フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク
【課題】 ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつヘッドとディスクのスペーシングを低減できる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供する。
【解決手段】 式（１）で表される化合物、この化合物を含有する潤滑剤及び磁気ディスク
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【解決手段】 式（１）で表される化合物、この化合物を含有する潤滑剤及び磁気ディスク
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
【０００３】
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。
【０００４】
潤滑剤としては一般に官能基を有するフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、分子末端に水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬ、さらには分子の一方の末端に水酸基、他方の末端にシクロホスファゼン基を有する株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ Ａ２０Ｈなどがある。さらに、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤も提案されている（特許文献１）。
【０００５】
Ｆｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。さらに、特許文献１では、ヘッドとディスクのスペーシングに対する潤滑剤の膜厚の影響について記されている。スペーシングを低減するには潤滑剤一分子分の膜厚を低減することが有効であり、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤が、潤滑剤一分子あたりの膜厚を低減できると提案されている。この技術により潤滑剤一分子分の膜厚を低くすることが可能となる。
【０００６】
しかし、これらのフルオロポリエーテル化合物は、ルイス酸への耐久性が低く、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３と反応して、主鎖の切断が起こる（例えば非特許文献１参照）。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・消失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
ところで、潤滑剤の保護層への付着特性を向上させ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、厳しい環境耐性を有する磁気ディスクに用いられる潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中にヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物を含有する潤滑剤が提案されている（特許文献２）。しかし、特許文献２には実質的な実施例が記載されていず、前記例示のジエポキシ化合物を塩基条件下で反応させることにより、前記の例示潤滑剤化合物を製造したとあるだけで、どのジエポキシ化合物を用いたのかも不明で、生成物を特定するＮＭＲ等のデータなども全く無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７０１７３
【特許文献２】特開２０１０−８６５９８
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ６７９１−６７９９
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつヘッドとディスクのスペーシングを低減できる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【００１１】
２．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と耐分解性という２つの課題を同時に解決する潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクのスペーシングを低減でき、かつヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
潤滑剤の合成方法
式（１）で表される本発明の潤滑剤は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、化合物（ｂ１）、（ｃ１）若しくは（ｄ１）のような２つ以上のエポキシ基を有するフェノキシ化合物又は化合物（ｂ２）、（ｃ２）若しくは（ｄ２）のような２つ以上のハロエチル基を有するフェノキシ化合物［以下、これらフェノキシ化合物を化合物（Ｂ）ということがある］を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。具体的には以下の方法により合成される。
【００１４】
（１）片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）の合成
両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ｅ）と、水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）を反応させる。反応温度は１０〜６０℃、好ましくは２０〜４０℃である。反応時間は、２〜２０時間、好ましくは１０〜１５時間である。化合物（ｆ）の使用量は、フルオロポリエーテル（ｅ）に対して０.５〜１.５当量であることが好ましい。反応促進剤を使用しても良い。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有し、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を得る。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてジメチルホルムアルデヒド、１,４−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。反応促進剤としてイミダゾール、ピリジン、水素化ナトリウムなどを例示することができる。
【００１５】
両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ｅ）としては、例えばＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示
される化合物を例示できる。このフルオロポリエーテルの数平均分子量は３００〜２０００、好ましくは４００〜１２００、より好ましくは５００〜８００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００による１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
ｎは０〜２０の実数であり、好ましくは０〜１０の実数であり、さらに好ましくは０〜４の実数であり、特に好ましくは１〜３の実数であり、最も好ましくは１〜２の実数である。
【００１６】
上記フルオロポリエーテル（ｅ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、１.０〜１.５であり、好ましくは１.０〜１.３であり、より好ましくは１.０〜１.１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ Ｍｉｘｅｄ Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物資としては、無官能のパーフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
【００１７】
水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）としては、例えば酸無水物、シリルハライド、アルキルハライドなどを挙げることができる。
酸無水物としては無水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、ＲａＯＲｂ（Ｒａ及びＲｂは同一又は異なって、ＣＨ３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＨ３ＳＯ２、ＰｈＳＯ２、ＣＦ３
ＣＨ２ＣＯ、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２、Ｐｈはフェニルを示す）で表される化合物を例示で
きる。ＲａＯＲｂで表される化合物の具体例としては無水トリフルオロメチル酢酸、無水安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸、酢酸安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物などを例示できる。
【００１８】
シリルハライドとしては（Ｒｃ）３ＳｉＹ、Ｒｄ（Ｒｅ）２ＳｉＹ、ＲｄＲｅＲｇＳｉ
Ｙ（Ｒｃは炭素数１〜４のアルキル又はＰｈ、Ｒｄは炭素数１〜１８のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、Ｐｈ、ＰｈＣＨ２、ペンタフルオロフェニル、シアノプロピル、ビニル、Ｒｅは炭素数１〜２のアルキル又はＰｈ、Ｒｇはフェニル基の置換した炭素数１〜４のアルキルを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはトリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、（３−シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３−フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３−フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ｔ−ブトキシジフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリフェニルクロロシランなどを例示できる。
【００１９】
アルキルハライドとしてはＡＹ（Ａは炭素数１〜５のアルキル、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはクロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、１−ブロモ−２−メチルプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモ−２−メチルプロパン、２−ブロモブタン、１−ヨード−２−メチルプロパン、１−ヨードブタン、２−ヨード−２−メチルプロパン、２−ヨードブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨード−３−メチルブタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、1−ブロモペンタン、２−ブロモ−２−メチルブタン、３−ブロモペンタンなどを挙げることができる。
【００２０】
例えば、化合物（ｅ）としてＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを用い、化合物（ｆ）として無水酢酸を用いた場合、両者の反応により、ＣＨ３ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨと、ＣＨ３ＣＯＯＨが生成し、この前者の化合物が化合物（ａ）である。
また化合物（ｆ）としてトリメチルシリルクロリドを用いた場合、化合物（ａ）として（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨが生成する。
【００２１】
（２）本発明の潤滑剤の合成
上記で得られるフルオロポリエーテル（ａ）と、エポキシ基又はハロエチル基を２つ以上有するフェノキシ化合物（Ｂ）を触媒またはアルカリ金属の存在下、反応させる。ハロエチル基としてはクロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基を例示することができる。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。上記化合物（ａ）に対して、化合物（Ｂ）を０.２〜１.０当量、触媒を０.０５〜０．１当量またはアルカリ金属を１．０〜２．０当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウムなどのアルカリ化合物、アルカリ金属としてはナトリウム、カリウムなどを用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ−ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗、脱水する。その後、パーフルオロポリエーテルの片方の末端に残存しているエステル基またはシリル基またはアルコキシ基などの保護基を加水分解などにより脱保護する。これによりＸ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムのような脱保護促進剤を用いても良い。
化合物（Ｂ）の具体例を以下に示す。化合物（ｂ１）は１,３−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンである。１,２−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン、１,４−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンも使用できる。化合物（ｂ２）は１,４−ビス（２−ブロモエトキシ）ベンゼンである。１,２−異性体、１,３−異性体も使用できる。
化合物（ｃ１）はビス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｃ２）はビス（４-ブロモエトキシフェニル）メタンである。
化合物（ｄ１）はトリス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｄ２）はトリス（４−ブロモエトキシフェニル）メタンである。
【００２２】
【化１】
【００２３】
【化２】
【００２４】
【化３】
【００２５】
【化４】
【００２６】
【化５】
【００２７】
【化６】
【００２８】
このＸ＝−ＯＨの化合物にアルカリ金属、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ（Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す、ｍは１〜６の整数である。）で表わされるハロアルコールを反応させることによりＸ＝−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。ｍは１〜４が好ましく、２〜４が更に好ましい。アルカリ金属としてナトリウム、カリウムなどを用いることができる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシドールを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジルフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５の本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３の本発明の化合物（１）が得られる。
【００２９】
これらの反応において、反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。反応は溶剤中で行ってもよい。Ｘ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）の水酸基に対して、アルカリ金属を１.０〜２.０当量または触媒を０.０５〜０.１当量、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを１.０〜２.０当量使用するのが好ましい。その後、例えば水洗、脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とする化合物がフラクションとして得られる。
【００３０】
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１〜０.１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
【００３１】
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
【００３２】
図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
【００３３】
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
【００３４】
現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
【００３５】
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
【００３６】
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとして、１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。
【００３９】
実施例１
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物１）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝１.５、数平均分子量７００、分子量分布１.１５）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（１１ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ１）を５６ｇ得た。この化合物（ａ１）（５６ｇ）をｔ−ブタノール（２８ｇ）に溶解させ、式（ｂ１）で表される化合物（７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.４ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物１を４１ｇ得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。
【００４０】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔２２Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４２】
実施例２
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物２）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１.２ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物２を６ｇ得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６９ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。
【００４３】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.４
【００４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３４Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４５】
実施例３
ＨＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（化合物３）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.９ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物３を５ｇ得た。
化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７２ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。
【００４６】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.４
【００４７】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４８】
実施例４
Ｈ３ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３（化合物４）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシジル４−メトキシフェニルエーテル（２.７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物４を８ｇ得た。
化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。
【００４９】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.１〜３.８ｐｐｍ
〔３８Ｈ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１〜６.７ｐｐｍ
〔１２Ｈ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５１】
実施例５
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物５）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１において、化合物（ｂ１）（７ｇ）の代わりに化合物（ｂ２）（１０ｇ）、ｔ−ブトキシカリウム（０．４ｇ）の代わりに水素化ナトリウム（２．４ｇ）を用いた以外は実施例１と同様にして化合物５を３１ｇ得た。
化合物５は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。
【００５２】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５３】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５４】
実施例６
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物６）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１．１ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０．１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物６を６ｇ得た。
化合物６は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物６の同定結果を示す。
【００５５】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５６】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５７】
実施例７
ＨＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（化合物７）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.８ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物７を４ｇ得た。
化合物７は白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物７の同定結果を示す。
【００５８】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.７ｐｐｍ
〔２６Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００６０】
実施例８
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物８）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝８．５、数平均分子量２２０３、分子量分布１.３０）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（８ｇ）およびイミダゾール（４ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ２）を５１ｇ得た。この化合物（ａ２）（５１ｇ）をｔ−ブタノール（２６ｇ）に溶解させ、式（ｂ２）で表される化合物（３ｇ）と水素化ナトリウム（１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（１７ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物８を３９ｇ得た。
化合物８は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物８の同定結果を示す。
【００６１】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔７６Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔６８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝８．５
【００６２】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００６３】
実施例９
酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価
化合物１〜８のそれぞれに、２０重量％のＡｌ２Ｏ３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製する。耐分解性の評価は、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行なった。試料は２０ｍｇ、測定は窒素雰囲気下で行なった。また比較のため、Ａｌ２Ｏ３を添加せず、潤滑剤そのものを２０ｍｇ使用し、同様の熱分析を行った。
【００６４】
実施例１０
単分子膜厚の測定
磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）は、非特許文献２にも記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。
【００６５】
〔非特許文献２〕 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１
【００６６】
具体的には、実施例で合成した化合物１〜８を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度はいずれも０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１〜８が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。
上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。
【００６７】
比較のために、分子末端のみに水酸基を有する化合物９と、分子鎖中と分子末端に水酸基を有する化合物１０を使用した。
【００６８】
（化合物９）
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）ｘ（ＣＦ2Ｏ）ｙＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ
ここでｘは１０.１、ｙは１０.９である。
【００６９】
（化合物１０）
ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ｅ−Ｏ）ｐ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−ＯＨ
Ｅは−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−で表される基である。Ｒ２は、−ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）ｘ（ＣＦ2Ｏ）ｙＣＦ2−である。
ここでｐは２、ｘは９．９、ｙは８．９である。
【００７０】
耐分解性の評価及び単分子膜厚の測定の結果を表１に記す。これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、分子末端のみに水酸基を有する化合物９や分子中と分子末端に水酸基を有する化合物１０に比べて、優れた耐分解性を有しており、かつ低い単分子膜厚を示すことが確認された。
【００７１】
【表１】
【００７２】
実施例１１
磁気ディスクの作製
実施例で得られた化合物１〜８をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度は０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。
【００７３】
結果を表２に示す。これらの結果から、耐分解性を有し、かつ一分子あたりの膜厚を低減できる本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【００７４】
【表２】
【符号の説明】
【００７５】
１ 支持体
２ 記録層
３ 保護層
４ 潤滑層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
【０００３】
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。
【０００４】
潤滑剤としては一般に官能基を有するフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、分子末端に水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬ、さらには分子の一方の末端に水酸基、他方の末端にシクロホスファゼン基を有する株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ Ａ２０Ｈなどがある。さらに、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤も提案されている（特許文献１）。
【０００５】
Ｆｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。さらに、特許文献１では、ヘッドとディスクのスペーシングに対する潤滑剤の膜厚の影響について記されている。スペーシングを低減するには潤滑剤一分子分の膜厚を低減することが有効であり、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤が、潤滑剤一分子あたりの膜厚を低減できると提案されている。この技術により潤滑剤一分子分の膜厚を低くすることが可能となる。
【０００６】
しかし、これらのフルオロポリエーテル化合物は、ルイス酸への耐久性が低く、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３と反応して、主鎖の切断が起こる（例えば非特許文献１参照）。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・消失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
ところで、潤滑剤の保護層への付着特性を向上させ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、厳しい環境耐性を有する磁気ディスクに用いられる潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中にヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物を含有する潤滑剤が提案されている（特許文献２）。しかし、特許文献２には実質的な実施例が記載されていず、前記例示のジエポキシ化合物を塩基条件下で反応させることにより、前記の例示潤滑剤化合物を製造したとあるだけで、どのジエポキシ化合物を用いたのかも不明で、生成物を特定するＮＭＲ等のデータなども全く無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７０１７３
【特許文献２】特開２０１０−８６５９８
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ６７９１−６７９９
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつヘッドとディスクのスペーシングを低減できる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【００１１】
２．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と耐分解性という２つの課題を同時に解決する潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクのスペーシングを低減でき、かつヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
潤滑剤の合成方法
式（１）で表される本発明の潤滑剤は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、化合物（ｂ１）、（ｃ１）若しくは（ｄ１）のような２つ以上のエポキシ基を有するフェノキシ化合物又は化合物（ｂ２）、（ｃ２）若しくは（ｄ２）のような２つ以上のハロエチル基を有するフェノキシ化合物［以下、これらフェノキシ化合物を化合物（Ｂ）ということがある］を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。具体的には以下の方法により合成される。
【００１４】
（１）片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）の合成
両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ｅ）と、水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）を反応させる。反応温度は１０〜６０℃、好ましくは２０〜４０℃である。反応時間は、２〜２０時間、好ましくは１０〜１５時間である。化合物（ｆ）の使用量は、フルオロポリエーテル（ｅ）に対して０.５〜１.５当量であることが好ましい。反応促進剤を使用しても良い。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有し、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を得る。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてジメチルホルムアルデヒド、１,４−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。反応促進剤としてイミダゾール、ピリジン、水素化ナトリウムなどを例示することができる。
【００１５】
両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ｅ）としては、例えばＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示
される化合物を例示できる。このフルオロポリエーテルの数平均分子量は３００〜２０００、好ましくは４００〜１２００、より好ましくは５００〜８００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００による１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
ｎは０〜２０の実数であり、好ましくは０〜１０の実数であり、さらに好ましくは０〜４の実数であり、特に好ましくは１〜３の実数であり、最も好ましくは１〜２の実数である。
【００１６】
上記フルオロポリエーテル（ｅ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、１.０〜１.５であり、好ましくは１.０〜１.３であり、より好ましくは１.０〜１.１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ Ｍｉｘｅｄ Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物資としては、無官能のパーフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
【００１７】
水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）としては、例えば酸無水物、シリルハライド、アルキルハライドなどを挙げることができる。
酸無水物としては無水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、ＲａＯＲｂ（Ｒａ及びＲｂは同一又は異なって、ＣＨ３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＨ３ＳＯ２、ＰｈＳＯ２、ＣＦ３
ＣＨ２ＣＯ、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２、Ｐｈはフェニルを示す）で表される化合物を例示で
きる。ＲａＯＲｂで表される化合物の具体例としては無水トリフルオロメチル酢酸、無水安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸、酢酸安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物などを例示できる。
【００１８】
シリルハライドとしては（Ｒｃ）３ＳｉＹ、Ｒｄ（Ｒｅ）２ＳｉＹ、ＲｄＲｅＲｇＳｉ
Ｙ（Ｒｃは炭素数１〜４のアルキル又はＰｈ、Ｒｄは炭素数１〜１８のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、Ｐｈ、ＰｈＣＨ２、ペンタフルオロフェニル、シアノプロピル、ビニル、Ｒｅは炭素数１〜２のアルキル又はＰｈ、Ｒｇはフェニル基の置換した炭素数１〜４のアルキルを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはトリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、（３−シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３−フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３−フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ｔ−ブトキシジフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリフェニルクロロシランなどを例示できる。
【００１９】
アルキルハライドとしてはＡＹ（Ａは炭素数１〜５のアルキル、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはクロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、１−ブロモ−２−メチルプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモ−２−メチルプロパン、２−ブロモブタン、１−ヨード−２−メチルプロパン、１−ヨードブタン、２−ヨード−２−メチルプロパン、２−ヨードブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨード−３−メチルブタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、1−ブロモペンタン、２−ブロモ−２−メチルブタン、３−ブロモペンタンなどを挙げることができる。
【００２０】
例えば、化合物（ｅ）としてＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを用い、化合物（ｆ）として無水酢酸を用いた場合、両者の反応により、ＣＨ３ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨと、ＣＨ３ＣＯＯＨが生成し、この前者の化合物が化合物（ａ）である。
また化合物（ｆ）としてトリメチルシリルクロリドを用いた場合、化合物（ａ）として（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨが生成する。
【００２１】
（２）本発明の潤滑剤の合成
上記で得られるフルオロポリエーテル（ａ）と、エポキシ基又はハロエチル基を２つ以上有するフェノキシ化合物（Ｂ）を触媒またはアルカリ金属の存在下、反応させる。ハロエチル基としてはクロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基を例示することができる。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。上記化合物（ａ）に対して、化合物（Ｂ）を０.２〜１.０当量、触媒を０.０５〜０．１当量またはアルカリ金属を１．０〜２．０当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウムなどのアルカリ化合物、アルカリ金属としてはナトリウム、カリウムなどを用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ−ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗、脱水する。その後、パーフルオロポリエーテルの片方の末端に残存しているエステル基またはシリル基またはアルコキシ基などの保護基を加水分解などにより脱保護する。これによりＸ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムのような脱保護促進剤を用いても良い。
化合物（Ｂ）の具体例を以下に示す。化合物（ｂ１）は１,３−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンである。１,２−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン、１,４−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンも使用できる。化合物（ｂ２）は１,４−ビス（２−ブロモエトキシ）ベンゼンである。１,２−異性体、１,３−異性体も使用できる。
化合物（ｃ１）はビス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｃ２）はビス（４-ブロモエトキシフェニル）メタンである。
化合物（ｄ１）はトリス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｄ２）はトリス（４−ブロモエトキシフェニル）メタンである。
【００２２】
【化１】
【００２３】
【化２】
【００２４】
【化３】
【００２５】
【化４】
【００２６】
【化５】
【００２７】
【化６】
【００２８】
このＸ＝−ＯＨの化合物にアルカリ金属、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ（Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す、ｍは１〜６の整数である。）で表わされるハロアルコールを反応させることによりＸ＝−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。ｍは１〜４が好ましく、２〜４が更に好ましい。アルカリ金属としてナトリウム、カリウムなどを用いることができる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシドールを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジルフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５の本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３の本発明の化合物（１）が得られる。
【００２９】
これらの反応において、反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。反応は溶剤中で行ってもよい。Ｘ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）の水酸基に対して、アルカリ金属を１.０〜２.０当量または触媒を０.０５〜０.１当量、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを１.０〜２.０当量使用するのが好ましい。その後、例えば水洗、脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とする化合物がフラクションとして得られる。
【００３０】
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１〜０.１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
【００３１】
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
【００３２】
図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
【００３３】
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
【００３４】
現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
【００３５】
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
【００３６】
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとして、１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。
【００３９】
実施例１
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物１）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝１.５、数平均分子量７００、分子量分布１.１５）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（１１ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ１）を５６ｇ得た。この化合物（ａ１）（５６ｇ）をｔ−ブタノール（２８ｇ）に溶解させ、式（ｂ１）で表される化合物（７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.４ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物１を４１ｇ得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。
【００４０】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔２２Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４２】
実施例２
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物２）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１.２ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物２を６ｇ得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６９ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。
【００４３】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.４
【００４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３４Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４５】
実施例３
ＨＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（化合物３）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.９ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物３を５ｇ得た。
化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７２ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。
【００４６】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.４
【００４７】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００４８】
実施例４
Ｈ３ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３（化合物４）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシジル４−メトキシフェニルエーテル（２.７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物４を８ｇ得た。
化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。
【００４９】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.１〜３.８ｐｐｍ
〔３８Ｈ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.１〜６.７ｐｐｍ
〔１２Ｈ，Ｈ３ＣＯＣ６Ｈ４ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５１】
実施例５
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物５）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例１において、化合物（ｂ１）（７ｇ）の代わりに化合物（ｂ２）（１０ｇ）、ｔ−ブトキシカリウム（０．４ｇ）の代わりに水素化ナトリウム（２．４ｇ）を用いた以外は実施例１と同様にして化合物５を３１ｇ得た。
化合物５は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。
【００５２】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５３】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５４】
実施例６
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物６）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１．１ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０．１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物６を６ｇ得た。
化合物６は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物６の同定結果を示す。
【００５５】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５６】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００５７】
実施例７
ＨＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（化合物７）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.８ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物７を４ｇ得た。
化合物７は白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物７の同定結果を示す。
【００５８】
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝１.３
【００５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.７ｐｐｍ
〔２６Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００６０】
実施例８
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物８）の合成
Ｒは−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝８．５、数平均分子量２２０３、分子量分布１.３０）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（８ｇ）およびイミダゾール（４ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ２）を５１ｇ得た。この化合物（ａ２）（５１ｇ）をｔ−ブタノール（２６ｇ）に溶解させ、式（ｂ２）で表される化合物（３ｇ）と水素化ナトリウム（１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（１７ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物８を３９ｇ得た。
化合物８は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物８の同定結果を示す。
【００６１】
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔７６Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔６８Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
ｎ＝８．５
【００６２】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−〕
【００６３】
実施例９
酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価
化合物１〜８のそれぞれに、２０重量％のＡｌ２Ｏ３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製する。耐分解性の評価は、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行なった。試料は２０ｍｇ、測定は窒素雰囲気下で行なった。また比較のため、Ａｌ２Ｏ３を添加せず、潤滑剤そのものを２０ｍｇ使用し、同様の熱分析を行った。
【００６４】
実施例１０
単分子膜厚の測定
磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）は、非特許文献２にも記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。
【００６５】
〔非特許文献２〕 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１
【００６６】
具体的には、実施例で合成した化合物１〜８を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度はいずれも０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１〜８が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。
上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。
【００６７】
比較のために、分子末端のみに水酸基を有する化合物９と、分子鎖中と分子末端に水酸基を有する化合物１０を使用した。
【００６８】
（化合物９）
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ2ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）ｘ（ＣＦ2Ｏ）ｙＣＦ2ＣＨ2ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ
ここでｘは１０.１、ｙは１０.９である。
【００６９】
（化合物１０）
ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ｅ−Ｏ）ｐ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−ＯＨ
Ｅは−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−で表される基である。Ｒ２は、−ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）ｘ（ＣＦ2Ｏ）ｙＣＦ2−である。
ここでｐは２、ｘは９．９、ｙは８．９である。
【００７０】
耐分解性の評価及び単分子膜厚の測定の結果を表１に記す。これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、分子末端のみに水酸基を有する化合物９や分子中と分子末端に水酸基を有する化合物１０に比べて、優れた耐分解性を有しており、かつ低い単分子膜厚を示すことが確認された。
【００７１】
【表１】
【００７２】
実施例１１
磁気ディスクの作製
実施例で得られた化合物１〜８をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度は０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。
【００７３】
結果を表２に示す。これらの結果から、耐分解性を有し、かつ一分子あたりの膜厚を低減できる本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【００７４】
【表２】
【符号の説明】
【００７５】
１ 支持体
２ 記録層
３ 保護層
４ 潤滑層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項２】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（１）の化合物を含有する潤滑剤
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項４】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項３に記載の潤滑剤。
【請求項５】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項６】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項５に記載の磁気ディスク。
【請求項１】
式（１）で表される化合物
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項２】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（１）の化合物を含有する潤滑剤
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項４】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項３に記載の潤滑剤。
【請求項５】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク
Ｃ６Ｈ４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ５、−ＯＣ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３、ｍは１〜６の整数である。
【請求項６】
ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項５に記載の磁気ディスク。
【図１】
【公開番号】特開２０１３−１８９６１（Ｐ２０１３−１８９６１Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０２５５１（Ｐ２０１２−１０２５５１）
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【出願人】（０００１４６１８０）株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ (20)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【出願人】（０００１４６１８０）株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ (20)
【Ｆターム（参考）】
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