ブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物及びそれらの製造方法
【課題】末端オレフィンの不飽和基を金属化し、ブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成するブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法である。
【解決手段】末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成するブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、アニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成するブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、該製造方法で得られた共重合体又は該共重合体を含む熱可塑性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンを、不飽和カルボン酸あるいはその酸無水物などによってグラフト変性したオレフィン系重合体は、各種樹脂の改質剤や接着性付与剤などとして利用されている。
これらの改質剤は、グラフト変性量の向上、グラフト構造の制御性を高めることにより、接着、相溶性などの性能をより一層、向上できると期待されている。
一方、メタロセン系触媒を用いて得られる低規則性ポリオレフインは、低規則性であるため、柔軟性やオレフイン系樹脂などへの混和性に優れるが、更に、極性基を付与することによって、接着性や異種樹脂との複合化などへの用途展開が期待されている。
【０００３】
アルキルリチウム単独又はエーテル類やアミン類の共存下で、炭化水素を金属化し、各種求核性試薬との反応に用いることは有機金属合成の分野で一般的に行われてきた。
この技術を、ポリマーの変性やグラフト重合に適用した例がある。
金属化する反応点を形成するために、α−オレフインと１−アルケニルモノマーを共重合し、１−アルケニルモノマー残基を金属化し、グラフト共重合体を製造する方法が知られているが（例えば、特許文献１参照）、共重合プロセスを含むため煩雑である。
また、アルキルスチレンポリマー中の第１ベンジル炭素原子にエチレン性不飽和官能基を導入する方法が知られており（例えば、特許文献２参照）、アルカリ金属アルコキシド及びアルキルリチウム化合物で金属化した後、アルケニルシランを添加して官能基を導入することができるが、グラフト反応点を共重合により確保するため、製造プロセスが煩雑である。
更に、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体（ＥＰＤＭ）のグラフト重合反応において、ＥＰＤＭの主鎖に存在する炭素−炭素不飽和結合のアリル部位をリチウム化し、アニオン重合性モノマーをグラフト重合する方法が知られている（例えば、特許文献３〜５参照）。
上記のように、従来技術は、金属化する部位としては、ポリマー側鎖の炭素−珪素結合部位、共重合モノマーの炭素−炭素不飽和結合部位、パラメチルスチレン残基のメチル基などであり、主鎖はジオレフイン由来の炭素−炭素不飽和結合部位である。
従って、末端不飽和基を金属化し、ブロック共重合体を製造する方法は知られていない。
【０００４】
【特許文献１】特表平１０−５１２９１６号公報
【特許文献２】特表２００１−５０６３１１号公報
【特許文献３】米国特許明細書第４７６１５４６号公報
【特許文献４】米国特許明細書第４７８６６８９号公報
【特許文献５】米国特許明細書第４７９４１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、ポリオレフィンの改質剤、異種材料間の分散性向上剤、相溶化剤などとして有用なポリオレフィン系ブロック共重合体又は該共重合体を含む熱可塑性樹脂組成物、及びそれらを効果的に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、アニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することにより、その目的を達成し得ることを見出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
１．末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することを特徴とするブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
２．末端不飽和ポリオレフインが、下記の（１）〜（４）を満足する上記１に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法
（１）炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体であり
（２）末端不飽和基を一分子当たり０．５〜１．０個有し、
（３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下
（４）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ
３．アニオン重合性単量体が、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる上記１又は２に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
４．末端不飽和基が、ビニリデン基である上記１〜３のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
５．末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体であり、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する上記１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
６．末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体であり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にある上記１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
７．プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０重量％以下とのプロピレン系共重合体を含有し、かつ下記の（ａ）及び（ｂ）を満足するプロピレン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
８．ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体を含有し、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にあるブテン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
９．上記１〜６のいずれかに記載の製造方法によって得られたブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、末端不飽和ポリオレフインを用いることにより、架橋構造などの不規則構造を含まず、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成したブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を低温で製造することができる。
従って、該共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物は、架橋構造などの不規則構造を含まず、広範なアニオン重合性単量体（例えば、極性モノマー種）成分を含み、該単量体の含有量が高いため、少量の使用で接着性や相溶性を発現し、一分子中にポリオレフイン連鎖とアニオン重合性単量体連鎖（例えば、極性モノマー連鎖）が存在するため、異種材料間の分散効果、相溶化効果に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明に用いる末端不飽和ポリオレフィンは、炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体である。
炭素数２〜２８のα−オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチルペンテン−１、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−ノナデセン及び１−イコセンなどが挙げられる。
末端不飽和ポリオレフィンとしては、詳細には、エチレン、プロピレン、１−ブテン及び炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体、エチレン９０〜１００質量％含有するエチレン系重合体、炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれるα−オレフインを９０〜１００質量％含有するα−オレフイン系重合体、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体などが挙げられる。
プロピレン系共重合体は、好ましくは、プロピレン９５質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上５質量％以下とのプロピレン系共重合体である。
また、ブテン系共重合体としては、好ましくは、１−ブテン９５質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上５質量％以下とのブテン系共重合体である。
【０００９】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、末端不飽和基を一分子当たり、０．５〜１．０個、好ましくは０．６〜１．０個、より好ましくは０．６５〜１．０個、更に好ましくは０．７〜１．０個有する。
末端不飽和基が０．５個以上では不飽和基の濃度が高く、ブロック共重合体の生成効率が上昇する。
末端不飽和基としては、ビニデン基が好ましく、末端不飽和基に占めるビニリデン基は、通常、０．５〜１．０個、好ましくは０．６〜１．０個、より好ましくは０．７〜１．０個、更に好ましくは０．８〜１．０個である。
【００１０】
上記末端不飽和基の測定は、一般的には、赤外線吸収スペクトル法、核磁気共鳴スペクトル法、臭素化法などが用いられ、何れの方法によっても測定することができる。
赤外線吸収スペクトル法は「新版 高分子分析ハンドブック 、日本分析化学会、高分子分析研究懇談会編」に記載された方法に準拠して行うことができる。
それによれば、赤外線吸収スペクトル法による末端不飽和基としては、ビニル基、ビニリデン基、トランス（ビニレン）基などがの不飽和基は、それぞれ赤外線吸収スペクトルの９１０ｃｍ-1、８８８ｃｍ-1、９６３ｃｍ-1の吸収から定量することができる。
また、核磁気共鳴スペクトル法によるビニリデン不飽和基の定量は、次のようにして行う。
末端不飽和基としてのビニリデン基の個数は、常法に従った1Ｈ−ＮＭＲの測定により求められる。
1Ｈ−ＮＭＲ測定から得られたδ４．８〜４．６（２Ｈ）に出現するビニリデン基に基づいて、定法によりビニリデン基の含有量（Ｃ）（モル％）を算出する。
更に、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）より求めた数平均分子量（Ｍｎ）とモノマー分子量（Ｍ）から、次式によって一分子当たりのビニリデン基の個数を算出する。
一分子当たりの末端ビニリデン基（個）＝（Ｍｎ／Ｍ）×（Ｃ／１００）
【００１１】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が、４以下、好ましくは３．５以下、より好ましくは３以下、更に好ましくは２．５以下である。
分子量分布は狭いほど好ましく、これは、本発明のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物において、末端不飽和ポリオレフインが連鎖を形成するため、連鎖長にばらつきが少なく、構造が制御されたブロック共重合体が生成するからである。
【００１２】
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、下記の装置及び条件で、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）測定することにより求めることができる。
ＧＰＣ測定装置
検出器 ：液体クロマトグラフィー用ＲＩ検出器 ウオーターズ １５０Ｃ
カラム ：ＴＯＳＯ ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ
測定条件
溶媒 ：１，２，４−トリクロロベンゼン
測定温度 ：１４５℃
流速 ：１．０ｍｌ／分
試料濃度 ：０．３質量％
重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）はポリスチレン換算分子量を対応するポリマーの分子量に換算するため、Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ−桜田の式の定数Ｋ及びａを用いてＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ法により求めた。
具体的には、「サイズ排除クロマトグラフィー、森定雄著、Ｐ６７〜６９、１９９２年、共立出版」に記載の方法によって決定した。
なお、Ｋ及びαは、「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．」に記載されている。
また、新たに算出する絶対分子量に対する極限粘度の関係から定法によって決定することができる。
【００１３】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ程度、好ましくは０．０５〜２．５、より好ましくは０．０５〜２．０、更に好ましくは０．１〜２．０、最も好ましく０．１５〜１．８ｄｌ／ｇである。
極限粘度〔η〕が上記範囲内であると、ブロック共重合体のポリオレフイン連鎖長が十分であり、相溶化などの機能を十分に発揮し、ブロック重合の際、末端不飽和基の濃度が高いためブロック共重合性が上昇する。
【００１４】
極限粘度［η］は、１３５℃のデカリン中、ウベローデ型粘度計で還元粘度（ηＳＰ／ｃ）を測定し、下記一般式（ハギンスの式）を用いて算出する。
ηＳＰ／ｃ＝［η］＋Ｋ［η］2ｃ
ηＳＰ／ｃ（ｄｌ／ｇ）：還元粘度
［η］（ｄｌ／ｇ）：極限粘度
ｃ（ｇ／ｄｌ）：ポリマー濃度
Ｋ＝０．３５（ハギンス定数）
【００１５】
末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体（以下、プロピレン系重合体と呼称することがある）の場合、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足することが好ましい。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
【００１６】
上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、好ましくは３０〜７５モル％、より好ましくは３２〜７０モル％である。
メソペンタッド分率が３０モル％以上であると、プロピレン系重合体が結晶性のものとなるので、耐熱性を示し、８０モル％以下であると、プロピレン系重合体が適度に軟質となるので、溶媒への溶解性が良好となり、溶液反応などへ広く適用することができる。
【００１７】
上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕、後述するラセミペンタッド分率〔ｒｒｒｒ〕及びラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）などにより「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，６，９２５（１９７３）」で提案された方法に準拠し、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルのメチル基のシグナルにより測定されるポリプロピレン分子鎖中のペンタッド単位でのメソ分率、ラセミ分率及びラセミメソラセミメソ分率である。
メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が大きくなると、立体規則性が高くなる。
なお、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルの測定は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）などにより「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）」で提案されたピークの帰属に従い、下記の装置及び条件にて行うことができる。
また、後述するメソトリアッド分率〔ｍｍ〕、ラセミトリアッド分率〔ｒｒ〕及びメソラセミ分率〔ｍｒ〕も上記方法により算出した。
【００１８】
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型13Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２２０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回
【００１９】
＜計算式＞
Ｍ＝（ｍ／Ｓ）×１００
Ｒ＝（γ／Ｓ）×１００
Ｓ＝Ｐββ＋Ｐαβ＋Ｐαγ
Ｓ：全プロピレン単位の側鎖メチル炭素原子のシグナル強度
Ｐββ：１９．８〜２２．５ｐｐｍ
Ｐαβ：１８．０〜１７．５ｐｐｍ
Ｐαγ：１７．５〜１７．１ｐｐｍ
γ：ラセミペンタッド連鎖：２０．７〜２０．３ｐｐｍ
ｍ：メソペンタッド連鎖 ：２１．７〜２２．５ｐｐｍ
【００２０】
上記プロピレン系重合体のラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕が２．５モル％を超えると、ランダム性が増加し、透明性が更に向上する。
また、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕との上記関係式は、好ましくは
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２０．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋３．０
より好ましくは
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−１５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋２．０
である。
融点（Ｔｍ）が（１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０）を超える場合は、部分的に高い立体規則性部位と、立体規則性を持たない部位が存在することを示す。
また、融点（Ｔｍ）が（１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０）に達しない場合、耐熱性が十分ではないおそれがある。
なお、上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、平均値として測定されるものであり、メソペンタッド分率分布が広い場合と狭い場合とでは明確に区別することはできないが、融点（Ｔｍ）との関係を特定範囲に限定することによって、好ましい均一性の高い反応性のプロピレン系重合体を規定することができる。
上記融点（Ｔｍ）は、ＤＳＣ測定により求める。
すなわち、示差走査型熱量計（パーキン・エルマー社製、ＤＳＣ−７）を用い、試料１０ｍｇを窒素雰囲気下２２０℃で３分間溶融した後、１０℃／分で−４０℃まで降温する。
更に、−４０℃で３分間保持した後、１０℃／分で昇温させることにより得られた融解吸熱カーブの最も高温側に観測されるピークのピークトップが融点（Ｔｍ）である。
【００２１】
上記プロピレン系重合体は、更に、下記の（ｄ）〜（ｆ）を満足することが好ましい。
（ｄ）〔ｒｒｒｒ〕／（１−〔ｍｍｍｍ〕）≦０．１
上記関係を満足すると、べたつきが抑制される。
（ｅ）〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2≦２．０
上記〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2の値が２．０以下であると、透明性の低下が抑制され、柔軟性と弾性回復率のバランスが良好となる。
〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2は、好ましくは１．８〜０．５、より好ましくは１．５〜０．５の範囲である。
（ｆ）昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出する成分量（Ｗ２５）が２０〜１００質量％である。
上記昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出するプロピレン系重合体の成分量（Ｗ２５）は、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％である。
Ｗ２５は、プロピレン系重合体が軟質であるか否かを表す指標であり、この値が小さくなると、弾性率の高い成分が多くなったり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕の不均一さが広がる。
上記プロピレン系重合体においては、Ｗ２５が２０質量％以上であると、柔軟性が保たれる。
なお、Ｗ２５とは、以下のような操作法、装置構成及び測定条件の昇温クロマトグラフィにより測定して求めた溶出曲線におけるＴＲＥＦ（昇温溶出分別）のカラム温度２５℃において充填剤に吸着されないで溶出する成分の量（質量％）である。
【００２２】
（１）操作法
試料溶液を温度１３５℃に調節したＴＲＥＦカラムに導入し、次いで降温速度５℃／時間にて徐々に０℃まで降温し、３０分間ホールドし、試料を充填剤表面に結晶化させる。
その後、昇温速度４０℃／時間にてカラムを１３５℃まで昇温し、溶出曲線を得る。
（２）装置構成
ＴＲＥＦカラム ：ＧＬサイエンス社製 シリカゲルカラム（４．６φ×１５０ｍｍ）
フローセル ：ＧＬサイエンス社製 光路長１ｍｍ ＫＢｒセル
送液ポンプ ：センシュウ科学社製 ＳＳＣ−３１００ポンプ
バルブオーブン ：ＧＬサイエンス社製 ＭＯＤＥＬ５５４オーブン（高温型）
ＴＲＥＦオーブン：ＧＬサイエンス社製
二系列温調器 ：理学工業社製 ＲＥＸ−Ｃ１００温調器
検出器 ：液体クロマトグラフィー用赤外検出器 ＦＯＸＢＯＲＯ社製 ＭＩＲＡＮ １Ａ ＣＶＦ
１０方バルブ ：バルコ社製 電動バルブ
ループ ：バルコ社製 ５００μｌループ
（３）測定条件
溶媒 ：ｏ−ジクロロベンゼン
試料濃度 ：７．５ｇ／Ｌ
注入量 ：５００μｌ
ポンプ流量 ：２．０ｍｌ／分
検出波数 ：３．４１μｍ
カラム充填剤 ：クロモソルブＰ（３０〜６０メッシュ）
カラム温度分布 ：±０．２℃以内
【００２３】
末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体（以下、ブテン系重合体と呼称することがある）の場合、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は２０〜９０モル％の範囲にあることが好ましい。
このメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、より好ましくは３０〜８５モル％、更に好ましくは３０〜８０モル％である。
メソペンタッド分率が上記範囲内であると、透明性が良好で、柔軟性の低下、低温ヒートシール性の低下、ホットタック性の低下が抑制される。
【００２４】
上記ブテン系重合体のメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、朝倉らにより報告された「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６，７１７（１９８４）」、Ｊ．Ｒａｎｄａｌｌらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９，２０１（１９８９）」及びＶ．Ｂｕｓｉｃｏらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９８，１２５７（１９９７）」で提案された方法に準拠して求めた。
すなわち、13Ｃ核磁気共鳴スペクトルを用いてメチレン基、メチン基のシグナルを測定し、ポリ（１−ブテン）分子中のメソペンタッド分率を求めた。
後述する立体規則性指数｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝は、上記方法により、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕、メソメソラセミラセミ分率〔ｍｍｒｒ〕及びラセミメソメソラセミ分率〔ｒｍｍｒ〕を測定した値から算出した。
13Ｃ核磁気共鳴スペクトルの測定は、下記の装置及び条件にて行った。
【００２５】
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型13Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２３０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回
【００２６】
上記ブテン系重合体は、更に下記（ｇ）及び（ｈ）を満足することが好ましい。
（ｇ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）による融点（Ｔｍ）が観測されないか又は融点（Ｔｍ）が０〜１００℃の結晶性樹脂である。
ブテン系重合体において、融点（Ｔｍ）が観測される場合、この融点は０〜８０℃であることが好ましい。
なお、融点は、上述した測定法により求める。
（ｈ）｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝≦２０
上記立体規則性指数｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝が２０以下であると、柔軟性、低温ヒートシール性及びホットタック性の低下が抑制される。
この立体規則性指数は、好ましくは１８以下、より好ましくは１５以下である。
【００２７】
本発明の末端不飽和ポリオレフインは、メタロセン触媒により製造されるものが好ましい。
メタロセン触媒としては、（Ａ）シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基などを有する周期律表第３〜１０の金属元素からなる遷移金属化合物と（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物を含む触媒であって、末端不飽和基を生成することのできる触媒が挙げられる。
遷移金属化合物としては、ジルコノセンクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリドなどのビスシクロペンタジエニル配位子からなる化合物、エチレンビスインデニルジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン−ビス−［２−メチル−４−フェニルインデニル］ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン−ビス−［２−メチル−４，５−ベンゾインデニル］ジルコニウムジクロリドなどの架橋インデニル配位子からなる化合物、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメトキシチタニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリクロルチタニウムなどのモノシクロペンタジエニル配位子からなる化合物、ジクロロ［ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウム、ジクロロ［ジメチルゲルミレン（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウム、ジクロロ［ジメチルシリレン（２−メチル−１−インデニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウムなどのアズレニウム配位子からなる化合物が挙げられる。
更に、下記一般式（Ｉ）で表される二重架橋遷移金属化合物が挙げられる。
【００２８】
【化１】
【００２９】
上記一般式（Ｉ）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、具体例としてはチタン，ジルコニウム，ハフニウム，イットリウム，バナジウム，クロム，マンガン，ニッケル，コバルト，パラジウム及びランタノイド系金属などが挙げられる。
これらの中ではオレフィン重合活性などの点からチタン，ジルコニウム及びハフニウムが好適であり、末端ビニリデン基の収率及び触媒活性の点から、ジルコニウムが最も好適である。
Ｅ1及びＥ2はそれぞれ、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミド基（−Ｎ＜），ホスフィン基（−Ｐ＜），炭化水素基〔＞ＣＲ−，＞Ｃ＜〕及びケイ素含有基〔＞ＳｉＲ−，＞Ｓｉ＜〕（但し、Ｒは水素又は炭素数１〜２０の炭化水素基あるいはヘテロ原子含有基である）の中から選ばれた配位子を示し、Ａ1及びＡ2を介して架橋構造を形成している。Ｅ1及びＥ2は互いに同一でも異なっていてもよい。
このＥ1及びＥ2としては、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基及び置換インデニル基が好ましく、Ｅ1及びＥ2のうちの少なくとも一つは、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基である。
Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよく、他のＸ，Ｅ1，Ｅ2又はＹと架橋していてもよい。
このＸの具体例としては、ハロゲン原子，炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアミド基，炭素数１〜２０のケイ素含有基，炭素数１〜２０のホスフィド基，炭素数１〜２０のスルフィド基，炭素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
炭素数１〜２０の炭化水素基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセニル基などのアルケニル基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基；フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基などが挙げられる。
なかでも、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好ましい。
【００３０】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基などが挙げられる。
炭素数１〜２０のアミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロヘキシルアミド基、メチルエチルアミド基などのアルキルアミド基や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド基、ジシクロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミド基；ジベンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、フェニルプロピルアミド基などのアリールアルキルアミド基；ジフェニルアミド基、ジナフチルアミド基などのアリールアミド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のケイ素含有基としては、メチルシリル基、フェニルシリル基などのモノ炭化水素置換シリル基；ジメチルシリル基、ジフェニルシリル基などのジ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリルエーテル基などの炭化水素置換シリルエーテル基；トリメチルシリルメチル基などのケイ素置換アルキル基；トリメチルシリルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げられる。
なかでも、トリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシリルエチル基などが好ましい。
【００３１】
炭素数１〜２０のホスフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。
【００３２】
炭素数１〜２０のスルフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、テアロイル基、オレオイル基などのアルキルアシル基、ベンゾイル基、トルオイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、ナフトイル基、フタロイル基などのアリールアシル基、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのジカルボン酸からそれぞれ誘導されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル基などが挙げられる。
【００３３】
一方、Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよく、他のＹやＥ1，Ｅ2又はＸと架橋していてもよい。
このＹのルイス塩基の具体例としては、アミン類，エーテル類，ホスフィン類，チオエーテル類などを挙げることができる。
アミンとしては、炭素数１〜２０のアミンが挙げられ、具体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルエチルアミンなどのアルキルアミン；ビニルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルアミン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロヘキセニルアミンなどのアルケニルアミン；フェニルアミン、フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミンなどのアリールアルキルアミン；ジフェニルアミン、ジナフチルアミンなどのアリールアミンが挙げられる。
【００３４】
エーテル類としては、メチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、イソアミルエーテルなどの脂肪族単一エーテル化合物；メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、メチル−ｎ−アミルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチル−ｎ−アミルエーテル、エチルイソアミルエーテルなどの脂肪族混成エーテル化合物；ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエーテルなどの脂肪族不飽和エーテル化合物；アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、α−ナフチルエーテル、β−ナフチルエーテルなどの芳香族エーテル化合物、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどの環式エーテル化合物が挙げられる。
【００３５】
ホスフィン類としては、炭素数１〜２０のホスフィンが挙げられる。具体的には、メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、オクチルホスフィンなどのモノ炭化水素置換ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジオクチルホスフィンなどのジ炭化水素置換ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィンなどのトリ炭化水素置換ホスフィンなどのアルキルホスフィンや、ビニルホスフィン、プロペニルホスフィン、シクロヘキセニルホスフィンなどのモノアルケニルホスフィンやホスフィンの水素原子をアルケニルが２個置換したジアルケニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルケニルが３個置換したトリアルケニルホスフィン；ベンジルホスフィン、フェニルエチルホスフィン、フェニルプロピルホスフィンなどのアリールアルキルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアリール又はアルケニルが３個置換したジアリールアルキルホスフィン又はアリールジアルキルホスフィン；フェニルホスフィン、トリルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、プロピルフェニルホスフィン、ビフェニルホスフィン、ナフチルホスフィン、メチルナフチルホスフィン、アントラセニルホスフィン、フェナントニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが２個置換したジ（アルキルアリール）ホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが３個置換したトリ（アルキルアリール）ホスフィンなどのアリールホスフィンが挙げられる。チオエーテル類としては、上記のスルフィドが挙げられる。
【００３６】
次に、Ａ1及びＡ2は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｓｅ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−、−ＢＲ1−又は−ＡｌＲ1−を示し、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。
このような架橋基のうち、少なくとも一つは炭素数１以上の炭化水素基からなる架橋基であることが好ましい。
このような架橋基としては、例えば一般式（ａ）
【００３７】
【化２】
【００３８】
（Ｄは周期律表第１４族元素であり、例えば炭素，ケイ素，ゲルマニウム及びスズが挙げられる。Ｒ2及びＲ3はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基で、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに結合して環構造を形成していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）
で表されるものが挙げられ、その具体例としては、メチレン基，エチレン基，エチリデン基，プロピリデン基，イソプロピリデン基，シクロヘキシリデン基，１，２−シクロヘキシレン基，ビニリデン基（ＣＨ２＝Ｃ＝），ジメチルシリレン基，ジフェニルシリレン基，メチルフェニルシリレン基，ジメチルゲルミレン基，ジメチルスタニレン基，テトラメチルジシリレン基，ジフェニルジシリレン基などを挙げることができる。これらの中で、エチレン基，イソプロピリデン基及びジメチルシリレン基が好適である。
【００３９】
一般式（Ｉ）で表される二重架橋遷移金属化合物の具体例としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４０】
（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４１】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４２】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドなど及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したもの、及び後述する一般式（II）で表される化合物を挙げることができる。
また、他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
上記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物の中では、一般式（II）で表される化合物が好ましい。
【００４３】
【化３】
【００４４】
上記一般式（II）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、Ａ1a及びＡ2aは、それぞれ上記一般式（Ｉ）における一般式（ａ）で表される架橋基を示し、ＣＨ2，ＣＨ2ＣＨ2，（ＣＨ3）2Ｃ，（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）2Ｃ，（ＣＨ3）2Ｓｉ及び（Ｃ6Ｈ5）２Ｓｉが好ましい。
Ａ1a及びＡ2aは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ4〜Ｒ13はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基又はヘテロ原子含有基を示す。
ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基及びケイ素含有基としては、上記一般式（Ｉ）において説明したものと同様のものが挙げられる。
炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基としては、ｐ−フルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５−ビス（トリフルオロ）フェニル基、フルオロブチル基などが挙げられる。
ヘテロ原子含有基としては、炭素数１〜２０のヘテロ原子含有基が挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの窒素含有基；フェニルスルフィド基、メチルスルフィド基などの硫黄含有基；ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基などの燐含有基；メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などの酸素含有基などが挙げられる。
なかでも、Ｒ4及びＲ5としてはハロゲン、酸素、ケイ素などのヘテロ原子を含有する基が、重合活性が高く好ましい。
Ｒ6〜Ｒ13としては、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましい。
Ｘ及びＹは一般式（Ｉ）と同じである。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。
【００４５】
上記一般式（II）で表される二重架橋遷移金属化合物のうち、両方のインデニル基が同一である場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
【００４６】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
【００４７】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。
好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
【００４８】
一方、上記一般式（II）で表される二重架橋遷移金属化合物のうち、Ｒ5が水素原子で、Ｒ4が水素原子でない場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。
好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
【００４９】
本発明で用いる触媒を構成する（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物としては、比較的低分子量の高純度末端不飽和オレフィン系重合体が得られる点、及び触媒高活性の点でボレート化合物が好ましい。
ボレート化合物としては、テトラフェニルホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ジメチルジフェニルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸メチルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルジフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリメチルアニリニウム，
【００５０】
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチル(４−シアノピリジニウム)，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルホスホニウム，テトラキス［ビス（３，５−ジトリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸フェロセニウム，テトラフェニルホウ酸銀，テトラフェニルホウ酸トリチル，テトラフェニルホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム，テトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸フェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸（１，１’−ジメチルフェロセニウム)，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸デカメチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸銀、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリチル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ナトリウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラフルオロホウ酸銀などを挙げることができる。これらは一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。後述する水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０である場合、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム及びテトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウムなどが好ましい。
【００５１】
本発明の製造方法で用いる触媒は、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分との組み合わせでもよく、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を用いてもよい。
（Ｃ）成分の有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム、トリノルマルオクチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジメチルアルミニウムフルオリド、ジイソブチルアルミニウムヒドリド、ジエチルアルミニウムヒドリド及びエチルアルミニウムセスキクロリドなどが挙げられる。
これらの有機アルミニウム化合物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのうち、本発明においては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウムが好ましく、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムがより好ましい。
【００５２】
（Ａ）成分の使用量は、通常０．１×１０-6〜１．５×１０-5モル／Ｌ、好ましくは０．１５×１０-6〜１．３×１０-5モル／Ｌ、より好ましくは０．２×１０-6〜１．２×１０-5モル／Ｌ、特に好ましくは０．３×１０-6〜１．０×１０-5モル／Ｌである。
（Ａ）成分の使用量が０．１×１０-6モル／Ｌ以上であると、触媒活性が十分に発現され、１．５×１０-5モル／Ｌ以下であると、重合熱を容易に除去することができる。
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｂ）は、モル比で好ましくは１０／１〜１／１００、より好ましくは２／１〜１／１０である。
（Ａ）／（Ｂ）が１０／１〜１／１００の範囲にあると、触媒としての効果が得られると共に、単位質量ポリマー当たりの触媒コストを抑えることができる。
また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にホウ素が多量に存在するおそれがない。
（Ａ）成分と（Ｃ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｃ）は、モル比で好ましくは１／１〜１／１００００、より好ましくは１／５〜１／２０００、さらに好ましくは１／１０〜１／１０００である。
（Ｃ）成分を用いることにより、遷移金属当たりの重合活性を向上させることができる。（Ａ）／（Ｃ）が１／１〜１／１００００の範囲にあると、（Ｃ）成分の添加効果と経済性のバランスが良好であり、また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にアルミニウムが多量に存在するおそれがない。
本発明の製造方法においては、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、あるいは（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いて予備接触を行うこともできる。
予備接触は、（Ａ）成分に、例えば（Ｂ）成分を接触させることにより行うことができるが、その方法に特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
このような予備接触により触媒活性の向上や、助触媒である（Ｂ）成分の使用割合の低減など、触媒コストの低減に効果的である。
【００５３】
本発明の末端不飽和ポリオレフインは、上記一般式（Ｉ）で表される二架橋錯体を含む触媒により製造されたプロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体、炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体が好ましい。
【００５４】
本発明の末端不飽和オレフィンは、上記触媒残渣が少ないものが好ましい。
特に、遷移金属の含有量が５質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が５質量ｐｐｍ以下のものである。
遷移金属としては、チタン、ジルコニウム及びハフニウムなどが挙げられ、これらの合計量が５質量ｐｐｍ以下である。
アルミニウムの含有量は、好ましくは２８０質量ｐｐｍ以下である。
これらの金属成分は、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ分光分析）測定装置により測定することができる。
触媒残渣が少ない末端不飽和オレフィンを用いると、得られるブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物が高純度であり好ましい。
【００５５】
本発明の末端飽和のポリオレフインとしては、チーグラー触媒、メタロセン触媒などを用いて得られた、実質的に末端不飽和基を含まないポリオレフインが挙げられ、例えば、不飽和基を含有する反応性ポリオレフインを水添処理した不飽和基を含まないポリオレフイン、ポリエン成分を用いないで製造した不飽和基を含まないポリオレフインであり、より具体的には、以下の（１）〜（３）のポリオレフィンが挙げられる。
（１）高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度（ＬＤＰＥ）、Ｌ−ＬＤＰＥなどのポリエチレン樹脂
（２）アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、アタクチックポリプロピレン、プロピレンとエチレン、炭素数４〜１２のα−オレフインの一種以上からなる共重合体、ブロックポリプロピレンなどのポリプロピレン樹脂
（３）炭素数６〜２８のオレフィン一種以上からなる重合体
【００５６】
本発明の末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、その形態としては、末端不飽和ポリオレフインとの溶融混合物、パウダー状混合物、ペレットなどのドライブレンド混合物、炭化水素溶媒で溶解した溶液又は溶解後、冷却又は再沈殿によって生じた懸濁状態での混合物などである。
その混合比としては、末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％、好ましくは末端不飽和ポリオレフイン３０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜７０質量％、より好ましくは末端不飽和ポリオレフイン４０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜６０質量％、更に好ましくは末端不飽和ポリオレフイン５０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜５０質量％である。
末端不飽和ポリオレフイン２０質量％以上であると、重合反応後のブロック共重合体の生成量が上昇し好ましい。
また、他の観点から、末端飽和のポリオレフインと同種の樹脂に、グラフト共重合体又はグラフト重合体を含む熱可塑性樹脂組成物を添加して用いる場合、ブロック共重合体が末端飽和のポリオレフイン中に充分な量存在し、良好な分散状態であれば、得られる組成物全体へ容易にブロック共重合体が分散するので好ましい。
従って、末端飽和のポリオレフインが８０質量％以下であると、末端飽和のポリオレフインが適正量となり分散性の観点から好ましい。
【００５７】
本発明のアニオン重合性単量体としては、下記の化合物が挙げられる。
［I］アクリル酸誘導体
（１）アクリル酸メチル，メタクリル酸メチル，アクリル酸エチル，アクリル酸ブチル，アクリル酸ノルマルオクチル、アクリル酸２−エチルヘキシルなどのアクリル酸エステル類
（２）アクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、アクリル酸マグネシウム、アクリル酸カルシウムなどのアクリル酸と典型金属元素からなるアクリル酸金属塩
（３）エステル残基に酸素、窒素、硫黄、珪素原子を含むアクリル酸エステル類、例えば、アクリル酸グリシジル、アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能基を有するアクリル酸エステル類
（４）アクリルアミド
（５）置換基に酸素、窒素、硫黄、珪素原子を含む、例えば、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−シクロへキシルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジブチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジシクロへキシルアクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−アクリルアミド、Ｎ−(２−ヒドロキシプロピル)−アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミドなどのＮ−置換アクリルアミド、
（６）アクリロニトリル
［II］メタアクリル酸誘導体
上記［I］の単量体のα位にメチル基などのアルキル基を有する単量体
［III］スチレン、更には、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン，ｐ−エチルスチレン，ｐ−プロピルスチレン，ｐ−イソプロピルスチレン，ｐ−ブチルスチレン，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン，ｐ−フェニルスチレン，ｏ−メチルスチレン，ｏ−エチルスチレン，ｏ−プロピルスチレン，ｏ−イソプロピルスチレン，ｍ−メチルスチレン，ｍ−エチルスチレン，ｍ−イソプロピルスチレン，ｍ−ブチルスチレン，メシチルスチレン，２．４−ジメチルスチレン、２．５−ジメチルスチレン、３．５−ジメチルスチレンなどのアルキルスチレン類；ｐ−メトキシスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレンなどのアルコキシスチレン類；ｐ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｐ−フルオロスチレン、ｍ−フルオロスチレン、ｏ−フルオロスチレン、ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチレンなどのハロゲン化スチレン類；トリメチルシリルスチレンなどのスチレン誘導体
［IV］４〜１２の炭素原子を含有する共役ジオレフィン類が含まれ、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、ピペリレン、メチルペンタジエン、フェニルブタジエン、３，４−ジメチル−１，３−ヘキサジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエンなどのジエン誘導体、好ましくは１，３−ブタジエン、イソプレンである。
アニオン重合性単量体としては、上記［I］〜［IV］から選ばれる一種以上を用いることができる。
【００５８】
末端不飽和ポリオレフインの金属化剤は、アルキルリチウム化合物（ＡｋＬｉ）／アルカリ金属アルコキシド（ＡｋＯＭ）（Ｍは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウム金属を示す。）又はアミン類から構成される。
アルキルリチウム化合物としては、ノルマルブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムなどの炭素数１〜１０の炭化水素基からなるアルキルリチウムが挙げられる。
アルカリ金属アルコキシドにおいて、金属は上記のとおりであり、アルコキシドに対応するアルコールとしては、イソプロパノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−メチル−２−ヘキサノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１(−)−メントール、ヘプタノール、３−メチル−３−ヘキサノール、２−エチル−２−ヘキサノール、３−エチル−３−ヘキサノール、２−プロピル−２−ペンタノール、２−イソプロピル−２−ペンタノール、３−プロピル−３−ペンタノール、３−イソプロピル−３−ペンタノール、メタノールが挙げられる。
特に、非極性炭化水素溶媒に可溶性のアルカリ金属アルコキシド及びそのアルコール前駆体を用いることが好ましい。
最も好ましいアルカリ金属アルコキシドとしては、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エチル−２−ヘキサノール（２−ＥｔＨｅｘＯＨ）、メントール（ＭｅｎＯＨ）及び第３ペンタノール（ｔｅｒｔ−ＰｅＯＨ）から得られるアルカリ金属アルコキシドであり、好ましい金属はとしては、カリウム、セシウムである。
また、アミン類としては、トリアルキルアミン、ジアミンなどから選ぶことができるが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンが好ましい。
末端不飽和ポリオレフインの末端不飽和量（ｉ）に対するアルキルリチウム化合物(ii）のモル比は、（ｉ）／（ii）＝１〜２程度、好ましくは１〜１．５、より好ましくは１〜１．３である。
また、アルカリ金属アルコキシド化合物（iii）に対するアルキルリチウム化合物（ii）のモル比は、（iii）／（ii）＝１〜４程度、好ましくは、目的とするメタル化以外の副反応、例えば、芳香環金属化抑制のために（iii）／（ii）＝１．２〜３である。
アミン類（iv）に対するアルキルリチウム化合物（ii）のモル比は、（ii）／（iv）＝１〜２程度、好ましくは１〜１．５である。
非極性炭化水素溶媒としては、０〜２００℃の沸点を有する炭化水素溶媒が挙げられ、好ましい溶媒としては、ペンタン、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどである。
溶媒の使用量としては、末端不飽和ポリオレフイン１ｇに対して、溶媒１〜５０ｍｌの範囲で使用される。
【００５９】
本発明の末端不飽和ポリオレフインを金属化する反応において、反応温度は、通常、室温（約２０〜２５℃）〜４０℃の範囲で、反応時間は、通常、６０分以内である。
また、ブロック重合条件において、アルキルリチウム化合物（ii）とアニオン重合性単量体（v）のモル比は、（v）／（ii）＝１０〜１０００００程度、好ましくは５０〜８００００、より好ましくは８０〜６００００、更に好ましくは１００〜５００００である。
モル比が１０以上であると、ブロック重合量が十分であり、１０００００以下であると、未反応のアニオン重合性単量体が残存せず、ブロック重合に関与しない単独重合体が減少し好ましい。
ブロック重合温度としては、−８０〜１００℃程度、好ましくは２０〜９０℃、より好ましくは３０〜８０℃であり、反応時間としては、通常、０．１〜３０時間程度、好ましくは０．２〜２０時間である。
【００６０】
本発明のブロック共重合体について、以下に述べる。
その一次構造において、ポリオレフイン連鎖は、上記のように、炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体である。
また、アニオン重合性単量体連鎖側鎖としては、アクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる重合連鎖である。
ブロック共重合体の分子量は、ＧＰＣより求めた重量平均分子量（Ｍｗ）が、通常、２，０００〜５０００００、好ましくは２,５００〜４００,０００、より好ましくは４,０００〜３５０,０００である。
また、その分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１．５〜４、好ましくは１．６〜３．８、より好ましくは１．７〜３．０である。
更に、本発明のブロック共重合体は、ゲル成分を含まないことが好ましい。
（ゲル成分の測定方法）
ブロック共重合体のポリオレフイン成分、アニオン重合性単量体からなる連鎖成分の両者を溶解する溶媒を用い、攪拌装置付きガラス製セパラブルフラスコのステンレス製４００メッシュ（目開き０．０３４ｍｍ）の網でできた籠に、ブロック共重合体５０ｍｇを入れ、攪拌翼に固定する。
酸化防止剤（ＢＨＴ）０．１質量％を含む溶媒を投入し、沸点下で４時間攪拌しながら溶解する。
溶解後、回収した籠を十分真空乾燥し、秤量により不溶部を求める。
不溶部として定義するゲル成分は以下の式で算出する。
［メッシュ内残量（ｇ）／仕込試料量（ｇ）］×１００（単位：％）
溶媒としては、パラキシレン、トルエンなどが挙げられる。
通常、上記式において、０〜１．５質量％の範囲を持ってゲル成分を含まないと規定する。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
製造例１
（１）遷移金属化合物の合成
以下のようにして（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドを合成した。
シュレンク瓶に（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（インデン）のリチウム塩３．０ｇ（６．９７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５０ｍｌに溶解し−７８℃に冷却した。
ヨードメチルトリメチルシラン２．１ｍｌ（１４．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し室温で１２時間撹拌した。
溶媒を留去し、エーテル５０ｍｌを加えて飽和塩化アンモニウム溶液で洗浄した。
分液後、有機相を乾燥し溶媒を除去して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン）３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）を得た（収率８４％）。
次に、窒素気流下においてシュレンク瓶に上記で得られた（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン)３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）とエーテル５０ｍｌを入れた。
−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．５４Ｍ、７．６ｍｌ（１．７ｍｍｏｌ））を滴下した。室温に上げ１２時間撹拌後、エーテルを留去した。
得られた固体をヘキサン４０ｍｌで洗浄することによりリチウム塩をエーテル付加体として３．０６ｇ（５．０７ｍｍｏｌ）を得た（収率７３％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ8）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０４(ｓ，１８Ｈ，トリメチルシリル），０．４８(ｓ，１２Ｈ，ジメチルシリレン）．１．１０(ｔ，６Ｈ，メチル），２．５９(ｓ，４Ｈ，メチレン），３．３８(ｑ，４Ｈ，メチレン），６．２−７．７(ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ)
【００６２】
窒素気流下で、上記で得られたリチウム塩をトルエン５０ｍｌに溶解した。
−７８℃に冷却し、ここへ予め−７８℃に冷却した四塩化ジルコニウム１．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）懸濁液を滴下した。
滴下後、室温で６時間撹拌した。その反応溶液の溶媒を留去した。
得られた残渣をジクロロメタンにより再結晶化することにより、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル) ジルコニウムジクロライド０．９ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）を得た（収率２６％)。
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０(ｓ，１８Ｈ，トリメチルシリル）,１．０２，１．１２(ｓ，１２Ｈ，ジメチルシリレン），２．５１(ｄｄ，４Ｈ，メチレン），７．１−７．６(ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ)
【００６３】
製造例２
（１，２’−ＳｉＭｅ2）（２，１’−ＳｉＭｅ2）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの合成
窒素気流下、２００ｍｌのシュレンク瓶にエーテル５０ｍｌと（１，２’−ＳｉＭｅ2）（２，１’−ＳｉＭｅ2）ビスインデン３．５ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）を加え、ここに−７８℃でｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）のヘキサン溶液（１．６０ｍｏｌ／Ｌ、１２．８ｍｌ）を滴下した。
室温で８時間攪拌した後溶媒を留去し、得られた固体を減圧乾燥することにより白色固体５．０ｇを得た。
この固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに溶解させ、ここへヨードメチルトリメチルシラン１．４ｍｌを室温で滴下した。
水１０ｍｌで加水分解し、有機相をエーテル５０ｍｌで抽出したのち、有機相を乾燥し溶媒を留去した。
ここへエーテル５０ｍｌを加え−７８℃でｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．６０ｍｏｌ／Ｌ、１２．４ｍｌ）を滴下したのち、室温に上げ３時間攪拌後、エーテルを留去した。
得られた固体をヘキサン３０ｍｌで洗浄した後減圧乾燥した。
この白色固体５．１１ｇをトルエン５０ｍｌに懸濁させ、別のシュレンク中でトルエン１０ｍｌに懸濁した四塩化ジルコニウム２．０ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）を添加した。
室温で１２時間攪拌後溶媒を留去し、残渣をヘキサン５０ｍｌで洗浄したのち、残渣をジクロロメタン３０ｍｌから再結晶化させることにより黄色微結晶１．２ｇを得た。（収率２５％）
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０９（ｓ、−ＳｉＭｅ3、９Ｈ）；０．８９、０．８６、１．０３、１．０６（ｓ、−Ｍｅ2Ｓｉ−、１２Ｈ）；２．２０、２．６５（ｄ、−ＣＨ2−、２Ｈ）；６．９９（ｓ、ＣＨ、１Ｈ）；７．０−７．８（ｍ、ＡｒＨ、８Ｈ）
【００６４】
製造例３〔末端不飽和ポリプロピレンの製造（１）〕
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、メチルアルミノキサン２０ｍｍｏｌのトルエン溶液１０ｍｌ、上記製造例1で合成した（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライド２０μｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌを加え、攪拌しながら９０℃まで昇温した。
これに０．１Ｍｐａの分圧となるようプロピレンガスを導入した。
重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１２０分間重合し、その後冷却し未反応プロピレンを脱圧により除去し内容物を取り出した。
内容物は、大量のメタノールに投入し、洗浄した後、ポリプロピレンを回収して乾燥して７５．３ｇを得た。
結果を表１に示した。
【００６５】
製造例４〔末端不飽和ポリプロピレンの製造（２）〕
製造例1で合成した遷移金属化合物に変えて、製造例２で合成した遷移金属化合物を用いること以外は、製造例３と同様にして末端不飽和ポリプロピレンを得た。
結果を表１に示した。
【００６６】
製造例５
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、トリイソブチルアルミニウム０．５ｍｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌ、メチルアニリニウムテトラキス（パーフルオロフェニル）ボレート１．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを加え、５０℃に制御しながら１０分間、攪拌した。
更に、上記製造例1で調製した遷移金属化合物錯体の（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの０．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを投入した。
次に、攪拌しながら温度を７０℃に昇温し、全圧で０．８ＭＰａまでプロピレンガスを導入した。
重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１２０分間重合し、その後冷却し未反応プロピレンを脱圧により除去し内容物を取り出した。
内容物を風乾後、更に８０℃で減圧乾燥を８時間行なうことによって、ポリプロピレン１２３ｇを得た。
結果を表１に示した。
【００６７】
【表１】
【００６８】
実施例１（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例３で合成したポリプロピレン７．５ｇ、シクロヘキサン３１ｍｌを投入し室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを４ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、７０℃で６０分間攪拌し金属化を行った。
その後、室温まで冷却し、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、４０℃に昇温して２時間反応した。
反応終了後、１２モル／Ｌ塩酸を１体積％含有する１Ｌのメタノールに、反応混合物を投入し、ポリマーを析出させ、洗浄を行った。
更に、メタノール洗浄を行い、ろ過、乾燥により１３．９ｇのポリマーを得た。
このもののＧＰＣ測定を行ったところ重量平均分子量（Ｍｗ）は１０５００、分子量分布(Ｍｗ／Ｍｎ)は１．８５であり、前駆体の末端不飽和ポリプロピレンの分子量と比較して増大しており、更に分子量分布の拡大が認められず、更に、分子量分布プロファイルが全体的に高分子量側に移行したことからブロック共重合体が生成していることを確認した。
【００６９】
実施例２（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例４で合成したポリプロピレン５．０ｇ、シクロヘキサン３９ｍｌを投入し、室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン１．０ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、２０℃で１２０分間攪拌し、金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、２５℃で２時間反応した。
反応終了後、１２モル／Ｌ塩酸を１体積％含有する１Ｌのメタノールに、反応混合物を投入しポリマーを洗浄し、回収した。
更にメタノール洗浄を行い、ろ過、乾燥により１１．４ｇのポリマーを得た。
このもののＧＰＣ測定を行ったところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は５７００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ)は１．５８であり、前駆体分子量と比較して増大しており、更に分子量分布の拡大が認められず、更には分子量分布プロファイルが全体的に高分子量側に移行したことからブロック共重合体が生成していることを確認した。
【００７０】
実施例３（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例３で合成したポリプロピレン5.0ｇ、シクロヘキサン５０ｍｌを投入し室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを４ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、２０℃で１５分間攪拌し金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、２５℃で２時間反応を行なった。
反応混合物の処理は実施例１と同様に行い、１１．５ｇのポリマーを得た。
このものの構造を明らかにするため、溶媒分別と組成解析を行った。
先ず、得られたポリマーをヘプタンに溶解し、ろ過により可溶部と不溶部に分離した。
その結果、可溶部（Ｃ７Ｓ）３６．８質量％、不溶部（Ｃ７ＩＳ）６３．２質量％であった。
更に、不溶部（Ｃ７ＩＳ）を同様にして、アセトンで抽出し、遠心分離機により分離した結果、可溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＳ）の不溶部（Ｃ７ＩＳ）に占める割合は５８．８質量％、不溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＩＳ）の不溶部（Ｃ７ＩＳ）に占める割合は４１．２質量％であった。
また、各成分の組成解析を1Ｈ−ＮＭＲにより求めた結果を表２に示した。
【００７１】
【表２】
【００７２】
また、製造例２の末端不飽和ポリプロピレンは、ヘプタンに可溶で、アセトンに不溶であり、ポリメチルメタクリレートは、逆にヘプタンに不溶で、アセトンに可溶である。
各成分全てにポリプロピレン成分とポリメチルメタクリレート成分が共存することから、全ての分別物にブロック共重合体が生成していることを確認した。
また、フリーのポリプロピレン成分、ポリメチルメタクリレート成分が存在しないことが確認されている不溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＩＳ）を評価したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）７６００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ブロック率６６．９％であった。
【００７３】
実施例４
内容積１Ｌの攪拌装置付きセパラブルフラスコに製造例５の末端不飽和ポリプロピレン５０ｇ、脱水ヘプタン４００ｍｌを投入し、室温で攪拌しながら溶解させた。
溶解後、この溶液に３０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したヘプタンは、新たに脱水ヘプタンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム１．８２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを３．６ｍｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム０．９１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．８７ｍｌを投入し、２０℃で１５分間攪拌し金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したグリシジルメタクリレート９．０ｇを５分間かけて添加し、７０℃で２時間反応を行なった。
反応混合物の処理を実施例1と同様に行い、アセトン抽出、洗浄、ろ過乾燥により、５３．２ｇのブロック共重合体を得た。
グラフト率は６．０％、重量平均分子量は１２００００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１０であった。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物は、プラスチック材料、紙、木材などと高接着性を有するシーラントとして、ポリオレフィンの改質剤、例えば、無機フィラー、染料、極性ポリマー、極性ワックス、木粉、金属などとの相溶特性、機械物性、流動性を改良させたポリオレフィンを得るための改質剤として、或いはポリオレフィンの表面処理剤、プライマー処理、コーティング剤成分などとして有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、アニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成するブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、該製造方法で得られた共重合体又は該共重合体を含む熱可塑性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィンを、不飽和カルボン酸あるいはその酸無水物などによってグラフト変性したオレフィン系重合体は、各種樹脂の改質剤や接着性付与剤などとして利用されている。
これらの改質剤は、グラフト変性量の向上、グラフト構造の制御性を高めることにより、接着、相溶性などの性能をより一層、向上できると期待されている。
一方、メタロセン系触媒を用いて得られる低規則性ポリオレフインは、低規則性であるため、柔軟性やオレフイン系樹脂などへの混和性に優れるが、更に、極性基を付与することによって、接着性や異種樹脂との複合化などへの用途展開が期待されている。
【０００３】
アルキルリチウム単独又はエーテル類やアミン類の共存下で、炭化水素を金属化し、各種求核性試薬との反応に用いることは有機金属合成の分野で一般的に行われてきた。
この技術を、ポリマーの変性やグラフト重合に適用した例がある。
金属化する反応点を形成するために、α−オレフインと１−アルケニルモノマーを共重合し、１−アルケニルモノマー残基を金属化し、グラフト共重合体を製造する方法が知られているが（例えば、特許文献１参照）、共重合プロセスを含むため煩雑である。
また、アルキルスチレンポリマー中の第１ベンジル炭素原子にエチレン性不飽和官能基を導入する方法が知られており（例えば、特許文献２参照）、アルカリ金属アルコキシド及びアルキルリチウム化合物で金属化した後、アルケニルシランを添加して官能基を導入することができるが、グラフト反応点を共重合により確保するため、製造プロセスが煩雑である。
更に、エチレン−プロピレン−ジエン三元共重合体（ＥＰＤＭ）のグラフト重合反応において、ＥＰＤＭの主鎖に存在する炭素−炭素不飽和結合のアリル部位をリチウム化し、アニオン重合性モノマーをグラフト重合する方法が知られている（例えば、特許文献３〜５参照）。
上記のように、従来技術は、金属化する部位としては、ポリマー側鎖の炭素−珪素結合部位、共重合モノマーの炭素−炭素不飽和結合部位、パラメチルスチレン残基のメチル基などであり、主鎖はジオレフイン由来の炭素−炭素不飽和結合部位である。
従って、末端不飽和基を金属化し、ブロック共重合体を製造する方法は知られていない。
【０００４】
【特許文献１】特表平１０−５１２９１６号公報
【特許文献２】特表２００１−５０６３１１号公報
【特許文献３】米国特許明細書第４７６１５４６号公報
【特許文献４】米国特許明細書第４７８６６８９号公報
【特許文献５】米国特許明細書第４７９４１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、ポリオレフィンの改質剤、異種材料間の分散性向上剤、相溶化剤などとして有用なポリオレフィン系ブロック共重合体又は該共重合体を含む熱可塑性樹脂組成物、及びそれらを効果的に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、アニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することにより、その目的を達成し得ることを見出した。
本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
１．末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することを特徴とするブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
２．末端不飽和ポリオレフインが、下記の（１）〜（４）を満足する上記１に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法
（１）炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体であり
（２）末端不飽和基を一分子当たり０．５〜１．０個有し、
（３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下
（４）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ
３．アニオン重合性単量体が、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる上記１又は２に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
４．末端不飽和基が、ビニリデン基である上記１〜３のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
５．末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体であり、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する上記１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
６．末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体であり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にある上記１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法、
７．プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０重量％以下とのプロピレン系共重合体を含有し、かつ下記の（ａ）及び（ｂ）を満足するプロピレン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
８．ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体を含有し、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にあるブテン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
９．上記１〜６のいずれかに記載の製造方法によって得られたブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、末端不飽和ポリオレフインを用いることにより、架橋構造などの不規則構造を含まず、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成したブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を低温で製造することができる。
従って、該共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物は、架橋構造などの不規則構造を含まず、広範なアニオン重合性単量体（例えば、極性モノマー種）成分を含み、該単量体の含有量が高いため、少量の使用で接着性や相溶性を発現し、一分子中にポリオレフイン連鎖とアニオン重合性単量体連鎖（例えば、極性モノマー連鎖）が存在するため、異種材料間の分散効果、相溶化効果に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明に用いる末端不飽和ポリオレフィンは、炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体である。
炭素数２〜２８のα−オレフィンとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチルペンテン−１、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−ノナデセン及び１−イコセンなどが挙げられる。
末端不飽和ポリオレフィンとしては、詳細には、エチレン、プロピレン、１−ブテン及び炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体、エチレン９０〜１００質量％含有するエチレン系重合体、炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれるα−オレフインを９０〜１００質量％含有するα−オレフイン系重合体、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体などが挙げられる。
プロピレン系共重合体は、好ましくは、プロピレン９５質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上５質量％以下とのプロピレン系共重合体である。
また、ブテン系共重合体としては、好ましくは、１−ブテン９５質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上５質量％以下とのブテン系共重合体である。
【０００９】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、末端不飽和基を一分子当たり、０．５〜１．０個、好ましくは０．６〜１．０個、より好ましくは０．６５〜１．０個、更に好ましくは０．７〜１．０個有する。
末端不飽和基が０．５個以上では不飽和基の濃度が高く、ブロック共重合体の生成効率が上昇する。
末端不飽和基としては、ビニデン基が好ましく、末端不飽和基に占めるビニリデン基は、通常、０．５〜１．０個、好ましくは０．６〜１．０個、より好ましくは０．７〜１．０個、更に好ましくは０．８〜１．０個である。
【００１０】
上記末端不飽和基の測定は、一般的には、赤外線吸収スペクトル法、核磁気共鳴スペクトル法、臭素化法などが用いられ、何れの方法によっても測定することができる。
赤外線吸収スペクトル法は「新版 高分子分析ハンドブック 、日本分析化学会、高分子分析研究懇談会編」に記載された方法に準拠して行うことができる。
それによれば、赤外線吸収スペクトル法による末端不飽和基としては、ビニル基、ビニリデン基、トランス（ビニレン）基などがの不飽和基は、それぞれ赤外線吸収スペクトルの９１０ｃｍ-1、８８８ｃｍ-1、９６３ｃｍ-1の吸収から定量することができる。
また、核磁気共鳴スペクトル法によるビニリデン不飽和基の定量は、次のようにして行う。
末端不飽和基としてのビニリデン基の個数は、常法に従った1Ｈ−ＮＭＲの測定により求められる。
1Ｈ−ＮＭＲ測定から得られたδ４．８〜４．６（２Ｈ）に出現するビニリデン基に基づいて、定法によりビニリデン基の含有量（Ｃ）（モル％）を算出する。
更に、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）より求めた数平均分子量（Ｍｎ）とモノマー分子量（Ｍ）から、次式によって一分子当たりのビニリデン基の個数を算出する。
一分子当たりの末端ビニリデン基（個）＝（Ｍｎ／Ｍ）×（Ｃ／１００）
【００１１】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が、４以下、好ましくは３．５以下、より好ましくは３以下、更に好ましくは２．５以下である。
分子量分布は狭いほど好ましく、これは、本発明のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物において、末端不飽和ポリオレフインが連鎖を形成するため、連鎖長にばらつきが少なく、構造が制御されたブロック共重合体が生成するからである。
【００１２】
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、下記の装置及び条件で、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）測定することにより求めることができる。
ＧＰＣ測定装置
検出器 ：液体クロマトグラフィー用ＲＩ検出器 ウオーターズ １５０Ｃ
カラム ：ＴＯＳＯ ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ
測定条件
溶媒 ：１，２，４−トリクロロベンゼン
測定温度 ：１４５℃
流速 ：１．０ｍｌ／分
試料濃度 ：０．３質量％
重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）はポリスチレン換算分子量を対応するポリマーの分子量に換算するため、Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ−桜田の式の定数Ｋ及びａを用いてＵｎｉｖｅｒｓａｌ Ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ法により求めた。
具体的には、「サイズ排除クロマトグラフィー、森定雄著、Ｐ６７〜６９、１９９２年、共立出版」に記載の方法によって決定した。
なお、Ｋ及びαは、「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．」に記載されている。
また、新たに算出する絶対分子量に対する極限粘度の関係から定法によって決定することができる。
【００１３】
上記末端不飽和ポリオレフィンは、デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ程度、好ましくは０．０５〜２．５、より好ましくは０．０５〜２．０、更に好ましくは０．１〜２．０、最も好ましく０．１５〜１．８ｄｌ／ｇである。
極限粘度〔η〕が上記範囲内であると、ブロック共重合体のポリオレフイン連鎖長が十分であり、相溶化などの機能を十分に発揮し、ブロック重合の際、末端不飽和基の濃度が高いためブロック共重合性が上昇する。
【００１４】
極限粘度［η］は、１３５℃のデカリン中、ウベローデ型粘度計で還元粘度（ηＳＰ／ｃ）を測定し、下記一般式（ハギンスの式）を用いて算出する。
ηＳＰ／ｃ＝［η］＋Ｋ［η］2ｃ
ηＳＰ／ｃ（ｄｌ／ｇ）：還元粘度
［η］（ｄｌ／ｇ）：極限粘度
ｃ（ｇ／ｄｌ）：ポリマー濃度
Ｋ＝０．３５（ハギンス定数）
【００１５】
末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体（以下、プロピレン系重合体と呼称することがある）の場合、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足することが好ましい。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
【００１６】
上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、好ましくは３０〜７５モル％、より好ましくは３２〜７０モル％である。
メソペンタッド分率が３０モル％以上であると、プロピレン系重合体が結晶性のものとなるので、耐熱性を示し、８０モル％以下であると、プロピレン系重合体が適度に軟質となるので、溶媒への溶解性が良好となり、溶液反応などへ広く適用することができる。
【００１７】
上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕、後述するラセミペンタッド分率〔ｒｒｒｒ〕及びラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）などにより「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，６，９２５（１９７３）」で提案された方法に準拠し、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルのメチル基のシグナルにより測定されるポリプロピレン分子鎖中のペンタッド単位でのメソ分率、ラセミ分率及びラセミメソラセミメソ分率である。
メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が大きくなると、立体規則性が高くなる。
なお、13Ｃ−ＮＭＲスペクトルの測定は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）などにより「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）」で提案されたピークの帰属に従い、下記の装置及び条件にて行うことができる。
また、後述するメソトリアッド分率〔ｍｍ〕、ラセミトリアッド分率〔ｒｒ〕及びメソラセミ分率〔ｍｒ〕も上記方法により算出した。
【００１８】
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型13Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２２０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回
【００１９】
＜計算式＞
Ｍ＝（ｍ／Ｓ）×１００
Ｒ＝（γ／Ｓ）×１００
Ｓ＝Ｐββ＋Ｐαβ＋Ｐαγ
Ｓ：全プロピレン単位の側鎖メチル炭素原子のシグナル強度
Ｐββ：１９．８〜２２．５ｐｐｍ
Ｐαβ：１８．０〜１７．５ｐｐｍ
Ｐαγ：１７．５〜１７．１ｐｐｍ
γ：ラセミペンタッド連鎖：２０．７〜２０．３ｐｐｍ
ｍ：メソペンタッド連鎖 ：２１．７〜２２．５ｐｐｍ
【００２０】
上記プロピレン系重合体のラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕が２．５モル％を超えると、ランダム性が増加し、透明性が更に向上する。
また、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕との上記関係式は、好ましくは
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２０．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋３．０
より好ましくは
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−１５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋２．０
である。
融点（Ｔｍ）が（１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０）を超える場合は、部分的に高い立体規則性部位と、立体規則性を持たない部位が存在することを示す。
また、融点（Ｔｍ）が（１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０）に達しない場合、耐熱性が十分ではないおそれがある。
なお、上記メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、平均値として測定されるものであり、メソペンタッド分率分布が広い場合と狭い場合とでは明確に区別することはできないが、融点（Ｔｍ）との関係を特定範囲に限定することによって、好ましい均一性の高い反応性のプロピレン系重合体を規定することができる。
上記融点（Ｔｍ）は、ＤＳＣ測定により求める。
すなわち、示差走査型熱量計（パーキン・エルマー社製、ＤＳＣ−７）を用い、試料１０ｍｇを窒素雰囲気下２２０℃で３分間溶融した後、１０℃／分で−４０℃まで降温する。
更に、−４０℃で３分間保持した後、１０℃／分で昇温させることにより得られた融解吸熱カーブの最も高温側に観測されるピークのピークトップが融点（Ｔｍ）である。
【００２１】
上記プロピレン系重合体は、更に、下記の（ｄ）〜（ｆ）を満足することが好ましい。
（ｄ）〔ｒｒｒｒ〕／（１−〔ｍｍｍｍ〕）≦０．１
上記関係を満足すると、べたつきが抑制される。
（ｅ）〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2≦２．０
上記〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2の値が２．０以下であると、透明性の低下が抑制され、柔軟性と弾性回復率のバランスが良好となる。
〔ｍｍ〕×〔ｒｒ〕／〔ｍｒ〕2は、好ましくは１．８〜０．５、より好ましくは１．５〜０．５の範囲である。
（ｆ）昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出する成分量（Ｗ２５）が２０〜１００質量％である。
上記昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出するプロピレン系重合体の成分量（Ｗ２５）は、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％である。
Ｗ２５は、プロピレン系重合体が軟質であるか否かを表す指標であり、この値が小さくなると、弾性率の高い成分が多くなったり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕の不均一さが広がる。
上記プロピレン系重合体においては、Ｗ２５が２０質量％以上であると、柔軟性が保たれる。
なお、Ｗ２５とは、以下のような操作法、装置構成及び測定条件の昇温クロマトグラフィにより測定して求めた溶出曲線におけるＴＲＥＦ（昇温溶出分別）のカラム温度２５℃において充填剤に吸着されないで溶出する成分の量（質量％）である。
【００２２】
（１）操作法
試料溶液を温度１３５℃に調節したＴＲＥＦカラムに導入し、次いで降温速度５℃／時間にて徐々に０℃まで降温し、３０分間ホールドし、試料を充填剤表面に結晶化させる。
その後、昇温速度４０℃／時間にてカラムを１３５℃まで昇温し、溶出曲線を得る。
（２）装置構成
ＴＲＥＦカラム ：ＧＬサイエンス社製 シリカゲルカラム（４．６φ×１５０ｍｍ）
フローセル ：ＧＬサイエンス社製 光路長１ｍｍ ＫＢｒセル
送液ポンプ ：センシュウ科学社製 ＳＳＣ−３１００ポンプ
バルブオーブン ：ＧＬサイエンス社製 ＭＯＤＥＬ５５４オーブン（高温型）
ＴＲＥＦオーブン：ＧＬサイエンス社製
二系列温調器 ：理学工業社製 ＲＥＸ−Ｃ１００温調器
検出器 ：液体クロマトグラフィー用赤外検出器 ＦＯＸＢＯＲＯ社製 ＭＩＲＡＮ １Ａ ＣＶＦ
１０方バルブ ：バルコ社製 電動バルブ
ループ ：バルコ社製 ５００μｌループ
（３）測定条件
溶媒 ：ｏ−ジクロロベンゼン
試料濃度 ：７．５ｇ／Ｌ
注入量 ：５００μｌ
ポンプ流量 ：２．０ｍｌ／分
検出波数 ：３．４１μｍ
カラム充填剤 ：クロモソルブＰ（３０〜６０メッシュ）
カラム温度分布 ：±０．２℃以内
【００２３】
末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体（以下、ブテン系重合体と呼称することがある）の場合、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は２０〜９０モル％の範囲にあることが好ましい。
このメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、より好ましくは３０〜８５モル％、更に好ましくは３０〜８０モル％である。
メソペンタッド分率が上記範囲内であると、透明性が良好で、柔軟性の低下、低温ヒートシール性の低下、ホットタック性の低下が抑制される。
【００２４】
上記ブテン系重合体のメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕は、朝倉らにより報告された「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６，７１７（１９８４）」、Ｊ．Ｒａｎｄａｌｌらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９，２０１（１９８９）」及びＶ．Ｂｕｓｉｃｏらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９８，１２５７（１９９７）」で提案された方法に準拠して求めた。
すなわち、13Ｃ核磁気共鳴スペクトルを用いてメチレン基、メチン基のシグナルを測定し、ポリ（１−ブテン）分子中のメソペンタッド分率を求めた。
後述する立体規則性指数｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝は、上記方法により、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕、メソメソラセミラセミ分率〔ｍｍｒｒ〕及びラセミメソメソラセミ分率〔ｒｍｍｒ〕を測定した値から算出した。
13Ｃ核磁気共鳴スペクトルの測定は、下記の装置及び条件にて行った。
【００２５】
装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型13Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２３０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回
【００２６】
上記ブテン系重合体は、更に下記（ｇ）及び（ｈ）を満足することが好ましい。
（ｇ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）による融点（Ｔｍ）が観測されないか又は融点（Ｔｍ）が０〜１００℃の結晶性樹脂である。
ブテン系重合体において、融点（Ｔｍ）が観測される場合、この融点は０〜８０℃であることが好ましい。
なお、融点は、上述した測定法により求める。
（ｈ）｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝≦２０
上記立体規則性指数｛〔ｍｍｍｍ〕／〔ｍｍｒｒ〕＋〔ｒｍｍｒ〕｝が２０以下であると、柔軟性、低温ヒートシール性及びホットタック性の低下が抑制される。
この立体規則性指数は、好ましくは１８以下、より好ましくは１５以下である。
【００２７】
本発明の末端不飽和ポリオレフインは、メタロセン触媒により製造されるものが好ましい。
メタロセン触媒としては、（Ａ）シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基、置換インデニル基などを有する周期律表第３〜１０の金属元素からなる遷移金属化合物と（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物を含む触媒であって、末端不飽和基を生成することのできる触媒が挙げられる。
遷移金属化合物としては、ジルコノセンクロリド、ペンタメチルシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリドなどのビスシクロペンタジエニル配位子からなる化合物、エチレンビスインデニルジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン−ビス−［２−メチル−４−フェニルインデニル］ジルコニウムジクロリド、ジメチルシリレン−ビス−［２−メチル−４，５−ベンゾインデニル］ジルコニウムジクロリドなどの架橋インデニル配位子からなる化合物、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメトキシチタニウム、ペンタメチルシクロペンタジエニルトリクロルチタニウムなどのモノシクロペンタジエニル配位子からなる化合物、ジクロロ［ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウム、ジクロロ［ジメチルゲルミレン（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウム、ジクロロ［ジメチルシリレン（２−メチル−１−インデニル）（２，４−ジメチル−４Ｈ−１−アズレニル）］ハフニウムなどのアズレニウム配位子からなる化合物が挙げられる。
更に、下記一般式（Ｉ）で表される二重架橋遷移金属化合物が挙げられる。
【００２８】
【化１】
【００２９】
上記一般式（Ｉ）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、具体例としてはチタン，ジルコニウム，ハフニウム，イットリウム，バナジウム，クロム，マンガン，ニッケル，コバルト，パラジウム及びランタノイド系金属などが挙げられる。
これらの中ではオレフィン重合活性などの点からチタン，ジルコニウム及びハフニウムが好適であり、末端ビニリデン基の収率及び触媒活性の点から、ジルコニウムが最も好適である。
Ｅ1及びＥ2はそれぞれ、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミド基（−Ｎ＜），ホスフィン基（−Ｐ＜），炭化水素基〔＞ＣＲ−，＞Ｃ＜〕及びケイ素含有基〔＞ＳｉＲ−，＞Ｓｉ＜〕（但し、Ｒは水素又は炭素数１〜２０の炭化水素基あるいはヘテロ原子含有基である）の中から選ばれた配位子を示し、Ａ1及びＡ2を介して架橋構造を形成している。Ｅ1及びＥ2は互いに同一でも異なっていてもよい。
このＥ1及びＥ2としては、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基及び置換インデニル基が好ましく、Ｅ1及びＥ2のうちの少なくとも一つは、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基である。
Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよく、他のＸ，Ｅ1，Ｅ2又はＹと架橋していてもよい。
このＸの具体例としては、ハロゲン原子，炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアミド基，炭素数１〜２０のケイ素含有基，炭素数１〜２０のホスフィド基，炭素数１〜２０のスルフィド基，炭素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
炭素数１〜２０の炭化水素基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセニル基などのアルケニル基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基；フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基などが挙げられる。
なかでも、メチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好ましい。
【００３０】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基などが挙げられる。
炭素数１〜２０のアミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロヘキシルアミド基、メチルエチルアミド基などのアルキルアミド基や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド基、ジシクロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミド基；ジベンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、フェニルプロピルアミド基などのアリールアルキルアミド基；ジフェニルアミド基、ジナフチルアミド基などのアリールアミド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のケイ素含有基としては、メチルシリル基、フェニルシリル基などのモノ炭化水素置換シリル基；ジメチルシリル基、ジフェニルシリル基などのジ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリルエーテル基などの炭化水素置換シリルエーテル基；トリメチルシリルメチル基などのケイ素置換アルキル基；トリメチルシリルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げられる。
なかでも、トリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシリルエチル基などが好ましい。
【００３１】
炭素数１〜２０のホスフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。
【００３２】
炭素数１〜２０のスルフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、テアロイル基、オレオイル基などのアルキルアシル基、ベンゾイル基、トルオイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、ナフトイル基、フタロイル基などのアリールアシル基、シュウ酸、マロン酸、コハク酸などのジカルボン酸からそれぞれ誘導されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル基などが挙げられる。
【００３３】
一方、Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよく、他のＹやＥ1，Ｅ2又はＸと架橋していてもよい。
このＹのルイス塩基の具体例としては、アミン類，エーテル類，ホスフィン類，チオエーテル類などを挙げることができる。
アミンとしては、炭素数１〜２０のアミンが挙げられ、具体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルエチルアミンなどのアルキルアミン；ビニルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルアミン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロヘキセニルアミンなどのアルケニルアミン；フェニルアミン、フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミンなどのアリールアルキルアミン；ジフェニルアミン、ジナフチルアミンなどのアリールアミンが挙げられる。
【００３４】
エーテル類としては、メチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、イソアミルエーテルなどの脂肪族単一エーテル化合物；メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、メチル−ｎ−アミルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチル−ｎ−アミルエーテル、エチルイソアミルエーテルなどの脂肪族混成エーテル化合物；ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエーテルなどの脂肪族不飽和エーテル化合物；アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、α−ナフチルエーテル、β−ナフチルエーテルなどの芳香族エーテル化合物、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどの環式エーテル化合物が挙げられる。
【００３５】
ホスフィン類としては、炭素数１〜２０のホスフィンが挙げられる。具体的には、メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、オクチルホスフィンなどのモノ炭化水素置換ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジオクチルホスフィンなどのジ炭化水素置換ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィンなどのトリ炭化水素置換ホスフィンなどのアルキルホスフィンや、ビニルホスフィン、プロペニルホスフィン、シクロヘキセニルホスフィンなどのモノアルケニルホスフィンやホスフィンの水素原子をアルケニルが２個置換したジアルケニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルケニルが３個置換したトリアルケニルホスフィン；ベンジルホスフィン、フェニルエチルホスフィン、フェニルプロピルホスフィンなどのアリールアルキルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアリール又はアルケニルが３個置換したジアリールアルキルホスフィン又はアリールジアルキルホスフィン；フェニルホスフィン、トリルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、プロピルフェニルホスフィン、ビフェニルホスフィン、ナフチルホスフィン、メチルナフチルホスフィン、アントラセニルホスフィン、フェナントニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが２個置換したジ（アルキルアリール）ホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが３個置換したトリ（アルキルアリール）ホスフィンなどのアリールホスフィンが挙げられる。チオエーテル類としては、上記のスルフィドが挙げられる。
【００３６】
次に、Ａ1及びＡ2は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｓｅ−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ1−、−ＢＲ1−又は−ＡｌＲ1−を示し、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。
このような架橋基のうち、少なくとも一つは炭素数１以上の炭化水素基からなる架橋基であることが好ましい。
このような架橋基としては、例えば一般式（ａ）
【００３７】
【化２】
【００３８】
（Ｄは周期律表第１４族元素であり、例えば炭素，ケイ素，ゲルマニウム及びスズが挙げられる。Ｒ2及びＲ3はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基で、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに結合して環構造を形成していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）
で表されるものが挙げられ、その具体例としては、メチレン基，エチレン基，エチリデン基，プロピリデン基，イソプロピリデン基，シクロヘキシリデン基，１，２−シクロヘキシレン基，ビニリデン基（ＣＨ２＝Ｃ＝），ジメチルシリレン基，ジフェニルシリレン基，メチルフェニルシリレン基，ジメチルゲルミレン基，ジメチルスタニレン基，テトラメチルジシリレン基，ジフェニルジシリレン基などを挙げることができる。これらの中で、エチレン基，イソプロピリデン基及びジメチルシリレン基が好適である。
【００３９】
一般式（Ｉ）で表される二重架橋遷移金属化合物の具体例としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３’−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４０】
（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−イソプロピリデン）（２，１’−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３’，４’−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４１】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−エチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−エチルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，
【００４２】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−エチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２’−メチレン）（２，１’−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３’−メチル−５’−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドなど及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したもの、及び後述する一般式（II）で表される化合物を挙げることができる。
また、他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
上記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物の中では、一般式（II）で表される化合物が好ましい。
【００４３】
【化３】
【００４４】
上記一般式（II）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、Ａ1a及びＡ2aは、それぞれ上記一般式（Ｉ）における一般式（ａ）で表される架橋基を示し、ＣＨ2，ＣＨ2ＣＨ2，（ＣＨ3）2Ｃ，（ＣＨ3）2Ｃ（ＣＨ3）2Ｃ，（ＣＨ3）2Ｓｉ及び（Ｃ6Ｈ5）２Ｓｉが好ましい。
Ａ1a及びＡ2aは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ4〜Ｒ13はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基又はヘテロ原子含有基を示す。
ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基及びケイ素含有基としては、上記一般式（Ｉ）において説明したものと同様のものが挙げられる。
炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基としては、ｐ−フルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５−ビス（トリフルオロ）フェニル基、フルオロブチル基などが挙げられる。
ヘテロ原子含有基としては、炭素数１〜２０のヘテロ原子含有基が挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの窒素含有基；フェニルスルフィド基、メチルスルフィド基などの硫黄含有基；ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基などの燐含有基；メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などの酸素含有基などが挙げられる。
なかでも、Ｒ4及びＲ5としてはハロゲン、酸素、ケイ素などのヘテロ原子を含有する基が、重合活性が高く好ましい。
Ｒ6〜Ｒ13としては、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましい。
Ｘ及びＹは一般式（Ｉ）と同じである。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。
【００４５】
上記一般式（II）で表される二重架橋遷移金属化合物のうち、両方のインデニル基が同一である場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、
【００４６】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、
【００４７】
（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。
好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
【００４８】
一方、上記一般式（II）で表される二重架橋遷移金属化合物のうち、Ｒ5が水素原子で、Ｒ4が水素原子でない場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。
好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
【００４９】
本発明で用いる触媒を構成する（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物としては、比較的低分子量の高純度末端不飽和オレフィン系重合体が得られる点、及び触媒高活性の点でボレート化合物が好ましい。
ボレート化合物としては、テトラフェニルホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ジメチルジフェニルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸メチルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルジフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリメチルアニリニウム，
【００５０】
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチル(４−シアノピリジニウム)，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルホスホニウム，テトラキス［ビス（３，５−ジトリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸フェロセニウム，テトラフェニルホウ酸銀，テトラフェニルホウ酸トリチル，テトラフェニルホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム，テトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸フェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸（１，１’−ジメチルフェロセニウム)，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸デカメチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸銀、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリチル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ナトリウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラフルオロホウ酸銀などを挙げることができる。これらは一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。後述する水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０である場合、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム及びテトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウムなどが好ましい。
【００５１】
本発明の製造方法で用いる触媒は、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分との組み合わせでもよく、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を用いてもよい。
（Ｃ）成分の有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム、トリノルマルオクチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジメチルアルミニウムフルオリド、ジイソブチルアルミニウムヒドリド、ジエチルアルミニウムヒドリド及びエチルアルミニウムセスキクロリドなどが挙げられる。
これらの有機アルミニウム化合物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのうち、本発明においては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウムが好ましく、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムがより好ましい。
【００５２】
（Ａ）成分の使用量は、通常０．１×１０-6〜１．５×１０-5モル／Ｌ、好ましくは０．１５×１０-6〜１．３×１０-5モル／Ｌ、より好ましくは０．２×１０-6〜１．２×１０-5モル／Ｌ、特に好ましくは０．３×１０-6〜１．０×１０-5モル／Ｌである。
（Ａ）成分の使用量が０．１×１０-6モル／Ｌ以上であると、触媒活性が十分に発現され、１．５×１０-5モル／Ｌ以下であると、重合熱を容易に除去することができる。
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｂ）は、モル比で好ましくは１０／１〜１／１００、より好ましくは２／１〜１／１０である。
（Ａ）／（Ｂ）が１０／１〜１／１００の範囲にあると、触媒としての効果が得られると共に、単位質量ポリマー当たりの触媒コストを抑えることができる。
また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にホウ素が多量に存在するおそれがない。
（Ａ）成分と（Ｃ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｃ）は、モル比で好ましくは１／１〜１／１００００、より好ましくは１／５〜１／２０００、さらに好ましくは１／１０〜１／１０００である。
（Ｃ）成分を用いることにより、遷移金属当たりの重合活性を向上させることができる。（Ａ）／（Ｃ）が１／１〜１／１００００の範囲にあると、（Ｃ）成分の添加効果と経済性のバランスが良好であり、また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にアルミニウムが多量に存在するおそれがない。
本発明の製造方法においては、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、あるいは（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いて予備接触を行うこともできる。
予備接触は、（Ａ）成分に、例えば（Ｂ）成分を接触させることにより行うことができるが、その方法に特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
このような予備接触により触媒活性の向上や、助触媒である（Ｂ）成分の使用割合の低減など、触媒コストの低減に効果的である。
【００５３】
本発明の末端不飽和ポリオレフインは、上記一般式（Ｉ）で表される二架橋錯体を含む触媒により製造されたプロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体、炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体が好ましい。
【００５４】
本発明の末端不飽和オレフィンは、上記触媒残渣が少ないものが好ましい。
特に、遷移金属の含有量が５質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が５質量ｐｐｍ以下のものである。
遷移金属としては、チタン、ジルコニウム及びハフニウムなどが挙げられ、これらの合計量が５質量ｐｐｍ以下である。
アルミニウムの含有量は、好ましくは２８０質量ｐｐｍ以下である。
これらの金属成分は、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ分光分析）測定装置により測定することができる。
触媒残渣が少ない末端不飽和オレフィンを用いると、得られるブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物が高純度であり好ましい。
【００５５】
本発明の末端飽和のポリオレフインとしては、チーグラー触媒、メタロセン触媒などを用いて得られた、実質的に末端不飽和基を含まないポリオレフインが挙げられ、例えば、不飽和基を含有する反応性ポリオレフインを水添処理した不飽和基を含まないポリオレフイン、ポリエン成分を用いないで製造した不飽和基を含まないポリオレフインであり、より具体的には、以下の（１）〜（３）のポリオレフィンが挙げられる。
（１）高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度（ＬＤＰＥ）、Ｌ−ＬＤＰＥなどのポリエチレン樹脂
（２）アイソタクチックポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、アタクチックポリプロピレン、プロピレンとエチレン、炭素数４〜１２のα−オレフインの一種以上からなる共重合体、ブロックポリプロピレンなどのポリプロピレン樹脂
（３）炭素数６〜２８のオレフィン一種以上からなる重合体
【００５６】
本発明の末端不飽和ポリオレフインと末端飽和のポリオレフインとの組み合わせにおいて、その形態としては、末端不飽和ポリオレフインとの溶融混合物、パウダー状混合物、ペレットなどのドライブレンド混合物、炭化水素溶媒で溶解した溶液又は溶解後、冷却又は再沈殿によって生じた懸濁状態での混合物などである。
その混合比としては、末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％、好ましくは末端不飽和ポリオレフイン３０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜７０質量％、より好ましくは末端不飽和ポリオレフイン４０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜６０質量％、更に好ましくは末端不飽和ポリオレフイン５０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜５０質量％である。
末端不飽和ポリオレフイン２０質量％以上であると、重合反応後のブロック共重合体の生成量が上昇し好ましい。
また、他の観点から、末端飽和のポリオレフインと同種の樹脂に、グラフト共重合体又はグラフト重合体を含む熱可塑性樹脂組成物を添加して用いる場合、ブロック共重合体が末端飽和のポリオレフイン中に充分な量存在し、良好な分散状態であれば、得られる組成物全体へ容易にブロック共重合体が分散するので好ましい。
従って、末端飽和のポリオレフインが８０質量％以下であると、末端飽和のポリオレフインが適正量となり分散性の観点から好ましい。
【００５７】
本発明のアニオン重合性単量体としては、下記の化合物が挙げられる。
［I］アクリル酸誘導体
（１）アクリル酸メチル，メタクリル酸メチル，アクリル酸エチル，アクリル酸ブチル，アクリル酸ノルマルオクチル、アクリル酸２−エチルヘキシルなどのアクリル酸エステル類
（２）アクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、アクリル酸マグネシウム、アクリル酸カルシウムなどのアクリル酸と典型金属元素からなるアクリル酸金属塩
（３）エステル残基に酸素、窒素、硫黄、珪素原子を含むアクリル酸エステル類、例えば、アクリル酸グリシジル、アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能基を有するアクリル酸エステル類
（４）アクリルアミド
（５）置換基に酸素、窒素、硫黄、珪素原子を含む、例えば、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ−シクロへキシルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジブチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジシクロへキシルアクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−アクリルアミド、Ｎ−(２−ヒドロキシプロピル)−アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミドなどのＮ−置換アクリルアミド、
（６）アクリロニトリル
［II］メタアクリル酸誘導体
上記［I］の単量体のα位にメチル基などのアルキル基を有する単量体
［III］スチレン、更には、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン，ｐ−エチルスチレン，ｐ−プロピルスチレン，ｐ−イソプロピルスチレン，ｐ−ブチルスチレン，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン，ｐ−フェニルスチレン，ｏ−メチルスチレン，ｏ−エチルスチレン，ｏ−プロピルスチレン，ｏ−イソプロピルスチレン，ｍ−メチルスチレン，ｍ−エチルスチレン，ｍ−イソプロピルスチレン，ｍ−ブチルスチレン，メシチルスチレン，２．４−ジメチルスチレン、２．５−ジメチルスチレン、３．５−ジメチルスチレンなどのアルキルスチレン類；ｐ−メトキシスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレンなどのアルコキシスチレン類；ｐ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｐ−フルオロスチレン、ｍ−フルオロスチレン、ｏ−フルオロスチレン、ｏ−メチル−ｐ−フルオロスチレンなどのハロゲン化スチレン類；トリメチルシリルスチレンなどのスチレン誘導体
［IV］４〜１２の炭素原子を含有する共役ジオレフィン類が含まれ、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、ピペリレン、メチルペンタジエン、フェニルブタジエン、３，４−ジメチル−１，３−ヘキサジエン、４，５−ジエチル−１，３−オクタジエンなどのジエン誘導体、好ましくは１，３−ブタジエン、イソプレンである。
アニオン重合性単量体としては、上記［I］〜［IV］から選ばれる一種以上を用いることができる。
【００５８】
末端不飽和ポリオレフインの金属化剤は、アルキルリチウム化合物（ＡｋＬｉ）／アルカリ金属アルコキシド（ＡｋＯＭ）（Ｍは、ナトリウム、カリウム、ルビジウム又はセシウム金属を示す。）又はアミン類から構成される。
アルキルリチウム化合物としては、ノルマルブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムなどの炭素数１〜１０の炭化水素基からなるアルキルリチウムが挙げられる。
アルカリ金属アルコキシドにおいて、金属は上記のとおりであり、アルコキシドに対応するアルコールとしては、イソプロパノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、ｔｅｒｔ−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−メチル−２−ヘキサノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１(−)−メントール、ヘプタノール、３−メチル−３−ヘキサノール、２−エチル−２−ヘキサノール、３−エチル−３−ヘキサノール、２−プロピル−２−ペンタノール、２−イソプロピル−２−ペンタノール、３−プロピル−３−ペンタノール、３−イソプロピル−３−ペンタノール、メタノールが挙げられる。
特に、非極性炭化水素溶媒に可溶性のアルカリ金属アルコキシド及びそのアルコール前駆体を用いることが好ましい。
最も好ましいアルカリ金属アルコキシドとしては、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エチル−２−ヘキサノール（２−ＥｔＨｅｘＯＨ）、メントール（ＭｅｎＯＨ）及び第３ペンタノール（ｔｅｒｔ−ＰｅＯＨ）から得られるアルカリ金属アルコキシドであり、好ましい金属はとしては、カリウム、セシウムである。
また、アミン類としては、トリアルキルアミン、ジアミンなどから選ぶことができるが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンが好ましい。
末端不飽和ポリオレフインの末端不飽和量（ｉ）に対するアルキルリチウム化合物(ii）のモル比は、（ｉ）／（ii）＝１〜２程度、好ましくは１〜１．５、より好ましくは１〜１．３である。
また、アルカリ金属アルコキシド化合物（iii）に対するアルキルリチウム化合物（ii）のモル比は、（iii）／（ii）＝１〜４程度、好ましくは、目的とするメタル化以外の副反応、例えば、芳香環金属化抑制のために（iii）／（ii）＝１．２〜３である。
アミン類（iv）に対するアルキルリチウム化合物（ii）のモル比は、（ii）／（iv）＝１〜２程度、好ましくは１〜１．５である。
非極性炭化水素溶媒としては、０〜２００℃の沸点を有する炭化水素溶媒が挙げられ、好ましい溶媒としては、ペンタン、ｎ−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどである。
溶媒の使用量としては、末端不飽和ポリオレフイン１ｇに対して、溶媒１〜５０ｍｌの範囲で使用される。
【００５９】
本発明の末端不飽和ポリオレフインを金属化する反応において、反応温度は、通常、室温（約２０〜２５℃）〜４０℃の範囲で、反応時間は、通常、６０分以内である。
また、ブロック重合条件において、アルキルリチウム化合物（ii）とアニオン重合性単量体（v）のモル比は、（v）／（ii）＝１０〜１０００００程度、好ましくは５０〜８００００、より好ましくは８０〜６００００、更に好ましくは１００〜５００００である。
モル比が１０以上であると、ブロック重合量が十分であり、１０００００以下であると、未反応のアニオン重合性単量体が残存せず、ブロック重合に関与しない単独重合体が減少し好ましい。
ブロック重合温度としては、−８０〜１００℃程度、好ましくは２０〜９０℃、より好ましくは３０〜８０℃であり、反応時間としては、通常、０．１〜３０時間程度、好ましくは０．２〜２０時間である。
【００６０】
本発明のブロック共重合体について、以下に述べる。
その一次構造において、ポリオレフイン連鎖は、上記のように、炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体である。
また、アニオン重合性単量体連鎖側鎖としては、アクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる重合連鎖である。
ブロック共重合体の分子量は、ＧＰＣより求めた重量平均分子量（Ｍｗ）が、通常、２，０００〜５０００００、好ましくは２,５００〜４００,０００、より好ましくは４,０００〜３５０,０００である。
また、その分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１．５〜４、好ましくは１．６〜３．８、より好ましくは１．７〜３．０である。
更に、本発明のブロック共重合体は、ゲル成分を含まないことが好ましい。
（ゲル成分の測定方法）
ブロック共重合体のポリオレフイン成分、アニオン重合性単量体からなる連鎖成分の両者を溶解する溶媒を用い、攪拌装置付きガラス製セパラブルフラスコのステンレス製４００メッシュ（目開き０．０３４ｍｍ）の網でできた籠に、ブロック共重合体５０ｍｇを入れ、攪拌翼に固定する。
酸化防止剤（ＢＨＴ）０．１質量％を含む溶媒を投入し、沸点下で４時間攪拌しながら溶解する。
溶解後、回収した籠を十分真空乾燥し、秤量により不溶部を求める。
不溶部として定義するゲル成分は以下の式で算出する。
［メッシュ内残量（ｇ）／仕込試料量（ｇ）］×１００（単位：％）
溶媒としては、パラキシレン、トルエンなどが挙げられる。
通常、上記式において、０〜１．５質量％の範囲を持ってゲル成分を含まないと規定する。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
製造例１
（１）遷移金属化合物の合成
以下のようにして（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドを合成した。
シュレンク瓶に（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（インデン）のリチウム塩３．０ｇ（６．９７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５０ｍｌに溶解し−７８℃に冷却した。
ヨードメチルトリメチルシラン２．１ｍｌ（１４．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し室温で１２時間撹拌した。
溶媒を留去し、エーテル５０ｍｌを加えて飽和塩化アンモニウム溶液で洗浄した。
分液後、有機相を乾燥し溶媒を除去して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン）３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）を得た（収率８４％）。
次に、窒素気流下においてシュレンク瓶に上記で得られた（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン)３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）とエーテル５０ｍｌを入れた。
−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．５４Ｍ、７．６ｍｌ（１．７ｍｍｏｌ））を滴下した。室温に上げ１２時間撹拌後、エーテルを留去した。
得られた固体をヘキサン４０ｍｌで洗浄することによりリチウム塩をエーテル付加体として３．０６ｇ（５．０７ｍｍｏｌ）を得た（収率７３％）。
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ8）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０４(ｓ，１８Ｈ，トリメチルシリル），０．４８(ｓ，１２Ｈ，ジメチルシリレン）．１．１０(ｔ，６Ｈ，メチル），２．５９(ｓ，４Ｈ，メチレン），３．３８(ｑ，４Ｈ，メチレン），６．２−７．７(ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ)
【００６２】
窒素気流下で、上記で得られたリチウム塩をトルエン５０ｍｌに溶解した。
−７８℃に冷却し、ここへ予め−７８℃に冷却した四塩化ジルコニウム１．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）懸濁液を滴下した。
滴下後、室温で６時間撹拌した。その反応溶液の溶媒を留去した。
得られた残渣をジクロロメタンにより再結晶化することにより、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル) ジルコニウムジクロライド０．９ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）を得た（収率２６％)。
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０(ｓ，１８Ｈ，トリメチルシリル）,１．０２，１．１２(ｓ，１２Ｈ，ジメチルシリレン），２．５１(ｄｄ，４Ｈ，メチレン），７．１−７．６(ｍ，８Ｈ，Ａｒ−Ｈ)
【００６３】
製造例２
（１，２’−ＳｉＭｅ2）（２，１’−ＳｉＭｅ2）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの合成
窒素気流下、２００ｍｌのシュレンク瓶にエーテル５０ｍｌと（１，２’−ＳｉＭｅ2）（２，１’−ＳｉＭｅ2）ビスインデン３．５ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）を加え、ここに−７８℃でｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）のヘキサン溶液（１．６０ｍｏｌ／Ｌ、１２．８ｍｌ）を滴下した。
室温で８時間攪拌した後溶媒を留去し、得られた固体を減圧乾燥することにより白色固体５．０ｇを得た。
この固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに溶解させ、ここへヨードメチルトリメチルシラン１．４ｍｌを室温で滴下した。
水１０ｍｌで加水分解し、有機相をエーテル５０ｍｌで抽出したのち、有機相を乾燥し溶媒を留去した。
ここへエーテル５０ｍｌを加え−７８℃でｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．６０ｍｏｌ／Ｌ、１２．４ｍｌ）を滴下したのち、室温に上げ３時間攪拌後、エーテルを留去した。
得られた固体をヘキサン３０ｍｌで洗浄した後減圧乾燥した。
この白色固体５．１１ｇをトルエン５０ｍｌに懸濁させ、別のシュレンク中でトルエン１０ｍｌに懸濁した四塩化ジルコニウム２．０ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）を添加した。
室温で１２時間攪拌後溶媒を留去し、残渣をヘキサン５０ｍｌで洗浄したのち、残渣をジクロロメタン３０ｍｌから再結晶化させることにより黄色微結晶１．２ｇを得た。（収率２５％）
1Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：０．０９（ｓ、−ＳｉＭｅ3、９Ｈ）；０．８９、０．８６、１．０３、１．０６（ｓ、−Ｍｅ2Ｓｉ−、１２Ｈ）；２．２０、２．６５（ｄ、−ＣＨ2−、２Ｈ）；６．９９（ｓ、ＣＨ、１Ｈ）；７．０−７．８（ｍ、ＡｒＨ、８Ｈ）
【００６４】
製造例３〔末端不飽和ポリプロピレンの製造（１）〕
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、メチルアルミノキサン２０ｍｍｏｌのトルエン溶液１０ｍｌ、上記製造例1で合成した（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライド２０μｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌを加え、攪拌しながら９０℃まで昇温した。
これに０．１Ｍｐａの分圧となるようプロピレンガスを導入した。
重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１２０分間重合し、その後冷却し未反応プロピレンを脱圧により除去し内容物を取り出した。
内容物は、大量のメタノールに投入し、洗浄した後、ポリプロピレンを回収して乾燥して７５．３ｇを得た。
結果を表１に示した。
【００６５】
製造例４〔末端不飽和ポリプロピレンの製造（２）〕
製造例1で合成した遷移金属化合物に変えて、製造例２で合成した遷移金属化合物を用いること以外は、製造例３と同様にして末端不飽和ポリプロピレンを得た。
結果を表１に示した。
【００６６】
製造例５
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、トリイソブチルアルミニウム０．５ｍｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌ、メチルアニリニウムテトラキス（パーフルオロフェニル）ボレート１．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを加え、５０℃に制御しながら１０分間、攪拌した。
更に、上記製造例1で調製した遷移金属化合物錯体の（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの０．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを投入した。
次に、攪拌しながら温度を７０℃に昇温し、全圧で０．８ＭＰａまでプロピレンガスを導入した。
重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１２０分間重合し、その後冷却し未反応プロピレンを脱圧により除去し内容物を取り出した。
内容物を風乾後、更に８０℃で減圧乾燥を８時間行なうことによって、ポリプロピレン１２３ｇを得た。
結果を表１に示した。
【００６７】
【表１】
【００６８】
実施例１（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例３で合成したポリプロピレン７．５ｇ、シクロヘキサン３１ｍｌを投入し室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを４ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、７０℃で６０分間攪拌し金属化を行った。
その後、室温まで冷却し、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、４０℃に昇温して２時間反応した。
反応終了後、１２モル／Ｌ塩酸を１体積％含有する１Ｌのメタノールに、反応混合物を投入し、ポリマーを析出させ、洗浄を行った。
更に、メタノール洗浄を行い、ろ過、乾燥により１３．９ｇのポリマーを得た。
このもののＧＰＣ測定を行ったところ重量平均分子量（Ｍｗ）は１０５００、分子量分布(Ｍｗ／Ｍｎ)は１．８５であり、前駆体の末端不飽和ポリプロピレンの分子量と比較して増大しており、更に分子量分布の拡大が認められず、更に、分子量分布プロファイルが全体的に高分子量側に移行したことからブロック共重合体が生成していることを確認した。
【００６９】
実施例２（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例４で合成したポリプロピレン５．０ｇ、シクロヘキサン３９ｍｌを投入し、室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン１．０ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、２０℃で１２０分間攪拌し、金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、２５℃で２時間反応した。
反応終了後、１２モル／Ｌ塩酸を１体積％含有する１Ｌのメタノールに、反応混合物を投入しポリマーを洗浄し、回収した。
更にメタノール洗浄を行い、ろ過、乾燥により１１．４ｇのポリマーを得た。
このもののＧＰＣ測定を行ったところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は５７００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ)は１．５８であり、前駆体分子量と比較して増大しており、更に分子量分布の拡大が認められず、更には分子量分布プロファイルが全体的に高分子量側に移行したことからブロック共重合体が生成していることを確認した。
【００７０】
実施例３（ポリプロピレン／メチルメタクリレートブロック共重合体の製造）
乾燥した攪拌装置付き２００ｍｌ三口フラスコに、製造例３で合成したポリプロピレン5.0ｇ、シクロヘキサン５０ｍｌを投入し室温で攪拌しながら溶解させた。
更に、この溶液に１０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したシクロヘキサンは、新たに脱水シクロヘキサンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを４ｍｍｏｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．９５ｍｌを投入し、２０℃で１５分間攪拌し金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したメチルメタクリレート７．１ｇを５分間かけて添加し、２５℃で２時間反応を行なった。
反応混合物の処理は実施例１と同様に行い、１１．５ｇのポリマーを得た。
このものの構造を明らかにするため、溶媒分別と組成解析を行った。
先ず、得られたポリマーをヘプタンに溶解し、ろ過により可溶部と不溶部に分離した。
その結果、可溶部（Ｃ７Ｓ）３６．８質量％、不溶部（Ｃ７ＩＳ）６３．２質量％であった。
更に、不溶部（Ｃ７ＩＳ）を同様にして、アセトンで抽出し、遠心分離機により分離した結果、可溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＳ）の不溶部（Ｃ７ＩＳ）に占める割合は５８．８質量％、不溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＩＳ）の不溶部（Ｃ７ＩＳ）に占める割合は４１．２質量％であった。
また、各成分の組成解析を1Ｈ−ＮＭＲにより求めた結果を表２に示した。
【００７１】
【表２】
【００７２】
また、製造例２の末端不飽和ポリプロピレンは、ヘプタンに可溶で、アセトンに不溶であり、ポリメチルメタクリレートは、逆にヘプタンに不溶で、アセトンに可溶である。
各成分全てにポリプロピレン成分とポリメチルメタクリレート成分が共存することから、全ての分別物にブロック共重合体が生成していることを確認した。
また、フリーのポリプロピレン成分、ポリメチルメタクリレート成分が存在しないことが確認されている不溶部（Ｃ７ＩＳ／ＡＩＳ）を評価したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）７６００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）１．７０、ブロック率６６．９％であった。
【００７３】
実施例４
内容積１Ｌの攪拌装置付きセパラブルフラスコに製造例５の末端不飽和ポリプロピレン５０ｇ、脱水ヘプタン４００ｍｌを投入し、室温で攪拌しながら溶解させた。
溶解後、この溶液に３０分間窒素バブリングし、脱水処理を行った。
この処理により減少したヘプタンは、新たに脱水ヘプタンを加えて補った。
ｔｅｒｔ−ブトキシドカリウム１．８２ｍｍｏｌのシクロヘキサンスラリーを３．６ｍｌ、ｓｅｃ−ブチルリチウム０．９１ｍｍｏｌを含むシクロヘキサン溶液０．８７ｍｌを投入し、２０℃で１５分間攪拌し金属化を行った。
その後、脱水、蒸留精製したグリシジルメタクリレート９．０ｇを５分間かけて添加し、７０℃で２時間反応を行なった。
反応混合物の処理を実施例1と同様に行い、アセトン抽出、洗浄、ろ過乾燥により、５３．２ｇのブロック共重合体を得た。
グラフト率は６．０％、重量平均分子量は１２００００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１０であった。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物は、プラスチック材料、紙、木材などと高接着性を有するシーラントとして、ポリオレフィンの改質剤、例えば、無機フィラー、染料、極性ポリマー、極性ワックス、木粉、金属などとの相溶特性、機械物性、流動性を改良させたポリオレフィンを得るための改質剤として、或いはポリオレフィンの表面処理剤、プライマー処理、コーティング剤成分などとして有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することを特徴とするブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
末端不飽和ポリオレフインが、下記の（１）〜（４）を満足する請求項１に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
（１）炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体であり
（２）末端不飽和基を一分子当たり０．５〜１．０個有し、
（３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下
（４）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ
【請求項３】
アニオン重合性単量体が、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる請求項１又は２に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
末端不飽和基が、ビニリデン基である請求項１〜３のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体であり、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する請求項１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
【請求項６】
末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体であり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にある請求項１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０重量％以下とのプロピレン系共重合体を含有し、かつ下記の（ａ）及び（ｂ）を満足するプロピレン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
【請求項８】
ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体を含有し、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にあるブテン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法によって得られたブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物。
【請求項１】
末端不飽和ポリオレフイン２０〜１００質量％と末端飽和のポリオレフイン０〜８０質量％との組み合わせにおいて、末端不飽和ポリオレフインを金属化して得た金属化ポリオレフインと、少なくとも一種のアニオン重合性単量体とを反応させ、末端不飽和ポリオレフインにアニオン重合性単量体連鎖を形成することを特徴とするブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
末端不飽和ポリオレフインが、下記の（１）〜（４）を満足する請求項１に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
（１）炭素数２〜２８のα−オレフインから選ばれる一種の単独重合体又は二種以上の共重合体であり
（２）末端不飽和基を一分子当たり０．５〜１．０個有し、
（３）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下
（４）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度〔η〕が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇ
【請求項３】
アニオン重合性単量体が、アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、ジエン誘導体から選ばれる請求項１又は２に記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
末端不飽和基が、ビニリデン基である請求項１〜３のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
末端不飽和ポリオレフインが、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのプロピレン系共重合体であり、下記の（ａ）〜（ｃ）を満足する請求項１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（ｃ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）とメソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕とが下記の関係を満たす。
１．７６〔ｍｍｍｍ〕−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６〔ｍｍｍｍ〕＋５．０
【請求項６】
末端不飽和ポリオレフインが、ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体であり、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にある請求項１〜４のいずれかに記載のブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上とエチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフインから選ばれる一種以上１０重量％以下とのプロピレン系共重合体を含有し、かつ下記の（ａ）及び（ｂ）を満足するプロピレン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（ａ）メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が３０〜８０モル％
（ｂ）ラセミメソラセミメソ分率〔ｒｍｒｍ〕＞２．５モル％
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
【請求項８】
ブテン単独重合体、又は１−ブテン９０質量％以上とエチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のオレフインから選ばれる一種以上１０質量％以下とのブテン系共重合体を含有し、メソペンタッド分率〔ｍｍｍｍ〕が２０〜９０モル％の範囲にあるブテン重合部位が、アニオン重合性単量体としてアクリル酸誘導体、メタアクリル酸誘導体、スチレン誘導体及びジエン誘導体から選ばれる一種以上からなる連鎖とブロック結合した、下記の（５）〜（７）を満足するブロック共重合体。
（５）ブロック率が２〜１００質量％
（６）重量平均分子量が２，０００〜５００，０００
（７）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法によって得られたブロック共重合体又は該共重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物。
【公開番号】特開２００８−１３８０９３（Ｐ２００８−１３８０９３Ａ）
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２６１２２（Ｐ２００６−３２６１２２）
【出願日】平成１８年１２月１日（２００６．１２．１）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１日（２００６．１２．１）
【出願人】（０００１８３６４６）出光興産株式会社 (2,069)
【Ｆターム（参考）】
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