めっき装置及びめっき方法
【課題】広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができ、しかも狭いスペース内に設置でき、スループットの高いめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平な状態で搬送する基板搬送ユニット１４ｃと該基板搬送ユニット１４ｃに隣接して配置されためっきユニット２６ａを有し、めっきユニット２６ａは、めっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平に保持し該基板Ｗと共にめっき槽４０内のめっき液Ｑ中に浸漬される上下動自在な保持ベース４２と、基板搬送ユニット１４ｃから基板Ｗを受取って保持ベース４２上の所定の位置に移送する基板移送機構５０と、基板移送時に保持ベース４２の表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部４２ｂ，６４を有する。
【解決手段】被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平な状態で搬送する基板搬送ユニット１４ｃと該基板搬送ユニット１４ｃに隣接して配置されためっきユニット２６ａを有し、めっきユニット２６ａは、めっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平に保持し該基板Ｗと共にめっき槽４０内のめっき液Ｑ中に浸漬される上下動自在な保持ベース４２と、基板搬送ユニット１４ｃから基板Ｗを受取って保持ベース４２上の所定の位置に移送する基板移送機構５０と、基板移送時に保持ベース４２の表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部４２ｂ，６４を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、矩形平板状で、広い表面積を持つ、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイパネル）に用いられるガラス基板の表面に、銅等の金属膜をそのほぼ全面に亘って均一な膜厚で成膜するのに使用されるめっき装置およびめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、矩形平板状のガラス基板の表面に電解めっきや無電解めっきで金属膜をめっきするめっき装置としては、複数枚のガラス基板をバスケットに入れ、ガラス基板の表面をバスケットと共に洗浄槽で洗浄し、しかる後、ガラス基板をバスケットと共にめっき槽内のめっき液に浸漬させて、ガラス基板の表面に金属膜を成膜するようにしたものが一般的に知られている。
【０００３】
出願人は、特願２００７−１６７１７１として、ガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して鉛直に保持する基板ホルダを用いてめっきを行うめっき装置及びめっき方法を提案した。このめっき装置及び方法により、ガラス基板に対するシーケンス制御された自動めっきが可能となる。
【０００４】
また、矩形平板状の基板を基板ホルダで挟んで保持し、被めっき面を鉛直にして基板ホルダで保持した基板をめっき液中に浸漬させ、基板の被めっき面と対向する位置に配置されるアノードと基板の被めっき面（カソード）との間に電圧を印加して該被めっき面に金属膜（めっき膜）を成膜するようにした電解めっき装置が一般的に知られている。更に、搬送ローラでガラス基板を搬送しながらめっきを行うめっき装置も知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイパネル）の製造工程においては、ガラス基板表面に金属膜をめっきする工程が用いられ、例えば１５００×１３００ｍｍといった、広い表面積を有する矩形平板状のガラス基板のほぼ全面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で連続して成膜することが求められている。このようなガラス基板のサイズは年々大型化されている。しかし、このように、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に従来の方法で金属膜を成膜するには以下のような課題があった。
【０００６】
（１）ガラス基板を該ガラス基板の端辺を挟んで基板ホルダで保持するようにすると、ガラス基板の撓みを考慮した基板ホルダを用意する必要があり、基板ホルダに対する高い組立精度が要求され、その結果、めっきされた製品は高価なものとなる。
（２）ガラス基板の表裏を反転させたり、水平姿勢を垂直姿勢に変えたりするようにすると、大型の姿勢転換機構が必要であり、装置自体が大型化してしまう。
【０００７】
（３）ガラス基板を垂直に保持し下降させてめっき槽内のめっき液中に浸漬させるようにした場合、ガラス基板を急速に下降させすると、めっき液の抵抗によりガラス基板が割れる恐れがあるので、ガラス基板を急速に下降させることはできない。しかも、基板をめっき液に浸漬するためにガラス基板を下降させる距離も長くなるので、ガラス基板を下降させる時間が長くかかり、スプープットの低下につながる。また、めっき前処理などの際に基板を処理液から引き上げる途中で基板が乾いてしまう恐れもある。
【０００８】
一般に、ガラス基板のような被処理基板は、被処理面（被めっき面）を上向きにして装置内に搬入されるため、そのままの姿勢、つまり被処理面を上向きにしたのまま、装置内を搬送し処理することができれば複雑な姿勢転換機構を設けることなく装置を小型化できる。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面（被めっき面）に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができ、しかもスループットを向上させながら、狭いスペース内に設置できようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、被めっき面を上向きにして基板を水平な状態で搬送する基板搬送ユニットと、該基板搬送ユニットに隣接して配置されためっきユニットを有し、前記めっきユニットは、めっき液を保持するめっき槽と、前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置である。
【００１１】
これにより、保持ベースの表面に液体等の流体を供給して流体膜（液膜）を形成し、この流体膜（液膜）の上を滑るようにして、保持ベース上の所定の位置に基板を移送して保持ベースで保持することができる。これによって、基板の端面を強い力で挟んだり基板の一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、基板が損傷することを防止しつつ、基板をめっきユニット内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベースで保持することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。
【００１２】
なお、保持ベースにコロを設け、このコロの回転に伴って、基板が保持ベース上をスムーズに移動できるようにすることも考えられるが、保持ベースにコロのような突起物があると、基板を保持ベースで保持する際に基板に局所的な応力がかかる。また仮にコロを必要に応じて保持ベース内部に引っ込めるための機構を備えたとしても、基板と共にめっき液に浸漬させる保持ベースとしては、そのような複雑な構造は好ましくない。特に摺動部がめっき液中にあると、めっき液成分である、例えば銅のような析出物が発生し、析出物が摺動面にはさまって動作不良が起きてしまい、連続して使用することが困難となる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液に電解めっき液を使用した電解めっきユニットで、前記保持ベースの上方には、前記保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとを内部に備え、前記保持ベースと一体に上下動するプロセスユニットが配置されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
【００１４】
このように、保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとをプロセスユニット内に配置し、プロセスユニットを保持ベースに対して下降させた後、プロセスユニットと保持ベースを一体に下降させて、保持ベースで保持した基板、及びプロセスユニット内のアノードをめっき槽内のめっき液（電解めっき液）中に浸漬させることで、電解めっきが可能となる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、該カソード接点の自重が接触圧力となることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
請求項４に記載の発明は、前記プロセスユニットには、めっき液に接液しないめっき槽上部に位置して、前記カソード接点の接触圧力を一定に保つばねが備えられていることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、接触圧力を変えることが可能であることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
請求項６に記載の発明は、前記プロセスユニットには、前記カソード接点と前記アノードとの間に位置して、前記アノードまたは被めっき面と垂直に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のめっき装置である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液として無電解めっき液を使用した無電解めっきユニットであることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
この場合、所定位置に基板を保持した保持ベースを基板と共にめっき液（無電解めっき液）中に浸漬させるだけで、基板の被めっき面にめっき（無電解めっき）を行うことができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記保持ベースは、水平面に対してチルト自在であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、保持ベースを水平面に対してチルト自在となし、保持ベースを水平面に対して所定の角度チルトさせた状態で基板と共にめっき液中に浸漬させることで、この浸漬時に生じる液抵抗を小さくすることができる。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、前記基板移送機構は、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニットを備え、各コンベアユニットには、互いに近接した時に基板の端面に接触しながら回転する複数のローラが備えられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板の端面に接触しながら回転する複数のローラを介して、基板を確実に移送することができる。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間には、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構が配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに直接移送できない場合に、基板受渡し機構を経由させることで、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに移送することができる。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、前記流体膜形成部は、前記保持ベースの表面に形成した流体供給溝と該流体供給溝に連通する流体供給ラインからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のめっき装置である。
流体としては、液体が好ましく使用されるが、気体または液体と気体を混合させた気液混合体等を使用しても良い。
【００２２】
請求項１２に記載の発明は、前記保持ベースは、真空吸着によって基板を保持することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１３に記載の発明は、前記保持ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のめっき装置である。
保持ベースは、例えば塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂等の樹脂からなる。
【００２３】
請求項１４に記載の発明は、保持ベース上に水平に保持した基板の被めっき面にめっき前処理を行う前処理ユニットと、保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置である。
【００２４】
請求項１５に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【００２５】
請求項１６に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面（被めっき面）に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の例では、矩形平板状のガラス基板の表面にめっきによって金属膜を成膜する例を示す。
【００２８】
図１は、本発明の実施形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、例えばディスプレイ製造工場に設置されたガラス基板搬送機器からガラス基板を受取ってめっき装置の内部に搬入するロードユニット１０と、めっき装置内でめっき処理を行ったガラス基板Ｗをガラス基板搬送機器等に受渡すアンロードユニット１２を備えており、このロードユニット１０とアンロードユニット１２は、互いに対向する位置に所定間隔離間して配置されている。
【００２９】
ロードユニット１０は、第１基板搬送ユニット１４ａ、第２基板搬送ユニット１４ｂ、第１インライン洗浄ユニット１６ａ、第３基板搬送ユニット１４ｃ、第４基板搬送ユニット１４ｄ、第５基板搬送ユニット１４ｅ及び第６基板搬送ユニット１４ｆを直列に連結した第１基板搬送処理ライン１８ａの第１基板搬送ユニット１４ａに直列に接続されている。アンロードユニット１２は、第７基板搬送ユニット１４ｇ、第８基板搬送ユニット１４ｈ、第９基板搬送ユニット１４ｉ、第１０基板搬送ユニット１４ｊ、第２インライン洗浄ユニット１６ｂ、インライン乾燥ユニット２０及び基板搬送機構２２を直列に連結した第２基板搬送処理ライン１８ｂの該基板搬送機構２２に直列に接続されている。
【００３０】
第１基板基板搬送ライン１８ａと第２基板搬送処理ライン１８ｂとの間に位置して、２台の前処理ユニット２４ａ，２４ｂと、４台のめっきユニット２６ａ〜２６ｄが配置されている。このめっき装置では、第１前処理ユニット２４ａで脱脂等のめっき前洗浄（第１めっき前処理）を行い、第２前処理ユニット２４ｂで酸による洗浄等の活性化処理（第２めっき前処理）を行う。めっきユニット２６ａ〜２６ｄは、この例では、全て同一のめっき処理を行う電解めっきユニットからなり、各ガラス基板に対して１台のめっきユニットが使用され、スループットを考慮して、４台のめっきユニットが備えられている。
【００３１】
次に、このめっき装置におけるガラス基板の流れについて説明する。先ず、ガラス基板搬送機器等から被処理面（被めっき面）を上向きにした水平状態で受取られたガラス基板は、ロードユニット１０で受取られて、第１基板搬送ユニット１４ａに搬送される。そして、ガラス基板は、進行方向を変えられて第１前処理ユニット２４ａに搬送され、ここで脱脂等の第１めっき前処理が行われた後、第１基板搬送ユニット１４ａに戻される。次に、ガラス基板は、第２基板搬送ユニット１４ｂに搬送され、前述と同様にして、第２前処理ユニット２４ｂに搬送されて、ここで活性化等の第２めっき前処理が行われた後、第２基板搬送ユニット１４ｂに戻される。
【００３２】
そして、ガラス基板は、第１インライン洗浄ユニット１６ａにおいて、第１インライン洗浄ユニット１６ａに沿って、第２基板搬送ユニット１４ｂから第３基板搬送ユニット１４ｃに向けて搬送されながら洗浄される。洗浄後のガラス基板は、めっきユニット２６ａ〜２６ｄのいずれか１つのめっきユニットでめっき処理されて、第２基板搬送処理ライン１８ｂに搬送される。例えば第３基板搬送ユニット１４ｃから第１めっきユニット２６ａに搬送され、ここでめっき処理が行われた後、第１０基板搬送ユニット１４ｊに搬送される。
【００３３】
めっき後のガラス基板は、第２インライン洗浄ユニット１６ｂにおいて、第２インライン洗浄ユニット１６ｂに沿って、第１０基板搬送ユニット１４ｊからインライン乾燥ライン２０に向けて搬送されながら洗浄される。更に、インライン乾燥ライン２０において、インライン乾燥ライン２０に沿って、インライン乾燥ライン２０から搬送ユニット２２に向けて搬送されながら乾燥される。そして、基板搬送機構２２を通過して、アンロードユニット２０からガラス基板搬送機器等に受渡される。
【００３４】
ロードユニット１０は、図示しないが、ガラス基板を乗せたアームがめっき装置内に進入し停止した後、搬送ローラを有する昇降機が上昇し、ガラス基板をアームから受取る構造となっている。昇降機が上昇端で停止した後、搬送ローラが回転し、ガラス基板を隣に設置された基板搬送ユニット１４ａに送る。アンロードユニット１２は、この逆の動作で、めっき装置内に進入したアームにガラス基板を受渡す。
【００３５】
インライン洗浄ユニット１６ａ，１６ｂは、図示しないが、ガラス基板が流れる搬送ラインの上部及び下部に設置したシャワーヘッドを有し、このシャワーノズルよりガラス基板に向けて純水を吹付ることで、ガラス基板の表裏に残るめっき液を洗い流す。シャワーを流した状態でガラス基板を送るため、ガラス基板の全面を洗浄することができる。
【００３６】
インライン乾燥ユニット２０は、エアーナイフを用いたものであり、ローラコンベアで移動するガラス基板の表裏両面に向けてエアーナイフからエアーを吹付ことでガラス基板を乾燥する。
【００３７】
図１に示すように、ロードユニット１０とアンロードユニット１２を互いに並行した位置に置くことにより、ディスプレイ製造工場等に設置されたガラス基板搬送機器の移動距離が短くなり、更には、めっき処理前の貯留位置にめっき後のガラス基板を戻すことが容易になる。
【００３８】
図２は、図１において、互いに隣接した位置に配置される、第３基板搬送ユニット１４ｃ、第１めっきユニット２６ａ及び第１０基板搬送ユニット１４ｊを示す平面図で、図３は、図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。なお、基板搬送ユニット１４ａ〜１４ｊは、全て同じ構成であるので、ここでは、基板搬送ユニット１４ｃについてのみ説明し、他の基板搬送ユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。また、めっき装置２６ａ〜２６ｄにあっても、全て同じ構成であるので、ここでは、めっきユニット２６ａについてのみ説明して、他のめっきユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
なお、図１には省略してあるが、図２及び図３に示すように、第３基板搬送ユニット１４ｃと第１めっきユニット２６ａとの間には第１基板受渡し機構２８ａが、第１めっきユニット２６ａと第１０基板搬送ユニット１４ｊとの間には第２基板受渡し機構２８ｂがそれぞれ配置されている。これは、他の基板搬送ユニットとめっきユニットとの関係にあっても同様である。基板受渡し機構２８ａ，２８ｂは、同一構成であるので、基板受渡し機構２８ａのみ説明し、基板受渡し機構２８ｂにあっては、同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】
図２及び図３に示すように、第３基板搬送ユニット１４ｃには、第１基板搬送処理ライン１８ａに沿った搬送方向Ａにガラス基板Ｗを搬送する複数の第１搬送ローラ３０が、該搬送方向Ａに沿った所定のピッチで配置されている。ガラス基板Ｗは、この第１搬送ローラ３０の駆動（回転）に伴って、搬送ローラ３０上を搬送方向Ａに沿って所定位置まで搬送される。更に、ガラス基板Ｗの通過を検知する検知センサ３２と、ガラス基板Ｗを所定の位置に停止させる上下動自在なストッパ３４が備えられている。これにより、ガラス基板Ｗが第１搬送ローラ３０上を搬送されて検知センサ３２上を通過したことを検知センサ３２で検知した時に、ストッパ３４を上昇させ、第１搬送ローラ３０の駆動を停止させて、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃ上の所定の位置に機械的に停止させる。
【００４１】
なお、第１めっきユニット２６ａでめっき処理を行うことなく、例えば第２めっきユニット２６ｂでめっき処理を行うときには、第３基板搬送ユニット１４ｃのストッパ３４を上昇させることなくガラス基板を通過させ、第４基板搬送ユニット１４ｄのストッパを上昇させて、ガラス基板を第４基板搬送ユニット１４ｄ上の所定の位置に停止させる。
【００４２】
第１搬送ローラ３０と互い干渉しない位置に位置して、ガラス基板Ｗの停止位置の下方には、第３基板搬送ユニット１４ｃに隣接するめっきユニット２６ａに向かう搬送方法Ｂにガラス基板を搬送する複数の第２搬送ローラ３６が、該搬送方向Ｂに沿った所定のピッチで配置されている。なお、図２では、第２搬送ローラを省略している。この第２搬送ローラ３６は、ベースに取付けたシリンダ（図示せず）の作動に伴って、第１搬送ローラ３０の下方の待避位置と、第１搬送ローラ３０の上方の図３に示す搬送位置との間を上下動する。
【００４３】
これにより、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃ上の所定位置に機械的に停止させた後、第２搬送ローラ３６を上昇させることで、ガラス基板Ｗを第２搬送ローラ３６で掬い上げて第１搬送ローラ３０から受取り、第２搬送ローラ３６を駆動（回転）させてガラス基板Ｗを搬送方向Ｂに搬送する。
【００４４】
基板受渡し機構２８ａは、該基板受渡し機構２８ａを経由させて、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃからめっきユニット２６ａに搬送するためのもので、ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂに沿って所定のピッチで配置された、複数（図示では３個）の搬送ローラ３８から構成されている。この搬送ローラ３８は、第３基板搬送ユニット１４ｃの搬送位置に位置する第２搬送ローラ３６と同一高さレベルに配置されている。これにより、基板受渡し機構２８ａは、第３基板搬送ユニット１４ｃの第２搬送ローラ３６から送られてくるガラス基板Ｗを受取り、搬送ローラ３８の駆動（回転）に伴って、ガラス基板Ｗを搬送方向Ｂに搬送して、めっきユニット２６ａに受渡す。
【００４５】
めっきユニット２６ａは、内部にめっき液（電解めっき液）Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の上方に配置された矩形平板状の保持ベース４２とを有しており、ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂに沿って保持ベース４２を挟んだ位置に、入口搬送ローラ４４と出口搬送ローラ４６が基板受渡し機構２８ａと同一高さレベル位置に配置されている。入口搬送ローラ４４と出口搬送ローラ４６の側外方には、ガラス基板Ｗの端面に接触してガラス基板Ｗの進行方向に対する左右のずれを防止するする各一対のガイド板４８が配置されている。
【００４６】
これにより、基板受渡し機構２８ａから送られてくる基板を入口搬送ローラ４４で受取り、基板移送機構を介して、保持ベース４２上の所定の位置に搬送する。そして、めっきユニット２６ａでのめっき処理を終了した後に、保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗを、コンベアユニット５０を介して、出口搬送ローラ４６に搬送し、基板受渡し機構２８ｂで受取って、第１０基板搬送ユニット１４ｊの第２搬送ローラ３６に搬送する。
【００４７】
保持ベース４２は、例えば、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂等の樹脂によって、僅かに可撓性を有するように構成されている。ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂと直交する方向に沿って保持ベース４２を挟んだ位置には、基板移送機構を構成する、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニット５０，５０が備えられている、この各コンベアユニット５０は、エアシリンダ５２の作動によって移動する移動プレート５４が備えられ、この移動プレート５４の互いに対向する長辺に沿って、複数（図示では４個）の回転ローラ５６が回転自在に支承されている。更に、移動プレート５４の第１０基板搬送ユニット１４ｊ側の端部には、ガラス基板Ｗの保持ベース４２に対する位置決めを行うストッパ５８が鉤状に内方に突出して連接されている（図４参照）。このストッパ５８の近傍に位置して、ガラス基板Ｗが所定の位置に達したことを検知する検知センサ（図示せず）が配置されている。
【００４８】
図４及び図５に示すように、保持ベース４２の上面には、直線状に延びる真空吸着溝４２ａと液体供給溝（流体供給溝）４２ｂが、この例では、交互かつ平行に設けられている。そして、真空吸着溝４２ａは、その両端に設けた貫通孔を通して、真空ライン６２に接続され、液体供給溝４２ｂは、その両端に設けた貫通孔を通して、例えば純水等の液体を供給する液体供給ライン（流体供給ライン）６４に接続されている。この液体供給溝（流体供給溝）４２ｂ及び液体供給ライン（流体供給ライン）６４によって、保持ベース４２の表面（上面）に、例えば純水等の流体を供給して薄い液膜（流体膜）を形成する液膜形成部（流体膜形成部）が構成されている。
【００４９】
なお、この例では、保持ベース４２の上面に、純水等の液体を供給して、薄い液膜を形成するようにした例を示しているが、液体の代わりに、気体（エアー）や液体（純水）と気体（エアー）とを混合させた気液混合体を使用して、保持ベース４２の上面に、気体等からなる薄い流体膜を形成するようにしてもよい。
【００５０】
基板受渡し機構２８ａを経由して、ガラス基板Ｗをめっきユニット２６ａの保持ベース４２上の所定位置に搬送する時には、先ずエアシリンダ５２を作動させ、コンベアユニット５０の移動プレート５４を互いに近接した位置に移動させて、回転ローラ５６を回転させる。更に、液体供給ライン（流体供給ライン）６４から液体供給溝（流体供給溝）４２ｂに純水等の液体（流体）を供給して、保持ベース４２の表面（上面）に純水等の液体（流体）からなる薄い液膜（液体膜）を形成する。これにより、入口搬送ローラ４４から保持ベース４２の上方に向けて送られてきたガラス基板Ｗは、その両端面において、互いに対向する位置に配置されて回転ローラ５６に挟まれた状態で接触し、この回転ローラ５６の回転により、保持ベース４２上を搬送方向Ｂに沿って搬送される。この時、保持ベース４２の表面上には薄い液膜（流体膜）が形成されており、このためガラス基板Ｗは液膜上を滑るように移動する。
【００５１】
そして、ガラス基板Ｗの進行方向前方の端面がストッパ５８に当接してガラス基板Ｗが停止したことを検知センサで検知した時に回転ローラ５６の回転及び液体の供給を停止し、これによって、ガラス基板Ｗを保持ベース４２上の所定位置に停止させる。そして、真空ライン６２を通して、真空吸着溝４２ａを真空引きすることで、ガラス基板Ｗを保持ベース４２上の所定位置に吸着保持する。
【００５２】
このように、保持ベース４２の表面に液体等の流体を供給して液膜等の流体膜を形成し、この流体膜（液膜）の上を滑るようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを移送して保持ベース４２で保持することで、ガラス基板Ｗの端面を強い力で挟んだりガラス基板Ｗの一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、ガラス基板Ｗが損傷することを防止しつつ、ガラス基板Ｗをめっきユニット２６ａ内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベース４２で保持することができる。
【００５３】
めっき終了後は、上記とほぼ逆の動作で、保持ベース４２でのガラス基板Ｗの保持を解き、保持ベース４２の表面に液体を供給して薄い液膜（流体膜）を形成しながら、ガラス基板Ｗを保持ベース４２から基板受渡し機構２８ｂに向けて送り出す。
【００５４】
保持ベース４２は、矩形状の保持フレーム７０の下端に固定されており、この保持フレーム７０は、この上方に位置する矩形状の昇降フレーム７２に垂下支持されている。つまり、保持フレーム７０は、その一方の辺側において、ヒンジ７４を介して回動自在に昇降フレーム７２に連結され、保持フレーム７０の他方の辺側と昇降フレーム７２との間にはチルト用エアシリンダ７６が配置されている。これにより、チルト用エアシリンダ７６の作動に伴って、図６に示すように、保持フレーム７０全体がヒンジ７４を中心に傾動して、保持ベース４２が水平面に対してチルトするようになっている。
【００５５】
更に、保持ベース４２の上方に位置して、プロセスユニット８０が配置され、このプロセスユニット８０は、保持フレーム７０の上枠体８２に取付けた昇降用エアリンダ８４のロッドに連結されている。これによって、プロセスユニット８０は、昇降用エアシリンダ８４の駆動に伴って、保持ベース４２に対して相対的に昇降し、また、昇降フレーム７２の昇降に伴って、保持フレーム７０及びプロセスユニット８０が一体に昇降するようになっている。このように、昇降フレーム７２は、保持フレーム７０及びプロセスユニット８０の全ての重量を支えており、更に、下記のように、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共にめっき液から引き上げる力もかかる。このため、この例では、昇降フレーム７２の四隅に、一端にカウンターウェート８６を設けたチェーン８８の他端を連結し、昇降用モータ９０の駆動に伴って、チェーン８８を引上げ・引下げることで、バランスを取りながら、少ない動力で、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に昇降させるようにしている。
【００５６】
プロセスユニット８０は、図７及び図８に示すように、保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０を下降させた時に、保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗの両側周縁部に接触して電給する棒状の複数のカソード接点９２と、保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０を下降させ、更に保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０と一体に下降させた時に、めっき槽４０内のめっき液Ｑに浸漬されてガラス基板Ｗの上方を覆う位置に配置される矩形状のアノード９４と、ガラス基板Ｗとアノード９４との間に上下に配置される矩形枠状のアノードマスク９６及び中間マスク９８と、カソード接点９２と平行に該該カソード接点９２の内側を覆うよう配置した第１の遮蔽板３００とを有している。アノード９４として、この例では、不溶解アノードを使用している。
【００５７】
カソード接点９２は、給電部３０２から延びる配線３０４に電気的に接続されており、カソード接点９２自体がめっきされないように、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接液する部分おけるガラス基板Ｗとの接触面以外は樹脂等で被覆されている。カソード接点９２のガラス基板Ｗとの接触面は、平坦な銅金属の面に金めっきを施して構成されて、ガラス基板Ｗと接触した時に接触面の全面が当たるようになっている。このとき、カソード接点９２とガラス基板Ｗの接触圧力を一定の範囲に保たなければならないが、ガラス基板Ｗの厚さばらつきがあるため、ばねでカソード接点９２に荷重を掛けることが考えられる。しかし、ばねを樹脂で被覆して、ガラス基板Ｗとともにめっき槽４０内のめっき液Ｑ中に浸漬させると、繰り返しの使用により被覆が剥がれ、そこからめっきが進行して、ばねの表面にめっきが析出するおそれがある。
【００５８】
そこでこの例では、ガラス基板Ｗを水平に設置し、カソード接点９２をガラス基板Ｗに上から当てることで、カソード接点９２自体の自重でこの荷重（接触圧力）を得るようにしている。荷重が不足する場合には、カソード接点９２に錘を付ければ良い。なお、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接触しな位置にばねを配置し、このばねを介してカソード接点９２の荷重（接触圧力）をコントロールするようにしてもよく、この場合、ばねの表面にめっきが析出することを防止することができる。
【００５９】
更に、この例では、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接触しない位置にエアシリンダ３０６を配置し、このエアシリンダ３０６でカソード接点９２の接触圧力をコントロールするようにしている。なお、このエアシリンダ３０６を省略してもよいことは勿論である。
【００６０】
この例では、カソード接点９２と、ガラス基板Ｗ及びアノード９４が対面するめっき液間に第１の遮蔽板３００を入れている。これにより、電場が必要な範囲を超えて広がることを抑えられる。一般的には、カソード接点の接触面周りにめっきが厚くつく傾向があるが、このように、第１の遮蔽板３００を用いることにより、カソード接点９２の周りにめっきが厚く付くことが抑えられ、必要とされる被めっき面に成膜されるめっき膜の面内均一性が高く保てるという利点がある。この第１の遮蔽板３００はアノード９４の設置位置より高い位置、即ち、液面より上までカソード接点９２を覆っている。
【００６１】
この実施例においては、カソード接点９２は棒状であり、ガラス基板Ｗの向かい合う２辺にそって平行に設置される。第１の遮蔽板３００は、カソード接点９２に平行に、カソード接点９２とアノード９４の間を遮るように設置される。第１の遮蔽板３００とガラス基板Ｗとの間には、カソード接点９２の接触面周りにめっきが厚くつくことを抑えるため、Ｏリング（図示せず）が設けられている。更に、カソード接点９２より外側とカソード接点９２を設けない基板の向かい合う２辺を取り囲むように、第２の遮蔽板３０８が設置されている。この第２の遮蔽板３０８は、カソード接点９２をサポートする役目も果たしている。第２の遮蔽板３０８の下端にも、Ｏリング（図示せず）が設けられている。第２の遮蔽板３０８のカソード接点９２を設けないガラス基板Ｗの向かい合う２辺には、図７に示すように、めっき液をガラス基板Ｗとアノード９４の間の空間に導入する、側面開口部３１０が設けられている。さらに、めっき時において、めっき液に、側面開口部から入り、対向する側面開口部から出る流れが生じるようにしても良い。保持ベース４２の四隅にはフレーム７０が設けられ、保持ベース４２はフレーム７０により吊り下げられる。
【００６２】
次に、このめっきユニット２６ａによるめっき処理について説明する。
先ず、前述のようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを吸着保持する。次に、昇降用エアシリンダ８４を作動させて、プロセスユニット８０を下降させ、カソード接点９２を保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗの周縁部に接触させる。次に、チルト用エアシリンダ７６を作動させて、図６に示すように、保持フレーム７０をプロセスユニット８０と共に、例えば角度θだけ傾動させ、これによって、保持ベース４２を水平面に対して角度θだけチルトさせる。
【００６３】
この状態で、昇降用モータ９０を駆動して、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に下降させ、プロセスユニット８０のアノード９４をめっき槽４０内のめっき液（電解めっき液）Ｑ中に浸漬させる。そして、チルト用エアシリンダ７６を逆作動させて、保持ベース４２を水平に戻し、カソード接点９２とアノード９４との間にめっき電圧を印加して、ガラス基板Ｗの表面をカソードとした電解めっきを所定時間行う。
【００６４】
この時に下降速度は、例えば１０ｍｍ／ｓｅｃ程度であり、下降速度を遅くすることで、めっき液の飛び跳ね等を防止することができる。また、下降時に保持ベース４２を水平面に対してチルトさせることで、下降時の液抵抗を少なくすることができる。
【００６５】
所定時間のめっきを行った後、カソード接点９２及びアノード９４を電源から切離し、前述と同様にして、保持ベース４２を水平面に対してチルトさせた後、昇降用モータ９０を逆駆動して、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に上昇させて、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共にめっき槽４０内のめっき液から引き上げる。そして、昇降用エアシリンダ８４を逆作動させ、プロセスユニット８０を上昇させて、保持ベース４２を開放させる。
【００６６】
このめっきユニット２６ａは、めっき液として無電解めっき液を使用することで、無電解めっきユニットとしても使用できる。このように無電解めっきユニットとして使用する場合、プロセスユニット及び該プロセスユニットに付帯する昇降機構等は不要となる。無電解めっきユニットとして使用する場合には、前述のようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを吸着保持し、必要に応じて、保持ベース４２を水平面に対してチルトさせた状態で、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共に下降させて、めっき槽４０内のめっき液（無電解めっき液）中に浸漬させることで、ガラス基板Ｗの表面に無電解めっきを行うことができる。
【００６７】
図９は、前処理ユニット２４ａの系統図を示す。前処理ユニット２４ｂも、使用する前処理液（薬液）が異なるだけで前処理ユニット２６ａとほぼ同様な構成である。
【００６８】
前処理ユニット２４ａは、めっき装置２６ａとほぼ同様な構成の保持ベース１００と、この保持ベース１００の上方に上下動自在に配置されたシャワーノズル１０２を有している。そして、ガラス基板Ｗは、前述のめっき装置２６ａとほぼ同様な動作で保持ベース１００上の所定位置に保持された後、ガラス基板Ｗの表面に向けてシャワーノズル１０２から薬液（前処理液）を噴射することで、ガラス基板Ｗの表面の薬液による処理（前処理）を行うように構成されている。
【００６９】
ここで、前処理ユニット２４ａ内の液体の流れについて説明する。ガラス基板Ｗの前処理に用いられた薬液は、保持ベース１００の周りに設けられた樋１０４で受けられて薬液供給タンク１０６に溜められる。薬液供給タンク１０６に溜められた薬液は、ポンプ１０８で送液され、フィルタ１１０、流量計１１２を通って、再びシャワーノズル１０２から保持ベース１００で保持されたガラス基板Ｗの表面に供給される。樋１０４と薬液供給タンク１０６との間には、２つの切換バルブ１１４ａ，１１４ｂが設けられている。薬液を流している時には、薬液供給タンク１１に繋がる切換バルブ１１４ａを開き、薬液を薬液供給タンク１０６に戻して、ガラス基板に再び供給する。前処理が終了した後、純水ライン１１６の切換バルブ１１８を開き、流量計１１２を経て、保持ベース１００で保持されたガラス基板Ｗの表面に純水を供給してガラス基板Ｗの表面を純水で洗浄する。この洗浄に使用された純水は、排水ラインに繋がる切換バルブ１１４ｂを開くことで、排水ラインに排水される。
【００７０】
次に、ガラス基板Ｗを保持ベース１００上に吸着保持する真空ライン１２０について説明する。真空を作るイジェクタ１２２は、閉止バルブ１２４、圧力センサ１２６、気水分離槽１２８を経て保持ベース１００に接続される。ガラス基板Ｗを処理している間は真空吸着を切ることもできるるが、操作の途中で真空ライン１２０に液が入ってくることがあるため、気水分離槽１２８で薬液を捕集する必要がある。また、この真空ライン１２０には、圧縮空気供給ライン１３０も接続されており、切換バルブ１３２を開くことにより、真空を破壊したり、ガラス基板の離脱時にガラス基板の背面から空気を流してガラス基板を浮上させたりすることができる。
【００７１】
図１０は、本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。このめっき装置は、電解めっきユニットと無電解ユニットを組合せて、ガラス基板の表面に電解めっきと無電解めっきの２段のめっき、または一方のめっきを選択的に行うようにしたものであり、互いに対向する位置に、ロードユニット２００とアンロードユニット２０２を有している。
【００７２】
ロードユニット２００は、第１基板搬送ユニット２０４ａ、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、第３基板搬送ユニット２０４ｃ、第２電解めっき前処理ユニット２０６ｂ及び第４基板搬送ユニット２０４ｄを直列に連結した第１基板搬送処理ライン１０８ａの第１基板搬送ユニット２０４ａに直列に接続されている。アンロードユニット２０２は、第５基板搬送ユニット２０４ｅ、第１インライン洗浄ユニット２１０ａ、第６基板搬送ユニット２０４ｆ、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を直列に連結した第２基板搬送処理ライン２０８ｂの該インライン乾燥ユニット２１２に直列に接続されている。
【００７３】
第１基板基板搬送ライン２０８ａと第２基板搬送処理ライン２０８ｂとの間に位置して、無電解めっき前処理ユニット２１４、無電解めっきユニット２１６、第１電解めっき前処理ユニット２０６及び電解めっきユニット２１８が配置されている。
【００７４】
このめっき装置において、無電解めっきを行うときには、第１基板搬送ユニット２０４ａ、無電解めっき前処理ユニット２１４、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、無電解めっきユニット２１６、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を使用する。
【００７５】
電解めっきを行うときには、第１基板搬送ユニット２０４ａ、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、第３基板搬送ユニット２０４ｃ、第１電解めっき前処理ユニット２０６ａ、第２電解めっき前処理ユニット２０６ｂ、第４基板搬送ユニット２０４ｄ、第５基板搬送ユニット２０４ｅ、第１インライン洗浄ユニット２１０ａ、第６基板搬送ユニット２０４ｆ、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を使用する。
【００７６】
そして、無電解めっき及び電解めっきの２段のめっきを行うときには、全てのユニットを使用するのであり、これにより、種々のめっきに柔軟に対応することができる。
【００７７】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。
【図２】隣接した位置に配置される基板搬送ユニット、めっきユニット及び基板搬送ユニットを示す平面図でである。図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。
【図３】図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。
【図４】めっきユニットの保持ベースを示す平面図である。
【図５】めっきユニットの保持ベースを示す断面図である、
【図６】めっきユニットの保持ベースを平面に対してチルトさせた状態を示す概要図である。
【図７】めっきユニットのプロセスユニットをガラス基板を保持した保持ベースと共に示す断面図である。
【図８】めっきユニットのプロセスユニットをガラス基板を保持した保持ベースと共に示す平面図である。
【図９】前処理ユニットの系統図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０ ロードユニット
１２ アンロードユニット
１４ａ〜１４ｊ 基板搬送ユニット
１６ａ，１６ｂ インライン洗浄ユニット
１８ａ，１８ｂ 基板搬送処理ライン
２０ インライン乾燥ユニット
２２ 基板搬送機構
２４ａ，２４ｂ 前処理ユニット
２６ａ〜２６ｄ めっきユニット
２８ａ，２８ｂ 基板受渡し機構
３０ 第１搬送ローラ
３４ ストッパ
３６ 第２搬送ローラ
３８ 搬送ローラ
４０ めっき槽
４２，１００ 保持ベース
４２ａ 真空吸着溝
４２ｂ 液体供給溝（流体供給溝）
４４ 入口搬送ローラ
４６ 出口搬送ローラ
５０ コンベアユニット
５２ エアリンダ
５４ 移動プレート
５６ 回転ローラ
５８ ストッパ
６０ 検知センサ
６２，１２０ 真空ライン
６４ 液体供給ライン（流体供給ライン）
７０ 保持フレーム
７２ 昇降フレーム
７４ ヒンジ
７６ チルト用エアシリンダ
８０ プロセスユニット
８４ 昇降用エアシリンダ
８６ カウンターウェート
８８チェーン
９０ 昇降用モータ
９２ カソード接点
９４ アノード
９６ アノードマスク
９８ 中間マスク
１０２ シャワーノズル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、矩形平板状で、広い表面積を持つ、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイパネル）に用いられるガラス基板の表面に、銅等の金属膜をそのほぼ全面に亘って均一な膜厚で成膜するのに使用されるめっき装置およびめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、矩形平板状のガラス基板の表面に電解めっきや無電解めっきで金属膜をめっきするめっき装置としては、複数枚のガラス基板をバスケットに入れ、ガラス基板の表面をバスケットと共に洗浄槽で洗浄し、しかる後、ガラス基板をバスケットと共にめっき槽内のめっき液に浸漬させて、ガラス基板の表面に金属膜を成膜するようにしたものが一般的に知られている。
【０００３】
出願人は、特願２００７−１６７１７１として、ガラス基板を該ガラス基板の端面間で挟持して鉛直に保持する基板ホルダを用いてめっきを行うめっき装置及びめっき方法を提案した。このめっき装置及び方法により、ガラス基板に対するシーケンス制御された自動めっきが可能となる。
【０００４】
また、矩形平板状の基板を基板ホルダで挟んで保持し、被めっき面を鉛直にして基板ホルダで保持した基板をめっき液中に浸漬させ、基板の被めっき面と対向する位置に配置されるアノードと基板の被めっき面（カソード）との間に電圧を印加して該被めっき面に金属膜（めっき膜）を成膜するようにした電解めっき装置が一般的に知られている。更に、搬送ローラでガラス基板を搬送しながらめっきを行うめっき装置も知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、例えば薄型テレビ用スクリーン（ディスプレイパネル）の製造工程においては、ガラス基板表面に金属膜をめっきする工程が用いられ、例えば１５００×１３００ｍｍといった、広い表面積を有する矩形平板状のガラス基板のほぼ全面に均一な膜厚の金属膜を一連の動作で連続して成膜することが求められている。このようなガラス基板のサイズは年々大型化されている。しかし、このように、広い面積を持つ矩形平板状のガラス基板の表面に従来の方法で金属膜を成膜するには以下のような課題があった。
【０００６】
（１）ガラス基板を該ガラス基板の端辺を挟んで基板ホルダで保持するようにすると、ガラス基板の撓みを考慮した基板ホルダを用意する必要があり、基板ホルダに対する高い組立精度が要求され、その結果、めっきされた製品は高価なものとなる。
（２）ガラス基板の表裏を反転させたり、水平姿勢を垂直姿勢に変えたりするようにすると、大型の姿勢転換機構が必要であり、装置自体が大型化してしまう。
【０００７】
（３）ガラス基板を垂直に保持し下降させてめっき槽内のめっき液中に浸漬させるようにした場合、ガラス基板を急速に下降させすると、めっき液の抵抗によりガラス基板が割れる恐れがあるので、ガラス基板を急速に下降させることはできない。しかも、基板をめっき液に浸漬するためにガラス基板を下降させる距離も長くなるので、ガラス基板を下降させる時間が長くかかり、スプープットの低下につながる。また、めっき前処理などの際に基板を処理液から引き上げる途中で基板が乾いてしまう恐れもある。
【０００８】
一般に、ガラス基板のような被処理基板は、被処理面（被めっき面）を上向きにして装置内に搬入されるため、そのままの姿勢、つまり被処理面を上向きにしたのまま、装置内を搬送し処理することができれば複雑な姿勢転換機構を設けることなく装置を小型化できる。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面（被めっき面）に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができ、しかもスループットを向上させながら、狭いスペース内に設置できようにしためっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、被めっき面を上向きにして基板を水平な状態で搬送する基板搬送ユニットと、該基板搬送ユニットに隣接して配置されためっきユニットを有し、前記めっきユニットは、めっき液を保持するめっき槽と、前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置である。
【００１１】
これにより、保持ベースの表面に液体等の流体を供給して流体膜（液膜）を形成し、この流体膜（液膜）の上を滑るようにして、保持ベース上の所定の位置に基板を移送して保持ベースで保持することができる。これによって、基板の端面を強い力で挟んだり基板の一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、基板が損傷することを防止しつつ、基板をめっきユニット内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベースで保持することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。
【００１２】
なお、保持ベースにコロを設け、このコロの回転に伴って、基板が保持ベース上をスムーズに移動できるようにすることも考えられるが、保持ベースにコロのような突起物があると、基板を保持ベースで保持する際に基板に局所的な応力がかかる。また仮にコロを必要に応じて保持ベース内部に引っ込めるための機構を備えたとしても、基板と共にめっき液に浸漬させる保持ベースとしては、そのような複雑な構造は好ましくない。特に摺動部がめっき液中にあると、めっき液成分である、例えば銅のような析出物が発生し、析出物が摺動面にはさまって動作不良が起きてしまい、連続して使用することが困難となる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液に電解めっき液を使用した電解めっきユニットで、前記保持ベースの上方には、前記保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとを内部に備え、前記保持ベースと一体に上下動するプロセスユニットが配置されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
【００１４】
このように、保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとをプロセスユニット内に配置し、プロセスユニットを保持ベースに対して下降させた後、プロセスユニットと保持ベースを一体に下降させて、保持ベースで保持した基板、及びプロセスユニット内のアノードをめっき槽内のめっき液（電解めっき液）中に浸漬させることで、電解めっきが可能となる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、該カソード接点の自重が接触圧力となることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
請求項４に記載の発明は、前記プロセスユニットには、めっき液に接液しないめっき槽上部に位置して、前記カソード接点の接触圧力を一定に保つばねが備えられていることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、前記プロセスユニットの前記カソード接点は、接触圧力を変えることが可能であることを特徴とする請求項２記載のめっき装置である。
請求項６に記載の発明は、前記プロセスユニットには、前記カソード接点と前記アノードとの間に位置して、前記アノードまたは被めっき面と垂直に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のめっき装置である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記めっきユニットは、めっき液として無電解めっき液を使用した無電解めっきユニットであることを特徴とする請求項１記載のめっき装置である。
この場合、所定位置に基板を保持した保持ベースを基板と共にめっき液（無電解めっき液）中に浸漬させるだけで、基板の被めっき面にめっき（無電解めっき）を行うことができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記保持ベースは、水平面に対してチルト自在であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のめっき装置である。
このように、保持ベースを水平面に対してチルト自在となし、保持ベースを水平面に対して所定の角度チルトさせた状態で基板と共にめっき液中に浸漬させることで、この浸漬時に生じる液抵抗を小さくすることができる。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、前記基板移送機構は、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニットを備え、各コンベアユニットには、互いに近接した時に基板の端面に接触しながら回転する複数のローラが備えられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板の端面に接触しながら回転する複数のローラを介して、基板を確実に移送することができる。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間には、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構が配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のめっき装置である。
これにより、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに直接移送できない場合に、基板受渡し機構を経由させることで、基板を基板搬送ユニットからめっきユニットに移送することができる。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、前記流体膜形成部は、前記保持ベースの表面に形成した流体供給溝と該流体供給溝に連通する流体供給ラインからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のめっき装置である。
流体としては、液体が好ましく使用されるが、気体または液体と気体を混合させた気液混合体等を使用しても良い。
【００２２】
請求項１２に記載の発明は、前記保持ベースは、真空吸着によって基板を保持することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のめっき装置である。
請求項１３に記載の発明は、前記保持ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のめっき装置である。
保持ベースは、例えば塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂等の樹脂からなる。
【００２３】
請求項１４に記載の発明は、保持ベース上に水平に保持した基板の被めっき面にめっき前処理を行う前処理ユニットと、保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置である。
【００２４】
請求項１５に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【００２５】
請求項１６に記載の発明は、基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面（被めっき面）に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができる。しかも、被めっき面を上向きにした水平状態のまま、基板を水平に移動させて基板の搬送及び基板に対するめっき処理を行うことで、装置の小型化及びスループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の例では、矩形平板状のガラス基板の表面にめっきによって金属膜を成膜する例を示す。
【００２８】
図１は、本発明の実施形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。図１に示すように、このめっき装置は、例えばディスプレイ製造工場に設置されたガラス基板搬送機器からガラス基板を受取ってめっき装置の内部に搬入するロードユニット１０と、めっき装置内でめっき処理を行ったガラス基板Ｗをガラス基板搬送機器等に受渡すアンロードユニット１２を備えており、このロードユニット１０とアンロードユニット１２は、互いに対向する位置に所定間隔離間して配置されている。
【００２９】
ロードユニット１０は、第１基板搬送ユニット１４ａ、第２基板搬送ユニット１４ｂ、第１インライン洗浄ユニット１６ａ、第３基板搬送ユニット１４ｃ、第４基板搬送ユニット１４ｄ、第５基板搬送ユニット１４ｅ及び第６基板搬送ユニット１４ｆを直列に連結した第１基板搬送処理ライン１８ａの第１基板搬送ユニット１４ａに直列に接続されている。アンロードユニット１２は、第７基板搬送ユニット１４ｇ、第８基板搬送ユニット１４ｈ、第９基板搬送ユニット１４ｉ、第１０基板搬送ユニット１４ｊ、第２インライン洗浄ユニット１６ｂ、インライン乾燥ユニット２０及び基板搬送機構２２を直列に連結した第２基板搬送処理ライン１８ｂの該基板搬送機構２２に直列に接続されている。
【００３０】
第１基板基板搬送ライン１８ａと第２基板搬送処理ライン１８ｂとの間に位置して、２台の前処理ユニット２４ａ，２４ｂと、４台のめっきユニット２６ａ〜２６ｄが配置されている。このめっき装置では、第１前処理ユニット２４ａで脱脂等のめっき前洗浄（第１めっき前処理）を行い、第２前処理ユニット２４ｂで酸による洗浄等の活性化処理（第２めっき前処理）を行う。めっきユニット２６ａ〜２６ｄは、この例では、全て同一のめっき処理を行う電解めっきユニットからなり、各ガラス基板に対して１台のめっきユニットが使用され、スループットを考慮して、４台のめっきユニットが備えられている。
【００３１】
次に、このめっき装置におけるガラス基板の流れについて説明する。先ず、ガラス基板搬送機器等から被処理面（被めっき面）を上向きにした水平状態で受取られたガラス基板は、ロードユニット１０で受取られて、第１基板搬送ユニット１４ａに搬送される。そして、ガラス基板は、進行方向を変えられて第１前処理ユニット２４ａに搬送され、ここで脱脂等の第１めっき前処理が行われた後、第１基板搬送ユニット１４ａに戻される。次に、ガラス基板は、第２基板搬送ユニット１４ｂに搬送され、前述と同様にして、第２前処理ユニット２４ｂに搬送されて、ここで活性化等の第２めっき前処理が行われた後、第２基板搬送ユニット１４ｂに戻される。
【００３２】
そして、ガラス基板は、第１インライン洗浄ユニット１６ａにおいて、第１インライン洗浄ユニット１６ａに沿って、第２基板搬送ユニット１４ｂから第３基板搬送ユニット１４ｃに向けて搬送されながら洗浄される。洗浄後のガラス基板は、めっきユニット２６ａ〜２６ｄのいずれか１つのめっきユニットでめっき処理されて、第２基板搬送処理ライン１８ｂに搬送される。例えば第３基板搬送ユニット１４ｃから第１めっきユニット２６ａに搬送され、ここでめっき処理が行われた後、第１０基板搬送ユニット１４ｊに搬送される。
【００３３】
めっき後のガラス基板は、第２インライン洗浄ユニット１６ｂにおいて、第２インライン洗浄ユニット１６ｂに沿って、第１０基板搬送ユニット１４ｊからインライン乾燥ライン２０に向けて搬送されながら洗浄される。更に、インライン乾燥ライン２０において、インライン乾燥ライン２０に沿って、インライン乾燥ライン２０から搬送ユニット２２に向けて搬送されながら乾燥される。そして、基板搬送機構２２を通過して、アンロードユニット２０からガラス基板搬送機器等に受渡される。
【００３４】
ロードユニット１０は、図示しないが、ガラス基板を乗せたアームがめっき装置内に進入し停止した後、搬送ローラを有する昇降機が上昇し、ガラス基板をアームから受取る構造となっている。昇降機が上昇端で停止した後、搬送ローラが回転し、ガラス基板を隣に設置された基板搬送ユニット１４ａに送る。アンロードユニット１２は、この逆の動作で、めっき装置内に進入したアームにガラス基板を受渡す。
【００３５】
インライン洗浄ユニット１６ａ，１６ｂは、図示しないが、ガラス基板が流れる搬送ラインの上部及び下部に設置したシャワーヘッドを有し、このシャワーノズルよりガラス基板に向けて純水を吹付ることで、ガラス基板の表裏に残るめっき液を洗い流す。シャワーを流した状態でガラス基板を送るため、ガラス基板の全面を洗浄することができる。
【００３６】
インライン乾燥ユニット２０は、エアーナイフを用いたものであり、ローラコンベアで移動するガラス基板の表裏両面に向けてエアーナイフからエアーを吹付ことでガラス基板を乾燥する。
【００３７】
図１に示すように、ロードユニット１０とアンロードユニット１２を互いに並行した位置に置くことにより、ディスプレイ製造工場等に設置されたガラス基板搬送機器の移動距離が短くなり、更には、めっき処理前の貯留位置にめっき後のガラス基板を戻すことが容易になる。
【００３８】
図２は、図１において、互いに隣接した位置に配置される、第３基板搬送ユニット１４ｃ、第１めっきユニット２６ａ及び第１０基板搬送ユニット１４ｊを示す平面図で、図３は、図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。なお、基板搬送ユニット１４ａ〜１４ｊは、全て同じ構成であるので、ここでは、基板搬送ユニット１４ｃについてのみ説明し、他の基板搬送ユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。また、めっき装置２６ａ〜２６ｄにあっても、全て同じ構成であるので、ここでは、めっきユニット２６ａについてのみ説明して、他のめっきユニットについては、同一符号を付して説明を省略する。
【００３９】
なお、図１には省略してあるが、図２及び図３に示すように、第３基板搬送ユニット１４ｃと第１めっきユニット２６ａとの間には第１基板受渡し機構２８ａが、第１めっきユニット２６ａと第１０基板搬送ユニット１４ｊとの間には第２基板受渡し機構２８ｂがそれぞれ配置されている。これは、他の基板搬送ユニットとめっきユニットとの関係にあっても同様である。基板受渡し機構２８ａ，２８ｂは、同一構成であるので、基板受渡し機構２８ａのみ説明し、基板受渡し機構２８ｂにあっては、同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】
図２及び図３に示すように、第３基板搬送ユニット１４ｃには、第１基板搬送処理ライン１８ａに沿った搬送方向Ａにガラス基板Ｗを搬送する複数の第１搬送ローラ３０が、該搬送方向Ａに沿った所定のピッチで配置されている。ガラス基板Ｗは、この第１搬送ローラ３０の駆動（回転）に伴って、搬送ローラ３０上を搬送方向Ａに沿って所定位置まで搬送される。更に、ガラス基板Ｗの通過を検知する検知センサ３２と、ガラス基板Ｗを所定の位置に停止させる上下動自在なストッパ３４が備えられている。これにより、ガラス基板Ｗが第１搬送ローラ３０上を搬送されて検知センサ３２上を通過したことを検知センサ３２で検知した時に、ストッパ３４を上昇させ、第１搬送ローラ３０の駆動を停止させて、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃ上の所定の位置に機械的に停止させる。
【００４１】
なお、第１めっきユニット２６ａでめっき処理を行うことなく、例えば第２めっきユニット２６ｂでめっき処理を行うときには、第３基板搬送ユニット１４ｃのストッパ３４を上昇させることなくガラス基板を通過させ、第４基板搬送ユニット１４ｄのストッパを上昇させて、ガラス基板を第４基板搬送ユニット１４ｄ上の所定の位置に停止させる。
【００４２】
第１搬送ローラ３０と互い干渉しない位置に位置して、ガラス基板Ｗの停止位置の下方には、第３基板搬送ユニット１４ｃに隣接するめっきユニット２６ａに向かう搬送方法Ｂにガラス基板を搬送する複数の第２搬送ローラ３６が、該搬送方向Ｂに沿った所定のピッチで配置されている。なお、図２では、第２搬送ローラを省略している。この第２搬送ローラ３６は、ベースに取付けたシリンダ（図示せず）の作動に伴って、第１搬送ローラ３０の下方の待避位置と、第１搬送ローラ３０の上方の図３に示す搬送位置との間を上下動する。
【００４３】
これにより、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃ上の所定位置に機械的に停止させた後、第２搬送ローラ３６を上昇させることで、ガラス基板Ｗを第２搬送ローラ３６で掬い上げて第１搬送ローラ３０から受取り、第２搬送ローラ３６を駆動（回転）させてガラス基板Ｗを搬送方向Ｂに搬送する。
【００４４】
基板受渡し機構２８ａは、該基板受渡し機構２８ａを経由させて、ガラス基板Ｗを第３基板搬送ユニット１４ｃからめっきユニット２６ａに搬送するためのもので、ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂに沿って所定のピッチで配置された、複数（図示では３個）の搬送ローラ３８から構成されている。この搬送ローラ３８は、第３基板搬送ユニット１４ｃの搬送位置に位置する第２搬送ローラ３６と同一高さレベルに配置されている。これにより、基板受渡し機構２８ａは、第３基板搬送ユニット１４ｃの第２搬送ローラ３６から送られてくるガラス基板Ｗを受取り、搬送ローラ３８の駆動（回転）に伴って、ガラス基板Ｗを搬送方向Ｂに搬送して、めっきユニット２６ａに受渡す。
【００４５】
めっきユニット２６ａは、内部にめっき液（電解めっき液）Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の上方に配置された矩形平板状の保持ベース４２とを有しており、ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂに沿って保持ベース４２を挟んだ位置に、入口搬送ローラ４４と出口搬送ローラ４６が基板受渡し機構２８ａと同一高さレベル位置に配置されている。入口搬送ローラ４４と出口搬送ローラ４６の側外方には、ガラス基板Ｗの端面に接触してガラス基板Ｗの進行方向に対する左右のずれを防止するする各一対のガイド板４８が配置されている。
【００４６】
これにより、基板受渡し機構２８ａから送られてくる基板を入口搬送ローラ４４で受取り、基板移送機構を介して、保持ベース４２上の所定の位置に搬送する。そして、めっきユニット２６ａでのめっき処理を終了した後に、保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗを、コンベアユニット５０を介して、出口搬送ローラ４６に搬送し、基板受渡し機構２８ｂで受取って、第１０基板搬送ユニット１４ｊの第２搬送ローラ３６に搬送する。
【００４７】
保持ベース４２は、例えば、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂またはポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂等の樹脂によって、僅かに可撓性を有するように構成されている。ガラス基板Ｗの搬送方向Ｂと直交する方向に沿って保持ベース４２を挟んだ位置には、基板移送機構を構成する、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニット５０，５０が備えられている、この各コンベアユニット５０は、エアシリンダ５２の作動によって移動する移動プレート５４が備えられ、この移動プレート５４の互いに対向する長辺に沿って、複数（図示では４個）の回転ローラ５６が回転自在に支承されている。更に、移動プレート５４の第１０基板搬送ユニット１４ｊ側の端部には、ガラス基板Ｗの保持ベース４２に対する位置決めを行うストッパ５８が鉤状に内方に突出して連接されている（図４参照）。このストッパ５８の近傍に位置して、ガラス基板Ｗが所定の位置に達したことを検知する検知センサ（図示せず）が配置されている。
【００４８】
図４及び図５に示すように、保持ベース４２の上面には、直線状に延びる真空吸着溝４２ａと液体供給溝（流体供給溝）４２ｂが、この例では、交互かつ平行に設けられている。そして、真空吸着溝４２ａは、その両端に設けた貫通孔を通して、真空ライン６２に接続され、液体供給溝４２ｂは、その両端に設けた貫通孔を通して、例えば純水等の液体を供給する液体供給ライン（流体供給ライン）６４に接続されている。この液体供給溝（流体供給溝）４２ｂ及び液体供給ライン（流体供給ライン）６４によって、保持ベース４２の表面（上面）に、例えば純水等の流体を供給して薄い液膜（流体膜）を形成する液膜形成部（流体膜形成部）が構成されている。
【００４９】
なお、この例では、保持ベース４２の上面に、純水等の液体を供給して、薄い液膜を形成するようにした例を示しているが、液体の代わりに、気体（エアー）や液体（純水）と気体（エアー）とを混合させた気液混合体を使用して、保持ベース４２の上面に、気体等からなる薄い流体膜を形成するようにしてもよい。
【００５０】
基板受渡し機構２８ａを経由して、ガラス基板Ｗをめっきユニット２６ａの保持ベース４２上の所定位置に搬送する時には、先ずエアシリンダ５２を作動させ、コンベアユニット５０の移動プレート５４を互いに近接した位置に移動させて、回転ローラ５６を回転させる。更に、液体供給ライン（流体供給ライン）６４から液体供給溝（流体供給溝）４２ｂに純水等の液体（流体）を供給して、保持ベース４２の表面（上面）に純水等の液体（流体）からなる薄い液膜（液体膜）を形成する。これにより、入口搬送ローラ４４から保持ベース４２の上方に向けて送られてきたガラス基板Ｗは、その両端面において、互いに対向する位置に配置されて回転ローラ５６に挟まれた状態で接触し、この回転ローラ５６の回転により、保持ベース４２上を搬送方向Ｂに沿って搬送される。この時、保持ベース４２の表面上には薄い液膜（流体膜）が形成されており、このためガラス基板Ｗは液膜上を滑るように移動する。
【００５１】
そして、ガラス基板Ｗの進行方向前方の端面がストッパ５８に当接してガラス基板Ｗが停止したことを検知センサで検知した時に回転ローラ５６の回転及び液体の供給を停止し、これによって、ガラス基板Ｗを保持ベース４２上の所定位置に停止させる。そして、真空ライン６２を通して、真空吸着溝４２ａを真空引きすることで、ガラス基板Ｗを保持ベース４２上の所定位置に吸着保持する。
【００５２】
このように、保持ベース４２の表面に液体等の流体を供給して液膜等の流体膜を形成し、この流体膜（液膜）の上を滑るようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを移送して保持ベース４２で保持することで、ガラス基板Ｗの端面を強い力で挟んだりガラス基板Ｗの一部分を吸着したりして基板に無理な力をかけたり、基板に強い摩擦力を作用させることをなくして、ガラス基板Ｗが損傷することを防止しつつ、ガラス基板Ｗをめっきユニット２６ａ内の所定の位置にスムーズに移動させて保持ベース４２で保持することができる。
【００５３】
めっき終了後は、上記とほぼ逆の動作で、保持ベース４２でのガラス基板Ｗの保持を解き、保持ベース４２の表面に液体を供給して薄い液膜（流体膜）を形成しながら、ガラス基板Ｗを保持ベース４２から基板受渡し機構２８ｂに向けて送り出す。
【００５４】
保持ベース４２は、矩形状の保持フレーム７０の下端に固定されており、この保持フレーム７０は、この上方に位置する矩形状の昇降フレーム７２に垂下支持されている。つまり、保持フレーム７０は、その一方の辺側において、ヒンジ７４を介して回動自在に昇降フレーム７２に連結され、保持フレーム７０の他方の辺側と昇降フレーム７２との間にはチルト用エアシリンダ７６が配置されている。これにより、チルト用エアシリンダ７６の作動に伴って、図６に示すように、保持フレーム７０全体がヒンジ７４を中心に傾動して、保持ベース４２が水平面に対してチルトするようになっている。
【００５５】
更に、保持ベース４２の上方に位置して、プロセスユニット８０が配置され、このプロセスユニット８０は、保持フレーム７０の上枠体８２に取付けた昇降用エアリンダ８４のロッドに連結されている。これによって、プロセスユニット８０は、昇降用エアシリンダ８４の駆動に伴って、保持ベース４２に対して相対的に昇降し、また、昇降フレーム７２の昇降に伴って、保持フレーム７０及びプロセスユニット８０が一体に昇降するようになっている。このように、昇降フレーム７２は、保持フレーム７０及びプロセスユニット８０の全ての重量を支えており、更に、下記のように、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共にめっき液から引き上げる力もかかる。このため、この例では、昇降フレーム７２の四隅に、一端にカウンターウェート８６を設けたチェーン８８の他端を連結し、昇降用モータ９０の駆動に伴って、チェーン８８を引上げ・引下げることで、バランスを取りながら、少ない動力で、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に昇降させるようにしている。
【００５６】
プロセスユニット８０は、図７及び図８に示すように、保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０を下降させた時に、保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗの両側周縁部に接触して電給する棒状の複数のカソード接点９２と、保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０を下降させ、更に保持ベース４２を固定した状態でプロセスユニット８０と一体に下降させた時に、めっき槽４０内のめっき液Ｑに浸漬されてガラス基板Ｗの上方を覆う位置に配置される矩形状のアノード９４と、ガラス基板Ｗとアノード９４との間に上下に配置される矩形枠状のアノードマスク９６及び中間マスク９８と、カソード接点９２と平行に該該カソード接点９２の内側を覆うよう配置した第１の遮蔽板３００とを有している。アノード９４として、この例では、不溶解アノードを使用している。
【００５７】
カソード接点９２は、給電部３０２から延びる配線３０４に電気的に接続されており、カソード接点９２自体がめっきされないように、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接液する部分おけるガラス基板Ｗとの接触面以外は樹脂等で被覆されている。カソード接点９２のガラス基板Ｗとの接触面は、平坦な銅金属の面に金めっきを施して構成されて、ガラス基板Ｗと接触した時に接触面の全面が当たるようになっている。このとき、カソード接点９２とガラス基板Ｗの接触圧力を一定の範囲に保たなければならないが、ガラス基板Ｗの厚さばらつきがあるため、ばねでカソード接点９２に荷重を掛けることが考えられる。しかし、ばねを樹脂で被覆して、ガラス基板Ｗとともにめっき槽４０内のめっき液Ｑ中に浸漬させると、繰り返しの使用により被覆が剥がれ、そこからめっきが進行して、ばねの表面にめっきが析出するおそれがある。
【００５８】
そこでこの例では、ガラス基板Ｗを水平に設置し、カソード接点９２をガラス基板Ｗに上から当てることで、カソード接点９２自体の自重でこの荷重（接触圧力）を得るようにしている。荷重が不足する場合には、カソード接点９２に錘を付ければ良い。なお、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接触しな位置にばねを配置し、このばねを介してカソード接点９２の荷重（接触圧力）をコントロールするようにしてもよく、この場合、ばねの表面にめっきが析出することを防止することができる。
【００５９】
更に、この例では、めっき槽４０内のめっき液Ｑに接触しない位置にエアシリンダ３０６を配置し、このエアシリンダ３０６でカソード接点９２の接触圧力をコントロールするようにしている。なお、このエアシリンダ３０６を省略してもよいことは勿論である。
【００６０】
この例では、カソード接点９２と、ガラス基板Ｗ及びアノード９４が対面するめっき液間に第１の遮蔽板３００を入れている。これにより、電場が必要な範囲を超えて広がることを抑えられる。一般的には、カソード接点の接触面周りにめっきが厚くつく傾向があるが、このように、第１の遮蔽板３００を用いることにより、カソード接点９２の周りにめっきが厚く付くことが抑えられ、必要とされる被めっき面に成膜されるめっき膜の面内均一性が高く保てるという利点がある。この第１の遮蔽板３００はアノード９４の設置位置より高い位置、即ち、液面より上までカソード接点９２を覆っている。
【００６１】
この実施例においては、カソード接点９２は棒状であり、ガラス基板Ｗの向かい合う２辺にそって平行に設置される。第１の遮蔽板３００は、カソード接点９２に平行に、カソード接点９２とアノード９４の間を遮るように設置される。第１の遮蔽板３００とガラス基板Ｗとの間には、カソード接点９２の接触面周りにめっきが厚くつくことを抑えるため、Ｏリング（図示せず）が設けられている。更に、カソード接点９２より外側とカソード接点９２を設けない基板の向かい合う２辺を取り囲むように、第２の遮蔽板３０８が設置されている。この第２の遮蔽板３０８は、カソード接点９２をサポートする役目も果たしている。第２の遮蔽板３０８の下端にも、Ｏリング（図示せず）が設けられている。第２の遮蔽板３０８のカソード接点９２を設けないガラス基板Ｗの向かい合う２辺には、図７に示すように、めっき液をガラス基板Ｗとアノード９４の間の空間に導入する、側面開口部３１０が設けられている。さらに、めっき時において、めっき液に、側面開口部から入り、対向する側面開口部から出る流れが生じるようにしても良い。保持ベース４２の四隅にはフレーム７０が設けられ、保持ベース４２はフレーム７０により吊り下げられる。
【００６２】
次に、このめっきユニット２６ａによるめっき処理について説明する。
先ず、前述のようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを吸着保持する。次に、昇降用エアシリンダ８４を作動させて、プロセスユニット８０を下降させ、カソード接点９２を保持ベース４２で保持したガラス基板Ｗの周縁部に接触させる。次に、チルト用エアシリンダ７６を作動させて、図６に示すように、保持フレーム７０をプロセスユニット８０と共に、例えば角度θだけ傾動させ、これによって、保持ベース４２を水平面に対して角度θだけチルトさせる。
【００６３】
この状態で、昇降用モータ９０を駆動して、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に下降させ、プロセスユニット８０のアノード９４をめっき槽４０内のめっき液（電解めっき液）Ｑ中に浸漬させる。そして、チルト用エアシリンダ７６を逆作動させて、保持ベース４２を水平に戻し、カソード接点９２とアノード９４との間にめっき電圧を印加して、ガラス基板Ｗの表面をカソードとした電解めっきを所定時間行う。
【００６４】
この時に下降速度は、例えば１０ｍｍ／ｓｅｃ程度であり、下降速度を遅くすることで、めっき液の飛び跳ね等を防止することができる。また、下降時に保持ベース４２を水平面に対してチルトさせることで、下降時の液抵抗を少なくすることができる。
【００６５】
所定時間のめっきを行った後、カソード接点９２及びアノード９４を電源から切離し、前述と同様にして、保持ベース４２を水平面に対してチルトさせた後、昇降用モータ９０を逆駆動して、昇降フレーム７２を保持フレーム７０及びプロセスユニット８０と一体に上昇させて、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共にめっき槽４０内のめっき液から引き上げる。そして、昇降用エアシリンダ８４を逆作動させ、プロセスユニット８０を上昇させて、保持ベース４２を開放させる。
【００６６】
このめっきユニット２６ａは、めっき液として無電解めっき液を使用することで、無電解めっきユニットとしても使用できる。このように無電解めっきユニットとして使用する場合、プロセスユニット及び該プロセスユニットに付帯する昇降機構等は不要となる。無電解めっきユニットとして使用する場合には、前述のようにして、保持ベース４２上の所定位置にガラス基板Ｗを吸着保持し、必要に応じて、保持ベース４２を水平面に対してチルトさせた状態で、保持ベース４２をガラス基板Ｗと共に下降させて、めっき槽４０内のめっき液（無電解めっき液）中に浸漬させることで、ガラス基板Ｗの表面に無電解めっきを行うことができる。
【００６７】
図９は、前処理ユニット２４ａの系統図を示す。前処理ユニット２４ｂも、使用する前処理液（薬液）が異なるだけで前処理ユニット２６ａとほぼ同様な構成である。
【００６８】
前処理ユニット２４ａは、めっき装置２６ａとほぼ同様な構成の保持ベース１００と、この保持ベース１００の上方に上下動自在に配置されたシャワーノズル１０２を有している。そして、ガラス基板Ｗは、前述のめっき装置２６ａとほぼ同様な動作で保持ベース１００上の所定位置に保持された後、ガラス基板Ｗの表面に向けてシャワーノズル１０２から薬液（前処理液）を噴射することで、ガラス基板Ｗの表面の薬液による処理（前処理）を行うように構成されている。
【００６９】
ここで、前処理ユニット２４ａ内の液体の流れについて説明する。ガラス基板Ｗの前処理に用いられた薬液は、保持ベース１００の周りに設けられた樋１０４で受けられて薬液供給タンク１０６に溜められる。薬液供給タンク１０６に溜められた薬液は、ポンプ１０８で送液され、フィルタ１１０、流量計１１２を通って、再びシャワーノズル１０２から保持ベース１００で保持されたガラス基板Ｗの表面に供給される。樋１０４と薬液供給タンク１０６との間には、２つの切換バルブ１１４ａ，１１４ｂが設けられている。薬液を流している時には、薬液供給タンク１１に繋がる切換バルブ１１４ａを開き、薬液を薬液供給タンク１０６に戻して、ガラス基板に再び供給する。前処理が終了した後、純水ライン１１６の切換バルブ１１８を開き、流量計１１２を経て、保持ベース１００で保持されたガラス基板Ｗの表面に純水を供給してガラス基板Ｗの表面を純水で洗浄する。この洗浄に使用された純水は、排水ラインに繋がる切換バルブ１１４ｂを開くことで、排水ラインに排水される。
【００７０】
次に、ガラス基板Ｗを保持ベース１００上に吸着保持する真空ライン１２０について説明する。真空を作るイジェクタ１２２は、閉止バルブ１２４、圧力センサ１２６、気水分離槽１２８を経て保持ベース１００に接続される。ガラス基板Ｗを処理している間は真空吸着を切ることもできるるが、操作の途中で真空ライン１２０に液が入ってくることがあるため、気水分離槽１２８で薬液を捕集する必要がある。また、この真空ライン１２０には、圧縮空気供給ライン１３０も接続されており、切換バルブ１３２を開くことにより、真空を破壊したり、ガラス基板の離脱時にガラス基板の背面から空気を流してガラス基板を浮上させたりすることができる。
【００７１】
図１０は、本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。このめっき装置は、電解めっきユニットと無電解ユニットを組合せて、ガラス基板の表面に電解めっきと無電解めっきの２段のめっき、または一方のめっきを選択的に行うようにしたものであり、互いに対向する位置に、ロードユニット２００とアンロードユニット２０２を有している。
【００７２】
ロードユニット２００は、第１基板搬送ユニット２０４ａ、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、第３基板搬送ユニット２０４ｃ、第２電解めっき前処理ユニット２０６ｂ及び第４基板搬送ユニット２０４ｄを直列に連結した第１基板搬送処理ライン１０８ａの第１基板搬送ユニット２０４ａに直列に接続されている。アンロードユニット２０２は、第５基板搬送ユニット２０４ｅ、第１インライン洗浄ユニット２１０ａ、第６基板搬送ユニット２０４ｆ、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を直列に連結した第２基板搬送処理ライン２０８ｂの該インライン乾燥ユニット２１２に直列に接続されている。
【００７３】
第１基板基板搬送ライン２０８ａと第２基板搬送処理ライン２０８ｂとの間に位置して、無電解めっき前処理ユニット２１４、無電解めっきユニット２１６、第１電解めっき前処理ユニット２０６及び電解めっきユニット２１８が配置されている。
【００７４】
このめっき装置において、無電解めっきを行うときには、第１基板搬送ユニット２０４ａ、無電解めっき前処理ユニット２１４、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、無電解めっきユニット２１６、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を使用する。
【００７５】
電解めっきを行うときには、第１基板搬送ユニット２０４ａ、第２基板搬送ユニット２０４ｂ、第３基板搬送ユニット２０４ｃ、第１電解めっき前処理ユニット２０６ａ、第２電解めっき前処理ユニット２０６ｂ、第４基板搬送ユニット２０４ｄ、第５基板搬送ユニット２０４ｅ、第１インライン洗浄ユニット２１０ａ、第６基板搬送ユニット２０４ｆ、第７基板搬送ユニット２０４ｇ、第２インライン洗浄ユニット２１０ｂ及びインライン乾燥ユニット２１２を使用する。
【００７６】
そして、無電解めっき及び電解めっきの２段のめっきを行うときには、全てのユニットを使用するのであり、これにより、種々のめっきに柔軟に対応することができる。
【００７７】
これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。
【図２】隣接した位置に配置される基板搬送ユニット、めっきユニット及び基板搬送ユニットを示す平面図でである。図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。
【図３】図２の縦断正面図（図１のＡ−Ａ線断面図）である。
【図４】めっきユニットの保持ベースを示す平面図である。
【図５】めっきユニットの保持ベースを示す断面図である、
【図６】めっきユニットの保持ベースを平面に対してチルトさせた状態を示す概要図である。
【図７】めっきユニットのプロセスユニットをガラス基板を保持した保持ベースと共に示す断面図である。
【図８】めっきユニットのプロセスユニットをガラス基板を保持した保持ベースと共に示す平面図である。
【図９】前処理ユニットの系統図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態のめっき装置の全体構成を示す配置図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０ ロードユニット
１２ アンロードユニット
１４ａ〜１４ｊ 基板搬送ユニット
１６ａ，１６ｂ インライン洗浄ユニット
１８ａ，１８ｂ 基板搬送処理ライン
２０ インライン乾燥ユニット
２２ 基板搬送機構
２４ａ，２４ｂ 前処理ユニット
２６ａ〜２６ｄ めっきユニット
２８ａ，２８ｂ 基板受渡し機構
３０ 第１搬送ローラ
３４ ストッパ
３６ 第２搬送ローラ
３８ 搬送ローラ
４０ めっき槽
４２，１００ 保持ベース
４２ａ 真空吸着溝
４２ｂ 液体供給溝（流体供給溝）
４４ 入口搬送ローラ
４６ 出口搬送ローラ
５０ コンベアユニット
５２ エアリンダ
５４ 移動プレート
５６ 回転ローラ
５８ ストッパ
６０ 検知センサ
６２，１２０ 真空ライン
６４ 液体供給ライン（流体供給ライン）
７０ 保持フレーム
７２ 昇降フレーム
７４ ヒンジ
７６ チルト用エアシリンダ
８０ プロセスユニット
８４ 昇降用エアシリンダ
８６ カウンターウェート
８８チェーン
９０ 昇降用モータ
９２ カソード接点
９４ アノード
９６ アノードマスク
９８ 中間マスク
１０２ シャワーノズル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき面を上向きにして基板を水平な状態で搬送する基板搬送ユニットと、該基板搬送ユニットに隣接して配置されためっきユニットを有し、
前記めっきユニットは、
めっき液を保持するめっき槽と、
前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、
前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、
前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記めっきユニットは、めっき液に電解めっき液を使用した電解めっきユニットで、前記保持ベースの上方には、前記保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとを内部に備え、前記保持ベースと一体に上下動するプロセスユニットが配置されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記プロセスユニットの前記カソード接点は、該カソード接点の自重が接触圧力となることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記プロセスユニットには、めっき液に接液しないめっき槽上部に位置して、前記カソード接点の接触圧力を一定に保つばねが備えられていることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項５】
前記プロセスユニットの前記カソード接点は、接触圧力を変えることが可能であることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項６】
前記プロセスユニットには、前記カソード接点と前記アノードとの間に位置して、前記アノードまたは被めっき面と垂直に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっきユニットは、めっき液に無電解めっき液を使用した無電解めっきユニットであることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項８】
前記保持ベースは、水平面に対してチルト自在であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項９】
前記基板移送機構は、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニットを備え、各コンベアユニットには、互いに近接した時に基板の端面に接触しながら回転する複数のローラが備えられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１０】
前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間には、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構が配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１１】
前記流体膜形成部は、前記保持ベースの表面に形成した流体供給溝と該流体供給溝に連通する流体供給ラインからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１２】
前記保持ベースは、真空吸着によって基板を保持することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１３】
前記保持ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１４】
保持ベース上に水平に保持した基板の被めっき面にめっき前処理を行う前処理ユニットと、
保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、
水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、
基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置。
【請求項１５】
基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、
前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、
前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項１６】
基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、
前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項１】
被めっき面を上向きにして基板を水平な状態で搬送する基板搬送ユニットと、該基板搬送ユニットに隣接して配置されためっきユニットを有し、
前記めっきユニットは、
めっき液を保持するめっき槽と、
前記めっき槽の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板を水平に保持し該基板と共にめっき槽内のめっき液中に浸漬される上下動自在な保持ベースと、
前記基板搬送ユニットから基板を受取って前記保持ベース上の所定の位置に移送する基板移送機構と、
前記基板移送時に前記保持ベースの表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
前記めっきユニットは、めっき液に電解めっき液を使用した電解めっきユニットで、前記保持ベースの上方には、前記保持ベースに対して相対的に下降して基板の被めっき面に接触するカソード接点と基板の上方に該基板と平行に配置されるアノードとを内部に備え、前記保持ベースと一体に上下動するプロセスユニットが配置されていることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記プロセスユニットの前記カソード接点は、該カソード接点の自重が接触圧力となることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記プロセスユニットには、めっき液に接液しないめっき槽上部に位置して、前記カソード接点の接触圧力を一定に保つばねが備えられていることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項５】
前記プロセスユニットの前記カソード接点は、接触圧力を変えることが可能であることを特徴とする請求項２記載のめっき装置。
【請求項６】
前記プロセスユニットには、前記カソード接点と前記アノードとの間に位置して、前記アノードまたは被めっき面と垂直に遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項７】
前記めっきユニットは、めっき液に無電解めっき液を使用した無電解めっきユニットであることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。
【請求項８】
前記保持ベースは、水平面に対してチルト自在であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項９】
前記基板移送機構は、互いに近接する方向に移動自在な一対のコンベアユニットを備え、各コンベアユニットには、互いに近接した時に基板の端面に接触しながら回転する複数のローラが備えられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１０】
前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間には、前記基板搬送ユニットと前記めっきユニットとの間で基板の受渡しを行う基板受渡し機構が配置されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１１】
前記流体膜形成部は、前記保持ベースの表面に形成した流体供給溝と該流体供給溝に連通する流体供給ラインからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１２】
前記保持ベースは、真空吸着によって基板を保持することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１３】
前記保持ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項１４】
保持ベース上に水平に保持した基板の被めっき面にめっき前処理を行う前処理ユニットと、
保持ベース上に水平に保持しためっき前処理後の基板の被めっき面にめっきを行うめっきユニットと、
水平に維持した状態で基板を搬送し前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの一方の保持ベース基板を移送する基板搬送ユニットを有し、
基板と保持ベースとの間に流体膜を形成した状態で、前記基板搬送ユニットから前記前処理ユニット及び前記めっきユニットの少なくとも一方に基板を移送することを特徴とするめっき装置。
【請求項１５】
基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、
前記保持ベースを下降させて該保持ベースを基板と共に電解めっき液中に浸漬させ、同時にカソード接点及びアノードを下降させてカソード接点を基板の被めっき面に接触させ、アノードを電解めっき液に浸漬させ、
前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加して基板の被めっき面に電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項１６】
基板を水平に維持し保持ベースの上面に流体膜を形成した状態で基板を該保持ベース上面の所定位置に移送し、
前記保持ベースを下降させ該保持ベースを基板と共に無電解めっき液中に浸漬させて基板の被めっき面に無電解めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−２７０１６７（Ｐ２００９−２７０１６７Ａ）
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１２２５２７（Ｐ２００８−１２２５２７）
【出願日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】
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