっき液に浸漬させ、
無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に所定時間電圧を印加し、
前記カソード電極と前記アノード電極との間の電圧の印加を解いてガラス基板の表面に無電解めっきを行い、
基板ホルダで保持した無電解めっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法。
【請求項１】
ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、
前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、
前記基板ホルダで保持したままガラス基板をめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行うめっき槽と、
前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
１枚のガラス基板の表面にめっきを行う複数のめっき槽を有することを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記めっき槽は、無電解めっきでガラス基板の表面にめっきを行うことを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記めっき槽は、ガラス基板を鉛直方向に立ててめっき槽の内部に前記基板ホルダと共に挿入するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項５】
前記めっき槽は、下部よりめっき液を導入し、上端で４方向にめっき液をオーバフローさせて、内部に配置した基板ホルダで保持したガラス基板の表面にめっきを行う反応槽を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項６】
前記めっき槽は、前記反応槽内のめっき液を加熱するヒータを有することを特徴とする請求項５記載のめっき装置。
【請求項７】
前記後洗浄槽は、基板ホルダで保持したガラス基板の洗浄槽内への挿入時及び／または洗浄槽からの引出し時に前記ガラス基板の表面に向けて洗浄液を噴射するシャワーノズルを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項８】
端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共にめっき液に浸漬させてガラス基板の表面にめっきを行い、
基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法。
【請求項９】
基板ホルダで保持したガラス基板のめっき槽内への挿入時及び／またはめっき槽からの引出し時に、下部よりめっき槽内に導入しているめっき液の供給を一旦停止し、前記ガラス基板の垂直姿勢を保たせることを特徴とするめっき方法。
【請求項１０】
ロードステージに搬入されたガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して保持する基板ホルダと、
前記ガラス基板を保持した前記基板ホルダを把持して搬送するトランスポータと、
前記基板ホルダで保持したままガラス基板を無電解めっき液に浸漬させてガラス基板の表面に無電解めっきを行うめっき槽と、
前記めっき槽に付設され、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に電圧を印加して無電解めっきによるめっき金属の析出を改善する析出改善装置と、
前記基板ホルダで保持しためっき後のガラス基板の表面を前記基板ホルダで保持したまま洗浄する後洗浄槽と、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させ、乾燥後のガラス基板をアンロードステージに受渡す乾燥ステージを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１１】
前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接離自在に構成されていることを特徴とする請求項１０記載のめっき装置。
【請求項１２】
前記カソード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない待避位置まで移動自在であることを特徴とする請求項１１記載のめっき装置。
【請求項１３】
前記析出改善装置は、前記めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置に設置されて前記カソード電極を駆動するカソード電極駆動部を有することを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１４】
前記カソード電極は、表面をフッ素系樹脂でコーティングした金属で構成されていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１５】
前記カソード電極は、１つのめっき槽に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１６】
前記カソード電極は、１枚のガラス基板に対して複数設置されていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１７】
前記アノード電極は、前記めっき槽内の無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に対向する位置と、めっき槽内の無電解めっき液に接触しない位置との間を移動自在であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１８】
前記アノード電極は、ステンレス、チタン、金、白金またはカーボンからなることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１９】
前記カソード電極と前記アノード電極との間に、外部電源としての直流電源から所定の電圧を印加することを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項２０】
端面間で挟持して基板ホルダで保持したガラス基板を基板ホルダと共に無電解めっき液に浸漬させ、
無電解めっき液に浸漬させたガラス基板の表面に接触させたカソード電極と該表面と対向する位置に配置したアノード電極との間に所定時間電圧を印加し、
前記カソード電極と前記アノード電極との間の電圧の印加を解いてガラス基板の表面に無電解めっきを行い、
基板ホルダで保持した無電解めっき後のガラス基板を基板ホルダで保持したまま洗浄し、
洗浄後のガラス基板を前記基板ホルダから取出し一方向に走行させながら乾燥させることを特徴とするめっき方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【公開番号】特開２００８−１１５４５７（Ｐ２００８−１１５４５７Ａ）
【公開日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１６７１７１（Ｐ２００７−１６７１７１）
【出願日】平成１９年６月２６日（２００７．６．２６）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ケーブルベア
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月２２日（２００８．５．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年６月２６日（２００７．６．２６）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ケーブルベア
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
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