ターゲット波形決定方法及びターゲット波形決定装置
【課題】 記録媒体に適したターゲット波形を選択することができるターゲット波形決定方法及びターゲット波形決定装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと、所定時間の待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、比較結果に基づいて記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する。
【解決手段】 磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと、所定時間の待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、比較結果に基づいて記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の熱緩和保証に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置などの磁気記憶装置における記録媒体の信号が劣化する現象として、熱緩和が知られている。この熱緩和は、データが記録された記録媒体を放置すると、記録媒体にデータとして記録された信号レベルが減衰していき、結果として、読み出されたデータのエラーレートが高くなる現象である。水平磁気記録方式の磁気ディスク装置において、熱緩和による信号レベルの減衰は、低周波よりも高周波の方が大きい。これは、水平磁気記録方式の特性によるものであり、具体的には、周波数によるビット当たりのボリュームの相違に起因する。一方、垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置において、熱緩和による信号レベルの減衰は、原理的に高周波成分よりも低周波成分の方が影響を受けやすい。これは、垂直磁気記録方式の原理に起因する。ここで垂直磁気記録方式の原理について説明する。図６は、垂直磁気記録方式の原理を示す。図６に示すように、垂直磁気記録方式によれば、信号は記録媒体としての磁性体が垂直に磁化されることにより記録される。これにより、垂直磁気記録方式は、磁化反転の多い高周波ほど磁化が安定しやすく、磁化反転の少ない低周波ほど安定しづらいという特性を持つ。
【０００３】
また、記録媒体上に記録された信号が読み出される際、その波形は等化される。また、等化の目標とする波形によってその周波数スペクトラムは異なる。この等化の際、記録媒体から再生された信号波形を目標信号波形に等化するために等化器が持つ特性値をターゲット波形と呼ぶ。ターゲット波形としては、例えば、ＤＣ ＴａｒｇｅｔとＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔとが知られている。図７は、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔ及びＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔを示す。図７に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔには、低周波成分が多く含まれている。一方、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔには、図７に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔに比べて低周波成分の含有率が低い。
【０００４】
ＤＣ Ｔａｒｇｅｔは、低周波成分が多く含まれているため、垂直磁気記録方式による記録媒体において、信号レベルが熱緩和により減衰しやすいという特性を持つ。図８及び９は、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。図８及び９に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔによれば、初期状態のシンボルエラーレートは低くなるが、時間が経過するに従ってシンボルエラーレートが高くなる。
【０００５】
一方、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔは、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔに比べて低周波成分の含有率が低いため、垂直磁気記録方式による記録媒体において、信号レベルが熱緩和により減衰しづらいという特性を持つ。図１０及び１１は、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。図１０及び１１に示すように、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔによれば、熱緩和によるシンボルエラーレートの増加率は低くなるが、初期エラーレートが高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した熱緩和の特性は、同じターゲット波形が適用された同じ種類の記録媒体であっても、個々の記録媒体によってそれぞれ異なるという問題がある。これにより、例えば、波形ターゲットとしてＤＣ Ｔａｒｇｅｔが採用されている磁気ディスク装置において、その記録媒体のＬｏｔ版数等の違いによって、熱緩和によるシンボルエラーレートにばらつきが生じてしまう。この場合、熱緩和によるシンボルエラーレートが特に高い磁気ディスク装置は、不良品として扱われてしまう。
【０００７】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、記録媒体に適したターゲット波形を選択することができるターゲット波形決定方法及びターゲット波形決定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、ターゲット波形決定方法は、磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を選択する。
【発明の効果】
【０００９】
記録媒体に適したターゲット波形を選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係る磁気ディスク装置のハードウェア構成を示す図である。
【図２】リードチャネルのハードウェア構成を示す。
【図３】本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成を示す。
【図４】本実施の形態に係る試験装置の機能構成を示す。
【図５】本実施の形態に係る試験装置の動作を示す。
【図６】垂直磁気記録方式の原理を示す。
【図７】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔ及びＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔの特性を示す。
【図８】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図９】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図１０】ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図１１】ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
まず、本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のハードウェア構成を示す。
【００１３】
図１に示すように、本実施の形態に係る磁気ディスク装置１は、磁気ディスク装置１のホストとして動作する試験装置２とホストインターフェイス（ＩＦ）３を介して接続されている。試験装置２は磁気ディスク装置１の試験を行うコンピュータであり、磁気ディスク装置１に対して動作の指示をする。
【００１４】
磁気ディスク装置１は、ホストＩＦ（インターフェイス）制御部１１、バッファ制御部１２、バッファメモリ１３、フォーマット制御部１４、リードチャネル１５、ヘッドＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１６、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）１７、メモリ１８、不揮発性メモリ１９、サーボ制御部２０、ＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ）２１、ＳＰＭ（Ｓｐｉｎｄｌｅ Ｍｏｔｏｒ）２２、リードライトヘッド２３、ディスク媒体２４、バス２５、および、ホストＩＦ（インターフェイス）３を有する。
【００１５】
ホストＩＦ３は、磁気ディスク装置１と試験装置２との間でデータやコマンドを送受するための通信に寄与する。ホストＩＦ制御部１１はホストＩＦ３を介して送られる試験装置２へのデータやコマンドを制御する。また、ホストＩＦ制御部１１は試験装置２から送られてホストＩＦ３で受け取られたデータやコマンドを制御する。バッファ制御部１２は、バッファメモリ１３に記憶されるデータの書き込みや読み出しを制御する。バッファメモリ１３は、ディスク媒体２４に書き込まれるデータや、ディスク媒体２４から読み出されたデータを一時的に記憶する。フォーマット制御部１４はディスク媒体２４に書き込まれるデータの書き込みフォーマットを生成する。リードチャネル１５は、ディスク媒体２４に書き込まれるデータから信号への変換、ディスク媒体２４から読み出された信号からデータへの変換を実行する。
【００１６】
ヘッドＩＣ１６は、リードライトヘッド２３によりディスク媒体２４に書き込まれる信号やディスク媒体２４から読み出された信号を増幅する。ＭＰＵ１７は磁気ディスク装置１全体の動作を制御する。また、ＭＰＵ１７は、後述するコマンドメモリ１７ａを含む。メモリ１８は揮発性のメモリである。不揮発性メモリ１９は、磁気ディスク装置１を制御するためのプログラムを記憶する。サーボ制御部２０は、ＶＣＭ２１およびＳＰＭ２２の動作を制御する。ＶＣＭ２１は、リードライトヘッド２３を駆動する。ＳＰＭ２２は、ディスク媒体２４を回転駆動する。リードライトヘッド２３はディスク媒体２４にデータとしての信号を書き込んだり、ディスク媒体２４に記録されているデータを信号として読み出したりする。ディスク媒体２４はデータを記録するための磁気記録媒体である。バス２５は、ホストＩＦ制御部１１、バッファ制御部１２、フォーマット制御部１４、リードチャネル１５、ヘッドＩＣ１６、ＭＰＵ１７、メモリ１８、不揮発性メモリ１９、及びサーボ制御部２０との間のデータやコマンドなどの情報の送受に寄与する。
【００１７】
次に、リードチャネルのハードウェア構成について説明する。図２は、リードチャネルのハードウェア構成を示す。
【００１８】
図２に示すように、磁気ディスク装置１のリードチャネル１５は、ハーモニックセンサ１５１を有する。このハーモニックセンサ１５１は、リードライトヘッド２３によりディスク媒体２４から読み出された信号の波形を離散フーリエ変換する。離散フーリエ変換は、離散群上のフーリエ変換であり、信号処理などで離散化されたデジタル信号の周波数解析などに用いることできる。この離散フーリエ変換によれば、読み出された信号の任意の周波数についての信号レベルが得られる。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成及び機能構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成を示す。また、図４は、本実施の形態に係る試験装置の機能構成を示す。
【００２０】
図３に示すように、本実施の形態に係る試験装置２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２２１及びメモリ２２２を有する。また、試験装置２は、制御部（書き込み部、第１読み出し部、第１取得部、第２読み出し部、第２取得部）２０１、算出部２０２、判断部（比較部）２０３、設定部（決定部、設定部）２０４を機能として有する。なお、これら各部は、ＣＰＵ２２１により実現される。制御部２０１は、コマンドを発行することにより磁気ディスク装置１を制御し、低周波信号及び高周波信号のディスク媒体２４への書き込み指示、書き込んだこれらの信号の取得を実行する。また、算出部２０２は、制御部２０１により取得された低周波信号及び高周波信号について、後述する減衰率を算出する。また、判断部２０３は、算出部２０２により算出された減衰率を比較し、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上であるかどうかを判断する。また、設定部２０４は、判断部２０３による判断に基づいて、磁気ディスク装置１にドライブパラメータを設定し、調整する。
【００２１】
次に、試験装置２から送られるコマンドの経路について簡単に説明する。試験装置２からは、データの書き込みや読み出し、データの送受を指示するコマンドが磁気ディスク装置１に送られる。コマンドはホストＩＦ３で受信され、ホストＩＦ制御部１１により、ＭＰＵ１７に送られる。ＭＰＵ１７は受け取ったコマンドをコマンドメモリ１７ａに記憶する。ＭＰＵ１７は、コマンド毎に、データの受け取りから経過した時間をカウントする。複数のコマンドが図示しないコマンドメモリに保持されている場合、ＭＰＵ１７はコマンド毎に割り当てられた実行順位に従ってコマンドを実行する。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る試験装置の動作について説明する。図５は、本実施の形態に係る試験装置の動作を示す。
【００２３】
まず、試験装置２の制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に、リードライトヘッド２３により低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込むように指示する（Ｓ１０１）。ここで低周波信号及び高周波信号は、それぞれディスク媒体２４の異なるトラックに書き込まれる。なお、本実施の形態において、低周波信号はＦ２（約１８８ＭＨｚ）とし、高周波信号はＦ８（約７５３ＭＨｚ）とする。
【００２４】
低周波信号及び高周波信号の書き込み後、制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に書き込まれた低周波信号及び高周波信号の読み出しを指示する（Ｓ１０２）。次に、制御部２０１は、上述したハーモニックセンサ１５１を介して低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する（Ｓ１０３）。なお、信号レベルは、どのような方法によって取得されても構わない。その後、制御部２０１は、高温に維持された環境で所定時間待機する（Ｓ１０４）。なお、本実施の形態において、維持される温度は５５℃とし、待機時間は１０時間とする。
【００２５】
待機時間経過後、制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に書き込まれた低周波信号及び高周波信号の読み出しを指示する（Ｓ１０５）。次に、制御部２０１は、上述したハーモニックセンサ１５１を介して低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する（Ｓ１０６）。
【００２６】
次に、算出部２０２は、取得された低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの減衰率を算出する（Ｓ１０７）。この減衰率は、所定時間待機後に信号レベルがどれだけ減衰したかを示し、待機前の信号レベルをＬ１、所定時間待機後の信号レベルをＬ２とした場合、以下の式により算出される。
減衰率 ＝ １−（Ｌ２／Ｌ１）
【００２７】
次に、判断部２０３は、低周波信号の減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上であるかどうかを判断する（Ｓ１０８）。
【００２８】
高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合（Ｓ１０８，ＹＥＳ）、設定部２０４は、磁気ディスク装置１に対して、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔを選択し、これに対応するドライブパラメータをセットする（Ｓ１０９）。次に、設定部２０４は、セットしたドライブパラメータを磁気ディスク装置１に合わせて調整する（Ｓ１１０）。
【００２９】
一方、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率より低い場合（Ｓ１０８，ＮＯ）、設定部２０４は、磁気ディスク装置１に対して、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔを選択し、これに対応するドライブパラメータをセットする（Ｓ１１１）。つまり、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率より低い場合、そうでない場合に設定されたターゲット波形に対して、低周波成分の含有率が低いターゲット波形が選択される。ドライブパラメータのセット後、設定部２０４は、セットしたドライブパラメータを磁気ディスク装置１に合わせて調整する（Ｓ１１０）。
【００３０】
上述したように、ディスク媒体２４から読み出した異なる周波数の信号レベルの減衰率の比較に基づいてターゲット波形を選択することによって、ディスク媒体２４に適したターゲット波形に対応したドライブパラメータを磁気ディスク装置１にセットすることができる。なお、このドライブパラメータは、ディスク媒体２４の特定の領域に書き込まれ、磁気ディスク装置１の起動時に読み出されるものとする。なお、本実施の形態において、ターゲット波形は、ＤＣ ＴａｒｇｅｔまたはＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔのいずれかが選択されるが、選択されるターゲット波形はこれらのターゲット波形に限定されない。また、ターゲット波形の選択は、１台の磁気ディスク装置１が有する複数のディスク媒体２４のそれぞれに対してなされても良い。
【００３１】
以上、本実施の形態によれば、以下の付記で示す技術的思想が開示されている。
（付記１） 磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定し、ターゲット波形決定方法。
（付記２） 前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記３） 前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする付記２に記載のターゲット波形決定方法。
（付記４） 前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定することを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記５） 前記所定時間の待機は、所定温度に維持された環境下でなされることを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記６） ターゲット波形を決定するターゲット波形決定装置であって、
記録媒体を有する磁気記憶装置に、低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体にそれぞれ書き込ませる書き込み部と、
前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第１読み出し部と、
前記第１読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第１取得部と、
所定時間の待機後、前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第２読み出し部と、
前記第２読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第２取得部と、
前記第１取得部により取得された信号レベルと、前記第２取得部により取得された信号レベルとに基づいて、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号それぞれの前記所定時間における信号レベルの減衰率を算出する算出部と、
前記算出部により算出された低周波信号の信号レベルの減衰率と、高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて、前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する決定部と
を有するターゲット波形決定装置。
（付記７） 前記比較部による前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込まれた高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込まれた低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、前記決定部は、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
（付記８） 前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする付記７に記載のターゲット波形決定装置。
（付記９） 前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定する設定部を更に有することを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
（付記１０） 前記所定時間の待機は、所定温度に維持された環境下でなされることを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
【符号の説明】
【００３２】
１ 磁気ディスク装置、２ 試験装置、３ ホストＩＦ、１１ ホストＩＦ制御部、１２ バッファ制御部、１３ バッファメモリ、１４ フォーマット制御部、１５ リードチャネル、１６ ヘッドＩＣ、１７ ＭＰＵ、１８ メモリ、１９ 不揮発性メモリ、２０ サーボ制御部、２１ ＶＣＭ、２２ ＳＰＭ、２３ リードライトヘッド、２４ ディスク媒体。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の熱緩和保証に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置などの磁気記憶装置における記録媒体の信号が劣化する現象として、熱緩和が知られている。この熱緩和は、データが記録された記録媒体を放置すると、記録媒体にデータとして記録された信号レベルが減衰していき、結果として、読み出されたデータのエラーレートが高くなる現象である。水平磁気記録方式の磁気ディスク装置において、熱緩和による信号レベルの減衰は、低周波よりも高周波の方が大きい。これは、水平磁気記録方式の特性によるものであり、具体的には、周波数によるビット当たりのボリュームの相違に起因する。一方、垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置において、熱緩和による信号レベルの減衰は、原理的に高周波成分よりも低周波成分の方が影響を受けやすい。これは、垂直磁気記録方式の原理に起因する。ここで垂直磁気記録方式の原理について説明する。図６は、垂直磁気記録方式の原理を示す。図６に示すように、垂直磁気記録方式によれば、信号は記録媒体としての磁性体が垂直に磁化されることにより記録される。これにより、垂直磁気記録方式は、磁化反転の多い高周波ほど磁化が安定しやすく、磁化反転の少ない低周波ほど安定しづらいという特性を持つ。
【０００３】
また、記録媒体上に記録された信号が読み出される際、その波形は等化される。また、等化の目標とする波形によってその周波数スペクトラムは異なる。この等化の際、記録媒体から再生された信号波形を目標信号波形に等化するために等化器が持つ特性値をターゲット波形と呼ぶ。ターゲット波形としては、例えば、ＤＣ ＴａｒｇｅｔとＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔとが知られている。図７は、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔ及びＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔを示す。図７に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔには、低周波成分が多く含まれている。一方、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔには、図７に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔに比べて低周波成分の含有率が低い。
【０００４】
ＤＣ Ｔａｒｇｅｔは、低周波成分が多く含まれているため、垂直磁気記録方式による記録媒体において、信号レベルが熱緩和により減衰しやすいという特性を持つ。図８及び９は、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。図８及び９に示すように、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔによれば、初期状態のシンボルエラーレートは低くなるが、時間が経過するに従ってシンボルエラーレートが高くなる。
【０００５】
一方、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔは、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔに比べて低周波成分の含有率が低いため、垂直磁気記録方式による記録媒体において、信号レベルが熱緩和により減衰しづらいという特性を持つ。図１０及び１１は、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。図１０及び１１に示すように、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔによれば、熱緩和によるシンボルエラーレートの増加率は低くなるが、初期エラーレートが高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した熱緩和の特性は、同じターゲット波形が適用された同じ種類の記録媒体であっても、個々の記録媒体によってそれぞれ異なるという問題がある。これにより、例えば、波形ターゲットとしてＤＣ Ｔａｒｇｅｔが採用されている磁気ディスク装置において、その記録媒体のＬｏｔ版数等の違いによって、熱緩和によるシンボルエラーレートにばらつきが生じてしまう。この場合、熱緩和によるシンボルエラーレートが特に高い磁気ディスク装置は、不良品として扱われてしまう。
【０００７】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、記録媒体に適したターゲット波形を選択することができるターゲット波形決定方法及びターゲット波形決定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するため、ターゲット波形決定方法は、磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を選択する。
【発明の効果】
【０００９】
記録媒体に適したターゲット波形を選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係る磁気ディスク装置のハードウェア構成を示す図である。
【図２】リードチャネルのハードウェア構成を示す。
【図３】本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成を示す。
【図４】本実施の形態に係る試験装置の機能構成を示す。
【図５】本実施の形態に係る試験装置の動作を示す。
【図６】垂直磁気記録方式の原理を示す。
【図７】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔ及びＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔの特性を示す。
【図８】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図９】ＤＣ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図１０】ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【図１１】ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔにより波形が等化される場合の累積時間に対するシンボルエラーレートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
まず、本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のハードウェア構成を示す。
【００１３】
図１に示すように、本実施の形態に係る磁気ディスク装置１は、磁気ディスク装置１のホストとして動作する試験装置２とホストインターフェイス（ＩＦ）３を介して接続されている。試験装置２は磁気ディスク装置１の試験を行うコンピュータであり、磁気ディスク装置１に対して動作の指示をする。
【００１４】
磁気ディスク装置１は、ホストＩＦ（インターフェイス）制御部１１、バッファ制御部１２、バッファメモリ１３、フォーマット制御部１４、リードチャネル１５、ヘッドＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１６、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）１７、メモリ１８、不揮発性メモリ１９、サーボ制御部２０、ＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ）２１、ＳＰＭ（Ｓｐｉｎｄｌｅ Ｍｏｔｏｒ）２２、リードライトヘッド２３、ディスク媒体２４、バス２５、および、ホストＩＦ（インターフェイス）３を有する。
【００１５】
ホストＩＦ３は、磁気ディスク装置１と試験装置２との間でデータやコマンドを送受するための通信に寄与する。ホストＩＦ制御部１１はホストＩＦ３を介して送られる試験装置２へのデータやコマンドを制御する。また、ホストＩＦ制御部１１は試験装置２から送られてホストＩＦ３で受け取られたデータやコマンドを制御する。バッファ制御部１２は、バッファメモリ１３に記憶されるデータの書き込みや読み出しを制御する。バッファメモリ１３は、ディスク媒体２４に書き込まれるデータや、ディスク媒体２４から読み出されたデータを一時的に記憶する。フォーマット制御部１４はディスク媒体２４に書き込まれるデータの書き込みフォーマットを生成する。リードチャネル１５は、ディスク媒体２４に書き込まれるデータから信号への変換、ディスク媒体２４から読み出された信号からデータへの変換を実行する。
【００１６】
ヘッドＩＣ１６は、リードライトヘッド２３によりディスク媒体２４に書き込まれる信号やディスク媒体２４から読み出された信号を増幅する。ＭＰＵ１７は磁気ディスク装置１全体の動作を制御する。また、ＭＰＵ１７は、後述するコマンドメモリ１７ａを含む。メモリ１８は揮発性のメモリである。不揮発性メモリ１９は、磁気ディスク装置１を制御するためのプログラムを記憶する。サーボ制御部２０は、ＶＣＭ２１およびＳＰＭ２２の動作を制御する。ＶＣＭ２１は、リードライトヘッド２３を駆動する。ＳＰＭ２２は、ディスク媒体２４を回転駆動する。リードライトヘッド２３はディスク媒体２４にデータとしての信号を書き込んだり、ディスク媒体２４に記録されているデータを信号として読み出したりする。ディスク媒体２４はデータを記録するための磁気記録媒体である。バス２５は、ホストＩＦ制御部１１、バッファ制御部１２、フォーマット制御部１４、リードチャネル１５、ヘッドＩＣ１６、ＭＰＵ１７、メモリ１８、不揮発性メモリ１９、及びサーボ制御部２０との間のデータやコマンドなどの情報の送受に寄与する。
【００１７】
次に、リードチャネルのハードウェア構成について説明する。図２は、リードチャネルのハードウェア構成を示す。
【００１８】
図２に示すように、磁気ディスク装置１のリードチャネル１５は、ハーモニックセンサ１５１を有する。このハーモニックセンサ１５１は、リードライトヘッド２３によりディスク媒体２４から読み出された信号の波形を離散フーリエ変換する。離散フーリエ変換は、離散群上のフーリエ変換であり、信号処理などで離散化されたデジタル信号の周波数解析などに用いることできる。この離散フーリエ変換によれば、読み出された信号の任意の周波数についての信号レベルが得られる。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成及び機能構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る試験装置のハードウェア構成を示す。また、図４は、本実施の形態に係る試験装置の機能構成を示す。
【００２０】
図３に示すように、本実施の形態に係る試験装置２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２２１及びメモリ２２２を有する。また、試験装置２は、制御部（書き込み部、第１読み出し部、第１取得部、第２読み出し部、第２取得部）２０１、算出部２０２、判断部（比較部）２０３、設定部（決定部、設定部）２０４を機能として有する。なお、これら各部は、ＣＰＵ２２１により実現される。制御部２０１は、コマンドを発行することにより磁気ディスク装置１を制御し、低周波信号及び高周波信号のディスク媒体２４への書き込み指示、書き込んだこれらの信号の取得を実行する。また、算出部２０２は、制御部２０１により取得された低周波信号及び高周波信号について、後述する減衰率を算出する。また、判断部２０３は、算出部２０２により算出された減衰率を比較し、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上であるかどうかを判断する。また、設定部２０４は、判断部２０３による判断に基づいて、磁気ディスク装置１にドライブパラメータを設定し、調整する。
【００２１】
次に、試験装置２から送られるコマンドの経路について簡単に説明する。試験装置２からは、データの書き込みや読み出し、データの送受を指示するコマンドが磁気ディスク装置１に送られる。コマンドはホストＩＦ３で受信され、ホストＩＦ制御部１１により、ＭＰＵ１７に送られる。ＭＰＵ１７は受け取ったコマンドをコマンドメモリ１７ａに記憶する。ＭＰＵ１７は、コマンド毎に、データの受け取りから経過した時間をカウントする。複数のコマンドが図示しないコマンドメモリに保持されている場合、ＭＰＵ１７はコマンド毎に割り当てられた実行順位に従ってコマンドを実行する。
【００２２】
次に、本実施の形態に係る試験装置の動作について説明する。図５は、本実施の形態に係る試験装置の動作を示す。
【００２３】
まず、試験装置２の制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に、リードライトヘッド２３により低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込むように指示する（Ｓ１０１）。ここで低周波信号及び高周波信号は、それぞれディスク媒体２４の異なるトラックに書き込まれる。なお、本実施の形態において、低周波信号はＦ２（約１８８ＭＨｚ）とし、高周波信号はＦ８（約７５３ＭＨｚ）とする。
【００２４】
低周波信号及び高周波信号の書き込み後、制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に書き込まれた低周波信号及び高周波信号の読み出しを指示する（Ｓ１０２）。次に、制御部２０１は、上述したハーモニックセンサ１５１を介して低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する（Ｓ１０３）。なお、信号レベルは、どのような方法によって取得されても構わない。その後、制御部２０１は、高温に維持された環境で所定時間待機する（Ｓ１０４）。なお、本実施の形態において、維持される温度は５５℃とし、待機時間は１０時間とする。
【００２５】
待機時間経過後、制御部２０１は、磁気ディスク装置１に対して、ディスク媒体２４に書き込まれた低周波信号及び高周波信号の読み出しを指示する（Ｓ１０５）。次に、制御部２０１は、上述したハーモニックセンサ１５１を介して低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する（Ｓ１０６）。
【００２６】
次に、算出部２０２は、取得された低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの減衰率を算出する（Ｓ１０７）。この減衰率は、所定時間待機後に信号レベルがどれだけ減衰したかを示し、待機前の信号レベルをＬ１、所定時間待機後の信号レベルをＬ２とした場合、以下の式により算出される。
減衰率 ＝ １−（Ｌ２／Ｌ１）
【００２７】
次に、判断部２０３は、低周波信号の減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上であるかどうかを判断する（Ｓ１０８）。
【００２８】
高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合（Ｓ１０８，ＹＥＳ）、設定部２０４は、磁気ディスク装置１に対して、ＤＣ Ｔａｒｇｅｔを選択し、これに対応するドライブパラメータをセットする（Ｓ１０９）。次に、設定部２０４は、セットしたドライブパラメータを磁気ディスク装置１に合わせて調整する（Ｓ１１０）。
【００２９】
一方、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率より低い場合（Ｓ１０８，ＮＯ）、設定部２０４は、磁気ディスク装置１に対して、ＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔを選択し、これに対応するドライブパラメータをセットする（Ｓ１１１）。つまり、高周波信号の信号レベルの減衰率が低周波信号の信号レベルの減衰率より低い場合、そうでない場合に設定されたターゲット波形に対して、低周波成分の含有率が低いターゲット波形が選択される。ドライブパラメータのセット後、設定部２０４は、セットしたドライブパラメータを磁気ディスク装置１に合わせて調整する（Ｓ１１０）。
【００３０】
上述したように、ディスク媒体２４から読み出した異なる周波数の信号レベルの減衰率の比較に基づいてターゲット波形を選択することによって、ディスク媒体２４に適したターゲット波形に対応したドライブパラメータを磁気ディスク装置１にセットすることができる。なお、このドライブパラメータは、ディスク媒体２４の特定の領域に書き込まれ、磁気ディスク装置１の起動時に読み出されるものとする。なお、本実施の形態において、ターゲット波形は、ＤＣ ＴａｒｇｅｔまたはＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔのいずれかが選択されるが、選択されるターゲット波形はこれらのターゲット波形に限定されない。また、ターゲット波形の選択は、１台の磁気ディスク装置１が有する複数のディスク媒体２４のそれぞれに対してなされても良い。
【００３１】
以上、本実施の形態によれば、以下の付記で示す技術的思想が開示されている。
（付記１） 磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定し、ターゲット波形決定方法。
（付記２） 前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記３） 前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする付記２に記載のターゲット波形決定方法。
（付記４） 前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定することを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記５） 前記所定時間の待機は、所定温度に維持された環境下でなされることを特徴とする付記１に記載のターゲット波形決定方法。
（付記６） ターゲット波形を決定するターゲット波形決定装置であって、
記録媒体を有する磁気記憶装置に、低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体にそれぞれ書き込ませる書き込み部と、
前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第１読み出し部と、
前記第１読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第１取得部と、
所定時間の待機後、前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第２読み出し部と、
前記第２読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第２取得部と、
前記第１取得部により取得された信号レベルと、前記第２取得部により取得された信号レベルとに基づいて、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号それぞれの前記所定時間における信号レベルの減衰率を算出する算出部と、
前記算出部により算出された低周波信号の信号レベルの減衰率と、高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて、前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する決定部と
を有するターゲット波形決定装置。
（付記７） 前記比較部による前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込まれた高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込まれた低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、前記決定部は、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
（付記８） 前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする付記７に記載のターゲット波形決定装置。
（付記９） 前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定する設定部を更に有することを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
（付記１０） 前記所定時間の待機は、所定温度に維持された環境下でなされることを特徴とする付記６に記載のターゲット波形決定装置。
【符号の説明】
【００３２】
１ 磁気ディスク装置、２ 試験装置、３ ホストＩＦ、１１ ホストＩＦ制御部、１２ バッファ制御部、１３ バッファメモリ、１４ フォーマット制御部、１５ リードチャネル、１６ ヘッドＩＣ、１７ ＭＰＵ、１８ メモリ、１９ 不揮発性メモリ、２０ サーボ制御部、２１ ＶＣＭ、２２ ＳＰＭ、２３ リードライトヘッド、２４ ディスク媒体。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を選択するターゲット波形決定方法。
【請求項２】
前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする請求項１に記載のターゲット波形決定方法。
【請求項３】
前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする請求項２に記載のターゲット波形決定方法。
【請求項４】
前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のターゲット波形決定方法。
【請求項５】
ターゲット波形を決定するターゲット波形決定装置であって、
記録媒体を有する磁気記憶装置に、低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体にそれぞれ書き込ませる書き込み部と、
前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第１読み出し部と、
前記第１読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第１取得部と、
所定時間の待機後、前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第２読み出し部と、
前記第２読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第２取得部と、
前記第１取得部により取得された信号レベルと、前記第２取得部により取得された信号レベルとに基づいて、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号それぞれの前記所定時間における信号レベルの減衰率を算出する算出部と、
前記算出部により算出された低周波信号の信号レベルの減衰率と、高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて、前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する決定部と
を有するターゲット波形決定装置。
【請求項６】
前記比較部による前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込まれた高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込まれた低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、前記決定部は、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする請求項５に記載のターゲット波形決定装置。
【請求項１】
磁気記憶装置の記録媒体に低周波信号及び高周波信号をそれぞれ書き込み、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、所定時間待機し、待機後、書き込んだ低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体からそれぞれ読み出してそれぞれの信号レベルを取得し、待機前に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルと待機後に取得した低周波信号及び高周波信号の信号レベルとに基づいて、書き込んだ低周波信号及び高周波信号の信号レベルそれぞれの前記所定時間における減衰率を算出し、算出した低周波信号の信号レベルの減衰率と高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較し、該比較結果に基づいて前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を選択するターゲット波形決定方法。
【請求項２】
前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする請求項１に記載のターゲット波形決定方法。
【請求項３】
前記第１ターゲット波形はＤＣ Ｔａｒｇｅｔであり、前記第２ターゲット波形はＤＣ ＦＲＥＥ Ｔａｒｇｅｔであることを特徴とする請求項２に記載のターゲット波形決定方法。
【請求項４】
前記記録媒体に対して選択したターゲット波形に対応するドライブパラメータを、前記記録媒体を有する磁気記憶装置に設定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のターゲット波形決定方法。
【請求項５】
ターゲット波形を決定するターゲット波形決定装置であって、
記録媒体を有する磁気記憶装置に、低周波信号及び高周波信号を前記記録媒体にそれぞれ書き込ませる書き込み部と、
前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第１読み出し部と、
前記第１読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第１取得部と、
所定時間の待機後、前記磁気記憶装置に、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号を、前記記録媒体からそれぞれ読み出させる第２読み出し部と、
前記第２読み出し部により前記磁気記憶装置に読み出させた低周波信号及び高周波信号それぞれの信号レベルを取得する第２取得部と、
前記第１取得部により取得された信号レベルと、前記第２取得部により取得された信号レベルとに基づいて、前記書き込み部により前記磁気記憶装置に書き込ませた低周波信号及び高周波信号それぞれの前記所定時間における信号レベルの減衰率を算出する算出部と、
前記算出部により算出された低周波信号の信号レベルの減衰率と、高周波信号の信号レベルの減衰率とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて、前記記録媒体からの信号の読み出しにおいて波形等化に用いられるターゲット波形を決定する決定部と
を有するターゲット波形決定装置。
【請求項６】
前記比較部による前記信号レベルの減衰率の比較において、前記記録媒体に書き込まれた高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込まれた低周波信号の信号レベルの減衰率以上である場合、前記決定部は、所定のターゲット波形である第１ターゲット波形を選択し、前記記録媒体に書き込んだ高周波信号の信号レベルの減衰率が、前記記録媒体に書き込んだ低周波信号の信号レベルの減衰率未満である場合、前記第１ターゲット波形よりも低周波成分の含有率が低い第２ターゲット波形を選択することを特徴とする請求項５に記載のターゲット波形決定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１０−２７７６３５（Ｐ２０１０−２７７６３５Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２８５３４（Ｐ２００９−１２８５３４）
【出願日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
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