プリント回路基板及びその製造方法
【課題】本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含む。
【解決手段】本発明の一実施例によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び薄型化により、プリント回路基板の回路パターンのピッチ（ｐｉｔｃｈ）を数マイクロメートルレベルに微細化するための技術が求められている。
現在、プリント回路基板の回路パターンのピッチを微細化するための方法として、セミアディティブ法（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ：ＳＡＰ）が提案されて用いられている。
【０００３】
メッキ処理された原板に回路イメージを形成した後、エッチングを行って銅（Ｃｕ）を除去することにより回路パターンを形成するサブトラクティブ法（Ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）に代えて、化学銅メッキ層が形成された原板上にメッキレジスト現像作業を行ってイメージパターンを形成し、パターニングされたメッキレジストをマスクとしてメッキ工程を行うことにより回路パターンを形成するセミアディティブ法（ＳＡＰ）を用いている。
【０００４】
セミアディティブ法（ＳＡＰ）の要旨は、メッキレジストでパターンを形成する過程で、段差が垂直なメッキレジストパターンの形成は比較的に容易であるため、まず垂直段差のメッキレジストパターンを形成した後に電気銅メッキを行うことにより、メッキレジストの形状に従って垂直段差の回路パターンを得ることにある。
【０００５】
しかし、このようなセミアディティブ法（ＳＡＰ）は、銅メッキを行ってメッキ層を形成した後、メッキレジストを除去して、露出される化学銅メッキ層をフラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）またはクイックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）により除去する。
【０００６】
この際、化学銅メッキ層上に電気銅からなるメッキ層、即ち、回路パターンの上部のエッジ部がともにエッチングされて、回路パターンの幅が小さくなるため、パターンのファインピッチ（ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ）の具現が困難となるという問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するためのものであって、本発明の一側面は、回路パターンの上部幅が損傷することのないプリント回路基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【０００８】
また、本発明の他の側面は、上述したように、回路パターンの上部幅が損傷することを防止して、高密度の微細回路パターンを具現することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含む。
【００１０】
この際、前記傾斜部は、上面から外側方向に下向きに傾斜する形状であることができる。
また、前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
【００１１】
ここで、前記第１金属層及び第２金属層は電解メッキ層であることができる。
また、前記ベース基板と第１金属層との間に形成される無電解メッキ層をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法は、ベース基板を準備する段階と、前記ベース基板上に、回路パターン形成用開口部を有するメッキレジストを形成する段階と、前記開口部に、上部側面に傾斜部を有する第１金属層を形成する段階と、前記第１金属層の傾斜部に第２金属層を形成する段階と、前記メッキレジストを除去する段階と、を含む。
【００１３】
前記傾斜部を有する第１金属層を形成する段階は、前記傾斜部が上面から外側方向に下向きに傾斜する形状に形成されるように行われることができる。
また、前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
【００１４】
また、前記第１金属層及び第２金属層を形成する段階は、電解メッキにより行われることができる。
また、前記メッキレジストを形成する段階の前に、前記ベース基板上に無電解メッキ層を形成する段階をさらに含むことができ、前記メッキレジストを除去する段階の後に、露出された前記無電解メッキ層を除去する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、回路パターンの上部側面にエッチング速度が遅いメッキ層を形成することにより、回路パターンの幅が減少することを防止し、微細回路を容易に具現することができる効果を有する。
また、本発明は、メッキ液の添加剤を調節して、内側と外側のエッチング速度が異なる回路パターンを形成することにより、追加材料、工程及び設備などが不要であるため、製造コストが低減される効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
[プリント回路基板]
図１は本発明の一実施例によるプリント回路基板の構造を示す断面図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、ベース基板１１０と、ベース基板１１０上に形成される回路パターン１３０と、を含む。
ベース基板１１０は、絶縁層に１層以上の回路が形成された回路基板であって、プリント回路基板であることができる。
【００１８】
本図面では、説明の便宜のために具体的な内層回路の構成は省略して図示したが、当業者であれば、前記ベース基板１１０として絶縁層に１層以上の回路が形成された通常の回路基板が適用され得るということを十分に認識できるであろう。
前記絶縁層としては、通常の樹脂絶縁材が用いられることができる。
【００１９】
前記樹脂絶縁材としては、通常の樹脂基板の材料として公知されたＦＲ‐４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また、熱硬化性樹脂及び／または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００２０】
回路パターン１３０を含む前記回路は、回路基板分野で回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用することができ、銅を用いることが一般的である。
本実施例による回路パターン１３０は、図１に図示されたように、ベース基板１１０上に形成された第１金属層１３０ａと、第１金属層１３０ａに形成された第２金属層１３０ｂと、を含むことができる。
【００２１】
厚さ方向を基準として、第１金属層１３０ａは下部に位置し、第２金属層１３０ｂは上部に位置することができるが、特にこれに限定されず、回路パターン１３０は２層以上の金属層に形成されることができる。
【００２２】
ここで、第１金属層１３０ａは図３に図示されたように、上部側面に傾斜部Ａを有しており、前記傾斜部Ａは上面から外側方向に下向きに傾斜する形状であることができるが、特にこれに限定されるものではない。
第２金属層１３０ｂは、前記第１金属層１３０ａの傾斜部Ａに形成されることができる。
【００２３】
この際、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂは、電気伝導性金属として用いられるものであれば特に制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）などの金属からなることができる。
【００２４】
また、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂは、電解メッキ工程により形成された電解メッキ層であることができる。また、ベース基板１１０と第１金属層１３０ａとの間に形成された無電解メッキ層１２０をさらに含むことができる。
ここで、前記無電解メッキ層１２０は、後続工程で回路パターン１３０の形成のための電解メッキを行うために形成されるものである。
【００２５】
本実施例による第２金属層１３０ｂは、第１金属層１３０ａよりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
従来は、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂが同一の結晶組織を有する金属層、即ち、エッチング速度が同一の金属層からなって、厚さ方向にエッチングされる速度が異なっていた。
【００２６】
即ち、金属層がエッチング液の流れを妨げるため、既に反応したエッチング液が基板の底に存在するようになり、新しいエッチング液に交換されず、金属層の上部は多くエッチングされ、金属層の下部は相対的に小さくエッチングされる。これにより、回路パターン１３０の側面の傾きが大きく形成されて、微細回路を具現することが困難となる。
【００２７】
しかし、本実施例のように、下部に形成される第１金属層１３０ａより第１金属層１３０ａの上部の角側に形成される第２金属層１３０ｂをエッチングに強い結晶方向を有するように形成することで、前記無電解メッキ層をエッチングするうちに第２金属層１３０ｂがエッチングされることを防止することができる。
これにより、回路パターン１３０の上部幅が減少することを防止して、回路パターン１３０間の絶縁距離を確保し、微細回路を具現することができる。
【００２８】
[プリント回路基板の製造方法]
図２から図６は本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
まず、図２に図示するように、ベース基板１１０を準備した後、準備されたベース基板１１０上に、回路パターン形成用開口部２１０を有するメッキレジスト２００を形成する。
【００２９】
ベース基板１１０は、絶縁層に１層以上の回路が形成された回路基板であって、プリント回路基板であることができる。
本図面では、説明の便宜のために具体的な内層回路の構成は省略して図示したが、当業者であれば、前記ベース基板１１０として絶縁層に１層以上の回路が形成された通常の回路基板が適用され得るということを十分に認識できるであろう。
【００３０】
前記絶縁層としては、通常の樹脂絶縁材が用いられることができる。
前記樹脂絶縁材としては、通常の樹脂基板資材として公知されたＦＲ‐４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また、熱硬化性樹脂及び／または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３１】
回路パターン１３０を含む前記回路は、回路基板分野で回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用することができ、銅を用いることが一般的である。
メッキレジスト２００はドライフィルム（Ｄｒｙ−Ｆｉｌｍ：ＤＦ）であることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３２】
メッキレジスト２００に回路パターン形成用開口部２１０を形成することは、当業界に公知された方法によりなされることができる。例えば、ベース基板１１０上にメッキレジスト２００を形成した後、メッキレジスト２００上にパターニングされたマスク（不図示）を配置し、露光工程を行ってパターニングされた部分に露出されるメッキレジスト２００を硬化させ、マスクを除去した後、現像工程を行って硬化されていない部分を除去することにより行われることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３３】
この際、メッキレジスト２００を形成する前に、ベース基板１１０上に無電解メッキ層１２０を形成することができる。
無電解メッキ層１２０は、後続工程で行われる電解メッキ工程のために形成されるものであり、化学銅メッキまたはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程によって形成されることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３４】
次に、図３に図示するように、回路パターン形成用開口部２１０に第１金属層１３０ａを形成する。
本実施例による第１金属層１３０ａは、メッキ液を用いた電解メッキ工程により形成されることができ、図３に図示したように、上部側面に傾斜部Ａを有するように形成される。これは、第１金属層１３０ａを形成するために用いられるメッキ液の添加剤含量を調節することにより行われることができる。
【００３５】
通常、メッキ液は、基本金属を含むメッキ液とともに、ブライトナー（ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ）、レベラー（ｌｅｖｅｌｅｒ）、界面活性剤などの添加剤を含む。
前記ブライトナーは、メッキ膜を緻密にして光沢性を向上させるための添加剤であり、通常、硫黄化合物である。前記ブライトナーは、メッキ液中にアニオンとして存在し、金属イオンの析出を妨げて微細化を促進させる役割をする。
【００３６】
また、レベラーは、ポリアミンなどの窒素含有化合物であり、メッキ液中にカチオンとして存在する。電流密度の高い所でレベラーが多く吸着し、レベラーが多く吸着する所は活性化過電圧が増加して、銅の析出が抑制される。これにより、結果的に前記レベラーは、メッキ層の上面が均一に形成されるようにする役割をする。
【００３７】
本実施例によると、これに制限されるものではないが、図３のように、上部側面に傾斜部Ａを有する第１金属層１３０ａを形成するために、メッキ液中の前記レベラーの含量を調節することができる。
例えば、第１金属層１３０ａは、レベラーを含まないか、または基準以下のレベラーを含むメッキ液を用いて形成されることができる。
【００３８】
次に、図４に図示するように、第１金属層１３０ａの傾斜部Ａに第２金属層１３０ｂを形成する。
第２金属層１３０ｂは、特にこれに制限されるものではないが、メッキ液を用いた電解メッキ工程を行うことにより形成されることができ、第１金属層１３０ａの上部側面の傾斜部Ａに形成されて、第１金属層１３０ａの上面と実質的に同一の高さを有するように形成されることができる。
【００３９】
本実施例によると、第２金属層１３０ｂは第１金属層１３０ａよりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。これは、上述のメッキ液中の添加剤含量を調節することによりなされることができる。
例えば、第２金属層１３０ｂは、上述のブライトナーは含まず、レベラーは含むメッキ液を用いて、エッチングに強い結晶組織を有するように形成されることができる。
【００４０】
本実施例では、メッキ液に含まれる添加剤のうちブライトナー及びレベラーの含量を調節することについて説明したが、これは一つの実施例に過ぎず、当業界に公知された添加剤含量を調節してメッキ層の形状を調節する方法及びエッチング速度が異なる結晶組織を形成する方法が全て適用されることができる。
次に、図５に図示するように、メッキレジスト２００を除去する。
【００４１】
メッキレジスト２００を除去するために、機械的剥離または化学的剥離方法を用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。
次に、図６に図示するように、メッキレジスト２００の除去により露出された無電解メッキ層１２０を除去する。
【００４２】
この際、無電解メッキ層１２０は、クイック（ｑｕｉｃｋ）エッチングまたはフラッシュ（ｆｌａｓｈ）エッチングなどを行って除去することができる。
本実施例よると、第２金属層１３０ｂをエッチング速度が遅い結晶で形成することにより、無電解メッキ層１２０の除去のためのエッチング工程を行う際に、回路パターンの上部側面、即ち、第２金属層１３０ｂが前記エッチング液によって損傷することを防止することができる。
【００４３】
これにより、回路パターン１３０の上部幅が細くなることを防止して、回路パターン１３０間の絶縁距離を確保し、微細回路パターンを具現することができる。
また、図示されていないが、ベース基板１１０及び回路パターン１３０を保護する保護層がさらに形成されることができる。
【００４４】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００４５】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例によるプリント回路基板の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図５】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００ プリント回路基板
１１０ ベース基板
１２０ 無電解メッキ層
１３０ａ 第１金属層
１３０ｂ 第２金属層
１３０ 回路パターン
２００ メッキレジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び薄型化により、プリント回路基板の回路パターンのピッチ（ｐｉｔｃｈ）を数マイクロメートルレベルに微細化するための技術が求められている。
現在、プリント回路基板の回路パターンのピッチを微細化するための方法として、セミアディティブ法（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ：ＳＡＰ）が提案されて用いられている。
【０００３】
メッキ処理された原板に回路イメージを形成した後、エッチングを行って銅（Ｃｕ）を除去することにより回路パターンを形成するサブトラクティブ法（Ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）に代えて、化学銅メッキ層が形成された原板上にメッキレジスト現像作業を行ってイメージパターンを形成し、パターニングされたメッキレジストをマスクとしてメッキ工程を行うことにより回路パターンを形成するセミアディティブ法（ＳＡＰ）を用いている。
【０００４】
セミアディティブ法（ＳＡＰ）の要旨は、メッキレジストでパターンを形成する過程で、段差が垂直なメッキレジストパターンの形成は比較的に容易であるため、まず垂直段差のメッキレジストパターンを形成した後に電気銅メッキを行うことにより、メッキレジストの形状に従って垂直段差の回路パターンを得ることにある。
【０００５】
しかし、このようなセミアディティブ法（ＳＡＰ）は、銅メッキを行ってメッキ層を形成した後、メッキレジストを除去して、露出される化学銅メッキ層をフラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ ｅｔｃｈｉｎｇ）またはクイックエッチング（ｑｕｉｃｋ ｅｔｃｈｉｎｇ）により除去する。
【０００６】
この際、化学銅メッキ層上に電気銅からなるメッキ層、即ち、回路パターンの上部のエッジ部がともにエッチングされて、回路パターンの幅が小さくなるため、パターンのファインピッチ（ｆｉｎｅ ｐｉｔｃｈ）の具現が困難となるという問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するためのものであって、本発明の一側面は、回路パターンの上部幅が損傷することのないプリント回路基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【０００８】
また、本発明の他の側面は、上述したように、回路パターンの上部幅が損傷することを防止して、高密度の微細回路パターンを具現することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例によるプリント回路基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含む。
【００１０】
この際、前記傾斜部は、上面から外側方向に下向きに傾斜する形状であることができる。
また、前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
【００１１】
ここで、前記第１金属層及び第２金属層は電解メッキ層であることができる。
また、前記ベース基板と第１金属層との間に形成される無電解メッキ層をさらに含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法は、ベース基板を準備する段階と、前記ベース基板上に、回路パターン形成用開口部を有するメッキレジストを形成する段階と、前記開口部に、上部側面に傾斜部を有する第１金属層を形成する段階と、前記第１金属層の傾斜部に第２金属層を形成する段階と、前記メッキレジストを除去する段階と、を含む。
【００１３】
前記傾斜部を有する第１金属層を形成する段階は、前記傾斜部が上面から外側方向に下向きに傾斜する形状に形成されるように行われることができる。
また、前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
【００１４】
また、前記第１金属層及び第２金属層を形成する段階は、電解メッキにより行われることができる。
また、前記メッキレジストを形成する段階の前に、前記ベース基板上に無電解メッキ層を形成する段階をさらに含むことができ、前記メッキレジストを除去する段階の後に、露出された前記無電解メッキ層を除去する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、回路パターンの上部側面にエッチング速度が遅いメッキ層を形成することにより、回路パターンの幅が減少することを防止し、微細回路を容易に具現することができる効果を有する。
また、本発明は、メッキ液の添加剤を調節して、内側と外側のエッチング速度が異なる回路パターンを形成することにより、追加材料、工程及び設備などが不要であるため、製造コストが低減される効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
[プリント回路基板]
図１は本発明の一実施例によるプリント回路基板の構造を示す断面図である。
図１を参照すると、本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、ベース基板１１０と、ベース基板１１０上に形成される回路パターン１３０と、を含む。
ベース基板１１０は、絶縁層に１層以上の回路が形成された回路基板であって、プリント回路基板であることができる。
【００１８】
本図面では、説明の便宜のために具体的な内層回路の構成は省略して図示したが、当業者であれば、前記ベース基板１１０として絶縁層に１層以上の回路が形成された通常の回路基板が適用され得るということを十分に認識できるであろう。
前記絶縁層としては、通常の樹脂絶縁材が用いられることができる。
【００１９】
前記樹脂絶縁材としては、通常の樹脂基板の材料として公知されたＦＲ‐４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また、熱硬化性樹脂及び／または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００２０】
回路パターン１３０を含む前記回路は、回路基板分野で回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用することができ、銅を用いることが一般的である。
本実施例による回路パターン１３０は、図１に図示されたように、ベース基板１１０上に形成された第１金属層１３０ａと、第１金属層１３０ａに形成された第２金属層１３０ｂと、を含むことができる。
【００２１】
厚さ方向を基準として、第１金属層１３０ａは下部に位置し、第２金属層１３０ｂは上部に位置することができるが、特にこれに限定されず、回路パターン１３０は２層以上の金属層に形成されることができる。
【００２２】
ここで、第１金属層１３０ａは図３に図示されたように、上部側面に傾斜部Ａを有しており、前記傾斜部Ａは上面から外側方向に下向きに傾斜する形状であることができるが、特にこれに限定されるものではない。
第２金属層１３０ｂは、前記第１金属層１３０ａの傾斜部Ａに形成されることができる。
【００２３】
この際、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂは、電気伝導性金属として用いられるものであれば特に制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）などの金属からなることができる。
【００２４】
また、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂは、電解メッキ工程により形成された電解メッキ層であることができる。また、ベース基板１１０と第１金属層１３０ａとの間に形成された無電解メッキ層１２０をさらに含むことができる。
ここで、前記無電解メッキ層１２０は、後続工程で回路パターン１３０の形成のための電解メッキを行うために形成されるものである。
【００２５】
本実施例による第２金属層１３０ｂは、第１金属層１３０ａよりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。
従来は、第１金属層１３０ａ及び第２金属層１３０ｂが同一の結晶組織を有する金属層、即ち、エッチング速度が同一の金属層からなって、厚さ方向にエッチングされる速度が異なっていた。
【００２６】
即ち、金属層がエッチング液の流れを妨げるため、既に反応したエッチング液が基板の底に存在するようになり、新しいエッチング液に交換されず、金属層の上部は多くエッチングされ、金属層の下部は相対的に小さくエッチングされる。これにより、回路パターン１３０の側面の傾きが大きく形成されて、微細回路を具現することが困難となる。
【００２７】
しかし、本実施例のように、下部に形成される第１金属層１３０ａより第１金属層１３０ａの上部の角側に形成される第２金属層１３０ｂをエッチングに強い結晶方向を有するように形成することで、前記無電解メッキ層をエッチングするうちに第２金属層１３０ｂがエッチングされることを防止することができる。
これにより、回路パターン１３０の上部幅が減少することを防止して、回路パターン１３０間の絶縁距離を確保し、微細回路を具現することができる。
【００２８】
[プリント回路基板の製造方法]
図２から図６は本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
まず、図２に図示するように、ベース基板１１０を準備した後、準備されたベース基板１１０上に、回路パターン形成用開口部２１０を有するメッキレジスト２００を形成する。
【００２９】
ベース基板１１０は、絶縁層に１層以上の回路が形成された回路基板であって、プリント回路基板であることができる。
本図面では、説明の便宜のために具体的な内層回路の構成は省略して図示したが、当業者であれば、前記ベース基板１１０として絶縁層に１層以上の回路が形成された通常の回路基板が適用され得るということを十分に認識できるであろう。
【００３０】
前記絶縁層としては、通常の樹脂絶縁材が用いられることができる。
前記樹脂絶縁材としては、通常の樹脂基板資材として公知されたＦＲ‐４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグが用いられることができ、また、熱硬化性樹脂及び／または光硬化性樹脂などが用いられることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３１】
回路パターン１３０を含む前記回路は、回路基板分野で回路用伝導性金属として用いられるものであれば制限されずに適用することができ、銅を用いることが一般的である。
メッキレジスト２００はドライフィルム（Ｄｒｙ−Ｆｉｌｍ：ＤＦ）であることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３２】
メッキレジスト２００に回路パターン形成用開口部２１０を形成することは、当業界に公知された方法によりなされることができる。例えば、ベース基板１１０上にメッキレジスト２００を形成した後、メッキレジスト２００上にパターニングされたマスク（不図示）を配置し、露光工程を行ってパターニングされた部分に露出されるメッキレジスト２００を硬化させ、マスクを除去した後、現像工程を行って硬化されていない部分を除去することにより行われることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３３】
この際、メッキレジスト２００を形成する前に、ベース基板１１０上に無電解メッキ層１２０を形成することができる。
無電解メッキ層１２０は、後続工程で行われる電解メッキ工程のために形成されるものであり、化学銅メッキまたはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程によって形成されることができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３４】
次に、図３に図示するように、回路パターン形成用開口部２１０に第１金属層１３０ａを形成する。
本実施例による第１金属層１３０ａは、メッキ液を用いた電解メッキ工程により形成されることができ、図３に図示したように、上部側面に傾斜部Ａを有するように形成される。これは、第１金属層１３０ａを形成するために用いられるメッキ液の添加剤含量を調節することにより行われることができる。
【００３５】
通常、メッキ液は、基本金属を含むメッキ液とともに、ブライトナー（ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ）、レベラー（ｌｅｖｅｌｅｒ）、界面活性剤などの添加剤を含む。
前記ブライトナーは、メッキ膜を緻密にして光沢性を向上させるための添加剤であり、通常、硫黄化合物である。前記ブライトナーは、メッキ液中にアニオンとして存在し、金属イオンの析出を妨げて微細化を促進させる役割をする。
【００３６】
また、レベラーは、ポリアミンなどの窒素含有化合物であり、メッキ液中にカチオンとして存在する。電流密度の高い所でレベラーが多く吸着し、レベラーが多く吸着する所は活性化過電圧が増加して、銅の析出が抑制される。これにより、結果的に前記レベラーは、メッキ層の上面が均一に形成されるようにする役割をする。
【００３７】
本実施例によると、これに制限されるものではないが、図３のように、上部側面に傾斜部Ａを有する第１金属層１３０ａを形成するために、メッキ液中の前記レベラーの含量を調節することができる。
例えば、第１金属層１３０ａは、レベラーを含まないか、または基準以下のレベラーを含むメッキ液を用いて形成されることができる。
【００３８】
次に、図４に図示するように、第１金属層１３０ａの傾斜部Ａに第２金属層１３０ｂを形成する。
第２金属層１３０ｂは、特にこれに制限されるものではないが、メッキ液を用いた電解メッキ工程を行うことにより形成されることができ、第１金属層１３０ａの上部側面の傾斜部Ａに形成されて、第１金属層１３０ａの上面と実質的に同一の高さを有するように形成されることができる。
【００３９】
本実施例によると、第２金属層１３０ｂは第１金属層１３０ａよりエッチング速度が遅い結晶からなることができる。これは、上述のメッキ液中の添加剤含量を調節することによりなされることができる。
例えば、第２金属層１３０ｂは、上述のブライトナーは含まず、レベラーは含むメッキ液を用いて、エッチングに強い結晶組織を有するように形成されることができる。
【００４０】
本実施例では、メッキ液に含まれる添加剤のうちブライトナー及びレベラーの含量を調節することについて説明したが、これは一つの実施例に過ぎず、当業界に公知された添加剤含量を調節してメッキ層の形状を調節する方法及びエッチング速度が異なる結晶組織を形成する方法が全て適用されることができる。
次に、図５に図示するように、メッキレジスト２００を除去する。
【００４１】
メッキレジスト２００を除去するために、機械的剥離または化学的剥離方法を用いることができるが、特にこれに限定されるものではない。
次に、図６に図示するように、メッキレジスト２００の除去により露出された無電解メッキ層１２０を除去する。
【００４２】
この際、無電解メッキ層１２０は、クイック（ｑｕｉｃｋ）エッチングまたはフラッシュ（ｆｌａｓｈ）エッチングなどを行って除去することができる。
本実施例よると、第２金属層１３０ｂをエッチング速度が遅い結晶で形成することにより、無電解メッキ層１２０の除去のためのエッチング工程を行う際に、回路パターンの上部側面、即ち、第２金属層１３０ｂが前記エッチング液によって損傷することを防止することができる。
【００４３】
これにより、回路パターン１３０の上部幅が細くなることを防止して、回路パターン１３０間の絶縁距離を確保し、微細回路パターンを具現することができる。
また、図示されていないが、ベース基板１１０及び回路パターン１３０を保護する保護層がさらに形成されることができる。
【００４４】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００４５】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例によるプリント回路基板の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図４】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図５】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるプリント回路基板の製造方法を順に示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００ プリント回路基板
１１０ ベース基板
１２０ 無電解メッキ層
１３０ａ 第１金属層
１３０ｂ 第２金属層
１３０ 回路パターン
２００ メッキレジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記傾斜部は、上面から外側方向に下向きに傾斜する形状である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなる、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第１金属層及び第２金属層は電解メッキ層である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記ベース基板と第１金属層との間に形成される無電解メッキ層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
ベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板上に、回路パターン形成用開口部を有するメッキレジストを形成する段階と、
前記開口部に、上部側面に傾斜部を有する第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層の傾斜部に第２金属層を形成する段階と、
前記メッキレジストを除去する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記傾斜部を有する第１金属層を形成する段階は、前記傾斜部が上面から外側方向に下向きに傾斜する形状に形成されるように行われる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層及び第２金属層を形成する段階は、電解メッキにより行われる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記メッキレジストを形成する段階の前に、前記ベース基板上に無電解メッキ層を形成する段階をさらに含み、前記メッキレジストを除去する段階の後に、露出された前記無電解メッキ層を除去する段階をさらに含む、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、上部側面に傾斜部を有する第１金属層及び前記傾斜部に形成される第２金属層からなる回路パターンと、を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記傾斜部は、上面から外側方向に下向きに傾斜する形状である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなる、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第１金属層及び第２金属層は電解メッキ層である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記ベース基板と第１金属層との間に形成される無電解メッキ層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
ベース基板を準備する段階と、
前記ベース基板上に、回路パターン形成用開口部を有するメッキレジストを形成する段階と、
前記開口部に、上部側面に傾斜部を有する第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層の傾斜部に第２金属層を形成する段階と、
前記メッキレジストを除去する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記傾斜部を有する第１金属層を形成する段階は、前記傾斜部が上面から外側方向に下向きに傾斜する形状に形成されるように行われる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２金属層は、前記第１金属層よりエッチング速度が遅い結晶からなる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層及び第２金属層を形成する段階は、電解メッキにより行われる、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記メッキレジストを形成する段階の前に、前記ベース基板上に無電解メッキ層を形成する段階をさらに含み、前記メッキレジストを除去する段階の後に、露出された前記無電解メッキ層を除去する段階をさらに含む、請求項６に記載のプリント回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−５８７５０（Ｐ２０１３−５８７５０Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８７２７４（Ｐ２０１２−１８７２７４）
【出願日】平成２４年８月２８日（２０１２．８．２８）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２８日（２０１２．８．２８）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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