ジスルホニウム塩及びその製造方法
【課題】塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー等の分野で使用される、カチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れた光酸発生剤として使用できるジスルホニウム塩の提供。
【解決手段】下記一般式（１）：
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立にパラ位にハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、Ｒ3は、パラ位に炭素数１〜８個のアルキルチオ基又は炭素数６〜１２個のアリールチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
【解決手段】下記一般式（１）：
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立にパラ位にハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、Ｒ3は、パラ位に炭素数１〜８個のアルキルチオ基又は炭素数６〜１２個のアリールチオ基を有す置換アリール基又はフェニル基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー等の分野で使用される光酸発生剤として有用なジスルホニウム塩及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光酸発生剤は、光照射により酸を発生させ、エポキシモノマー、オキセタンモノマー等をカチオン重合させることができるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤等の分野に利用されている。また、半導体のフォトリソグラフィー分野では、露光により光酸発生剤から発生した酸の触媒作用により、レジスト樹脂を不溶化させている保護基を脱離させ、アルカリ現像液に可溶となる化学増幅型レジストが使用されている。
【０００３】
光酸発生剤の分子構造は、照射光を吸収するカチオン部位と、酸の発生源となるアニオン部位とから構成されている。光酸発生剤の代表例としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。スルホニウム塩はヨードニウム塩と比べて、保存安定性が良く、吸収波長がより長波長側にあるという特徴を有することが知られており、様々な構造を有するスルホニウム塩が開発されてきた。スルホニウム塩のアニオン部位として、ＳｂＦ6-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4-、ＰＦ6-等が使用されているが、Ｓｂは劇物であり、Ａｓは毒物であるため、これらの金属元素を含有するオニウム塩は安全性に問題があり、その用途は制限される。また、半導体のフォトリソグラフィー分野では、金属元素を含むアニオン部位（例えばＳｂＦ6-及びＡｓＦ6-）、リン元素を含むアニオン部位（例えばＰＦ6-）、ホウ素元素を含むアニオン部位（例えばＢＦ4-及びＢ（Ｃ6Ｆ5）4-）等を有する光酸発生剤を化学増幅型レジスト用途に使用することはできない。なぜならば、上記のような元素は不純物となり、トランジスター性能に大きな影響を及ぼすからである（例えば、非特許文献１参照）。半導体のフォトリソグラフィー分野で使用される光酸発生剤は、短波長の光による露光条件で使用するため３００ｎｍを超えるような波長の光を通常吸収しないため、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等を露光源とする、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤等の用途では使用できない（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
カチオン重合系に使用する光酸発生剤は、一般に非常に高価である。そのため光酸発生剤の使用量の低減が必須であり、少量でも高感度である光酸発生剤の開発が強く望まれている。
【０００５】
光酸発生剤がモノマー等に溶解しにくい場合、あらかじめプロピレンカーボネート等の有機溶剤に光酸発生剤を溶解させた溶液を使用する場合がある。しかしこの場合、使用後、大気中に該有機溶剤を放出することになるため、環境保全の点から好ましくない。
【０００６】
このように、従来の光酸発生剤は、安全性、用途の制限、長波長光の吸収、感度、モノマー等への溶解性、等の課題を有しており、これらの課題を解決する新たな光酸発生剤の開発が強く望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００１−５１２７１４号公報
【特許文献２】特開２００５−２７５１５３号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】上田充監修、ラドテック研究会編集「ＵＶ・ＥＢ硬化技術の最新動向」第２章材料開発の動向 ３．光重合開始剤 シーエムシー出版（２００６年）
【非特許文献２】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 第２００巻 第１２５７頁 （１９９９年）
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ 第６３巻 第７５２２頁 （１９９８年）
【非特許文献４】Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 第２９巻 第３７５３頁 （１９８１年）
【非特許文献５】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ 第１５１巻 第Ａ１３６３頁 （２００４年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑み、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、カチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れた光酸発生剤として使用できるジスルホニウム塩を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れたスルホニウム塩について鋭意検討した。その結果、カチオン部位としてフェニルチオフェニル基、メチルチオフェニル基等を含有するスルホニウムを有し、アニオン部位として含フッ素スルホンイミデートを有する特定構造のジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下のとおりである。
【００１１】
［１］ 下記一般式（１）：
【化１】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化２】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化３】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
［２］ 上記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、
上記一般式（１）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である、上記［１］に記載のジスルホニウム塩。
［３］ 下記一般式（４）：
【化４】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は上記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化５】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は上記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、上記［１］又は［２］に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
［４］ 上記一般式（５）中のＭがリチウム、ナトリウム又はカリウムである、上記［３］に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明が提供するジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー分野等の様々な用途に好適に使用可能である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に記述する。
【００１４】
［ジスルホニウム塩］
本発明が提供するジスルホニウム塩は、下記一般式（１）：
【化６】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化７】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化８】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩である。
【００１５】
上記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、光酸発生剤の安定性、及び光吸収時の分解性の観点から、各々独立に、上記一般式（２）（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換（式中、Ａが水素原子以外である場合）若しくは非置換（式中、Ａが水素原子である場合）のアリール基である。
【００１６】
上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（２）中のＡは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であることが好ましい。上記Ａは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、又はメチルチオ基であることがより好ましい。
【００１７】
上記一般式（１）中のＲ3は、露光時の光吸収の長波長化、及び光酸発生剤の溶解性向上の観点から、上記一般式（３）（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基である。上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（３）中のＢは、炭素数１〜６個のアルキル基又は炭素数６〜１０個のアリール基であることが好ましい。上記Ｂは、炭素数１〜４個のアルキル基又は炭素数６〜８個のアリール基であることがより好ましい。
【００１８】
後述する一般式（５）で表されるスルホンイミド塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（１）において、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数であり、好ましくは、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜６の整数であり、より好ましくは、ａは１〜４の整数、ｂは２〜５の整数、及びａ’は１〜４の整数であり、さらに好ましくは、ａは１〜４の整数、ｂは２〜４の整数、及びａ’は１〜４の整数である。
【００１９】
Ｒ1及びＲ2の好ましい具体例としては、以下の構造が挙げられる。
【００２０】
・Ａが水素原子であるもの
【化９】
【００２１】
・Ａがハロゲン原子であるもの
【化１０】
【００２２】
・Ａが炭素数１〜８個のアルキル基であるもの
【化１１】
【００２３】
・Ａが炭素数１〜８個のアルコキシ基であるもの
【化１２】
【００２４】
・Ａが炭素数１〜８個のアルキルチオ基であるもの
【化１３】
【００２５】
また、Ｒ3の具体例としては、以下の構造が挙げられる。
【００２６】
・Ｂが炭素数１〜８個のアルキル基であるもの
【化１４】
【００２７】
・Ｂが炭素数６〜１２個のアリール基であるもの
【化１５】
【００２８】
上記一般式（１）のジスルホニウム塩のアニオン部位は、下記構造：
【００２９】
【化１６】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝
を有する。
【００３０】
上記アニオン部位の構造の具体例としては、下記構造：
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
等が例示される。
【００３１】
特に好ましい態様においては、Ａが水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、Ｂが炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基であり、かつａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である。
【００３２】
更に好ましい態様においては、Ａが水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、又はメチルチオ基であり、かつＢが炭素数１〜４個のアルキル基又は炭素数６〜８個のアリール基であり、かつａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である。
【００３３】
特に好ましいジスルホニウム塩は、Ａが水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基又はメチルチオ基であり、かつＲ3が下記式：
【化２２】
であるものである。
【００３４】
本発明のジスルホニウム塩のアニオン部位の構造は、下記構造：
【化２３】
のいずれかであることが特に好ましい。
【００３５】
本発明のジスルホニウム塩の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化２４】
等が挙げられる。
【００３６】
後述の実施例においてより具体的に示すが、本発明者は、実際に光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高いジスルホニウム塩を見出すため、様々な分子構造を有するジスルホニウム塩を合成し、カチオン重合性モノマー（より具体的にはエポキシ化合物）に該ジスルホニウム塩を加えて、光照射による該ジスルホニウム塩のカチオン重合活性を評価した。本発明者は、カチオン部位にフェニルチオフェニル基等を有し、アニオン部位に、下記構造：
【００３７】
【化２５】
【００３８】
等の特定構造のスルホンイミデートを有するジスルホニウム塩が、低露光量でも高いカチオン重合活性を有することを確認した。本発明者は、本発明のジスルホニウム塩が、光酸発生剤として使用される際、重合性モノマーに対する使用量が少なくても良好なカチオン重合活性を付与できることを見出した。
【００３９】
本発明者はまた、本発明のジスルホニウム塩とは対照的に、カチオン部位がトリフェニルスルホニウムである場合、カチオン部位が（１―ナフチル）ジフェニルスルホニウムである場合、及び、カチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムであってもアニオン部位が―Ｎ（ＳＯ2Ｃ2Ｆ5）2等のモノスルホンイミデートであるか又はジスルホンイミデートであっても分子量が大きい場合のスルホニウム塩においては、カチオン重合のために大量の露光量を必要とし、カチオン重合活性が低いことを見出した。
【００４０】
理論に拘束されることを望まないが、カチオン部位にフェニルチオフェニル基を有し、アニオン部位に特定構造のスルホンイミデートを有するジスルホニウム塩においてカチオン重合活性が高い理由は以下のように推測できる。照射光を吸収するカチオン部位において、フェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムの光の吸収波長はトリフェニルスルホニウム等の光の吸収波長よりも長波長側にシフトしているため、本発明のジスルホニウム塩のカチオン重合活性が高いと考えられる。一方、酸の発生源となるアニオン部位については、モノスルホンイミデートと比べて、ジスルホンイミデートは、光照射により発生するジスルホンイミド酸の立体的構造（すなわち嵩高さ）に起因して、重合性モノマーのカチオン重合反応を阻害しにくいため、良好な重合活性を付与できると推定される。また、ジスルホンイミデートの１モル当りの酸発生量がモノスルホンイミデートの２倍となることも良好な重合活性に寄与すると推定される。
【００４１】
さらに、本発明者らは、上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩は、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等のモノマーに対する溶解性が高いことも見出した。上記一般式（１）で示されるように、本発明のジスルホニウム塩においては、アニオン部位がフッ素系スルホンイミデートであることにより、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が良好で、これらの有機化合物に対する溶解性が高いと推定される。また、ジスルホニウム塩のカチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムである場合には、分子構造中の硫黄原子の非共有電子対により有機化合物への親和性が上昇するため、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性及び溶解性が向上すると推定される。
【００４２】
［ジスルホニウム塩の製造方法］
本発明はまた、上述した本発明のジスルホニウム塩を製造する方法であって、下記一般式（４）：
【化２６】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は上記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化２７】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は上記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、ジスルホニウム塩の製造方法を提供する。本発明の製造方法によれば、上記接触及び混合によって生じる交換反応により本発明のジスルホニウム塩を生成させることができる。
【００４３】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物のＲ1、Ｒ2及びＲ3は、上記一般式（１）のＲ1、Ｒ2及びＲ3に対応する。一般式（４）中のｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。ｘが０の場合はアニオン部がフッ素置換スルホン酸とならず置換基として機能しないため、ｘは１以上であり、ｘが８より大きいと立体障害のため置換反応が困難になるため、ｘは８以下である。また、ｙが１より大きいとアニオン部の電子吸引性の低下から酸性度が下がり置換基として機能しないため、ｙは０又は１である。
【００４４】
上記一般式（４）におけるアニオン部位であるスルホネートの具体例としては、
ＣＦ3ＳＯ3-、 ＨＣＦ2ＳＯ3-、
ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ3-、 ＨＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3-、 ＣＦ3ＣＦＨＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）2ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）2ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）3ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）3ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）4ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）4ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）5ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）5ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）6ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）7ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）7ＳＯ3-、
等が挙げられる。
【００４５】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物は、典型的には、後述するように含フッ素スルホン酸（ＣxＦ2x+1-yＨyＳＯ3Ｈ）（式中、ｘ及びｙは、一般式（４）において定義したのと同じ意味を有する）を使用して製造される。よって、含フッ素スルホン酸の入手性、及び上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の合成時のハンドリング性等の理由から、上記一般式（４）において、ｘが１〜６の整数及びｙが０又は１であることが好ましく、ｘが１〜４の整数及びｙが０又は１であることがより好ましい。上記一般式（４）のアニオン部位の特に好ましい構造としては、
ＣＦ3ＳＯ3-、ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ3-、ＨＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3-、及びＣＦ3（ＣＦ2）3ＳＯ3-
が挙げられる。
【００４６】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の製造方法としては、以下の方法：
１）スルフィド化合物とエステル化合物とを含フッ素スルホン酸の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献３参照）；
【化２８】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
２）スルホキシド化合物と芳香族化合物とを、含フッ素スルホン酸及び無水トリフルオロ酢酸の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献４参照）；
【化２９】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
３）スルホキシド化合物と芳香族化合物とを、含フッ素スルホン酸及びＰ2Ｏ5の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献２参照）；
【化３０】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
等が開示されており、製造方法は特に限定されない。
【００４７】
上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩のａ、ｂ及びａ’は、上記一般式（１）のａ、ｂ及びａ’に対応する。上記一般式（５）中のＭは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）である。スルホンイミド塩の合成時の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、より好ましくはＭはアルカリ金属であり、特に好ましくはＭはリチウム、ナトリウム又はカリウムである。
【００４８】
なお、上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩は、例えば非特許文献５又は特許文献１に記載の方法で製造することができる。
【００４９】
本発明のジスルホニウム塩の製造方法においては、原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物における上記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、上記一般式（５）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数であることが好ましい。この場合、上記一般式（１）で表され、かつこれらのＡ、ａ、ｂ及びａ’に対応する構造を有するジスルホニウム塩が生成することになる。
【００５０】
一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化３１】
等が挙げられる。
【００５１】
一般式（５）で表されるスルホンイミド塩の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化３２】
等が挙げられる。
【００５２】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物と上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合して、上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する場合、該接触及び該混合は、溶媒の存在下で行うことができる。使用する溶媒は、反応物質に対して不活性な溶媒であればよい。溶媒の例としては、水、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル系溶媒、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、スルホラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は２種以上混合して使用できる。
【００５３】
上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩の使用量は、上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物１モルに対して、好ましくは０．１モルから５モルであり、より好ましくは０．２モルから２モルであり、特に好ましくは０．４モルから１モルである。過剰量のスルホニウム化合物の残存による生成物単離の困難さを回避する観点から０．１モル以上であることが好ましく、過剰量のスルホンイミド塩の添加による生成物分離の困難を回避する観点から５モル以下であることが好ましい。
【００５４】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物と上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩とを反応させる際、反応温度は、通常、−２０℃から１００℃であるが、好ましくは−１０℃から８０℃であり、より好ましくは０℃から５０℃であり、特に好ましくは１０℃から３０℃である。また反応時間は、通常、０．０１時間から４８時間であるが、好ましくは０．１時間から３６時間、より好ましくは０．２時間から２４時間、特に好ましくは０．５時間から１２時間である。
【００５５】
反応終了後、例えば、反応混合物中の溶媒を減圧留去した後、反応混合物に、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の有機溶媒と水とを加えて、有機層と水層とに分液し、さらに水層を新しい該有機溶媒で抽出する操作を２〜３回繰り返した後、分液された有機層と抽出に用いた有機溶媒とを混合したものから有機溶媒を減圧留去すると、上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を得ることができる。得られたジスルホニウム塩は、従来公知の精製方法、例えば、晶析、カラムクロマトグラフィー等により精製してもよい。
【００５６】
以上のように、本発明によれば、光酸発生剤として有用な物質であって工業的に極めて有用であるジスルホニウム塩及びその製造方法を提供できる。
【００５７】
本発明が提供するジスルホニウム塩は、各種重合性モノマーの重合反応を進行させるための光酸発生剤として使用できる。重合性モノマーとしては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等が挙げられる。重合性モノマーがエポキシ化合物、オキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等である場合、本発明に係るジスルホニウム塩を用いることにより得られる、低露光量で少量の光酸発生剤使用時でもモノマー硬化性が高いという効果が特に顕著である。
【００５８】
エポキシ化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３３】
等が挙げられ、中でも特に典型的な例としては下記化合物：
【化３４】
等が挙げられる。
【００５９】
オキセタン化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３５】
｛式中、ｎは１以上の整数である。｝
等が挙げられる。
【００６０】
ビニルエーテル化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３６】
等が挙げられる。
【実施例】
【００６１】
以下実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、1Ｈ ＮＭＲ及び19Ｆ ＮＭＲによる分子構造解析においては、ＪＮＭ−ＧＳＸ４００Ｇ型核磁気共鳴装置（日本電子株式会社製）を使用し、溶媒として重クロロホルムを、基準物質としてテトラメチルシラン（1Ｈ ＮＭＲ）又はフレオン−１１（ＣＦＣｌ3）（19Ｆ ＮＭＲ）を用いた。
【００６２】
［実施例１］ （Ｐ−１）の合成
【００６３】
【化３７】
【００６４】
アセトニトリル（３ｍＬ）及び水（０．６ｍＬ）が入った５０ｍＬの３口フラスコに、室温でＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3（１２０ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を加えて均一に溶解させた。（４−フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート（１８７ｍｇ、０．３５９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（３ｍＬ）に溶解させた溶液を室温で３口フラスコの中に滴下し、滴下後、室温で３時間攪拌した。反応混合物中の溶媒を減圧留去後、残渣に水とクロロホルムとを加えてクロロホルム層を分液した。さらに残った水層については、クロロホルムで２回抽出操作を行った。これらのクロロホルム溶液を混合した後、硫酸ナトリウムで乾燥後、クロロホルムを減圧留去すると、Ｐ−１（２４４ｍｇ）が得られた（収率９９．７％）。Ｐ−１の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８７-８．３５ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −７８．６７ｐｐｍ（ｓ，６Ｆ）、−１１２．９５ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１９．９９ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００６５】
［実施例２］ （Ｐ−２）の合成
【００６６】
【化３８】
【００６７】
実施例１において、ＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3に代えて、Ｃ4Ｆ9ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2Ｃ4Ｆ9（１７４ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｐ−２（２９２ｍｇ）が得られた（収率１００％）。Ｐ−２の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８６-８．３５ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −８０．３５ｐｐｍ（ｍ，６Ｆ）、−１１２．９１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１３．３１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１９．９２ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１２１．０２ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１２５．７０ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００６８】
［実施例３］（Ｐ−３）の合成
【００６９】
【化３９】
【００７０】
実施例１において、ＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3に代えて、Ｃ2Ｆ5ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2Ｃ2Ｆ5（１３８ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｐ−３（２６３ｍｇ）が得られた（収率９９．８％）。Ｐ−３の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８４-８．３４ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −７８．５３ｐｐｍ（ｓ，６Ｆ）、−１１２．９８ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１７．３６ｐｐｍ（ｓ，４Ｆ）、−１２０．０１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００７１】
［実施例４］ （Ｐ−１）の合成
実施例１において、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネートに代えて、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム １，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート（１９８ｍｇ、０．３５９ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム ビス（ペルフルオロエタンスルホニル）イミデート（Ｐ−１）（２４１ｍｇ）が得られた（収率９８．５％）。
【００７２】
［実施例５〜１０］ 光酸発生剤のスクリーニング実験
下記、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量部）：
【００７３】
【化４０】
【００７４】
メチルイソブチルケトン（３３質量部）、及び上記実施例１〜３で合成したそれぞれのジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）（３質量部）から成る組成物、並びに、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量部）、メチルイソブチルケトン（３３質量部）、及び上記実施例１〜３で合成したそれぞれのジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）（１．５質量部）から成る組成物を調製した後、バーコータを使用して市販のスライドガラス上に該組成物を塗工後、８０℃で１分加熱乾燥し、スライドガラス上に塗膜（膜厚１０μｍ）を作製した。次に、高圧水銀ランプ（ＵＶ照度 ２７ｍＷ／ｃｍ2）を備えた卓上型ＵＶ硬化装置（キュアラブシリーズ ＨＣ−９８、セン特殊光源株式会社製）を使用して、該塗膜に露光した。露光後、室温で２時間放置し、塗膜がタックフリーとなる露光量を求めた。結果を表１に示す。表１により、ジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）は使用量が１．５質量部でも低露光量で塗膜がタックフリーとなることから、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高いことがわかった。
【００７５】
【表１】
【００７６】
［比較例１〜８］
実施例５におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記のスルホニウム塩（Ｃ−１〜Ｃ−４）：
【００７７】
【化４１】
【００７８】
をそれぞれ用いた以外は、実施例６と同様の操作を行い、塗膜がタックフリーとなる露光量を求めた。結果を表２に示す。表２の結果から、表２のスルホニウム塩（Ｃ−１〜Ｃ−４）は、表１のジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）と比べて高露光量を必要とし、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が低いことがわかった。
【００７９】
【表２】
【００８０】
［実施例１１］ エポキシ化合物に対する溶解性試験
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量％）に対して、実施例１で得られたジスルホニウム塩（Ｐ−１）（５質量％）を加え、室温で３０分攪拌した。攪拌後、口径０．４５μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液中に溶解しているＰ−１の量を19Ｆ ＮＭＲ（内部標準として、ヘキサフルオロベンゼンを使用）で定量した。その結果、エポキシ化合物１００質量％に対しＰ−１は４．７０質量％、溶解していることがわかった。
【００８１】
［比較例９］
実施例１１におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記の光酸発生剤（Ｃ−５）：
【００８２】
【化４２】
【００８３】
を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−５の量は、19Ｆ ＮＭＲにより、エポキシ化合物１００質量％に対し、２．５質量％であった。
【００８４】
［比較例１０］
実施例１１におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記の光酸発生剤（Ｃ−６）：
【００８５】
【化４３】
【００８６】
を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−６の量は、19Ｆ ＮＭＲより、エポキシ化合物１００質量％に対し、０．６質量％であった。
【００８７】
［実施例１２］ エポキシシリコ−ン化合物に対する溶解性試験
下記、エポキシシリコーン化合物（１００質量％）：
【００８８】
【化４４】
【００８９】
に対して、実施例１で得られたジスルホニウム塩（Ｐ−１）（５質量％）を加え、室温で３０分攪拌した。攪拌後、口径０．４５μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液中に溶解しているＰ−１の量を19Ｆ ＮＭＲ（内部標準として、ヘキサフルオロベンゼンを使用）で定量した。その結果、エポキシシリコ−ン化合物１００質量％に対しＰ−１は５質量％溶解していることがわかった。
【００９０】
［比較例１１］
実施例１２におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、上記光酸発生剤（Ｃ−１１）を用いた以外は実施例１２と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−１１の量は、19Ｆ ＮＭＲにより、エポキシ化合物１００質量％に対し０質量％であった。
【００９１】
［比較例１２］
実施例１２におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、上記光酸発生剤（Ｃ−１２）を用いた以外は、実施例１２と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−１２の量は、19Ｆ ＮＭＲより、エポキシ化合物１００質量％に対し０．５５質量％であった。
【００９２】
実施例５〜１０及び比較例１〜８から、特定構造のカチオン部位及びアニオン部位を有する本発明のジスルホニウム塩は、低露光量でもカチオン重合活性が高いことが分かった。通常光酸発生剤は、エポキシ化合物１００質量部に対し３〜１０質量部程度を混合して使用するが、実施例５〜１０の結果から、本発明のジスルホニウム塩を光酸発生剤として用いることにより、エポキシ化合物１００質量部に対し、光酸発生剤を１．５質量部混合したような、光酸発生剤の使用量が少ない態様であっても、高いカチオン重合活性が得られることが分かった。
【００９３】
一方、カチオン部位がトリフェニルスルホニウムである場合、カチオン重合活性は低かった（比較例１及び比較例５）。また、カチオン部位が（１―ナフチル）ジフェニルスルホニウムである場合もカチオン重合活性は低かった（比較例４及び比較例８）。さらに、カチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムであっても、アニオン部位が、-Ｎ（ＳＯ2Ｃ2Ｆ5）2等のモノスルホンイミデートであるか、又はジスルホンイミデートであっても分子量が大きい場合には、大量の露光量を必要とし、カチオン重合活性は低かった（比較例２〜３、及び比較例６〜７）。
【００９４】
さらに、上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩は、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等のモノマーに対する溶解性が高かった（実施例１１〜１２、比較例９〜１２）。ジスルホニウム塩のアニオン部位をフッ素系スルホンイミデートにすると、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が向上し、溶解性が向上したと推定される。また、カチオン部位をフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムにすることにより、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が向上し、溶解性が向上したと推定される。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明で得られるジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー分野等の様々な用途に利用することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー等の分野で使用される光酸発生剤として有用なジスルホニウム塩及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光酸発生剤は、光照射により酸を発生させ、エポキシモノマー、オキセタンモノマー等をカチオン重合させることができるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤等の分野に利用されている。また、半導体のフォトリソグラフィー分野では、露光により光酸発生剤から発生した酸の触媒作用により、レジスト樹脂を不溶化させている保護基を脱離させ、アルカリ現像液に可溶となる化学増幅型レジストが使用されている。
【０００３】
光酸発生剤の分子構造は、照射光を吸収するカチオン部位と、酸の発生源となるアニオン部位とから構成されている。光酸発生剤の代表例としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。スルホニウム塩はヨードニウム塩と比べて、保存安定性が良く、吸収波長がより長波長側にあるという特徴を有することが知られており、様々な構造を有するスルホニウム塩が開発されてきた。スルホニウム塩のアニオン部位として、ＳｂＦ6-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4-、ＰＦ6-等が使用されているが、Ｓｂは劇物であり、Ａｓは毒物であるため、これらの金属元素を含有するオニウム塩は安全性に問題があり、その用途は制限される。また、半導体のフォトリソグラフィー分野では、金属元素を含むアニオン部位（例えばＳｂＦ6-及びＡｓＦ6-）、リン元素を含むアニオン部位（例えばＰＦ6-）、ホウ素元素を含むアニオン部位（例えばＢＦ4-及びＢ（Ｃ6Ｆ5）4-）等を有する光酸発生剤を化学増幅型レジスト用途に使用することはできない。なぜならば、上記のような元素は不純物となり、トランジスター性能に大きな影響を及ぼすからである（例えば、非特許文献１参照）。半導体のフォトリソグラフィー分野で使用される光酸発生剤は、短波長の光による露光条件で使用するため３００ｎｍを超えるような波長の光を通常吸収しないため、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等を露光源とする、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤等の用途では使用できない（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
カチオン重合系に使用する光酸発生剤は、一般に非常に高価である。そのため光酸発生剤の使用量の低減が必須であり、少量でも高感度である光酸発生剤の開発が強く望まれている。
【０００５】
光酸発生剤がモノマー等に溶解しにくい場合、あらかじめプロピレンカーボネート等の有機溶剤に光酸発生剤を溶解させた溶液を使用する場合がある。しかしこの場合、使用後、大気中に該有機溶剤を放出することになるため、環境保全の点から好ましくない。
【０００６】
このように、従来の光酸発生剤は、安全性、用途の制限、長波長光の吸収、感度、モノマー等への溶解性、等の課題を有しており、これらの課題を解決する新たな光酸発生剤の開発が強く望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００１−５１２７１４号公報
【特許文献２】特開２００５−２７５１５３号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】上田充監修、ラドテック研究会編集「ＵＶ・ＥＢ硬化技術の最新動向」第２章材料開発の動向 ３．光重合開始剤 シーエムシー出版（２００６年）
【非特許文献２】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 第２００巻 第１２５７頁 （１９９９年）
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ 第６３巻 第７５２２頁 （１９９８年）
【非特許文献４】Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ 第２９巻 第３７５３頁 （１９８１年）
【非特許文献５】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ 第１５１巻 第Ａ１３６３頁 （２００４年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑み、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、カチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れた光酸発生剤として使用できるジスルホニウム塩を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れたスルホニウム塩について鋭意検討した。その結果、カチオン部位としてフェニルチオフェニル基、メチルチオフェニル基等を含有するスルホニウムを有し、アニオン部位として含フッ素スルホンイミデートを有する特定構造のジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れていることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は以下のとおりである。
【００１１】
［１］ 下記一般式（１）：
【化１】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化２】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化３】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
［２］ 上記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、
上記一般式（１）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である、上記［１］に記載のジスルホニウム塩。
［３］ 下記一般式（４）：
【化４】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は上記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化５】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は上記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、上記［１］又は［２］に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
［４］ 上記一般式（５）中のＭがリチウム、ナトリウム又はカリウムである、上記［３］に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明が提供するジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー分野等の様々な用途に好適に使用可能である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について詳細に記述する。
【００１４】
［ジスルホニウム塩］
本発明が提供するジスルホニウム塩は、下記一般式（１）：
【化６】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化７】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化８】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩である。
【００１５】
上記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、光酸発生剤の安定性、及び光吸収時の分解性の観点から、各々独立に、上記一般式（２）（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換（式中、Ａが水素原子以外である場合）若しくは非置換（式中、Ａが水素原子である場合）のアリール基である。
【００１６】
上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（２）中のＡは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であることが好ましい。上記Ａは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、又はメチルチオ基であることがより好ましい。
【００１７】
上記一般式（１）中のＲ3は、露光時の光吸収の長波長化、及び光酸発生剤の溶解性向上の観点から、上記一般式（３）（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基である。上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（３）中のＢは、炭素数１〜６個のアルキル基又は炭素数６〜１０個のアリール基であることが好ましい。上記Ｂは、炭素数１〜４個のアルキル基又は炭素数６〜８個のアリール基であることがより好ましい。
【００１８】
後述する一般式（５）で表されるスルホンイミド塩を合成する際の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（１）において、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数であり、好ましくは、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜６の整数であり、より好ましくは、ａは１〜４の整数、ｂは２〜５の整数、及びａ’は１〜４の整数であり、さらに好ましくは、ａは１〜４の整数、ｂは２〜４の整数、及びａ’は１〜４の整数である。
【００１９】
Ｒ1及びＲ2の好ましい具体例としては、以下の構造が挙げられる。
【００２０】
・Ａが水素原子であるもの
【化９】
【００２１】
・Ａがハロゲン原子であるもの
【化１０】
【００２２】
・Ａが炭素数１〜８個のアルキル基であるもの
【化１１】
【００２３】
・Ａが炭素数１〜８個のアルコキシ基であるもの
【化１２】
【００２４】
・Ａが炭素数１〜８個のアルキルチオ基であるもの
【化１３】
【００２５】
また、Ｒ3の具体例としては、以下の構造が挙げられる。
【００２６】
・Ｂが炭素数１〜８個のアルキル基であるもの
【化１４】
【００２７】
・Ｂが炭素数６〜１２個のアリール基であるもの
【化１５】
【００２８】
上記一般式（１）のジスルホニウム塩のアニオン部位は、下記構造：
【００２９】
【化１６】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝
を有する。
【００３０】
上記アニオン部位の構造の具体例としては、下記構造：
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
等が例示される。
【００３１】
特に好ましい態様においては、Ａが水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、Ｂが炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基であり、かつａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である。
【００３２】
更に好ましい態様においては、Ａが水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基、又はメチルチオ基であり、かつＢが炭素数１〜４個のアルキル基又は炭素数６〜８個のアリール基であり、かつａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である。
【００３３】
特に好ましいジスルホニウム塩は、Ａが水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基、メトキシ基又はメチルチオ基であり、かつＲ3が下記式：
【化２２】
であるものである。
【００３４】
本発明のジスルホニウム塩のアニオン部位の構造は、下記構造：
【化２３】
のいずれかであることが特に好ましい。
【００３５】
本発明のジスルホニウム塩の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化２４】
等が挙げられる。
【００３６】
後述の実施例においてより具体的に示すが、本発明者は、実際に光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高いジスルホニウム塩を見出すため、様々な分子構造を有するジスルホニウム塩を合成し、カチオン重合性モノマー（より具体的にはエポキシ化合物）に該ジスルホニウム塩を加えて、光照射による該ジスルホニウム塩のカチオン重合活性を評価した。本発明者は、カチオン部位にフェニルチオフェニル基等を有し、アニオン部位に、下記構造：
【００３７】
【化２５】
【００３８】
等の特定構造のスルホンイミデートを有するジスルホニウム塩が、低露光量でも高いカチオン重合活性を有することを確認した。本発明者は、本発明のジスルホニウム塩が、光酸発生剤として使用される際、重合性モノマーに対する使用量が少なくても良好なカチオン重合活性を付与できることを見出した。
【００３９】
本発明者はまた、本発明のジスルホニウム塩とは対照的に、カチオン部位がトリフェニルスルホニウムである場合、カチオン部位が（１―ナフチル）ジフェニルスルホニウムである場合、及び、カチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムであってもアニオン部位が―Ｎ（ＳＯ2Ｃ2Ｆ5）2等のモノスルホンイミデートであるか又はジスルホンイミデートであっても分子量が大きい場合のスルホニウム塩においては、カチオン重合のために大量の露光量を必要とし、カチオン重合活性が低いことを見出した。
【００４０】
理論に拘束されることを望まないが、カチオン部位にフェニルチオフェニル基を有し、アニオン部位に特定構造のスルホンイミデートを有するジスルホニウム塩においてカチオン重合活性が高い理由は以下のように推測できる。照射光を吸収するカチオン部位において、フェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムの光の吸収波長はトリフェニルスルホニウム等の光の吸収波長よりも長波長側にシフトしているため、本発明のジスルホニウム塩のカチオン重合活性が高いと考えられる。一方、酸の発生源となるアニオン部位については、モノスルホンイミデートと比べて、ジスルホンイミデートは、光照射により発生するジスルホンイミド酸の立体的構造（すなわち嵩高さ）に起因して、重合性モノマーのカチオン重合反応を阻害しにくいため、良好な重合活性を付与できると推定される。また、ジスルホンイミデートの１モル当りの酸発生量がモノスルホンイミデートの２倍となることも良好な重合活性に寄与すると推定される。
【００４１】
さらに、本発明者らは、上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩は、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等のモノマーに対する溶解性が高いことも見出した。上記一般式（１）で示されるように、本発明のジスルホニウム塩においては、アニオン部位がフッ素系スルホンイミデートであることにより、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が良好で、これらの有機化合物に対する溶解性が高いと推定される。また、ジスルホニウム塩のカチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムである場合には、分子構造中の硫黄原子の非共有電子対により有機化合物への親和性が上昇するため、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性及び溶解性が向上すると推定される。
【００４２】
［ジスルホニウム塩の製造方法］
本発明はまた、上述した本発明のジスルホニウム塩を製造する方法であって、下記一般式（４）：
【化２６】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は上記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化２７】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は上記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、ジスルホニウム塩の製造方法を提供する。本発明の製造方法によれば、上記接触及び混合によって生じる交換反応により本発明のジスルホニウム塩を生成させることができる。
【００４３】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物のＲ1、Ｒ2及びＲ3は、上記一般式（１）のＲ1、Ｒ2及びＲ3に対応する。一般式（４）中のｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。ｘが０の場合はアニオン部がフッ素置換スルホン酸とならず置換基として機能しないため、ｘは１以上であり、ｘが８より大きいと立体障害のため置換反応が困難になるため、ｘは８以下である。また、ｙが１より大きいとアニオン部の電子吸引性の低下から酸性度が下がり置換基として機能しないため、ｙは０又は１である。
【００４４】
上記一般式（４）におけるアニオン部位であるスルホネートの具体例としては、
ＣＦ3ＳＯ3-、 ＨＣＦ2ＳＯ3-、
ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ3-、 ＨＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3-、 ＣＦ3ＣＦＨＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）2ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）2ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）3ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）3ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）4ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）4ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）5ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）5ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）6ＳＯ3-、
ＣＦ3（ＣＦ2）7ＳＯ3-、 ＨＣＦ2（ＣＦ2）7ＳＯ3-、
等が挙げられる。
【００４５】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物は、典型的には、後述するように含フッ素スルホン酸（ＣxＦ2x+1-yＨyＳＯ3Ｈ）（式中、ｘ及びｙは、一般式（４）において定義したのと同じ意味を有する）を使用して製造される。よって、含フッ素スルホン酸の入手性、及び上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の合成時のハンドリング性等の理由から、上記一般式（４）において、ｘが１〜６の整数及びｙが０又は１であることが好ましく、ｘが１〜４の整数及びｙが０又は１であることがより好ましい。上記一般式（４）のアニオン部位の特に好ましい構造としては、
ＣＦ3ＳＯ3-、ＣＦ3ＣＦ2ＳＯ3-、ＨＣＦ2ＣＦ2ＳＯ3-、及びＣＦ3（ＣＦ2）3ＳＯ3-
が挙げられる。
【００４６】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の製造方法としては、以下の方法：
１）スルフィド化合物とエステル化合物とを含フッ素スルホン酸の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献３参照）；
【化２８】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
２）スルホキシド化合物と芳香族化合物とを、含フッ素スルホン酸及び無水トリフルオロ酢酸の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献４参照）；
【化２９】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
３）スルホキシド化合物と芳香族化合物とを、含フッ素スルホン酸及びＰ2Ｏ5の存在下で反応させる方法（例えば、非特許文献２参照）；
【化３０】
｛式中、Ｒ1’、Ｒ2’及びＲ3’は、各々独立にアルキル基又はアリール基であり、Ｒｆ’はフッ素で置換されたアルキル基又はアリール基である。｝
等が開示されており、製造方法は特に限定されない。
【００４７】
上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩のａ、ｂ及びａ’は、上記一般式（１）のａ、ｂ及びａ’に対応する。上記一般式（５）中のＭは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）である。スルホンイミド塩の合成時の原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、より好ましくはＭはアルカリ金属であり、特に好ましくはＭはリチウム、ナトリウム又はカリウムである。
【００４８】
なお、上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩は、例えば非特許文献５又は特許文献１に記載の方法で製造することができる。
【００４９】
本発明のジスルホニウム塩の製造方法においては、原材料の入手性、ハンドリング性等の理由から、上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物における上記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、上記一般式（５）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数であることが好ましい。この場合、上記一般式（１）で表され、かつこれらのＡ、ａ、ｂ及びａ’に対応する構造を有するジスルホニウム塩が生成することになる。
【００５０】
一般式（４）で表されるスルホニウム化合物の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化３１】
等が挙げられる。
【００５１】
一般式（５）で表されるスルホンイミド塩の好ましい化合物例としては、下記化合物：
【化３２】
等が挙げられる。
【００５２】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物と上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合して、上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する場合、該接触及び該混合は、溶媒の存在下で行うことができる。使用する溶媒は、反応物質に対して不活性な溶媒であればよい。溶媒の例としては、水、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル系溶媒、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、スルホラン等が挙げられる。これらの溶媒は単独又は２種以上混合して使用できる。
【００５３】
上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩の使用量は、上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物１モルに対して、好ましくは０．１モルから５モルであり、より好ましくは０．２モルから２モルであり、特に好ましくは０．４モルから１モルである。過剰量のスルホニウム化合物の残存による生成物単離の困難さを回避する観点から０．１モル以上であることが好ましく、過剰量のスルホンイミド塩の添加による生成物分離の困難を回避する観点から５モル以下であることが好ましい。
【００５４】
上記一般式（４）で表されるスルホニウム化合物と上記一般式（５）で表されるスルホンイミド塩とを反応させる際、反応温度は、通常、−２０℃から１００℃であるが、好ましくは−１０℃から８０℃であり、より好ましくは０℃から５０℃であり、特に好ましくは１０℃から３０℃である。また反応時間は、通常、０．０１時間から４８時間であるが、好ましくは０．１時間から３６時間、より好ましくは０．２時間から２４時間、特に好ましくは０．５時間から１２時間である。
【００５５】
反応終了後、例えば、反応混合物中の溶媒を減圧留去した後、反応混合物に、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の有機溶媒と水とを加えて、有機層と水層とに分液し、さらに水層を新しい該有機溶媒で抽出する操作を２〜３回繰り返した後、分液された有機層と抽出に用いた有機溶媒とを混合したものから有機溶媒を減圧留去すると、上記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を得ることができる。得られたジスルホニウム塩は、従来公知の精製方法、例えば、晶析、カラムクロマトグラフィー等により精製してもよい。
【００５６】
以上のように、本発明によれば、光酸発生剤として有用な物質であって工業的に極めて有用であるジスルホニウム塩及びその製造方法を提供できる。
【００５７】
本発明が提供するジスルホニウム塩は、各種重合性モノマーの重合反応を進行させるための光酸発生剤として使用できる。重合性モノマーとしては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等が挙げられる。重合性モノマーがエポキシ化合物、オキセタン化合物、ビニルエーテル化合物等である場合、本発明に係るジスルホニウム塩を用いることにより得られる、低露光量で少量の光酸発生剤使用時でもモノマー硬化性が高いという効果が特に顕著である。
【００５８】
エポキシ化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３３】
等が挙げられ、中でも特に典型的な例としては下記化合物：
【化３４】
等が挙げられる。
【００５９】
オキセタン化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３５】
｛式中、ｎは１以上の整数である。｝
等が挙げられる。
【００６０】
ビニルエーテル化合物の具体例としては、下記化合物：
【化３６】
等が挙げられる。
【実施例】
【００６１】
以下実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、1Ｈ ＮＭＲ及び19Ｆ ＮＭＲによる分子構造解析においては、ＪＮＭ−ＧＳＸ４００Ｇ型核磁気共鳴装置（日本電子株式会社製）を使用し、溶媒として重クロロホルムを、基準物質としてテトラメチルシラン（1Ｈ ＮＭＲ）又はフレオン−１１（ＣＦＣｌ3）（19Ｆ ＮＭＲ）を用いた。
【００６２】
［実施例１］ （Ｐ−１）の合成
【００６３】
【化３７】
【００６４】
アセトニトリル（３ｍＬ）及び水（０．６ｍＬ）が入った５０ｍＬの３口フラスコに、室温でＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3（１２０ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を加えて均一に溶解させた。（４−フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネート（１８７ｍｇ、０．３５９ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（３ｍＬ）に溶解させた溶液を室温で３口フラスコの中に滴下し、滴下後、室温で３時間攪拌した。反応混合物中の溶媒を減圧留去後、残渣に水とクロロホルムとを加えてクロロホルム層を分液した。さらに残った水層については、クロロホルムで２回抽出操作を行った。これらのクロロホルム溶液を混合した後、硫酸ナトリウムで乾燥後、クロロホルムを減圧留去すると、Ｐ−１（２４４ｍｇ）が得られた（収率９９．７％）。Ｐ−１の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８７-８．３５ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −７８．６７ｐｐｍ（ｓ，６Ｆ）、−１１２．９５ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１９．９９ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００６５】
［実施例２］ （Ｐ−２）の合成
【００６６】
【化３８】
【００６７】
実施例１において、ＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3に代えて、Ｃ4Ｆ9ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2Ｃ4Ｆ9（１７４ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｐ−２（２９２ｍｇ）が得られた（収率１００％）。Ｐ−２の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８６-８．３５ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −８０．３５ｐｐｍ（ｍ，６Ｆ）、−１１２．９１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１３．３１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１９．９２ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１２１．０２ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１２５．７０ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００６８】
［実施例３］（Ｐ−３）の合成
【００６９】
【化３９】
【００７０】
実施例１において、ＣＦ3ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2ＣＦ3に代えて、Ｃ2Ｆ5ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2（ＣＦ2）4ＳＯ2Ｎ（Ｎａ）ＳＯ2Ｃ2Ｆ5（１３８ｍｇ、０．１８０ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｐ−３（２６３ｍｇ）が得られた（収率９９．８％）。Ｐ−３の分子構造解析結果は以下の通りである。
1Ｈ ＮＭＲ ７．８４-８．３４ｐｐｍ（ｍ，３８Ｈ）
19Ｆ ＮＭＲ −７８．５３ｐｐｍ（ｓ，６Ｆ）、−１１２．９８ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）、−１１７．３６ｐｐｍ（ｓ，４Ｆ）、−１２０．０１ｐｐｍ（ｍ，４Ｆ）
【００７１】
［実施例４］ （Ｐ−１）の合成
実施例１において、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネートに代えて、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム １，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート（１９８ｍｇ、０．３５９ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、（４―フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウム ビス（ペルフルオロエタンスルホニル）イミデート（Ｐ−１）（２４１ｍｇ）が得られた（収率９８．５％）。
【００７２】
［実施例５〜１０］ 光酸発生剤のスクリーニング実験
下記、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量部）：
【００７３】
【化４０】
【００７４】
メチルイソブチルケトン（３３質量部）、及び上記実施例１〜３で合成したそれぞれのジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）（３質量部）から成る組成物、並びに、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量部）、メチルイソブチルケトン（３３質量部）、及び上記実施例１〜３で合成したそれぞれのジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）（１．５質量部）から成る組成物を調製した後、バーコータを使用して市販のスライドガラス上に該組成物を塗工後、８０℃で１分加熱乾燥し、スライドガラス上に塗膜（膜厚１０μｍ）を作製した。次に、高圧水銀ランプ（ＵＶ照度 ２７ｍＷ／ｃｍ2）を備えた卓上型ＵＶ硬化装置（キュアラブシリーズ ＨＣ−９８、セン特殊光源株式会社製）を使用して、該塗膜に露光した。露光後、室温で２時間放置し、塗膜がタックフリーとなる露光量を求めた。結果を表１に示す。表１により、ジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）は使用量が１．５質量部でも低露光量で塗膜がタックフリーとなることから、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高いことがわかった。
【００７５】
【表１】
【００７６】
［比較例１〜８］
実施例５におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記のスルホニウム塩（Ｃ−１〜Ｃ−４）：
【００７７】
【化４１】
【００７８】
をそれぞれ用いた以外は、実施例６と同様の操作を行い、塗膜がタックフリーとなる露光量を求めた。結果を表２に示す。表２の結果から、表２のスルホニウム塩（Ｃ−１〜Ｃ−４）は、表１のジスルホニウム塩（Ｐ−１〜Ｐ−３）と比べて高露光量を必要とし、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が低いことがわかった。
【００７９】
【表２】
【００８０】
［実施例１１］ エポキシ化合物に対する溶解性試験
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（１００質量％）に対して、実施例１で得られたジスルホニウム塩（Ｐ−１）（５質量％）を加え、室温で３０分攪拌した。攪拌後、口径０．４５μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液中に溶解しているＰ−１の量を19Ｆ ＮＭＲ（内部標準として、ヘキサフルオロベンゼンを使用）で定量した。その結果、エポキシ化合物１００質量％に対しＰ−１は４．７０質量％、溶解していることがわかった。
【００８１】
［比較例９］
実施例１１におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記の光酸発生剤（Ｃ−５）：
【００８２】
【化４２】
【００８３】
を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−５の量は、19Ｆ ＮＭＲにより、エポキシ化合物１００質量％に対し、２．５質量％であった。
【００８４】
［比較例１０］
実施例１１におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、下記の光酸発生剤（Ｃ−６）：
【００８５】
【化４３】
【００８６】
を用いた以外は実施例１１と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−６の量は、19Ｆ ＮＭＲより、エポキシ化合物１００質量％に対し、０．６質量％であった。
【００８７】
［実施例１２］ エポキシシリコ−ン化合物に対する溶解性試験
下記、エポキシシリコーン化合物（１００質量％）：
【００８８】
【化４４】
【００８９】
に対して、実施例１で得られたジスルホニウム塩（Ｐ−１）（５質量％）を加え、室温で３０分攪拌した。攪拌後、口径０．４５μｍのＰＴＦＥフィルターで濾過し、濾液中に溶解しているＰ−１の量を19Ｆ ＮＭＲ（内部標準として、ヘキサフルオロベンゼンを使用）で定量した。その結果、エポキシシリコ−ン化合物１００質量％に対しＰ−１は５質量％溶解していることがわかった。
【００９０】
［比較例１１］
実施例１２におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、上記光酸発生剤（Ｃ−１１）を用いた以外は実施例１２と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−１１の量は、19Ｆ ＮＭＲにより、エポキシ化合物１００質量％に対し０質量％であった。
【００９１】
［比較例１２］
実施例１２におけるジスルホニウム塩（Ｐ−１）に代えて、上記光酸発生剤（Ｃ−１２）を用いた以外は、実施例１２と同様の操作を行ったが、得られた溶液中には未溶解の固形物が目視で確認された。口径０．４５μｍのＰＴＦＥで該溶液を濾過後、濾液中に溶解しているＣ−１２の量は、19Ｆ ＮＭＲより、エポキシ化合物１００質量％に対し０．５５質量％であった。
【００９２】
実施例５〜１０及び比較例１〜８から、特定構造のカチオン部位及びアニオン部位を有する本発明のジスルホニウム塩は、低露光量でもカチオン重合活性が高いことが分かった。通常光酸発生剤は、エポキシ化合物１００質量部に対し３〜１０質量部程度を混合して使用するが、実施例５〜１０の結果から、本発明のジスルホニウム塩を光酸発生剤として用いることにより、エポキシ化合物１００質量部に対し、光酸発生剤を１．５質量部混合したような、光酸発生剤の使用量が少ない態様であっても、高いカチオン重合活性が得られることが分かった。
【００９３】
一方、カチオン部位がトリフェニルスルホニウムである場合、カチオン重合活性は低かった（比較例１及び比較例５）。また、カチオン部位が（１―ナフチル）ジフェニルスルホニウムである場合もカチオン重合活性は低かった（比較例４及び比較例８）。さらに、カチオン部位がフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムであっても、アニオン部位が、-Ｎ（ＳＯ2Ｃ2Ｆ5）2等のモノスルホンイミデートであるか、又はジスルホンイミデートであっても分子量が大きい場合には、大量の露光量を必要とし、カチオン重合活性は低かった（比較例２〜３、及び比較例６〜７）。
【００９４】
さらに、上記一般式（１）で表される本発明のジスルホニウム塩は、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等のモノマーに対する溶解性が高かった（実施例１１〜１２、比較例９〜１２）。ジスルホニウム塩のアニオン部位をフッ素系スルホンイミデートにすると、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が向上し、溶解性が向上したと推定される。また、カチオン部位をフェニルチオフェニル（ジフェニル）スルホニウムにすることにより、エポキシ化合物、エポキシシリコーン化合物等の有機化合物に対する親和性が向上し、溶解性が向上したと推定される。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明で得られるジスルホニウム塩は、金属、リン及びホウ素の元素を本質的に含まず、光酸発生剤としてのカチオン重合活性が高く、モノマー等に対する溶解性に優れるため、塗料、コーティング剤、光硬化型接着剤、半導体のフォトリソグラフィー分野等の様々な用途に利用することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
【化１】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化２】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化３】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
【請求項２】
前記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、
前記一般式（１）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である、請求項１に記載のジスルホニウム塩。
【請求項３】
下記一般式（４）：
【化４】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化５】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は前記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって前記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、請求項１又は２に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【請求項４】
前記一般式（５）中のＭがリチウム、ナトリウム又はカリウムである、請求項３に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【請求項１】
下記一般式（１）：
【化１】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、各々独立に、下記一般式（２）：
【化２】
（式中、Ａは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜８個のアルキル基、炭素数１〜８個のアルコキシ基、又は炭素数１〜８個のアルキルチオ基を表す）で表される置換又は非置換のアリール基を表し、Ｒ3は下記一般式（３）：
【化３】
（式中、Ｂは、炭素数１〜８個のアルキル基又は炭素数６〜１２個のアリール基を表す）で表される置換アリール基を表し、ａ、ｂ及びａ’は各々独立に１〜８の整数である。｝で表される、ジスルホニウム塩。
【請求項２】
前記一般式（２）中のＡが、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４個のアルキル基、炭素数１〜４個のアルコキシ基、又は炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、かつ、
前記一般式（１）中のａが１〜４の整数、ｂが２〜５の整数、及びａ’が１〜４の整数である、請求項１に記載のジスルホニウム塩。
【請求項３】
下記一般式（４）：
【化４】
｛式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記一般式（１）において定義したのと同じ意味であり、ｘは１〜８の整数であり、そしてｙは０又は１である。｝で表されるスルホニウム化合物と、下記一般式（５）：
【化５】
｛式中、ａ、ｂ及びａ’は前記一般式（３）において定義したのと同じ意味であり、Ｍは、Ｍ1ａ又はＭ2ｂ1/2（式中、Ｍ1はアルカリ金属を表し、Ｍ2はアルカリ土類金属を表す）を表す。｝で表されるスルホンイミド塩とを接触させ及び混合することによって前記一般式（１）で表されるジスルホニウム塩を形成する、請求項１又は２に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【請求項４】
前記一般式（５）中のＭがリチウム、ナトリウム又はカリウムである、請求項３に記載のジスルホニウム塩の製造方法。
【公開番号】特開２０１１−６８６０２（Ｐ２０１１−６８６０２Ａ）
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２１３９７（Ｐ２００９−２２１３９７）
【出願日】平成２１年９月２５日（２００９．９．２５）
【出願人】（０００００００３３）旭化成株式会社 (901)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月７日（２０１１．４．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月２５日（２００９．９．２５）
【出願人】（０００００００３３）旭化成株式会社 (901)
【Ｆターム（参考）】
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