二フッ化カルボニルの精製方法
【課題】二フッ化カルボニルに混入した金属を除去する。
【解決手段】供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
【解決手段】供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二フッ化カルボニル（ＣＯＦ2）は、有機フッ素化合物の原料、半導体製造時のクリーニングガスなどの用途があり、有用な物質である。
【０００３】
二フッ化カルボニルの製造方法としては、炭酸ガスとフッ素ガスとを気相で反応させる方法（特許文献１）、一酸化炭素の電解フッ素化による方法（特許文献２）、溶媒存在化ホスゲンをフッ化水素によりフッ素化する方法或いは溶媒およびトリエチルアミン存在下フッ化水素によりホスゲンをフッ素化する方法（特許文献３）、溶媒中でフッ化ナトリウムによりフッ素化する方法（特許文献４）、ホスゲンを気相で活性炭触媒にてフッ化水素によりフッ素化する方法（特許文献５）、一酸化炭素をフッ素ガスにより直接フッ素化する方法（非特許文献１）、ホスゲンを気相で無機フッ化物と接触させ、その後気相で活性炭と接触させてホスゲンと塩化フッ化カルボニルを得た後これを気相で活性炭と接触させ、二フッ化カルボニルを得る方法（特許文献６）、テトラフルオロエチレンと酸素とを反応させ二フッ化カルボニルを得る方法（特許文献７）などが報告されている。しかし、何れの報告にも金属分の含有量や低減方法への言及は一切無い。
【０００４】
特許文献８、特許文献９および特許文献１０にはＣＯＦ2やＣＯＦ2を含むガスをクリーニングガスとして利用することが開示されている。しかし、金属分の含有量やその低減方法についての言及は一切無い。
【０００５】
二フッ化カルボニルは、従来のクリーニングガス（Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4、ＮＦ3）とは異なり、非常に反応性や腐食性が高く、特に水分が微量でも存在した場合は、簡単にＣＯ2とＨＦに分解し、金属を侵すことがある。一般的に、二フッ化カルボニルの製造設備は、耐圧性と耐腐食性が要求されるため、金属製の材質を用いる。用いられる金属としては、鉄、銅の他ステンレス、ハステロイ、インコネル、モネル等の合金がある。ハステロイ、モネル、インコネルといったＮｉ系合金は、耐食性が高いといわれているが、設備の運転条件によっては微量の金属分が溶け出し、二フッ化カルボニルの不純物の原因となり得る。鉄やステンレスは、その可能性がより高くなる。二フッ化カルボニルに含まれる金属分は、設備の材質や原料中の金属分にも依るが、例えば材質がステンレスであれば、鉄、ニッケル、クロムが多いと考えられ、微量混入する金属としてあらゆる金属が考えられる。一方で、ナトリウム、銅などは、半導体においては最も混入を防がなければならない金属の一つである。にもかかわらず、これらの特許文献には、金属成分についての記述はなされていない。これらの金属分は、半導体製造時などでは、製品の歩留まりや信頼性の低下に繋がるため、低減される必要がある。
【特許文献１】特開平１１−１１６２１６号公報
【特許文献２】特公昭４５−２６６１１号公報
【特許文献３】特開昭５４−１５８３９６号公報
【特許文献４】米国特許３０８８９７５
【特許文献５】米国特許２８３６６２２
【特許文献６】ＥＰ０２５３５２７
【特許文献７】米国特許３６３９４２９
【特許文献８】特開平１０−２２３６１４
【特許文献９】特開２００２−１８４７６５
【特許文献１０】特開２００２−１５８１８１
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９１，４４３２ （１９６９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら金属の除去方法としては、蒸留やより簡便な方法としては、液化したＣＯＦ2を一旦気化させ、別の容器に移送する方法が可能である。
【０００７】
しかし、蒸留は設備や設備の運転に多額の費用が必要となる。また、蒸留したＣＯＦ2を貯槽に貯蔵している間にも金属分が混入する可能性があり、その様な場合は再度蒸留する必要がある。また、液化したＣＯＦ2を一旦気化させ、別の容器に移送する方法では、通常、液化ガスを一旦気化させ別の容器に移送しようとすると、まず、圧力調節弁などで一旦圧力を低下させ気化させた後、別の容器に圧縮機などで昇圧する方法、或いは移送先の圧力容器を冷却する方法などが採られている。しかし、これらの方法では、圧縮機や冷凍機などの設備が必要で、これらの運転に費用がかかる。また、圧縮機を用いると、ＣＯＦ2が摺動部と接触するため金属分やパーティクルなどの不純物が混入する可能性が極めて高い。一方、冷凍機で移送先の容器を冷却する場合、移送先の容器がボンベなどであると、ボンベを冷却しながらＣＯＦ2を計量し充填することになるため、その設備に多大なコストがかかる。
【０００８】
この様に、金属分の少ない二フッ化カルボニルはこれまで言及されたことが無く、従って、その金属分の除去に関する精製方法についても開示された技術は無い。また、一般的な精製方法では、コストがかかるため、より簡便な方法での精製方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、液状で貯蔵された二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体にして移送することにより二フッ化カルボニル中の金属分を低減できることを見出した。
【００１０】
本発明は、以下の金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法に関する。
１． 供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
２． 密度0.7g/cm3以下の前記流体の移送をフィルターを通過させながら行うことを特徴とする項１に記載の方法。
３． 供給側容器の温度を室温より高い温度にしながら前記流体の移送を行う項１または２に記載の方法。
４． 二フッ化カルボニルを充填する別の容器を冷却しながら前記流体の移送を行う項１〜３のいずれかに記載の方法。
５． 移送前の二フッ化カルボニルの金属含量が１０００ｐｐｂ以上であり、移送後の二フッ化カルボニルの金属含量が５００ｐｐｂ以下である項１〜４のいずれかに記載の方法。
６．移送された二フッ化カルボニル中のナトリウムが検出限界以下である半導体製造用の項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
７．移送された二フッ化カルボニル中の銅が５ｐｐｂ以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
８． 別の容器がボンベである項１〜７のいずれかに記載の方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、二フッ化カルボニル中に含まれる金属含有量を簡便な方法で除去することができる。特にナトリウム、銅などの半導体製造時に問題となる金属を悪影響を与えないレベル以下に低減することができ、得られた二フッ化カルボニルは半導体製造装置のプラズマクリーニングガスとして有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、様々な形態で実施できる。例えば、既知の方法で得られた二フッ化カルボニルを、供給側の容器（例えば貯槽）から別の容器（貯槽）に移送する際や、供給側容器からボンベに充填する際などに、本発明の方法を利用することが出来る。特に、供給側容器からＣＯＦ2を使用する容器（例えばボンベ）に移送する際には、当該ボンベは製品として出荷される場合が多く、製品中の金属分を除去できる本発明の移送方法が好ましく利用できる。
【００１３】
供給側容器（貯蔵容器）中の二フッ化カルボニルは金属成分を含むものである。二フッ化カルボニル中に溶解した金属成分は、総含有量で通常１０００ｐｐｂ以上、特に１５００ｐｐｂ以上である。半導体製造に悪影響を及ぼす金属、例えば、ナトリウムや銅の含有量は、ナトリウムに関しては５ｐｐｂ程度以上、銅に関しては１０ｐｐｂ程度以上二フッ化カルボニルに含まれ得る。金属含有量の上限は特に設定されないが、金属含有量が特に多い場合には二フッ化カルボニルの移送速度を低下させる、密度を下げる、圧力下げるなどにより流体中の金属溶解量を低下させ、金属除去をより効率的に行う。
【００１４】
移送後の二フッ化カルボニルの金属は、総含有量で通常５００ｐｐｂ以下、好ましくは ４５０ｐｐｂ以下、更に好ましくは４００ｐｐｂ以下である。半導体製造に悪影響を及ぼす金属、例えば、ナトリウムや銅の金属除去後の含有量は、銅に関しては５ｐｐｂ以下が特に好ましく、ナトリウムに関しては検出限界（１ｐｐｂ）以下が特に好ましい。このようなＣＯＦ2ガスは、半導体製造用チャンバのクリーニングガスとして好適に使用できる。
【００１５】
なお、本明細書において、二フッ化カルボニル中に含まれる金属は、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌからなり、金属の総量（金属含量、金属分など）とはこれらの金属の合計量を意味する。また、検出限界以下の金属量は０として計算する。上記以外の金属は、二フッ化カルボニルに含まれ得るが、本明細書における金属総含有量にはカウントないし考慮されない。
【００１６】
供給側容器の材質は、通常鉄、銅の他、ステンレス（ＳＵＳ）、ハステロイ、インコネル、モネル等などの耐圧性の金属容器であり、この金属容器の表面から、金属が二フッ化カルボニルに溶解するため、二フッ化カルボニル中に金属が混入することになる。
【００１７】
また、二フッ化カルボニルが移送される別の容器（例えば貯槽II）の材質は、通常ステンレス（ＳＵＳ）、ハステロイ、鉄などの耐圧性の金属容器あるいはフッ素樹脂であり、別の容器がステンレス等の金属製の容器の場合には、移送・充填後、1週間以内に使用するか、上記方法で再び移送されるのが好ましい。
【００１８】
移送される流体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下であれば金属分の除去が可能である。それ以上だと金属分がＣＯＦ2に溶解するため金属分除去の効果はない。流体の状態は、液状態、ガス状態、臨界状態、超臨界状態の何れの状態でも良く、密度に依存する。流体の密度は０．００３〜０．７ｇ／ｃｍ3好ましくは０．０３〜０．７ｇ／ｃｍ3より好ましくは０．１〜０．７ｇ／ｃｍ3である。密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体の温度は、特に限定されないが、供給側容器（例えば後述の貯槽Ｉ）から別の容器（例えば後述の貯槽II）に移送する様な場合は、流体の温度（貯槽Ｉの温度）は通常−３０℃〜２００℃が採用され、好ましくは−２０℃〜１８０℃、より好ましくは−１０℃〜１６０℃がよい。これより低い温度だと貯槽IIの冷却にコストがかかり、これより高い温度だと、貯槽や配管の腐食の恐れが生じる。
【００１９】
圧力は、１．２ＭＰａ〜１０ＭＰａが好ましい。ただし、密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下であることが必要である。これより低い圧力でも金属分の除去効果は得られるが、生産性を考えると１．２ＭＰａ以上が好ましく、また貯槽等圧力容器の耐圧を考えると１０ＭＰａ以下が適当である。好ましい圧力範囲は、１．２〜１０ＭＰａ、より好ましくは１．５〜８ＭＰａである。
【００２０】
本発明の詳細な実施方法としては、次のような方法があるが、これに限られるものではない。例えば、蒸留等により得られた二フッ化カルボニルが貯蔵された貯槽Ｉ（例えば蒸留等の受器）から次の貯槽II（例えば計量槽、製品貯槽）に移送する際に次のような方法が可能である。即ち、図１に示すように、貯槽Ｉの気相部から、圧力調整弁や流量調整弁等を介して密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体を必要に応じてフィルターを通過させながら貯槽IIに移送する方法がある。
【００２１】
この時の、貯槽Ｉの温度は臨界温度以下であれば良いが、一般的には−４０℃〜２０℃程度、好ましくは−３０℃〜２０℃程度である。貯槽IIの温度は、貯槽Ｉの温度と同じか低ければ良いが、一般的には、−６０℃〜２０℃程度、好ましくは−５０℃〜１５℃程度が適当である。また、貯槽Iと貯槽IIの温度差は、０〜８０℃程度、特に５〜３０℃程度、例えば１０〜２５℃程度である。
【００２２】
流体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下、好ましくは０．００３〜０．７ｇ／ｃｍ3、より好ましくは０．０３〜０．７ｇ／ｃｍ3更に好ましくは０．１〜０．７ｇ／ｃｍ3である。流体の密度が高すぎると二フッ化カルボニル中の金属の除去が困難になり、流体の密度が低すぎると、流体を供給する別の容器（例えば貯槽II）に十分な量の二フッ化カルボニルを充填することが困難になるか、二フッ化カルボニルを圧縮機等を用いて圧縮するか、別の容器の温度を供給側容器の温度よりも大きく低下させる必要が生じることになる。
【００２３】
或いは図２に示す様に、貯槽Ｉの液相部から圧力調整弁や流量調整弁を介して密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体を必要に応じてフィルターを通過させながら貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽Ｉの温度は、１５℃以上から臨界温度までであれば液体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下（ＧＡＳ ＤＡＴＡ ＨＡＮＤＢＯＯＫ ＭＡＴＨＥＳＯＮ）となり、必要に応じ圧力調整弁や流量調整弁、フィルターを介して貯槽IIに移送される。１５℃より低い場合、圧力によっては液体の密度が０．７ｇ／ｃｍ3より高くなることがあるため、圧力調整弁や流量調整弁で圧力を低下させ密度を０．７ｇ／ｃｍ3以下にした後必要に応じてフィルターを通して貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽IIの温度は、貯槽Ｉの温度が１５℃以上であるかそれより低いかには依存せず、貯槽Ｉより低い温度であれば良い。或いは、図３に示すように、予め流体の密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下になるように貯槽ＩのＣＯＦ2の重量を調整した後、貯槽Ｉを臨界温度以上にして、圧力調整弁や流量調整弁を介し、必要に応じてフィルターを通して貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽IIの温度は、必ずしも貯槽Ｉより低い温度である必要は無く、貯槽Ｉより高い
温度でも良い場合もある。この時の貯槽Ｉと貯槽IIの温度差は０〜５０℃、好ましくは０〜４０℃、更に好ましくは０〜３０℃である。また、貯槽Ｉより低い温度にする場合は、
貯槽Ｉと貯槽IIの温度差は０より大きく５０℃以下好ましくは０より大きく３０℃以下、更に好ましくは０より大きく２５℃以下である。
【００２４】
また、例えば、貯槽IIIから製品用ボンベに充填する際は次のような方法がある。即ち、図１から図３に示す方法で、貯槽Ｉを貯槽IIIに貯槽IIをボンベに読みかえれば概ね同じ方法であるが、次のような違いがある場合もある。例えば、ボンベに充填する場合は、図１から図３に示す方法では、パーティクルの除去を目的に、フィルターを通す事が望まれる。また、図１および図２に示す方法では、ボンベを貯槽IIIより低い温度にしなければ、ボンベへの充填量が少なくなる。一方でボンベを冷却しながら充填するには、経済的とは言えないが、ボンベを恒温槽に入れたり、冷却用のジャケットを取りつけたり、充填場を冷凍庫内に設ける等の方法で冷却することができる。図３に示す方法では、貯槽IIIの温度を室温より高くする事により、ボンベの冷却の必要がなくなり、室温での充填が可能となる。より具体的な方法を示すと、例えば、貯槽IIIの容量が10m3であれば二フッ化カルボニルを７０００ｋｇ貯槽IIIに溜め、貯槽の温度を例えば３０℃に上げれば密度０．７ｇ／ｃｍ3の流体が得られ、ボンベを室温の約２０℃にしておけば、少なくとも０．７ｇ／ｃｍ3の密度で二フッ化カルボニルを充填する事ができる。更に、充填を重ねる事により貯槽IIIの流体の密度が低下するが、貯槽IIIの温度を上げる事により、ボンベへの充填量を保つ事ができる。また貯槽IIIの密度の低下は金属分の低減効果には影響が無く温度の上昇も金属分の低減効果には影響が無いが、貯槽の温度は、貯槽の耐圧等を考えると一般的には１５０℃以下が望ましい。
【００２５】
フィルターは、通常２００μｍ〜０．１μｍのものが使われるが、除去後の金属含量の目標値、フィルターの品質、流体の密度や供給側容器の温度などの移送条件に応じて適宜変更することができる。
【００２６】
また、ここで言うボンベとは、５Ｌ、１０Ｌ、４７Ｌなどの小型の耐圧容器以外に、５００Ｌや１０００Ｌなどの大型の耐圧容器も指す。
【００２７】
除去される金属分としては、周期律表で言うところの遷移金属のほか、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、砒素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、ポロニウムがある。より具体的には、遷移金属は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、およびランタノイド、アクチノイドを示す。アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウム、アルカリ土類金属はベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムを示す。本明細書では、上記の除去される金属のうち、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌの含量を計算することで、金属除去の程度を評価する。
【００２８】
上記の金属のうち、実施例で分析された金属は、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌのみであり、インジウム、砒素、セレン、テルル、ポロニウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、水銀、ランタノイド、アクチノイド、ルビジウム、セシウム、フランシウム、ベリリウム、マグネシウム、ラジウムは、上記の金属で例示はされているが、金属含量計算の基礎とはされていない。
【００２９】
例えば、アルカリ金属（特にナトリウム）や銅は、半導体装置の製造時に悪影響を及ぼす金属であるので５ｐｐｂ以下好ましくは検出限界以下に低減するのが好ましい。
【００３０】
また、鉄、ニッケル、クロムなどは、ステンレス容器から二フッ化カルボニル中に溶け出す金属であり、これらを低減することも重要である。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３２】
比較例１
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の低部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルを真直ぐ繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を０℃に冷却した後、容器低部のバルブを開け、液相よりCOF2（３４ｇ）を勢い良く超純水（１１１ｇ）にバブリングした。
【００３３】
この時の液の密度は０．８ｇ／ｃｍ3であった。
【００３４】
実施例１
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の上部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルに繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を０℃に冷却した後、容器上部のバルブを開け、気相よりCOF2（４９ｇ）を勢い良く超純水（１０４ｇ）にバブリングした。
【００３５】
この時のガスの密度は０．１４ｇ／ｃｍ3と予想される。
【００３６】
実施例２
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の上部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルに繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を２５℃に加温し超臨界状態にした後、容器上部のバルブを開け、COF2（３１ｇ）を勢い良く超純水（１０４ｇ）にバブリングした。
【００３７】
この時の流体の密度は０．５ｇ／ｃｍ3であった。
【金属分析】
【００３８】
比較例、実施例でのバブリングした水溶液は、濃塩酸で洗浄した白金皿に入れ、ホットプレートで約二時間かけて蒸発乾固した。これを０．１Ｎの塩酸で再び溶かした後同様にホットプレートで濃縮し、超純水を加えて等倍に希釈し試料を調製した。また、バブリングをしていない水も同様の操作を行い、ブランクの試料を調製した。ここで得られた試料を、ＩＣＰにより金属分析を行った。比較例と実施例の結果を表１に示した。これらの結果は、得られた値が検出限界以上であれば、ブランク値を引いた値を示し、検出限界以下であれば、Ｎ．Ｄ．とした。
【００３９】
【表１】
【００４０】
Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｌは検出限界以下であった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【図２】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【図３】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【符号の説明】
【００４２】
A：気相
B：液相
C：臨界又は超臨界流体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二フッ化カルボニル（ＣＯＦ2）は、有機フッ素化合物の原料、半導体製造時のクリーニングガスなどの用途があり、有用な物質である。
【０００３】
二フッ化カルボニルの製造方法としては、炭酸ガスとフッ素ガスとを気相で反応させる方法（特許文献１）、一酸化炭素の電解フッ素化による方法（特許文献２）、溶媒存在化ホスゲンをフッ化水素によりフッ素化する方法或いは溶媒およびトリエチルアミン存在下フッ化水素によりホスゲンをフッ素化する方法（特許文献３）、溶媒中でフッ化ナトリウムによりフッ素化する方法（特許文献４）、ホスゲンを気相で活性炭触媒にてフッ化水素によりフッ素化する方法（特許文献５）、一酸化炭素をフッ素ガスにより直接フッ素化する方法（非特許文献１）、ホスゲンを気相で無機フッ化物と接触させ、その後気相で活性炭と接触させてホスゲンと塩化フッ化カルボニルを得た後これを気相で活性炭と接触させ、二フッ化カルボニルを得る方法（特許文献６）、テトラフルオロエチレンと酸素とを反応させ二フッ化カルボニルを得る方法（特許文献７）などが報告されている。しかし、何れの報告にも金属分の含有量や低減方法への言及は一切無い。
【０００４】
特許文献８、特許文献９および特許文献１０にはＣＯＦ2やＣＯＦ2を含むガスをクリーニングガスとして利用することが開示されている。しかし、金属分の含有量やその低減方法についての言及は一切無い。
【０００５】
二フッ化カルボニルは、従来のクリーニングガス（Ｃ2Ｆ6、ＣＦ4、ＮＦ3）とは異なり、非常に反応性や腐食性が高く、特に水分が微量でも存在した場合は、簡単にＣＯ2とＨＦに分解し、金属を侵すことがある。一般的に、二フッ化カルボニルの製造設備は、耐圧性と耐腐食性が要求されるため、金属製の材質を用いる。用いられる金属としては、鉄、銅の他ステンレス、ハステロイ、インコネル、モネル等の合金がある。ハステロイ、モネル、インコネルといったＮｉ系合金は、耐食性が高いといわれているが、設備の運転条件によっては微量の金属分が溶け出し、二フッ化カルボニルの不純物の原因となり得る。鉄やステンレスは、その可能性がより高くなる。二フッ化カルボニルに含まれる金属分は、設備の材質や原料中の金属分にも依るが、例えば材質がステンレスであれば、鉄、ニッケル、クロムが多いと考えられ、微量混入する金属としてあらゆる金属が考えられる。一方で、ナトリウム、銅などは、半導体においては最も混入を防がなければならない金属の一つである。にもかかわらず、これらの特許文献には、金属成分についての記述はなされていない。これらの金属分は、半導体製造時などでは、製品の歩留まりや信頼性の低下に繋がるため、低減される必要がある。
【特許文献１】特開平１１−１１６２１６号公報
【特許文献２】特公昭４５−２６６１１号公報
【特許文献３】特開昭５４−１５８３９６号公報
【特許文献４】米国特許３０８８９７５
【特許文献５】米国特許２８３６６２２
【特許文献６】ＥＰ０２５３５２７
【特許文献７】米国特許３６３９４２９
【特許文献８】特開平１０−２２３６１４
【特許文献９】特開２００２−１８４７６５
【特許文献１０】特開２００２−１５８１８１
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９１，４４３２ （１９６９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これら金属の除去方法としては、蒸留やより簡便な方法としては、液化したＣＯＦ2を一旦気化させ、別の容器に移送する方法が可能である。
【０００７】
しかし、蒸留は設備や設備の運転に多額の費用が必要となる。また、蒸留したＣＯＦ2を貯槽に貯蔵している間にも金属分が混入する可能性があり、その様な場合は再度蒸留する必要がある。また、液化したＣＯＦ2を一旦気化させ、別の容器に移送する方法では、通常、液化ガスを一旦気化させ別の容器に移送しようとすると、まず、圧力調節弁などで一旦圧力を低下させ気化させた後、別の容器に圧縮機などで昇圧する方法、或いは移送先の圧力容器を冷却する方法などが採られている。しかし、これらの方法では、圧縮機や冷凍機などの設備が必要で、これらの運転に費用がかかる。また、圧縮機を用いると、ＣＯＦ2が摺動部と接触するため金属分やパーティクルなどの不純物が混入する可能性が極めて高い。一方、冷凍機で移送先の容器を冷却する場合、移送先の容器がボンベなどであると、ボンベを冷却しながらＣＯＦ2を計量し充填することになるため、その設備に多大なコストがかかる。
【０００８】
この様に、金属分の少ない二フッ化カルボニルはこれまで言及されたことが無く、従って、その金属分の除去に関する精製方法についても開示された技術は無い。また、一般的な精製方法では、コストがかかるため、より簡便な方法での精製方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、液状で貯蔵された二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体にして移送することにより二フッ化カルボニル中の金属分を低減できることを見出した。
【００１０】
本発明は、以下の金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法に関する。
１． 供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
２． 密度0.7g/cm3以下の前記流体の移送をフィルターを通過させながら行うことを特徴とする項１に記載の方法。
３． 供給側容器の温度を室温より高い温度にしながら前記流体の移送を行う項１または２に記載の方法。
４． 二フッ化カルボニルを充填する別の容器を冷却しながら前記流体の移送を行う項１〜３のいずれかに記載の方法。
５． 移送前の二フッ化カルボニルの金属含量が１０００ｐｐｂ以上であり、移送後の二フッ化カルボニルの金属含量が５００ｐｐｂ以下である項１〜４のいずれかに記載の方法。
６．移送された二フッ化カルボニル中のナトリウムが検出限界以下である半導体製造用の項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
７．移送された二フッ化カルボニル中の銅が５ｐｐｂ以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
８． 別の容器がボンベである項１〜７のいずれかに記載の方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、二フッ化カルボニル中に含まれる金属含有量を簡便な方法で除去することができる。特にナトリウム、銅などの半導体製造時に問題となる金属を悪影響を与えないレベル以下に低減することができ、得られた二フッ化カルボニルは半導体製造装置のプラズマクリーニングガスとして有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、様々な形態で実施できる。例えば、既知の方法で得られた二フッ化カルボニルを、供給側の容器（例えば貯槽）から別の容器（貯槽）に移送する際や、供給側容器からボンベに充填する際などに、本発明の方法を利用することが出来る。特に、供給側容器からＣＯＦ2を使用する容器（例えばボンベ）に移送する際には、当該ボンベは製品として出荷される場合が多く、製品中の金属分を除去できる本発明の移送方法が好ましく利用できる。
【００１３】
供給側容器（貯蔵容器）中の二フッ化カルボニルは金属成分を含むものである。二フッ化カルボニル中に溶解した金属成分は、総含有量で通常１０００ｐｐｂ以上、特に１５００ｐｐｂ以上である。半導体製造に悪影響を及ぼす金属、例えば、ナトリウムや銅の含有量は、ナトリウムに関しては５ｐｐｂ程度以上、銅に関しては１０ｐｐｂ程度以上二フッ化カルボニルに含まれ得る。金属含有量の上限は特に設定されないが、金属含有量が特に多い場合には二フッ化カルボニルの移送速度を低下させる、密度を下げる、圧力下げるなどにより流体中の金属溶解量を低下させ、金属除去をより効率的に行う。
【００１４】
移送後の二フッ化カルボニルの金属は、総含有量で通常５００ｐｐｂ以下、好ましくは ４５０ｐｐｂ以下、更に好ましくは４００ｐｐｂ以下である。半導体製造に悪影響を及ぼす金属、例えば、ナトリウムや銅の金属除去後の含有量は、銅に関しては５ｐｐｂ以下が特に好ましく、ナトリウムに関しては検出限界（１ｐｐｂ）以下が特に好ましい。このようなＣＯＦ2ガスは、半導体製造用チャンバのクリーニングガスとして好適に使用できる。
【００１５】
なお、本明細書において、二フッ化カルボニル中に含まれる金属は、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌからなり、金属の総量（金属含量、金属分など）とはこれらの金属の合計量を意味する。また、検出限界以下の金属量は０として計算する。上記以外の金属は、二フッ化カルボニルに含まれ得るが、本明細書における金属総含有量にはカウントないし考慮されない。
【００１６】
供給側容器の材質は、通常鉄、銅の他、ステンレス（ＳＵＳ）、ハステロイ、インコネル、モネル等などの耐圧性の金属容器であり、この金属容器の表面から、金属が二フッ化カルボニルに溶解するため、二フッ化カルボニル中に金属が混入することになる。
【００１７】
また、二フッ化カルボニルが移送される別の容器（例えば貯槽II）の材質は、通常ステンレス（ＳＵＳ）、ハステロイ、鉄などの耐圧性の金属容器あるいはフッ素樹脂であり、別の容器がステンレス等の金属製の容器の場合には、移送・充填後、1週間以内に使用するか、上記方法で再び移送されるのが好ましい。
【００１８】
移送される流体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下であれば金属分の除去が可能である。それ以上だと金属分がＣＯＦ2に溶解するため金属分除去の効果はない。流体の状態は、液状態、ガス状態、臨界状態、超臨界状態の何れの状態でも良く、密度に依存する。流体の密度は０．００３〜０．７ｇ／ｃｍ3好ましくは０．０３〜０．７ｇ／ｃｍ3より好ましくは０．１〜０．７ｇ／ｃｍ3である。密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体の温度は、特に限定されないが、供給側容器（例えば後述の貯槽Ｉ）から別の容器（例えば後述の貯槽II）に移送する様な場合は、流体の温度（貯槽Ｉの温度）は通常−３０℃〜２００℃が採用され、好ましくは−２０℃〜１８０℃、より好ましくは−１０℃〜１６０℃がよい。これより低い温度だと貯槽IIの冷却にコストがかかり、これより高い温度だと、貯槽や配管の腐食の恐れが生じる。
【００１９】
圧力は、１．２ＭＰａ〜１０ＭＰａが好ましい。ただし、密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下であることが必要である。これより低い圧力でも金属分の除去効果は得られるが、生産性を考えると１．２ＭＰａ以上が好ましく、また貯槽等圧力容器の耐圧を考えると１０ＭＰａ以下が適当である。好ましい圧力範囲は、１．２〜１０ＭＰａ、より好ましくは１．５〜８ＭＰａである。
【００２０】
本発明の詳細な実施方法としては、次のような方法があるが、これに限られるものではない。例えば、蒸留等により得られた二フッ化カルボニルが貯蔵された貯槽Ｉ（例えば蒸留等の受器）から次の貯槽II（例えば計量槽、製品貯槽）に移送する際に次のような方法が可能である。即ち、図１に示すように、貯槽Ｉの気相部から、圧力調整弁や流量調整弁等を介して密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体を必要に応じてフィルターを通過させながら貯槽IIに移送する方法がある。
【００２１】
この時の、貯槽Ｉの温度は臨界温度以下であれば良いが、一般的には−４０℃〜２０℃程度、好ましくは−３０℃〜２０℃程度である。貯槽IIの温度は、貯槽Ｉの温度と同じか低ければ良いが、一般的には、−６０℃〜２０℃程度、好ましくは−５０℃〜１５℃程度が適当である。また、貯槽Iと貯槽IIの温度差は、０〜８０℃程度、特に５〜３０℃程度、例えば１０〜２５℃程度である。
【００２２】
流体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下、好ましくは０．００３〜０．７ｇ／ｃｍ3、より好ましくは０．０３〜０．７ｇ／ｃｍ3更に好ましくは０．１〜０．７ｇ／ｃｍ3である。流体の密度が高すぎると二フッ化カルボニル中の金属の除去が困難になり、流体の密度が低すぎると、流体を供給する別の容器（例えば貯槽II）に十分な量の二フッ化カルボニルを充填することが困難になるか、二フッ化カルボニルを圧縮機等を用いて圧縮するか、別の容器の温度を供給側容器の温度よりも大きく低下させる必要が生じることになる。
【００２３】
或いは図２に示す様に、貯槽Ｉの液相部から圧力調整弁や流量調整弁を介して密度０．７ｇ／ｃｍ3以下の流体を必要に応じてフィルターを通過させながら貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽Ｉの温度は、１５℃以上から臨界温度までであれば液体の密度は０．７ｇ／ｃｍ3以下（ＧＡＳ ＤＡＴＡ ＨＡＮＤＢＯＯＫ ＭＡＴＨＥＳＯＮ）となり、必要に応じ圧力調整弁や流量調整弁、フィルターを介して貯槽IIに移送される。１５℃より低い場合、圧力によっては液体の密度が０．７ｇ／ｃｍ3より高くなることがあるため、圧力調整弁や流量調整弁で圧力を低下させ密度を０．７ｇ／ｃｍ3以下にした後必要に応じてフィルターを通して貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽IIの温度は、貯槽Ｉの温度が１５℃以上であるかそれより低いかには依存せず、貯槽Ｉより低い温度であれば良い。或いは、図３に示すように、予め流体の密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下になるように貯槽ＩのＣＯＦ2の重量を調整した後、貯槽Ｉを臨界温度以上にして、圧力調整弁や流量調整弁を介し、必要に応じてフィルターを通して貯槽IIに移送する方法がある。この時の貯槽IIの温度は、必ずしも貯槽Ｉより低い温度である必要は無く、貯槽Ｉより高い
温度でも良い場合もある。この時の貯槽Ｉと貯槽IIの温度差は０〜５０℃、好ましくは０〜４０℃、更に好ましくは０〜３０℃である。また、貯槽Ｉより低い温度にする場合は、
貯槽Ｉと貯槽IIの温度差は０より大きく５０℃以下好ましくは０より大きく３０℃以下、更に好ましくは０より大きく２５℃以下である。
【００２４】
また、例えば、貯槽IIIから製品用ボンベに充填する際は次のような方法がある。即ち、図１から図３に示す方法で、貯槽Ｉを貯槽IIIに貯槽IIをボンベに読みかえれば概ね同じ方法であるが、次のような違いがある場合もある。例えば、ボンベに充填する場合は、図１から図３に示す方法では、パーティクルの除去を目的に、フィルターを通す事が望まれる。また、図１および図２に示す方法では、ボンベを貯槽IIIより低い温度にしなければ、ボンベへの充填量が少なくなる。一方でボンベを冷却しながら充填するには、経済的とは言えないが、ボンベを恒温槽に入れたり、冷却用のジャケットを取りつけたり、充填場を冷凍庫内に設ける等の方法で冷却することができる。図３に示す方法では、貯槽IIIの温度を室温より高くする事により、ボンベの冷却の必要がなくなり、室温での充填が可能となる。より具体的な方法を示すと、例えば、貯槽IIIの容量が10m3であれば二フッ化カルボニルを７０００ｋｇ貯槽IIIに溜め、貯槽の温度を例えば３０℃に上げれば密度０．７ｇ／ｃｍ3の流体が得られ、ボンベを室温の約２０℃にしておけば、少なくとも０．７ｇ／ｃｍ3の密度で二フッ化カルボニルを充填する事ができる。更に、充填を重ねる事により貯槽IIIの流体の密度が低下するが、貯槽IIIの温度を上げる事により、ボンベへの充填量を保つ事ができる。また貯槽IIIの密度の低下は金属分の低減効果には影響が無く温度の上昇も金属分の低減効果には影響が無いが、貯槽の温度は、貯槽の耐圧等を考えると一般的には１５０℃以下が望ましい。
【００２５】
フィルターは、通常２００μｍ〜０．１μｍのものが使われるが、除去後の金属含量の目標値、フィルターの品質、流体の密度や供給側容器の温度などの移送条件に応じて適宜変更することができる。
【００２６】
また、ここで言うボンベとは、５Ｌ、１０Ｌ、４７Ｌなどの小型の耐圧容器以外に、５００Ｌや１０００Ｌなどの大型の耐圧容器も指す。
【００２７】
除去される金属分としては、周期律表で言うところの遷移金属のほか、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、砒素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルル、ポロニウムがある。より具体的には、遷移金属は、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、およびランタノイド、アクチノイドを示す。アルカリ金属は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、フランシウム、アルカリ土類金属はベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムを示す。本明細書では、上記の除去される金属のうち、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌの含量を計算することで、金属除去の程度を評価する。
【００２８】
上記の金属のうち、実施例で分析された金属は、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、ＳｒおよびＴｌのみであり、インジウム、砒素、セレン、テルル、ポロニウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、水銀、ランタノイド、アクチノイド、ルビジウム、セシウム、フランシウム、ベリリウム、マグネシウム、ラジウムは、上記の金属で例示はされているが、金属含量計算の基礎とはされていない。
【００２９】
例えば、アルカリ金属（特にナトリウム）や銅は、半導体装置の製造時に悪影響を及ぼす金属であるので５ｐｐｂ以下好ましくは検出限界以下に低減するのが好ましい。
【００３０】
また、鉄、ニッケル、クロムなどは、ステンレス容器から二フッ化カルボニル中に溶け出す金属であり、これらを低減することも重要である。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３２】
比較例１
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の低部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルを真直ぐ繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を０℃に冷却した後、容器低部のバルブを開け、液相よりCOF2（３４ｇ）を勢い良く超純水（１１１ｇ）にバブリングした。
【００３３】
この時の液の密度は０．８ｇ／ｃｍ3であった。
【００３４】
実施例１
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の上部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルに繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を０℃に冷却した後、容器上部のバルブを開け、気相よりCOF2（４９ｇ）を勢い良く超純水（１０４ｇ）にバブリングした。
【００３５】
この時のガスの密度は０．１４ｇ／ｃｍ3と予想される。
【００３６】
実施例２
COF2を貯蔵してあるステンレス製の耐圧容器の上部にバルブを介して超純水の入ったPFA製ボトルに繋いだ。ステンレス製の耐圧容器を２５℃に加温し超臨界状態にした後、容器上部のバルブを開け、COF2（３１ｇ）を勢い良く超純水（１０４ｇ）にバブリングした。
【００３７】
この時の流体の密度は０．５ｇ／ｃｍ3であった。
【金属分析】
【００３８】
比較例、実施例でのバブリングした水溶液は、濃塩酸で洗浄した白金皿に入れ、ホットプレートで約二時間かけて蒸発乾固した。これを０．１Ｎの塩酸で再び溶かした後同様にホットプレートで濃縮し、超純水を加えて等倍に希釈し試料を調製した。また、バブリングをしていない水も同様の操作を行い、ブランクの試料を調製した。ここで得られた試料を、ＩＣＰにより金属分析を行った。比較例と実施例の結果を表１に示した。これらの結果は、得られた値が検出限界以上であれば、ブランク値を引いた値を示し、検出限界以下であれば、Ｎ．Ｄ．とした。
【００３９】
【表１】
【００４０】
Ａｇ、Ａｕ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｋ、Ｌｉ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔｌは検出限界以下であった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【図２】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【図３】本発明の二フッ化カルボニルの移送システムの１実施形態を示す。
【符号の説明】
【００４２】
A：気相
B：液相
C：臨界又は超臨界流体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項２】
密度0.7g/cm3以下の前記流体の移送をフィルターを通過させながら行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
供給側容器の温度を室温より高い温度にしながら前記流体の移送を行う請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
二フッ化カルボニルを充填する別の容器を冷却しながら前記流体の移送を行う請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
移送前の二フッ化カルボニルの金属含量が１０００ｐｐｂ以上であり、移送後の二フッ化カルボニルの金属含量が５００ｐｐｂ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
移送された二フッ化カルボニル中のナトリウムが検出限界以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項７】
移送された二フッ化カルボニル中の銅が５ｐｐｂ以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項８】
別の容器がボンベである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１】
供給側容器に液状で貯蔵された金属成分を含む二フッ化カルボニルを密度0.7g/cm3以下の流体として別の容器に移送することを特徴とする金属含量が低減された二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項２】
密度0.7g/cm3以下の前記流体の移送をフィルターを通過させながら行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
供給側容器の温度を室温より高い温度にしながら前記流体の移送を行う請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
二フッ化カルボニルを充填する別の容器を冷却しながら前記流体の移送を行う請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
移送前の二フッ化カルボニルの金属含量が１０００ｐｐｂ以上であり、移送後の二フッ化カルボニルの金属含量が５００ｐｐｂ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
移送された二フッ化カルボニル中のナトリウムが検出限界以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項７】
移送された二フッ化カルボニル中の銅が５ｐｐｂ以下である半導体製造用の請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの製造方法。
【請求項８】
別の容器がボンベである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−２８２３９８（Ｐ２００６−２８２３９８Ａ）
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１６６１２（Ｐ２００４−１６６１２）
【出願日】平成１６年１月２６日（２００４．１．２６）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月１９日（２００６．１０．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１月２６日（２００４．１．２６）
【出願人】（０００００２８５３）ダイキン工業株式会社 (7,604)
【Ｆターム（参考）】
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