説明

プラズマディスプレイパネル

【課題】本発明のプラズマディスプレイパネルによれば、前面板と背面板との間隔を一定に保ち、かつ電極断線の不具合を防止することができ、高品質で高歩留まりなプラズマディスプレイパネルを提供することが可能となる。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明のプラズマディスプレイパネルは、複数の表示電極を配置した前面基板と、表示電極に交差するようにアドレス電極を配置しアドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板と、前面基板と背面基板を封着する封着層を設けたプラズマディスプレイパネルであって、封着層は第1の封着層および第2の封着層で構成され、第1の封着層はビーズ材を有し、第1の封着層および第2の封着層はフィラーを有し、重量で表記される第1の封着層のフィラーの含有量が、重量で表記される第2の封着層のフィラーの含有量よりも多いことを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は表示デバイスとして知られるプラズマディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、双方向情報端末として大画面、壁掛けテレビへの期待が高まっており、そのための表示デバイスとして、液晶表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの数多くのものがある。これらの表示デバイスの中でもプラズマディスプレイパネル(以下、PDPとする)は、自発光型で美しい画像表示ができ、大画面化が容易であるなどの理由から、視認性に優れた薄型表示デバイスとして注目されており、高精細化および大画面化に向けた開発が進められている。
【0003】
PDPは表示電極、誘電体層、MgOによる保護層などの構成物を形成した前面板と、電極、隔壁、絶縁体層、蛍光体層などの構成物を形成した背面板とを、内部にR・G・Bそれぞれの微小な放電セル(以下、単にセルとする)を形成するように対向配置されるとともに、周囲を封着層により封止されている。そして、そのセルにネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などを混合してなる放電ガスを例えば66500Pa(約500Torr)程度の圧力で封入している。
【0004】
ここで従来技術では、封着層として、ガラスフリットを含む封着材を塗布・焼成することにより形成しているが、PDP製造時の封着工程時に、封着材が収縮して前面板と背面板との間隔がパネルの中央部における間隔よりも狭まってしまう現象が生じた。この現象を防止するために、封着層内にスペーサとして封着材よりも高い融点を有する部材(以下、ビーズ材とする)を混在させたものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2001−236896号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、ビーズ材が混在された封着層を有するPDPの場合には、封着排気工程時に封着層が前面板と背面板の間で挟圧されると、この封着層内のビーズ材が前面板と背面板に形成された電極層を直接または間接的に圧迫して電極にクラックを生じさせる場合がある。このような場合、電極の幅より大きなクラックが生じると電極が断線してしまうおそれがある。
【0007】
本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、ビーズ材を含む封着材を用いることで、前面板と背面板との間隔を一定に保ち、かつ電極断線の不具合を防止することができ、高品質で高歩留まりなPDPを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記従来の課題を解決するため、本発明のPDPは、複数の表示電極を配置した前面基板と、表示電極に交差するようにアドレス電極を配置しアドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板と、前面基板と背面基板を封着する封着層を設けたプラズマディスプレイパネルであって、封着層は第1の封着層および第2の封着層で構成され、第1の封着層はビーズ材を有し、第1の封着層および第2の封着層はフィラーを有し、重量で表記される第1の封着層のフィラーの含有量が、重量で表記される第2の封着層のフィラーの含有量よりも多いことを特徴とする。ここで、第1の封着層のフィラーのD50またはD90で表される粒度分布の値が、第2の封着層のフィラーのD50またはD90で表される粒度分布の値よりも大きいことが望ましい。
【発明の効果】
【0009】
このように本発明によれば、前面板と背面板との間隔を一定に保ち、かつ電極断線の不具合を防止することができ、高品質で高歩留まりなPDPを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態におけるPDPの概略構成を示す断面斜視図
【図2】同PDPの平面図
【図3】同PDP封着部の断面図
【図4】本発明のその他の実施形態におけるPDP封着部の断面図
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて、図面を用いて説明する。まず、PDPの構造について図1を用いて説明する。図1に示すように、PDPは、ガラス製の前面基板1と背面基板2とを、その間に放電空間を形成するように対向配置することにより構成されている。前面基板1上には表示電極を構成する走査電極3と維持電極4とが互いに平行に対をなして複数形成されている。そして、走査電極3および維持電極4を覆うように誘電体層5が形成され、誘電体層5上には保護層6が形成されている。
【0012】
また、背面基板2上には絶縁体層7で覆われた複数のアドレス電極8が設けられ、その絶縁体層7上には井桁状の隔壁9が設けられている。また、絶縁体層7の表面および隔壁9の側面に蛍光体層10が設けられている。そして、走査電極3および維持電極4とアドレス電極8とが交差するように前面基板1と背面基板2とが対向配置されており、その間に形成される放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。なお、PDPの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【0013】
上記、PDPの作製方法について以下に述べる。まず前面基板1上に電極形成用の感光性ペーストをスクリーン印刷法等により形成する。その後、露光・現像を行うことで表示電極のパターン形成を行う。表示電極のパターン形成の後、それを覆うように誘電体層5をスクリーン印刷法あるいはコート塗布を用いて形成、焼成を行う。さらにその上に蒸着法等によってMgOなどの保護層6を形成する。
【0014】
背面基板2上にアドレス電極8用の感光性ペーストをスクリーン印刷法により形成し、その後露光、現像によりアドレス電極8のパターン形成をする。そしてアドレス電極8上に絶縁体層7をスクリーン印刷法やコート塗布法によって形成し、その上に井桁状あるいはストライプ状の隔壁9を形成するために感光性のペーストを数回に分けてコート塗布法によって形成し、露光を行う。この際に、ペーストの塗布回数と露光パターンによって少なくとも2段以上の段差を持った構造を形成することができる。現像によるパターン形成後、焼成を行う。焼成後に隔壁9内部にRGBの蛍光体層10をディスペンサー法などで配置し、高温雰囲気下で乾燥を行う。
【0015】
上記方法で作製された前面基板1および背面基板2をそれぞれの膜面が向き合うように配置し、封着を実施する。この際に前面基板1または背面基板2の周辺に塗布した封着材により封止する。
【0016】
その後、背面基板2側に配置された排気孔より基板を加熱しながら排気を行い、ある一定の真空度に到達後、PDP内部にキセノンやネオンなどの希ガスを封入する。ガス封入後に排気管を封止し、PDPを完成させる。
【0017】
次に本発明の実施形態におけるPDPの電極取り出し部と封着層の形成領域について説明する。図2は、本発明の実施形態におけるPDPの平面図である。このように前面基板1と背面基板2とが対向配置されており、共通の領域の周囲に封着層11が形成されている(図中破線部)。このように前面基板1と背面基板2との基板形状が異なる理由は、それぞれの基板端部に電極端子部が形成されるためである。この電極端子部より、それぞれの電極に画像表示のための電圧を印加する。同図においてPDP長辺部に示すのはアドレス電極8の電極端子部である。そして、このように封着層11は各電極上に形成されることになる。走査電極3、維持電極4の電極端子部は前面基板1の裏面になるため同図では記載していない。
【0018】
図3は、本発明の実施形態におけるPDPの封着部の断面図である。ここではアドレス電極8の電極端子部を使って説明する。このように本発明の実施形態では、封着層11の形成領域は、絶縁体層7、アドレス電極8およびそれらの境界領域上に形成する。
【0019】
このように封着層11が絶縁体層7およびアドレス電極8の両者の上に形成されるのは次のような理由からである。例えば封着層を絶縁体層7のみの上に形成した場合、絶縁体層7が有する空隙部より、放電ガスあるいは外気のリークが生じ、画像表示が停止してしまう。また逆に封着層をアドレス電極のみの上に形成した場合、PDP内部にアドレス電極が露出する箇所が存在するため、その露出箇所にて誤放電を生じる可能性がある。このような理由から、本発明の実施形態では上記のような構成としている。
【0020】
そして本発明の実施形態における封着層11には封着材の他にビーズ材12が混在されている。これにより、前面基板1と背面基板2との距離を一定に保った状態で封着することが可能となる。
【0021】
しかしながら従来技術では、ビーズ材が混在する封着層で構成されるPDPの場合、封着排気工程時にビーズ材が直接または間接的に電極層を圧迫して、電極にクラックを生じさせ、電極を断線してしまうという課題があった。
【0022】
これについて発明者等は、封着排気工程時の温度条件下では、封着層と接する部分、すなわち誘電体層や電極層の材料が、ビーズ材あるいはビーズ材以外の封着層中に含まれるフィラー成分よりも軟らかいため、ビーズ材等他の封着層構成部材によって圧迫され、電極層にクラックや断線が発生していると推定している。
【0023】
この現象に対して発明者等は、封着排気工程時の温度条件よりも高い転移点特性を有する低融点ガラスフリットを電極層に一定量用いることにより、封着排気工程時の電極層の強度を上げ、ビーズ材等によるクラック発生を防止し、上記課題を解決することを見出した。
【0024】
具体的には、本発明の実施形態では各構成部位の材料を次のようにしている。
【0025】
まず、アドレス電極8について説明する。アドレス電極8を形成するための電極ペーストは、重量で表される成分比で、少なくとも銀(Ag)粒子50%〜85%と、ガラス成分が1%〜15%と、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤などを含む感光性有機バインダ成分8%〜40%とよりなる感光性ペーストである。
【0026】
さらに、本発明の実施形態においては、アドレス電極8に使用するガラス成分として、封着排気時の温度よりも高い転移点特性を有する低融点ガラスフリットを含有することを特徴としている。実施の一例としては、封着時の温度を500℃で実施する場合には、510℃〜600℃の転移点特性を有するガラスフリットを配合させる。さらには、510℃〜580℃の転移点特性を有するガラスフリットをアドレス電極8中に配合させるのがより好ましい。またアドレス電極8を形成した状態で体積比5〜40%となるように当該ガラスフリットを配合させる。
【0027】
具体的にガラス成分は、実質的に鉛成分を含んでおらず、各成分のモル表記での含有量で、酸化ビスマス(Bi23)が0.1%〜20%、酸化亜鉛(ZnO)が10%〜40%、酸化珪素(SiO2)が10〜40%、酸化硼素(B23)が10〜30%、Ba、Caが1%以下としている。
【0028】
また、本発明の実施形態のアドレス電極層には、前記ガラスフリットのみの使用に限らず、さらに別の1種類以上のガラスフリットを混合配合してもよい。つまり、転移点特性を有する低融点ガラスフリットの少なくとも1種類を、体積で表す成分比で5〜40%電極層中に配合すれば本発明の効果は得られる。
【0029】
そして上記感光性ペーストを、背面基板2上に印刷法などによって塗布し、電極ペースト層を形成する。そして電極ペースト層をフォトリソグラフィ法などにより幅100μmの銀(Ag)電極パターンを形成し、その後560〜600℃で焼成する。
【0030】
次に、絶縁体層7について説明する。絶縁体層を形成するための絶縁体ペーストは、重量で表される成分比で、ガラス成分25%〜35%、フィラー25%〜35%、バインダ10%〜20%、溶剤20%〜30%の配合比のものを用いている。さらに望ましくは、ガラス成分30%〜35%、フィラー25%〜30%、バインダ10%〜20%、溶剤20%〜30%の配合比である。
【0031】
そして、絶縁体層7のガラス成分は実質的に鉛成分を含んでおらず、各成分のモル表記での含有量を次のようにしている。酸化ビスマス(Bi23)が0.1%〜25%、酸化亜鉛(ZnO)が10%〜30%、酸化チタン(TiO2)が0.1%〜25%であって、さらに酸化タングステン(WO3)、Mn、Sb、Baを0.1%以下としている。
【0032】
このような絶縁体層ペーストを、背面基板2とアドレス電極8の上にダイコート法などにより塗布し、乾燥工程、焼成工程を経て形成される。焼成工程においては到達温度を570℃〜630℃程度とした。その膜厚は焼成工程後で8μm〜15μmとしている。
【0033】
次に隔壁9について説明する。隔壁9を形成する隔壁ペーストは次のようになる。先に述べたように、隔壁9は隔壁上層と隔壁下層とで構成される。隔壁下層に用いる隔壁ペーストは、重量で表される配合比が、ガラス成分30%〜70%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%となっている。
【0034】
そして、隔壁上層を形成する隔壁ペーストは、重量で表される配合比が、ガラス成分15%〜35%、フィラー成分20%〜30%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%となっている。さらに望ましくは、ガラス成分25%〜40%、フィラー10%〜20%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%であった。
【0035】
このような隔壁ペーストを用い、スクリーン印刷法またはコート法等により隔壁層を形成する。その後、フォトリソグラフィ法等により隔壁9の前駆体を形成し、焼成工程で焼結を行い、隔壁9を形成する。焼成工程の到達温度は560℃〜630℃程度とする。
【0036】
また、焼成工程については、前述のように電極層、絶縁体層、隔壁層と各工程毎に焼成しても、電極層、絶縁体層、隔壁層をまとめて1回で焼成してもどちらでもよい。このときの焼成工程の到達温度は560℃〜630℃とする。
【0037】
次に、封着層11について説明する。封着層11を形成するための封着材ペーストは、少なくとも酸化ビスマス(Bi23)と酸化モリブデン(MoO3)あるいは酸化タングステン(WO3)を含有したガラス成分と、耐熱性フィラーと、有機バインダ成分と、先に述べたビーズ材12を含む。
【0038】
ガラス成分としては各成分のモル表記での含有量で少なくとも酸化ビスマス(Bi23)が20%〜50%、酸化亜鉛(ZnO)が20%〜40%、酸化硼素(B23)が10%〜30%、酸化アルミニウム(Al23)が0.5%〜2.5%、としている。
【0039】
また、耐熱性フィラーは、封着材の熱膨張係数を調整するとともに、ガラスの流動状態をコントロールするのに使用されるが、コージライト、フォルステライト、β−ユークリプタイト、ジルコン、ムライト、チタン酸バリウム、チタン酸アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化スズ、酸化アルミニウム、石英ガラスなどが特に好ましい。
【0040】
そしてビーズ材12は、酸化硼素(B23)、酸化アルミニウム(Al23)などからなる球形のガラスビーズ材を用いる。ビーズ材の粒径としては、前記隔壁9の高さと絶縁体層7の厚みの和よりも大きいものを用いる。具体的には図3に示すような形態となる。このようなビーズ径とすることで、封着部での前面板と背面板との間隔がパネルの中央部における間隔よりも狭まってしまうことを防ぐことができる。
【0041】
このような封着材ペーストを、背面基板2または前面基板1のどちらか一方の周縁に、ディスペンサー法などにより塗布する。その後、一定時間乾燥後400℃付近で仮焼成を行い、有機バインダ成分を焼失除去する。そして、前面基板1の走査電極3および維持電極4群と背面基板2のアドレス電極8とが直交するように対向して両基板を配置し、450℃〜500℃で焼成して封着材を固化させ、封着層11とする。
【0042】
次に、本発明のその他の実施形態について説明する。図4は本発明のその他の実施形態のPDP封着部の断面を示す図である。図4に示すように、この実施形態では封着層11を、第1の封着層(以下、封着層11aとする)と、第2の封着層(以下、封着層11bとする)との二重構造としている。封着層11aはビーズ材12を有しており、封着層11bはビーズ材12を有していない。そして封着層11aはアドレス電極8上には形成されておらず、絶縁体層7を介している。これにより、アドレス電極8へのクラックや断線の発生を防止している。
【0043】
封着層11を形成するための封着材ペーストは、上記と同様であり、少なくとも酸化ビスマス(Bi23)と酸化モリブデン(MoO3)あるいは酸化タングステン(WO3)を含有したガラス成分と、耐熱性フィラーと、有機バインダ成分とを含む。そして、封着層11aを形成するための封着材ペーストはさらにビーズ材12を含む。
【0044】
ガラス成分、耐熱性フィラーについても上記の実施形態と同様である。
【0045】
このような封着材ペーストを、背面基板2または前面基板1のどちらか一方の周縁に、ディスペンサー方などにより塗布する。ビーズ材12を含有した封着層11a用の封着材ペーストは絶縁体層7上に塗布する。一方、ビーズ材12を有しない封着層11b用の封着材ペーストはアドレス電極8上に塗布をする。その後、一定時間乾燥後400℃付近で仮焼成を行い、有機バインダ成分を焼失除去する。そして、前面基板1の走査電極3および維持電極4群と背面基板2のアドレス電極8とが直交するように対向して両基板を配置し、450℃〜500℃で焼成して封着材を固化させ、封着層11とする。
【0046】
この焼成時に、封着層11a中に含まれるビーズ材12がアドレス電極8上に移動しないようにするために、かつ、ビーズ材封着層11aとビーズなし封着層11bの間に隙間が発生しないようにするために、ペーストの流動性を制御する必要がある。
【0047】
具体的に、本発明の実施形態においては、封着層11a用の封着材ペーストの流動性は、ビーズ材12を有しない封着層11b用の封着ペーストの流動性よりも小さくなるようにしている。このために、封着層11a中の重量表記の耐熱性フィラーの量が、封着層11b中の耐熱性フィラーのそれよりも多くなるようにしている。また封着層11a用の封着ペーストの耐熱性フィラーの粒度分布を示すD50およびD90の値が、封着層11b用の封着ペーストの耐熱性フィラーの粒度分布の値よりも大きくなるようにしている。
【0048】
以上のように、本発明の電極層および封着層を有するPDPとすることで、高品質で高歩留まりなPDPを提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【0049】
本発明のPDPによれば、前面板と背面板との間隔を一定に保ち、かつ電極断線の不具合を防止することができ、高品質で高歩留まりなPDPを提供することが可能となる。
【符号の説明】
【0050】
1 前面基板
2 背面基板
7 絶縁体層
8 アドレス電極
9 隔壁
10 蛍光体層
11 封着層
12 ビーズ材

【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板と、前記前面基板と前記背面基板を封着する封着層を設けたプラズマディスプレイパネルであって、前記封着層は第1の封着層および第2の封着層で構成され、前記第1の封着層はビーズ材を有し、前記第1の封着層および前記第2の封着層はフィラーを有し、重量で表記される前記第1の封着層のフィラーの含有量が、重量で表記される前記第2の封着層のフィラーの含有量よりも多いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項2】
前記第1の封着層のフィラーのD50またはD90で表される粒度分布の値が、前記第2の封着層のフィラーのD50またはD90で表される粒度分布の値よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公開番号】特開2011−249202(P2011−249202A)
【公開日】平成23年12月8日(2011.12.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−122568(P2010−122568)
【出願日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【出願人】(000005821)パナソニック株式会社 (73,050)
【Fターム(参考)】