セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法、及びこれらから製造された銅配線絶縁フィルム
【課題】キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供する。
【解決手段】銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面特性が(a1)うねりの波長が5μm以下、(b1)うねりの波長が120mm以上、及び(c1)うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下より選ばれること。
【解決手段】銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面特性が(a1)うねりの波長が5μm以下、(b1)うねりの波長が120mm以上、及び(c1)うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下より選ばれること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法に関するものであり、特にICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した銅配線絶縁フィルムを得るための銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
【背景技術】
【0002】
カメラ、パソコン、液晶ディスプレイなどの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィルムは広く使用されている。
芳香族ポリイミドフィルムをフレキシブルプリント回路基板(FPC)やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)などの基板材料として使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
【0003】
銅箔としてキャリア付き極薄銅箔を用いた銅張積層板が開示されている。
特許文献1には、厚みが1〜8μmの銅箔、熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とする接着層、および耐熱性フィルムを備えた、銅張積層体が開示されている。
特許文献2には、合成樹脂フィルムの片面または両面に金属層を設けてなる金属積層体において、前記金属層が5ミクロン以下の金属箔である積層体が開示されている。
【0004】
【特許文献1】特開2002−316386号公報
【特許文献2】WO2002/034509号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
キャリア付き銅箔積層フィルムを用いて、銅箔と絶縁フィルムの密着性が良好で、セミアディティブ法により直線性に優れる微細配線を形成可能で、回路視認性の優れた銅配線ポリイミドフィルムの製造法が公開されている。しかし、平滑な銅箔を作製するとき、銅箔表面にはうねりが発生する。銅配線板を製造するとき、銅箔積層フィルムの銅積層側のフィルム表面にうねりがある場合、うねりの上に形成された配線はうねりの影響を受けて傾く可能性がある。そのためIC等のチップを実装する場合、うねりのある配線板は、うねりの無い配線板よりも、接続不良や配線の倒れが発生する可能性が高くなると考えらる。特に配線ピッチが小さくなればなるほどその影響は大きくなると考える。同様に絶縁フィルム表面の形状は、積層する銅箔表面形状のレプリカとなる場合が多く、配線を形成する絶縁フィルム表面のうねりも重要になる。
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第一は、銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
本発明の第ニは、上記本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルムに関する。
本発明の銅配線絶縁フィルムは、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムである。
【0007】
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜35μmピッチの銅配線部分を有する銅配線絶縁フィルムを製造することが出来、これらの銅配線絶縁フィルムは、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された銅配線絶縁フィルムを製造することが出来る。
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法において、積層に用いる絶縁フィルムとの積層側の銅箔表面のうねり、積層後の絶縁フィルムの積層側の銅箔表面のうねり、或いは銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりは、銅箔や絶縁フィルムなどの基材表面全体、好ましくは銅箔や絶縁フィルムなどの基材の銅配線を形成する表面のうねり、より好ましくは10〜45μmピッチ、さらに好ましくは15〜35μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりを意味する。
【0008】
一般にうねりとは、断面曲線から波長の短い表面粗さの成分を除去して得られる曲線で、例えばJIS・B0610に表面うねりとして規定されている。
本発明においては、ICなどのチップと銅配線の接続不良を、低波長から高波長まで広範囲を想定して説明しており、波長の短い表面粗さの成分も含めてうねりとして、うねり曲線は波長と振幅で定義する。
【発明の効果】
【0009】
本発明により、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができ、ピッチ間隔を小さくしてもICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができる。
本発明により製造された銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板(FPC)やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)、チップ・オン・フィルム(COF)などの配線基板として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下、実施の態様により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の態様に限定されるものではない。
【0011】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法について、一実施の態様を以下に示す。
図1には、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により銅配線絶縁フィルムを製造する方法の一例を、工程(a)から工程(h)の順序で示す。本発明では公知のセミアディティブ法を用いることができる。
図1(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いるキャリア付き銅箔積層絶縁フィルム1を示し、絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3とが積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。
図1(b)では、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム1よりキャリア箔5を剥がし、銅箔と絶縁フィルムとが直接積層している銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図1(c)では、必要に応じて銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を薄くするためにエッチングを行ない(ハーフエッチング)、
図1(d)では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔の上部にフォトレジスト層17を設け、
図1(e)では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる銅箔が現れ、
図1(f)では、フォトレジスト層17を除去して現れる配線パターンとなる銅箔の上部に銅メッキ層10を設け、
図1(g)では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層17を除去し、
図1(h)では、配線パターンとならない部位の銅箔をフラッシュエッチングにより除去し、銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
さらに図1(i)では、銅配線絶縁フィルムの銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層9を設けることにより、金属メッキされた銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
【0012】
図1(c)の銅箔の薄膜化工程(ハーフエッチング)は必要に応じて行なえばよく、例えば銅箔の厚さが厚い場合は、銅箔の薄膜化工程を行なうことが好ましい。
銅箔の厚いや薄いは、使用する目的に応じて適宜判断すればよく、好ましくはエッチングによりエッチング後の銅箔の厚みが少なくとも0.5μm以上となるように行うことが好ましい。
【0013】
図1(c)の銅箔のハーフエッチングとしては、公知の方法を適宜選択して行なうことが出来、例えば銅箔積層絶縁フィルムを公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などで銅箔を更に薄くする方法を用いることができる。ハーフエッチ液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製DP−200や旭電化工業製アデカテックCAPなどがあげられる。
【0014】
図1(d)において、フォトレジスト層は、ネガ型やポジ型を用いることが出来、液体状、フィルム状などを用いることができる。
フォトレジストは、代表的にはネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして例えば旭化成製SPG−152、日立化成製RY−3215などがあげられる。
【0015】
図1(e)のフォトレジスト層を現像除去する方法としては、公知のフォトレジスト層の現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液(1%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。
【0016】
図1(f)の銅メッキ工程としては、公知の銅メッキ条件を適宜選択して行なうことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dm2の電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができ、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。
【0017】
図1(h)のフラッシュエッチング工程では、フラッシュエッチング液を用いて、浸漬又はスプレーにより露出した銅配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。
フラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第ニ鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製FE−830、旭電化工業製AD−305Eなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部(配線)の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。
【0018】
キャリア付銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、銅配線絶縁フィルムの製造する方法の一例を図2に、工程(a)から工程(i)の順序で示す。
図2(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム100を示し、キャリア付き銅箔3と絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3’との順で積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。キャリア付き銅箔3’は、銅箔4’とキャリア5’とが積層している。
図2(b)では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム100よりキャリア箔5及びキャリア箔5’を剥がし、銅箔4と絶縁フィルムと銅箔4’とが直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図2(c)では、両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)を薄くするためにエッチングを行ない(ハーフエッチング)、その後両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔31を形成する。貫通孔は複数設けることができる。孔形成加工とハーフエッチングとは順序が逆になっても良い。
図2(d)では、銅箔積層絶縁フィルムの貫通孔31の絶縁表面に導電化皮膜を形成し、銅箔4と銅箔4’を導通させる。
図2(e)では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)の上部にフォトレジスト層(17、17’)を設け、
図2(f)では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる複数の銅箔部分(32、32’)が現れ、
図2(g)では、フォトレジスト層(17、17’)を除去して現れる銅箔部分(32、32’)の上部に銅メッキ層(10、10’)を設け、
図2(h)では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層を除去し、
図2(i)では、配線パターンとならない部位の銅箔などの銅をフラッシュエッチングにより除去し、両面銅配線絶縁フィルム101を製造することができる。
図2(i)で、両面銅配線絶縁フィルム101のフラッシュエッチングで銅を除去している部分を記号8、8’で示す。
両面銅配線絶縁フィルム101の貫通孔の上部に形成されている両面の銅配線は導通している。
さらに図2(j)では、両面銅配線絶縁フィルム101の銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層(9、9’)を設けることにより、金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム102を製造することができる。
さらに両面銅配線絶縁フィルム101又は金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム102は、銅配線の一部に、ICチップなどのチップ部材や他の金属配線を、ACFや金などの金属や合金により1つ以上接続することが出来る。
【0019】
図3の工程(a)から工程(d)には、図2の工程(a)から工程(c)の別の一例を示す。
図3(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム100を示し、キャリア付き銅箔3と絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3’との順で積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。キャリア付き銅箔3’は、銅箔4’とキャリア5’とが積層している。
図3(b)では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム100より片面のキャリア箔5のみを剥がし、銅箔4と絶縁フィルムと銅箔4’とキャリア5’が直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図3(c)では、両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔31を形成する加工を行なう。この場合、キャリア5’にも貫通孔を形成してもよい。さらに銅箔4’とキャリア5’を残し、ブラインドビアを形成してもよい。貫通孔またはブラインドビアは複数設けることができる。
図3(b)又は図3(c)のキャリア5’はフィルムの支持体として、又は貫通孔加工時の保護材として、有効に利用することができる。
図3(d)では、その後キャリア5’を剥がし、さらに必要に応じて両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)を薄くするためにエッチングを行なう(ハーフエッチング)。
図3(d)で得られる両面銅箔積層絶縁フィルムは、以後図2の工程(d)以降の処理を行なうことができる。
【0020】
図1、図2或いは図3で示す工程では、ロールツウロールで連続して処理することができる。
【0021】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的一例を示す。
キャリア付銅箔を用いる場合には片面又は両面のキャリア箔を引き剥がす前若しくは剥がした後に、例えばUV−YAGレーザーで片面又は両面の銅箔と、絶縁フィルムの一部とを同時に除去して、貫通孔又はブラインドビア孔を形成する。或いは、絶縁フィルムに穴をあける部位の銅箔を予めエッチング等で除去した上で炭酸ガスレーザーを照射して絶縁フィルムを除去しブラインドビアを形成したり、あるいはパンチまたはドリルにより両面を貫通する孔を形成してもよい。必要に応じて、孔形成前または後に銅張積層板を公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などにより薄銅箔を更に薄くする。ハーフエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製DP−200や旭電化工業製アデカテックCAPなどがあげられる。
パターンめっき法による配線部の形成と孔を導通するビア形成を電解めっきで同時に行なう工程は、貫通孔またはブラインドビア内のデスミアを行ない、例えばパラジウム−スズ皮膜をパラジウム−スズコロイド触媒を用いて形成するいわゆるDPS(Direct Plating System)法にて貫通孔またはブラインドビア内に導電皮膜を形成し、両面の銅箔上にフォトタイプのドライフィルムメッキレジストを塗布又はラミネートした後、配線パターンのフォトマスクを介して露光した後に、1%炭酸ソーダ水溶液などをスプレー現像して配線パターンとなる部位と孔を導通させる部位のメッキレジスト層を除去し、薄銅箔の露出部を酸等で洗浄したのち、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で薄銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dm2の電流密度で電解銅めっきを行なって、孔内及び両面の回路部に銅層を形成する。ここで、DPS工程として例えば荏原ユージライトのライザトロンDPSシステムがあげられる。ここでは、モノエタノールアミンを主剤とする水溶液で表面をトリートメントしてパラジウム−スズコロイド触媒の吸着しやすい状態を形成する、つづいてソフトエッチング液で薄銅箔のトリートメントされた吸着しやすい表面を除去し、銅箔表面にパラジウム−スズ皮膜が形成する事を抑制し、銅箔表面と電解めっきの密着強度を確保する。塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でPd−Sn被膜を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。前記の方法により、Pd−Snからなる抵抗値の低い被膜を得ることができる。前記のドライフィルムとしては、ネガ型タイプのレジストやポジ型タイプのレジストが挙げられ、例えばネガ型メッキレジストとして旭化成製SPG−152、日立化成製RY−3215などがあげられる。電解銅メッキとしては、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。次に、2%苛性ソーダ水溶液などをスプレーしてメッキレジスト層を剥離除去した後、フラッシュエッチング液に浸漬またはスプレーにより露出した配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。フラッシュエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第2鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製FE−830、旭電化工業製AD−305Eなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない、回路基板が得られる。
【0022】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的な例をしめすと、
ロ−ル巻状両面に銅箔を積層した絶縁フィルムより、10.5cm×25cm角の試料を切り出し、キャリア付銅箔の場合には両面のキャリア箔を剥がす。UV−YAGレーザー[エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリーズ社製(ESI社)、モデル5320、波長355μm]にて、両面の電解銅箔および絶縁層にレーザー加工し、スルーホールVIAを形成するための貫通孔を形成する。銅箔をハーフエッチ液として荏原ユージライト製DP−200を用いて25℃・2分間浸漬し、銅箔厚みを1μmにし、孔内のレーザースミア等を荏原ユージライト社のライザトロンDS(デスミア)プロセスによって除去後、同じく荏原ユージライト社のライザトロンDPSプロセスにより導電化皮膜を形成する。DPS処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト(旭化成製SPG−152)を110℃の熱ロールでラミネート後、回路形成部位(配線パターン)とスルーホールとなる部位以外を露光し、1%炭酸ソーダ水溶液で30℃・20秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去する。薄銅箔の露出部と導電化皮膜を形成した貫通孔内を脱脂・酸洗後、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として2A/dm2の電流密度で25℃、30分間電解銅めっきを行ない、導電化皮膜を形成した貫通孔内部と銅メッキ10μm厚みのパターンメッキを行う。続いて、2%苛性ソーダ水溶液を42℃で15秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液(旭電化工業製AD−305E)で30℃・30秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去すると30μmピッチの両面に銅配線を有する絶縁フィルムを得ることができる。
【0023】
銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは25〜35μmピッチの銅配線を形成している部分を有する。
好ましくは銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは25〜35μmピッチの銅配線を形成している部分の少なくとも一部又は全部が、
上記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは上記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有する絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりと積層された絶縁フィルム表面上、
又は上記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれるうねり特性、好ましくは上記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれるうねり特性を有する銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面上に形成されていることが好ましい。
ここでピッチとは銅配線と銅配線間のスペースとを併せた幅のことであり、30μmピッチとは、一例として銅配線15μm、銅配線間のスペース15μmを示す。
銅配線絶縁フィルムは、さらに銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキすることができる。
【0024】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
1)銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層したもの、
2)キャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、
キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するもの、
或いは、
3)銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するもの、
を挙げることが出来る。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
【0025】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有する銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができる。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
【0026】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
銅箔厚みが、0.5〜5μm、好ましくは0.6〜4.5μm、より好ましくは0.7〜4μm、さらに好ましくは0.8〜3.5μm、特に好ましくは0.9〜3μmものを用いることができる。
銅箔は、電解銅箔や圧延銅箔などの銅及び銅合金などを用いることが出来、特に電解銅箔を好ましく用いることができる。
【0027】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
キャリアの厚さは、特に限定していないが、厚みの薄い銅箔を補強できるものであればよく、キャリアの厚みが好ましくは6〜40μm、さらに好ましくは9〜35μm、より好ましくは9〜18μmであり、銅箔4の厚みが好ましくは0.5〜8μm、さらに好ましくは0.5〜6μm、より好ましくは0.5〜5μm、より好ましくは0.5〜4μmであり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の表面粗さRzが好ましくは1.0μm以下、さらに好ましくは0.8μm以下、より好ましくは0.7μm以下である。
さらに本発明は上記のキャリア付き銅箔3と絶縁、好ましくは高耐熱性の芳香族絶縁層の片面或いは両面に熱圧着性の絶縁フィルムが積層一体化して得られた多層の絶縁との積層物では、150℃×168時間後でも優れた接着強度を有している配線基板を得ることができる。
【0028】
キャリア付き銅箔のキャリアは、特に材質は限定していないが、銅箔とはり合わすことができ、銅箔を補強保護し、容易に銅箔と引き剥がせ、絶縁を積層する積層温度に耐える役割を有するものであればよく、例えばアルミニウム箔、銅箔、表面をメタルコーティングした樹脂などを用いることができる。
キャリア箔付電解銅箔では、キャリア箔の表面上に電解銅箔となる銅成分を電析させるので、キャリア箔には少なくとも導電性を有することが必要となる。
キャリア箔は、連続した製造工程を流れ、少なくとも銅箔積層絶縁フィルムの製造終了時までは、銅箔層と接合した状態を維持し、ハンドリングを容易にしているものを用いることができる。
キャリア箔は、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔を引き剥がして除去するもの、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔をエッチング法にて除去するものなどを用いることができる。
キャリア付き銅箔において、金属或いはセラミックスの接合剤によってキャリアと銅箔とが接合されたものは、耐熱性に優れ好適に用いることができる。
【0029】
銅箔は、絶縁フィルムと積層する少なくとも片面がNi、Cr、Co、Zn、Sn及びMoから選ばれる少なくとも1種の金属又はこれらの金属を少なくとも1種含む合金で、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、耐薬品処理などの表面処理されているものを用いることができ、さらにシランカップリング処理されたものを用いることができる。
【0030】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いる絶縁フィルムは、キャリア付き銅箔と直接、或いは接着剤層を介して加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができ、好ましくはプリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、TABテープ、COF基板等の電子部品のベース素材として用いられる絶縁フィルムなどを挙げることができる。
絶縁フィルムとしては、線膨張係数(50〜200℃)が絶縁フィルムに積層する銅箔の線膨張係数に近いことが好ましく、絶縁フィルムの線膨張係数(50〜200℃)は0.5×10−5〜2.8×10−5cm/cm/℃であることが好ましい。
絶縁フィルムとしては、熱収縮率が0.05%以下のものをもちいることが、熱変形が小さく好ましい。
絶縁フィルムとしては、単層、2層以上を積層した複層のフィルム、シートの形状として用いることができる。
【0031】
絶縁フィルムの厚みは、特に限定されないが、銅箔との積層が問題なく行なえ、製造や取扱が行なえ、銅箔を充分に支持できる厚みであれば良く、好ましくは1〜300μm、より好ましくは2〜100μm、さらに好ましくは5〜50μm、より好ましくは7〜25μm、特に好ましくは8〜15μmのものを用いることが好ましい。
【0032】
絶縁フィルムとしては、基板の少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理された基板を用いることができる。
【0033】
銅箔積層絶縁フィルムの絶縁フィルムは、耐熱性の絶縁層(b)の片面又は両面に、銅箔と加圧又は加圧加熱することにより直接積層することができる熱圧着性絶縁層(a)を有する少なくとも2層以上の多層の絶縁フィルムを用いることができる。
また銅箔積層絶縁フィルムは、耐熱性絶縁層(b)と銅箔とを、熱圧着性絶縁層(a)を介して加圧又は加圧加熱することにより積層したものを用いることができる。
【0034】
絶縁フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマーなどの公知の配線基材を用いることが出来る。
【0035】
絶縁フィルムのポリイミドの具体例としては、商品名「ユーピレックス(S、又はR)」(宇部興産社製)、商品名「カプトン」(東レ・デュポン社製、デュポン社製)、商品名「アピカル」(カネカ社製)などの絶縁フィルム、又はこれらのフィルムを構成する酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムなどを挙げる事ができる。
【0036】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法は、配線ピッチが10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは20〜35μmピッチの銅配線を形成している部分を有する。
【0037】
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板(FPC)、テ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)、チップ・オン・フィルム(COF)などの配線材料として使用することができる。
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルム、及びこれらの銅配線の一部又は全部が金属メッキされた片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、銅配線或いはめっきされた銅配線の一部に、ICチップなどのチップ部材や他の金属配線を、直接、ACFなどの熱硬化や熱軟化の接着性樹脂層、又は金、錫などの金属或いは合金により1つ以上を接続することが出来る。
【0038】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねり曲線の振幅が0〜0.5μm以内の場合、波長に関わらずインナーリードの配線高低差がAu−Au接合方式、Au−Sn接合方式、又はACF接合方式の高低差許容値内となるため、波長に関わらず振幅が0〜0.5μm以内であれば、ファインピッチの銅配線、例えば10〜45μmピッチの銅配線を形成しても、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制できる。
【0039】
本発明の銅配線絶縁フィルムの一例として、うねりの振幅0.3μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図4〜図6に示す。
図4はうねりの波長が2μmであり、図5はうねりの波長が40μmであり、図6はうねりの波長が150mmの場合である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅1μm、うねりの波長2μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図7に示す。
図8は、図7の配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線を、さらに平坦性の高いめっき処理によって形成されている模式図である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅1μm、うねりの波長150mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図9に示す。
図10は、図9と同じうねりであるが、幅方向の描画範囲を、配線上部に実装を想定している長辺30mmのICチップと同じとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。ICチップ長辺幅の中点15mmの位置でICチップが最初に接するように実装すると仮定する場合、チップの中央と両端位置でのインナーリード高低差は0.2μm以下となり、ICチップ実装時の障害とならないことが理解できる。
図4〜図10では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾きやインナーリード高低差の値が小さく、ICチップなどのチップ実装時に障害とならないと考えられる。
【0040】
本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例として、図11にはうねりの振幅1μm、波長40μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示し、図12にはうねりの振幅1μm、波長30mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図13にはうねりの振幅1μm、波長60mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。
図11〜図13では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾き又はインナーリード高低差の値が大きくなり、ICチップなどのチップ実装時に障害となると考えられる。
【0041】
物性評価は以下の方法に従って行うことができる。
1)絶縁フィルムのガラス転移温度(Tg):動的粘弾性法により、tanδのピーク値から求めた(引張り法、周波数6.28rad/秒、昇温速度10℃/分)。
2)絶縁フィルムの線膨張係数(50〜200℃):TMA法により、20〜200℃平均線膨張係数を測定した(引張り法、昇温速度5℃/分)。
【図面の簡単な説明】
【0042】
【図1】片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により片面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図2】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により両面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図3】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムより貫通孔形成までの製造工程の一例を説明する工程図である。
【図4】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図5】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図6】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図7】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図8】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図9】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図10】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図11】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図12】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図13】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【符号の説明】
【0043】
1:片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
2:絶縁フィルム、
3,3’:キャリア付き銅箔、
4,4’:銅箔、
5,5’:キャリア、
8,8’:銅箔が除去されて現れる絶縁フィルム表面、
9,9’:金属メッキ、
10,10’:銅メッキ、
17,17’:フォトレジスト層、
21,21’:導電化皮膜、
100:両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
101:両面銅配線絶縁フィルム、
102:両面に金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム。
【技術分野】
【0001】
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法に関するものであり、特にICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した銅配線絶縁フィルムを得るための銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
【背景技術】
【0002】
カメラ、パソコン、液晶ディスプレイなどの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィルムは広く使用されている。
芳香族ポリイミドフィルムをフレキシブルプリント回路基板(FPC)やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)などの基板材料として使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
【0003】
銅箔としてキャリア付き極薄銅箔を用いた銅張積層板が開示されている。
特許文献1には、厚みが1〜8μmの銅箔、熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とする接着層、および耐熱性フィルムを備えた、銅張積層体が開示されている。
特許文献2には、合成樹脂フィルムの片面または両面に金属層を設けてなる金属積層体において、前記金属層が5ミクロン以下の金属箔である積層体が開示されている。
【0004】
【特許文献1】特開2002−316386号公報
【特許文献2】WO2002/034509号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
キャリア付き銅箔積層フィルムを用いて、銅箔と絶縁フィルムの密着性が良好で、セミアディティブ法により直線性に優れる微細配線を形成可能で、回路視認性の優れた銅配線ポリイミドフィルムの製造法が公開されている。しかし、平滑な銅箔を作製するとき、銅箔表面にはうねりが発生する。銅配線板を製造するとき、銅箔積層フィルムの銅積層側のフィルム表面にうねりがある場合、うねりの上に形成された配線はうねりの影響を受けて傾く可能性がある。そのためIC等のチップを実装する場合、うねりのある配線板は、うねりの無い配線板よりも、接続不良や配線の倒れが発生する可能性が高くなると考えらる。特に配線ピッチが小さくなればなるほどその影響は大きくなると考える。同様に絶縁フィルム表面の形状は、積層する銅箔表面形状のレプリカとなる場合が多く、配線を形成する絶縁フィルム表面のうねりも重要になる。
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第一は、銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
本発明の第ニは、上記本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルムに関する。
本発明の銅配線絶縁フィルムは、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムである。
【0007】
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜35μmピッチの銅配線部分を有する銅配線絶縁フィルムを製造することが出来、これらの銅配線絶縁フィルムは、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された銅配線絶縁フィルムを製造することが出来る。
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法において、積層に用いる絶縁フィルムとの積層側の銅箔表面のうねり、積層後の絶縁フィルムの積層側の銅箔表面のうねり、或いは銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりは、銅箔や絶縁フィルムなどの基材表面全体、好ましくは銅箔や絶縁フィルムなどの基材の銅配線を形成する表面のうねり、より好ましくは10〜45μmピッチ、さらに好ましくは15〜35μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりを意味する。
【0008】
一般にうねりとは、断面曲線から波長の短い表面粗さの成分を除去して得られる曲線で、例えばJIS・B0610に表面うねりとして規定されている。
本発明においては、ICなどのチップと銅配線の接続不良を、低波長から高波長まで広範囲を想定して説明しており、波長の短い表面粗さの成分も含めてうねりとして、うねり曲線は波長と振幅で定義する。
【発明の効果】
【0009】
本発明により、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができ、ピッチ間隔を小さくしてもICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができる。
本発明により製造された銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板(FPC)やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)、チップ・オン・フィルム(COF)などの配線基板として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下、実施の態様により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の態様に限定されるものではない。
【0011】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法について、一実施の態様を以下に示す。
図1には、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により銅配線絶縁フィルムを製造する方法の一例を、工程(a)から工程(h)の順序で示す。本発明では公知のセミアディティブ法を用いることができる。
図1(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いるキャリア付き銅箔積層絶縁フィルム1を示し、絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3とが積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。
図1(b)では、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム1よりキャリア箔5を剥がし、銅箔と絶縁フィルムとが直接積層している銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図1(c)では、必要に応じて銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を薄くするためにエッチングを行ない(ハーフエッチング)、
図1(d)では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔の上部にフォトレジスト層17を設け、
図1(e)では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる銅箔が現れ、
図1(f)では、フォトレジスト層17を除去して現れる配線パターンとなる銅箔の上部に銅メッキ層10を設け、
図1(g)では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層17を除去し、
図1(h)では、配線パターンとならない部位の銅箔をフラッシュエッチングにより除去し、銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
さらに図1(i)では、銅配線絶縁フィルムの銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層9を設けることにより、金属メッキされた銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
【0012】
図1(c)の銅箔の薄膜化工程(ハーフエッチング)は必要に応じて行なえばよく、例えば銅箔の厚さが厚い場合は、銅箔の薄膜化工程を行なうことが好ましい。
銅箔の厚いや薄いは、使用する目的に応じて適宜判断すればよく、好ましくはエッチングによりエッチング後の銅箔の厚みが少なくとも0.5μm以上となるように行うことが好ましい。
【0013】
図1(c)の銅箔のハーフエッチングとしては、公知の方法を適宜選択して行なうことが出来、例えば銅箔積層絶縁フィルムを公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などで銅箔を更に薄くする方法を用いることができる。ハーフエッチ液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製DP−200や旭電化工業製アデカテックCAPなどがあげられる。
【0014】
図1(d)において、フォトレジスト層は、ネガ型やポジ型を用いることが出来、液体状、フィルム状などを用いることができる。
フォトレジストは、代表的にはネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして例えば旭化成製SPG−152、日立化成製RY−3215などがあげられる。
【0015】
図1(e)のフォトレジスト層を現像除去する方法としては、公知のフォトレジスト層の現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液(1%など)などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。
【0016】
図1(f)の銅メッキ工程としては、公知の銅メッキ条件を適宜選択して行なうことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dm2の電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができ、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。
【0017】
図1(h)のフラッシュエッチング工程では、フラッシュエッチング液を用いて、浸漬又はスプレーにより露出した銅配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。
フラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第ニ鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製FE−830、旭電化工業製AD−305Eなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部(配線)の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。
【0018】
キャリア付銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、銅配線絶縁フィルムの製造する方法の一例を図2に、工程(a)から工程(i)の順序で示す。
図2(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム100を示し、キャリア付き銅箔3と絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3’との順で積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。キャリア付き銅箔3’は、銅箔4’とキャリア5’とが積層している。
図2(b)では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム100よりキャリア箔5及びキャリア箔5’を剥がし、銅箔4と絶縁フィルムと銅箔4’とが直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図2(c)では、両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)を薄くするためにエッチングを行ない(ハーフエッチング)、その後両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔31を形成する。貫通孔は複数設けることができる。孔形成加工とハーフエッチングとは順序が逆になっても良い。
図2(d)では、銅箔積層絶縁フィルムの貫通孔31の絶縁表面に導電化皮膜を形成し、銅箔4と銅箔4’を導通させる。
図2(e)では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)の上部にフォトレジスト層(17、17’)を設け、
図2(f)では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる複数の銅箔部分(32、32’)が現れ、
図2(g)では、フォトレジスト層(17、17’)を除去して現れる銅箔部分(32、32’)の上部に銅メッキ層(10、10’)を設け、
図2(h)では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層を除去し、
図2(i)では、配線パターンとならない部位の銅箔などの銅をフラッシュエッチングにより除去し、両面銅配線絶縁フィルム101を製造することができる。
図2(i)で、両面銅配線絶縁フィルム101のフラッシュエッチングで銅を除去している部分を記号8、8’で示す。
両面銅配線絶縁フィルム101の貫通孔の上部に形成されている両面の銅配線は導通している。
さらに図2(j)では、両面銅配線絶縁フィルム101の銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層(9、9’)を設けることにより、金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム102を製造することができる。
さらに両面銅配線絶縁フィルム101又は金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム102は、銅配線の一部に、ICチップなどのチップ部材や他の金属配線を、ACFや金などの金属や合金により1つ以上接続することが出来る。
【0019】
図3の工程(a)から工程(d)には、図2の工程(a)から工程(c)の別の一例を示す。
図3(a)には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム100を示し、キャリア付き銅箔3と絶縁フィルム2とキャリア付き銅箔3’との順で積層している。キャリア付き銅箔3は、銅箔4とキャリア5とが積層している。キャリア付き銅箔3’は、銅箔4’とキャリア5’とが積層している。
図3(b)では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム100より片面のキャリア箔5のみを剥がし、銅箔4と絶縁フィルムと銅箔4’とキャリア5’が直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図3(c)では、両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔31を形成する加工を行なう。この場合、キャリア5’にも貫通孔を形成してもよい。さらに銅箔4’とキャリア5’を残し、ブラインドビアを形成してもよい。貫通孔またはブラインドビアは複数設けることができる。
図3(b)又は図3(c)のキャリア5’はフィルムの支持体として、又は貫通孔加工時の保護材として、有効に利用することができる。
図3(d)では、その後キャリア5’を剥がし、さらに必要に応じて両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔(4,4’)を薄くするためにエッチングを行なう(ハーフエッチング)。
図3(d)で得られる両面銅箔積層絶縁フィルムは、以後図2の工程(d)以降の処理を行なうことができる。
【0020】
図1、図2或いは図3で示す工程では、ロールツウロールで連続して処理することができる。
【0021】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的一例を示す。
キャリア付銅箔を用いる場合には片面又は両面のキャリア箔を引き剥がす前若しくは剥がした後に、例えばUV−YAGレーザーで片面又は両面の銅箔と、絶縁フィルムの一部とを同時に除去して、貫通孔又はブラインドビア孔を形成する。或いは、絶縁フィルムに穴をあける部位の銅箔を予めエッチング等で除去した上で炭酸ガスレーザーを照射して絶縁フィルムを除去しブラインドビアを形成したり、あるいはパンチまたはドリルにより両面を貫通する孔を形成してもよい。必要に応じて、孔形成前または後に銅張積層板を公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などにより薄銅箔を更に薄くする。ハーフエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製DP−200や旭電化工業製アデカテックCAPなどがあげられる。
パターンめっき法による配線部の形成と孔を導通するビア形成を電解めっきで同時に行なう工程は、貫通孔またはブラインドビア内のデスミアを行ない、例えばパラジウム−スズ皮膜をパラジウム−スズコロイド触媒を用いて形成するいわゆるDPS(Direct Plating System)法にて貫通孔またはブラインドビア内に導電皮膜を形成し、両面の銅箔上にフォトタイプのドライフィルムメッキレジストを塗布又はラミネートした後、配線パターンのフォトマスクを介して露光した後に、1%炭酸ソーダ水溶液などをスプレー現像して配線パターンとなる部位と孔を導通させる部位のメッキレジスト層を除去し、薄銅箔の露出部を酸等で洗浄したのち、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で薄銅箔をカソード電極として0.1〜10A/dm2の電流密度で電解銅めっきを行なって、孔内及び両面の回路部に銅層を形成する。ここで、DPS工程として例えば荏原ユージライトのライザトロンDPSシステムがあげられる。ここでは、モノエタノールアミンを主剤とする水溶液で表面をトリートメントしてパラジウム−スズコロイド触媒の吸着しやすい状態を形成する、つづいてソフトエッチング液で薄銅箔のトリートメントされた吸着しやすい表面を除去し、銅箔表面にパラジウム−スズ皮膜が形成する事を抑制し、銅箔表面と電解めっきの密着強度を確保する。塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でPd−Sn被膜を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。前記の方法により、Pd−Snからなる抵抗値の低い被膜を得ることができる。前記のドライフィルムとしては、ネガ型タイプのレジストやポジ型タイプのレジストが挙げられ、例えばネガ型メッキレジストとして旭化成製SPG−152、日立化成製RY−3215などがあげられる。電解銅メッキとしては、例えば硫酸銅が180〜240g/l、硫酸45〜60g/l、塩素イオン20〜80g/l、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。次に、2%苛性ソーダ水溶液などをスプレーしてメッキレジスト層を剥離除去した後、フラッシュエッチング液に浸漬またはスプレーにより露出した配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。フラッシュエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第2鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製FE−830、旭電化工業製AD−305Eなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない、回路基板が得られる。
【0022】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的な例をしめすと、
ロ−ル巻状両面に銅箔を積層した絶縁フィルムより、10.5cm×25cm角の試料を切り出し、キャリア付銅箔の場合には両面のキャリア箔を剥がす。UV−YAGレーザー[エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリーズ社製(ESI社)、モデル5320、波長355μm]にて、両面の電解銅箔および絶縁層にレーザー加工し、スルーホールVIAを形成するための貫通孔を形成する。銅箔をハーフエッチ液として荏原ユージライト製DP−200を用いて25℃・2分間浸漬し、銅箔厚みを1μmにし、孔内のレーザースミア等を荏原ユージライト社のライザトロンDS(デスミア)プロセスによって除去後、同じく荏原ユージライト社のライザトロンDPSプロセスにより導電化皮膜を形成する。DPS処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト(旭化成製SPG−152)を110℃の熱ロールでラミネート後、回路形成部位(配線パターン)とスルーホールとなる部位以外を露光し、1%炭酸ソーダ水溶液で30℃・20秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去する。薄銅箔の露出部と導電化皮膜を形成した貫通孔内を脱脂・酸洗後、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として2A/dm2の電流密度で25℃、30分間電解銅めっきを行ない、導電化皮膜を形成した貫通孔内部と銅メッキ10μm厚みのパターンメッキを行う。続いて、2%苛性ソーダ水溶液を42℃で15秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液(旭電化工業製AD−305E)で30℃・30秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去すると30μmピッチの両面に銅配線を有する絶縁フィルムを得ることができる。
【0023】
銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは25〜35μmピッチの銅配線を形成している部分を有する。
好ましくは銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは25〜35μmピッチの銅配線を形成している部分の少なくとも一部又は全部が、
上記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは上記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有する絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりと積層された絶縁フィルム表面上、
又は上記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれるうねり特性、好ましくは上記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれるうねり特性を有する銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面上に形成されていることが好ましい。
ここでピッチとは銅配線と銅配線間のスペースとを併せた幅のことであり、30μmピッチとは、一例として銅配線15μm、銅配線間のスペース15μmを示す。
銅配線絶縁フィルムは、さらに銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキすることができる。
【0024】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
1)銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層したもの、
2)キャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、
キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するもの、
或いは、
3)銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有するもの、
を挙げることが出来る。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
【0025】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性、好ましくは下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有する銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができる。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
【0026】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
銅箔厚みが、0.5〜5μm、好ましくは0.6〜4.5μm、より好ましくは0.7〜4μm、さらに好ましくは0.8〜3.5μm、特に好ましくは0.9〜3μmものを用いることができる。
銅箔は、電解銅箔や圧延銅箔などの銅及び銅合金などを用いることが出来、特に電解銅箔を好ましく用いることができる。
【0027】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
キャリアの厚さは、特に限定していないが、厚みの薄い銅箔を補強できるものであればよく、キャリアの厚みが好ましくは6〜40μm、さらに好ましくは9〜35μm、より好ましくは9〜18μmであり、銅箔4の厚みが好ましくは0.5〜8μm、さらに好ましくは0.5〜6μm、より好ましくは0.5〜5μm、より好ましくは0.5〜4μmであり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の表面粗さRzが好ましくは1.0μm以下、さらに好ましくは0.8μm以下、より好ましくは0.7μm以下である。
さらに本発明は上記のキャリア付き銅箔3と絶縁、好ましくは高耐熱性の芳香族絶縁層の片面或いは両面に熱圧着性の絶縁フィルムが積層一体化して得られた多層の絶縁との積層物では、150℃×168時間後でも優れた接着強度を有している配線基板を得ることができる。
【0028】
キャリア付き銅箔のキャリアは、特に材質は限定していないが、銅箔とはり合わすことができ、銅箔を補強保護し、容易に銅箔と引き剥がせ、絶縁を積層する積層温度に耐える役割を有するものであればよく、例えばアルミニウム箔、銅箔、表面をメタルコーティングした樹脂などを用いることができる。
キャリア箔付電解銅箔では、キャリア箔の表面上に電解銅箔となる銅成分を電析させるので、キャリア箔には少なくとも導電性を有することが必要となる。
キャリア箔は、連続した製造工程を流れ、少なくとも銅箔積層絶縁フィルムの製造終了時までは、銅箔層と接合した状態を維持し、ハンドリングを容易にしているものを用いることができる。
キャリア箔は、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔を引き剥がして除去するもの、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔をエッチング法にて除去するものなどを用いることができる。
キャリア付き銅箔において、金属或いはセラミックスの接合剤によってキャリアと銅箔とが接合されたものは、耐熱性に優れ好適に用いることができる。
【0029】
銅箔は、絶縁フィルムと積層する少なくとも片面がNi、Cr、Co、Zn、Sn及びMoから選ばれる少なくとも1種の金属又はこれらの金属を少なくとも1種含む合金で、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、耐薬品処理などの表面処理されているものを用いることができ、さらにシランカップリング処理されたものを用いることができる。
【0030】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いる絶縁フィルムは、キャリア付き銅箔と直接、或いは接着剤層を介して加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができ、好ましくはプリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、TABテープ、COF基板等の電子部品のベース素材として用いられる絶縁フィルムなどを挙げることができる。
絶縁フィルムとしては、線膨張係数(50〜200℃)が絶縁フィルムに積層する銅箔の線膨張係数に近いことが好ましく、絶縁フィルムの線膨張係数(50〜200℃)は0.5×10−5〜2.8×10−5cm/cm/℃であることが好ましい。
絶縁フィルムとしては、熱収縮率が0.05%以下のものをもちいることが、熱変形が小さく好ましい。
絶縁フィルムとしては、単層、2層以上を積層した複層のフィルム、シートの形状として用いることができる。
【0031】
絶縁フィルムの厚みは、特に限定されないが、銅箔との積層が問題なく行なえ、製造や取扱が行なえ、銅箔を充分に支持できる厚みであれば良く、好ましくは1〜300μm、より好ましくは2〜100μm、さらに好ましくは5〜50μm、より好ましくは7〜25μm、特に好ましくは8〜15μmのものを用いることが好ましい。
【0032】
絶縁フィルムとしては、基板の少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理された基板を用いることができる。
【0033】
銅箔積層絶縁フィルムの絶縁フィルムは、耐熱性の絶縁層(b)の片面又は両面に、銅箔と加圧又は加圧加熱することにより直接積層することができる熱圧着性絶縁層(a)を有する少なくとも2層以上の多層の絶縁フィルムを用いることができる。
また銅箔積層絶縁フィルムは、耐熱性絶縁層(b)と銅箔とを、熱圧着性絶縁層(a)を介して加圧又は加圧加熱することにより積層したものを用いることができる。
【0034】
絶縁フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマーなどの公知の配線基材を用いることが出来る。
【0035】
絶縁フィルムのポリイミドの具体例としては、商品名「ユーピレックス(S、又はR)」(宇部興産社製)、商品名「カプトン」(東レ・デュポン社製、デュポン社製)、商品名「アピカル」(カネカ社製)などの絶縁フィルム、又はこれらのフィルムを構成する酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムなどを挙げる事ができる。
【0036】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法は、配線ピッチが10〜45μmピッチ、好ましくは15〜42μmピッチ、さらに好ましくは20〜36μmピッチ、より好ましくは20〜35μmピッチの銅配線を形成している部分を有する。
【0037】
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板(FPC)、テ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング(TAB)、チップ・オン・フィルム(COF)などの配線材料として使用することができる。
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルム、及びこれらの銅配線の一部又は全部が金属メッキされた片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、銅配線或いはめっきされた銅配線の一部に、ICチップなどのチップ部材や他の金属配線を、直接、ACFなどの熱硬化や熱軟化の接着性樹脂層、又は金、錫などの金属或いは合金により1つ以上を接続することが出来る。
【0038】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねり曲線の振幅が0〜0.5μm以内の場合、波長に関わらずインナーリードの配線高低差がAu−Au接合方式、Au−Sn接合方式、又はACF接合方式の高低差許容値内となるため、波長に関わらず振幅が0〜0.5μm以内であれば、ファインピッチの銅配線、例えば10〜45μmピッチの銅配線を形成しても、ICなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制できる。
【0039】
本発明の銅配線絶縁フィルムの一例として、うねりの振幅0.3μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図4〜図6に示す。
図4はうねりの波長が2μmであり、図5はうねりの波長が40μmであり、図6はうねりの波長が150mmの場合である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅1μm、うねりの波長2μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図7に示す。
図8は、図7の配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線を、さらに平坦性の高いめっき処理によって形成されている模式図である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅1μm、うねりの波長150mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図9に示す。
図10は、図9と同じうねりであるが、幅方向の描画範囲を、配線上部に実装を想定している長辺30mmのICチップと同じとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。ICチップ長辺幅の中点15mmの位置でICチップが最初に接するように実装すると仮定する場合、チップの中央と両端位置でのインナーリード高低差は0.2μm以下となり、ICチップ実装時の障害とならないことが理解できる。
図4〜図10では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾きやインナーリード高低差の値が小さく、ICチップなどのチップ実装時に障害とならないと考えられる。
【0040】
本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例として、図11にはうねりの振幅1μm、波長40μm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示し、図12にはうねりの振幅1μm、波長30mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図13にはうねりの振幅1μm、波長60mm、配線ピッチ20μm、配線高さ10μmの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。
図11〜図13では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾き又はインナーリード高低差の値が大きくなり、ICチップなどのチップ実装時に障害となると考えられる。
【0041】
物性評価は以下の方法に従って行うことができる。
1)絶縁フィルムのガラス転移温度(Tg):動的粘弾性法により、tanδのピーク値から求めた(引張り法、周波数6.28rad/秒、昇温速度10℃/分)。
2)絶縁フィルムの線膨張係数(50〜200℃):TMA法により、20〜200℃平均線膨張係数を測定した(引張り法、昇温速度5℃/分)。
【図面の簡単な説明】
【0042】
【図1】片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により片面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図2】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により両面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図3】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムより貫通孔形成までの製造工程の一例を説明する工程図である。
【図4】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図5】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図6】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図7】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図8】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図9】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図10】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図11】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図12】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図13】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【符号の説明】
【0043】
1:片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
2:絶縁フィルム、
3,3’:キャリア付き銅箔、
4,4’:銅箔、
5,5’:キャリア、
8,8’:銅箔が除去されて現れる絶縁フィルム表面、
9,9’:金属メッキ、
10,10’:銅メッキ、
17,17’:フォトレジスト層、
21,21’:導電化皮膜、
100:両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
101:両面銅配線絶縁フィルム、
102:両面に金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
【請求項2】
銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
【請求項3】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項4】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により10〜45μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により10〜45μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項5】
銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項6】
銅配線絶縁フィルムは、10〜35μmピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項7】
銅配線絶縁フィルムは、ICチップ実装用銅配線絶縁フィルムであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルム。
【請求項9】
さらに銅が金属めっきされた請求項8に記載の銅配線絶縁フィルム。
【請求項10】
請求項8又は請求項9のいずれかに記載の配線絶縁フィルムの銅配線上にICチップが実装された電子部材。
【請求項1】
銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a1)、(b1)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性(a1):うねりの波長が5μm以下。
・特性(b1):うねりの波長が120mm以上。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
【請求項2】
銅箔の厚みが0.5〜5μmのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性(a2)、(b2)及び(c1)より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性(a2):うねりの波長が5μm以下でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(b2):うねりの波長が120mm以上でかつうねりの振幅が5μm以下。
・特性(c1):うねりの波長が5μmを超えて120mm未満でかつうねりの振幅が0.5μm以下。
【請求項3】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項4】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により10〜45μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により10〜45μmピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項5】
銅配線絶縁フィルムは、10〜45μmピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項6】
銅配線絶縁フィルムは、10〜35μmピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項7】
銅配線絶縁フィルムは、ICチップ実装用銅配線絶縁フィルムであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルム。
【請求項9】
さらに銅が金属めっきされた請求項8に記載の銅配線絶縁フィルム。
【請求項10】
請求項8又は請求項9のいずれかに記載の配線絶縁フィルムの銅配線上にICチップが実装された電子部材。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
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【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2009−176768(P2009−176768A)
【公開日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−10699(P2008−10699)
【出願日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【出願人】(000000206)宇部興産株式会社 (2,022)
【公開日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【出願人】(000000206)宇部興産株式会社 (2,022)
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