二フッ化カルボニルの精製方法
【課題】不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる二フッ化カルボニルの精製方法を提供すること。
【解決手段】本発明の二フッ化カルボニルの精製方法は、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする。
【解決手段】本発明の二フッ化カルボニルの精製方法は、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二フッ化カルボニルの精製方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、半導体用エッチングガス、半導体用クリーニングガス等として注目されている二フッ化カルボニルの精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二フッ化カルボニル（ＣＯＦ2）は、半導体用エッチングガスや半導体用クリーニングガス等として注目されている重要な化合物である。従来の、この二フッ化カルボニルを製造する方法としては、例えば、下記特許文献１〜３に開示された製造方法が挙げられる。
【０００３】
（１）特許文献１には、原料ガスとして一酸化炭素およびフッ素ガスと、希釈ガスとしてフッ化水素または二フッ化カルボニルとを反応容器内に連続的に供給し、原料ガスを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
（２）特許文献２には、二酸化炭素とフッ素ガスとを気体状で反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
【０００４】
（３）特許文献３には、同一容器内で、一酸化炭素と金属フッ化物とを反応させる工程と、金属フッ化物とフッ素を反応させる工程をと交互に繰り返して、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
これらの製造方法などにより、二フッ化カルボニルを製造することができるが、得られた二フッ化カルボニルには、目的物である二フッ化カルボニルの他に、不純物が含まれている。この不純物とは、反応しなかった原料（一酸化炭素や二酸化炭素）や、下記反応式（１）に示されるように、二フッ化カルボニルが水分に接触することで副生したフッ化水素等である。
ＣＯＦ2＋Ｈ2Ｏ→ＣＯ2＋２ＨＦ （１）
【０００５】
二フッ化カルボニルに、これらの不純物が一定の濃度以上含まれる場合、このような二フッ化カルボニルをエッチングガスやクリーニングガスなどに使用すると、様々な問題を引き起こすことがある。特に、フッ化水素は、反応性、腐食性が高く、この濃度が高い二フッ化カルボニルを使用すると、半導体製造工程を精密に制御することが困難になる。また、二フッ化カルボニルを輸送するための容器や、半導体装置を腐食してしまう場合がある。
【０００６】
二フッ化カルボニルに不純物が含まれることによる問題点を考慮すると、これらの不純物（特にフッ化水素）を除去して、二フッ化カルボニルを精製して高純度化することは、重要な課題である。
【０００７】
しかしながら、原料である一酸化炭素や二酸化炭素と、生成物である二フッ化カルボニルとは、沸点が近似しているために、公知の分離精製手段では、粗二フッ化カルボニルから原料（一酸化炭素や二酸化炭素）と目的物とを分離することは極めて困難である。また、脱酸剤を用いてフッ化水素を除去するにも、脱酸効率は低いものであり、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素と目的物とを分離することも極めて困難である。
【０００８】
そこで、不純物を除去するための二フッ化カルボニルの精製方法が開発されている。このような二フッ化カルボニルの精製方法としては、例えば、下記特許文献４〜７に記載されている精製方法が挙げられる。
【０００９】
（４）特許文献４には、不純物として四フッ化珪素を含む二フッ化カルボニルを、ガス状態または超臨界状態で、かつ所定の温度条件下で金属フッ化物と接触させて、四フッ化珪素を除去する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
（５）特許文献５には、不純物としてフッ化水素を含む二フッ化カルボニルを、所定の金属フッ化物脱酸剤に接触させて、フッ化水素の濃度を低減する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
【００１０】
（６）特許文献６には、不純物として二酸化炭素を含む二フッ化カルボニルを、膜分離装置に供給し、二酸化炭素を分離する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
（７）特許文献７には、不純物としてトリフルオロメチルハイポフルオライト（ＣＦ3ＯＦ）を含む二フッ化カルボニルを、活性炭と接触させて除去する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第０５/５６４７２号パンフレット
【特許文献２】特開平１１−１１６２１６号公報
【特許文献３】特開２００３−１４６６２０号公報
【特許文献４】特開２００５−１８７３１２号公報
【特許文献５】特開２００８−２１４１８７号公報
【特許文献６】特開２００５−１５４２０３号公報
【特許文献７】特開２００３−２２１２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記の特許文献４〜５の精製方法は、以下のような課題を有している。
（ｉ）処理剤の処理量（フッ化水素や四フッ化珪素の吸着量）が少ない。
（ｉｉ）特許文献５の精製方法の場合、金属フッ化物を二フッ化カルボニルガスやフッ素ガスを含む前処理ガスに接触させて調製した金属フッ化物脱酸剤を使用するという、煩雑な前処理や再生の工程を必要としている。さらに、高価なフッ素ガスを必要とし、目的物（二フッ化カルボニル）の損失も伴うといった経済的な課題を有している。
【００１３】
また、特許文献６の膜分離を用いた精製方法も、処理量（二酸化炭素の除去量）が少ないことなどの課題を有している。
さらに、特許文献７の活性炭を用いた精製方法では、比較的簡便であるものの、不純物とともに目的物である二フッ化カルボニルも活性炭に共吸着されてしまうといった課題を有しており、工業的に安価かつ高純度の二フッ化カルボニルを得るための精製方法としては依然として改善の余地がある。
【００１４】
本発明は、上記のような従来技術に伴う課題等を解決しようとするものであって、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから、不純物とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる二フッ化カルボニルの精製方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を低減・除去するため各種の吸着剤について検討したところ、以下のような知見が得られた。
まず、吸着剤として、シリカアルミナやモレキュラーシーブス（ゼオライト製）を用いた場合、二フッ化カルボニルの分解やそれによる二酸化炭素の副生が生じる。また、シリカアルミナやモレキュラシーブスは二フッ化カルボニルとの反応によってフッ素化が起こる点で好ましくない。
【００１６】
また、吸着剤として、活性炭を用いた場合、活性炭に、二フッ化カルボニルの分解を引き起こさないものの、不純物であるフッ化水素とともに目的物である二フッ化カルボニルも共吸着されてしまうといった問題がある。
【００１７】
一方、吸着剤としてモレキュラーシービングカーボンを用いた場合、不純物であるフッ化水素とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去し、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【００１８】
このことは、おそらく一般に活性炭では、平均細孔径が１０Å〜３０Åであり、さらに細孔径分布がブロードであるのに対して、モレキュラーシービングカーボンでは、細孔径分布がシャープであることに起因していると考えられる。
そして、本発明者らは、このような知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち本発明は、以下の[１]〜［６］に関する。
［１］二フッ化カルボニルと、不純物としてフッ化水素と、を含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。
［２］ 前記モレキュラーシービングカーボンが、３〜１０Åの平均細孔径を有することを特徴とする［１］に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［３］ 前記モレキュラーシービングカーボンが、モレキュラーシービングカーボン３Ａ、モレキュラーシービングカーボン４Ａおよびモレキュラーシービングカーボン５Ａからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする［１］または［２］に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［４］ 前記粗二フッ化カルボニルを前記モレキュラーシービングカーボンに、６０℃以下の温度で、接触させることを特徴とする［１］〜［３］の何れかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［５］ 前記粗二フッ化カルボニルに含有されるフッ化水素の量が、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、０．５体積％以下であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［６］ 前記粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、フッ化水素の濃度を、精製後の二フッ化カルボニル全体量に対して、２０volｐｐｍ以下に低減させることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の精製方法によれば、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから、不純物とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の二フッ化カルボニルの精製方法は、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルを、モレキュラーシービングカーボンに接触させて、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする。
【００２２】
以下、本発明に係る二フッ化カルボニルの精製方法について、詳細に説明する。
本発明の精製方法の精製対象である粗二フッ化カルボニルは、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗製物であり、公知の二フッ化カルボニルの製造方法により得られる。例えば、下記の製造方法が挙げられる。
（１）一酸化炭素とフッ素ガスとを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法（例えば、国際公開第０５/５６４７２号パンフレット）
（２）二酸化炭素とフッ素ガスとを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法（例えば、特開平１１−１１６２１６号公報）
（３）一酸化炭素と金属フッ化物とを反応させる方法（例えば、特開２００３−１４６６２０号公報）
【００２３】
また、粗二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、通常、０．１〜１．５体積％の範囲であるが、０．５体積％以下であることが好ましく、０．１〜０．５体積％の範囲にあることがより好ましい。フッ化水素の濃度が上記範囲にあれば、本願発明の精製方法を使って、より効率的にフッ化水素を除去することができる。
【００２４】
また、上記粗二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、ＦＴ―ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析して得られる値である。
本発明の精製方法では、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴としている。このようにフッ化水素の除去にモレキュラーシービングカーボンを使用することで、粗二フッ化カルボニルから不純物（フッ化水素）とともに、目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【００２５】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンは、素材が炭素製であり、特有のシャープな細孔径分布を有する。それに対して、一般的な活性炭は、１０〜３０Åの平均細孔径を有し、さらにブロードな細孔径分布を有する点で異なる。
【００２６】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンの平均細孔径は、３〜１０Åであることが好ましく、３〜５Åであることがより好ましい。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により求められる。
【００２７】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンは、特に限定されるものではないが、例えば、シャープな細孔径分布を有し、不純物（フッ化水素）をより選択的に吸着・除去できることから、モレキュラーシービングカーボン３Ａ（平均細孔径：３Å）、モレキュラーシービングカーボン４Ａ（平均細孔径：４Å）およびモレキュラーシービングカーボン５Ａ（平均細孔径：５Å）からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましい。
【００２８】
ここで、上記細孔径分布は、細孔径分布測定装置を用いて得られる窒素吸着等温線に基づいて算出される。具体的には、まず、細孔径分布測定装置のサンプルセルにサンプルを入れて、サンプルセル内部を７７．４Ｋ（窒素の沸点）に冷却した状態で、サンプルセルに窒素ガスを導入し、容量法により窒素ガスの吸着量Ｖ〔ｃｍ3／ｇ〕を測定する。このとき、サンプルセルに導入する窒素ガスの圧力Ｐ〔ｍｍＨｇ〕を徐々に上げる。次いで、その圧力Ｐ〔ｍｍＨｇ〕を窒素ガスの飽和蒸気圧Ｐ0〔ｍｍＨｇ〕で割った相対圧力Ｐ／Ｐ0に対し、吸着量Ｖ〔ｃｍ3／ｇ〕をプロットすることにより、窒素吸着等温線を得られる。ここで、窒素吸着等温線に基づく細孔径分布解析としては、例えばＢＪＨ（Barrett-Joyner-Halenda）法が一般的に知られている。
【００２９】
なお、ＢＪＨ法による細孔径分布解析自体は、公知の方法であり、例えばＪ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，７３巻，３７３ページ（１９５１年）に開示されている。
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させるにあたり、気相で接触させてもよく、気液あるいは液相で接触させてもよい。この中でも、接触処理の速度が高く、効率性が良いことから、液相で接触させることが好ましい。
【００３０】
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させる態様としては、回分式、連続式、固定床式、懸濁床式等の公知の方式であってよい。この中でも、この固定床に粗二フッ化カルボニルを連続的に流す方法が経済的に有利であるので、固定床式で粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させることが好ましい。
【００３１】
工業的には、固定床式吸着塔を２塔設け、一方の吸着塔にて不純物であるフッ化水素が飽和吸着すれば、別の吸着塔に二フッ化カルボニルが供給されるように、流路を切り替える公知の方法により連続的に精製を行なうことができる。
【００３２】
この場合、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させるにあたり、粗二フッ化カルボニルの液基準の空間速度（ＬＨＳＶ：液空間速度）は、含まれるフッ化水素の濃度や粗二フッ化カルボニルの体積量によって適宣選択されるが、通常０．５〜１０ｈｒ-1の範囲であることが好ましい。このような範囲のＬＨＳＶ（液空間速度）にすると、二フッ化カルボニル中に含まれるフッ化水素を効率よく除去することができる。
【００３３】
粗二フッ化カルボニルとモレキュラーシービングカーボンとの接触を回分式で行う場合には、過剰な処理時間を労することなく精製処理するために、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる時間（接触時間）は、５〜１００時間であることが好ましく、１０〜５０時間であることがより好ましい。
【００３４】
粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる際の温度（接触温度）は、なるべく低い温度であることが好ましく、通常は６０℃以下であり、好ましくは、−２０〜６０℃、より好ましくは−１０〜４０℃の範囲である。接触温度が上記範囲にあれば、エネルギ−損失を抑え経済的にも効率的にも有利に二フッ化カルボニルを精製することができる。
【００３５】
粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる際の圧力（接触圧力）は、特に限定されないが、液相で接触させる場合は、二フッ化カルボニルが液相に保持される圧力であればよく、通常、０．３〜６ＭＰａ、好ましくは０．３〜２ＭＰaの範囲である。このような範囲の接触圧力にすると、接触処理のための処理設備の費用等を抑えることができ、経済的である。
【００３６】
また、本発明の精製方法において、粗二フッ化カルボニルからのフッ化水素の除去量は、二フッ化カルボニルの用途や、精製条件等を考慮して適宜調節することができる。例えば、精製後の二フッ化カルボニル全体量（体積）に対して、フッ化水素の濃度を、好ましくは２０ｖｏｌｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｖｏｌｐｐｍ以下に低減することがより好ましい。なお、上記の精製された二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、ＦＴ―ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析して得られる値である。
【００３７】
このような範囲のフッ化水素濃度を有する二フッ化カルボニルは、半導体製造工程を精密に制御することができ、二フッ化カルボニルを輸送する容器や、半導体装置を腐食することもない。このため、上記二フッ化カルボニルは、半導体製造工程における各用途（クリーニングガス用、エッチングガス用）として好適に使用され得る。
【００３８】
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる前に、モレキュラーシービングカーボンが、脱水処理されていることが好ましい。脱水処理されたモレキュラーシービングカーボンに、粗二フッ化カルボニルを接触させることにより、効率的に不純物を吸着することができ、不純物の吸着量を増加させることができる。この脱水処理方法としては、例えば、窒素、希ガス等の不活性ガス雰囲気で、１５０〜２００℃の条件下で、５〜１００時間加熱して、モレキュラーシービングカーボンを脱水する方法が挙げられる。
【００３９】
なお、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させて、モレキュラーシービングカーボンが飽和吸着に達した場合、モレキュラーシービングカーボンに再生処理を行なうことにより、再使用も可能である。
【００４０】
このようなモレキュラーシービングカーボンの再生処理方法としては、例えば、該モレキュラーシービングカーボンをチャンバーに導入し、該チャンバー内に窒素ガスを供給しながら、チャンバー内の雰囲気温度を段階的に上昇させて加熱処理し、例えば２００℃で、モレキュラーシービングカーボンからフッ化水素が検出されなくなるまで加熱処理を継続し、その後室温まで雰囲気温度を下げて再生する方法が挙げられる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の二フッ化カルボニルの精製方法について、実施例を示して説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
１．粗二フッ化カルボニルの製造（合成例１）
一酸化炭素を供給するための供給口、フッ素ガスを供給するための供給口、生成ガスを排出するための排気口および反応器外部に冷却用のジャケットを備え、さらに、反応器内部の気体の混合をよくするために、反応器内部にニッケル製充填物が充填されたニッケル製反応器（内径１インチ、長さ１ｍ）を準備した。
【００４２】
次いで、上記反応容器内部の温度を室温（約３０℃）に維持し、窒素ガスを流しながら、一酸化炭素を４．８ＮＬ／ｈｒ、フッ素ガスを４．８ＮＬ／ｈｒで供給した後、窒素ガスの供給を停止し、一酸化炭素とフッ素ガスとの反応を開始した。
【００４３】
反応開始後、約２時間で反応器内の最高温度が約２２０℃に達した。その後、排出ガス組成をＦＴ−ＩＲで分析したところ、二フッ化カルボニル収率は約９３．２％であった。反応を継続しながら、排出ガスを冷却しながらＳＵＳ製シリンダー（容積２Ｌ）に液化物を捕集した。
【００４４】
さらに、得られた液化物を、以下の条件で蒸留し、液化粗二フッ化カルボニル（４５０ｇ）を回収した。この回収した液化粗二フッ化カルボニルをＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析し、成分比率を分析した。分析結果は、表１に示す。
【００４５】
（蒸留条件および操作）
蒸留スケール：上記液化物 仕込み量 約３５０ｇ
蒸留塔 ：充填塔 １６ｍｍ×１３３５ｍｍ
充填物 ：ヘリパック Ｎｏ．２（東京特殊金網製） 約２６７ｍｌ
理論段数 ：４０段
圧力：約０．８ＭＰａ
塔頂温度 ：約−４０℃
還流比：１５
【００４６】
２．吸着剤の調製
以下、本実施例および比較例において使用された各種吸着剤について説明する。
【００４７】
（１）吸着剤１の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａ（ＭＳＣ−４Ａ：日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径：４Å）を、不活性ガス雰囲気、１６０℃の条件下で２４時間放置し、モレキュラーシービングカーボン４Ａ中に含まれる水分を除去して、吸着剤１を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００４８】
（２）吸着剤２の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、モレキュラーシービングカーボン５Ａ（ＭＳＣ−５Ａ：日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径：５Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤２を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００４９】
（３）吸着剤３の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、ゼオライト（ナトリウムアルミノシリケート）製のモレキュラーシーブス４Ａ（ユニオン昭和（株）製、平均細孔径：４Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤３を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００５０】
（４）吸着剤４の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、粒状活性炭である粒状白鷺ＫＬ（日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径約３０Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤４を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００５１】
[実施例１]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤１（３．６５ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５２】
次いで、シリンダー容器内部に、合成例１で調製された液化粗二フッ化カルボニル（５３．５１ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１８℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５３】
表１から明らかなように、吸着剤１を用いることによりＣＯＦ2の分解や、吸着剤１によるＣＯＦ2の吸着は認められなかった。また、吸着剤１によってフッ化水素を選択的に除去し、フッ化水素の含有量を１０ｖｏｌｐｐｍ未満に低減することができた。
【００５４】
[実施例２]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤２（３．７１ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５５】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５１．５２ｇ）を充填し、時々撹拌しながら０℃で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５６】
表１から明らかなように、吸着剤２を用いることによりＣＯＦ2の分解や、吸着剤２によるＣＯＦ2の吸着は認められなかった。また、吸着剤２によって、フッ化水素を選択的に除去し、フッ化水素の含有量を１０ｖｏｌｐｐｍ未満に低減することができた。
【００５７】
[比較例１]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤３（１２．１ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５８】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５０．２１ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１９℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５９】
表１から明らかなように、吸着剤３を使用することにより、ＣＯＦ2が分解されてしまい、二酸化炭素が生成した。また、吸着剤３を使用した場合、吸着剤１〜２を使用した場合に比べて、フッ化水素が有効に除去されなかった。
【００６０】
[比較例２]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤４（３．９ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００６１】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５２．６５ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１８℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００６２】
表１から明らかなように、吸着剤４を使用した場合、ＣＯＦ2の分解は起こらないものの、粗二フッ化カルボニルのガス成分が、種類を問わず、吸着剤４に吸着された。すなわち、吸着剤４を使用した場合、不純物であるフッ化水素等とともに、目的物である二フッ化カルボニルも共吸着されてしまい、フッ化水素が選択的に吸着・除去されなかった。
【００６３】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の二フッ化カルボニルの精製方法によれば、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる二フッ化カルボニルの精製方法を提供することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二フッ化カルボニルの精製方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、半導体用エッチングガス、半導体用クリーニングガス等として注目されている二フッ化カルボニルの精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二フッ化カルボニル（ＣＯＦ2）は、半導体用エッチングガスや半導体用クリーニングガス等として注目されている重要な化合物である。従来の、この二フッ化カルボニルを製造する方法としては、例えば、下記特許文献１〜３に開示された製造方法が挙げられる。
【０００３】
（１）特許文献１には、原料ガスとして一酸化炭素およびフッ素ガスと、希釈ガスとしてフッ化水素または二フッ化カルボニルとを反応容器内に連続的に供給し、原料ガスを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
（２）特許文献２には、二酸化炭素とフッ素ガスとを気体状で反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
【０００４】
（３）特許文献３には、同一容器内で、一酸化炭素と金属フッ化物とを反応させる工程と、金属フッ化物とフッ素を反応させる工程をと交互に繰り返して、二フッ化カルボニルを製造する方法が記載されている。
これらの製造方法などにより、二フッ化カルボニルを製造することができるが、得られた二フッ化カルボニルには、目的物である二フッ化カルボニルの他に、不純物が含まれている。この不純物とは、反応しなかった原料（一酸化炭素や二酸化炭素）や、下記反応式（１）に示されるように、二フッ化カルボニルが水分に接触することで副生したフッ化水素等である。
ＣＯＦ2＋Ｈ2Ｏ→ＣＯ2＋２ＨＦ （１）
【０００５】
二フッ化カルボニルに、これらの不純物が一定の濃度以上含まれる場合、このような二フッ化カルボニルをエッチングガスやクリーニングガスなどに使用すると、様々な問題を引き起こすことがある。特に、フッ化水素は、反応性、腐食性が高く、この濃度が高い二フッ化カルボニルを使用すると、半導体製造工程を精密に制御することが困難になる。また、二フッ化カルボニルを輸送するための容器や、半導体装置を腐食してしまう場合がある。
【０００６】
二フッ化カルボニルに不純物が含まれることによる問題点を考慮すると、これらの不純物（特にフッ化水素）を除去して、二フッ化カルボニルを精製して高純度化することは、重要な課題である。
【０００７】
しかしながら、原料である一酸化炭素や二酸化炭素と、生成物である二フッ化カルボニルとは、沸点が近似しているために、公知の分離精製手段では、粗二フッ化カルボニルから原料（一酸化炭素や二酸化炭素）と目的物とを分離することは極めて困難である。また、脱酸剤を用いてフッ化水素を除去するにも、脱酸効率は低いものであり、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素と目的物とを分離することも極めて困難である。
【０００８】
そこで、不純物を除去するための二フッ化カルボニルの精製方法が開発されている。このような二フッ化カルボニルの精製方法としては、例えば、下記特許文献４〜７に記載されている精製方法が挙げられる。
【０００９】
（４）特許文献４には、不純物として四フッ化珪素を含む二フッ化カルボニルを、ガス状態または超臨界状態で、かつ所定の温度条件下で金属フッ化物と接触させて、四フッ化珪素を除去する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
（５）特許文献５には、不純物としてフッ化水素を含む二フッ化カルボニルを、所定の金属フッ化物脱酸剤に接触させて、フッ化水素の濃度を低減する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
【００１０】
（６）特許文献６には、不純物として二酸化炭素を含む二フッ化カルボニルを、膜分離装置に供給し、二酸化炭素を分離する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
（７）特許文献７には、不純物としてトリフルオロメチルハイポフルオライト（ＣＦ3ＯＦ）を含む二フッ化カルボニルを、活性炭と接触させて除去する二フッ化カルボニルの精製方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第０５/５６４７２号パンフレット
【特許文献２】特開平１１−１１６２１６号公報
【特許文献３】特開２００３−１４６６２０号公報
【特許文献４】特開２００５−１８７３１２号公報
【特許文献５】特開２００８−２１４１８７号公報
【特許文献６】特開２００５−１５４２０３号公報
【特許文献７】特開２００３−２２１２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記の特許文献４〜５の精製方法は、以下のような課題を有している。
（ｉ）処理剤の処理量（フッ化水素や四フッ化珪素の吸着量）が少ない。
（ｉｉ）特許文献５の精製方法の場合、金属フッ化物を二フッ化カルボニルガスやフッ素ガスを含む前処理ガスに接触させて調製した金属フッ化物脱酸剤を使用するという、煩雑な前処理や再生の工程を必要としている。さらに、高価なフッ素ガスを必要とし、目的物（二フッ化カルボニル）の損失も伴うといった経済的な課題を有している。
【００１３】
また、特許文献６の膜分離を用いた精製方法も、処理量（二酸化炭素の除去量）が少ないことなどの課題を有している。
さらに、特許文献７の活性炭を用いた精製方法では、比較的簡便であるものの、不純物とともに目的物である二フッ化カルボニルも活性炭に共吸着されてしまうといった課題を有しており、工業的に安価かつ高純度の二フッ化カルボニルを得るための精製方法としては依然として改善の余地がある。
【００１４】
本発明は、上記のような従来技術に伴う課題等を解決しようとするものであって、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから、不純物とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる二フッ化カルボニルの精製方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を低減・除去するため各種の吸着剤について検討したところ、以下のような知見が得られた。
まず、吸着剤として、シリカアルミナやモレキュラーシーブス（ゼオライト製）を用いた場合、二フッ化カルボニルの分解やそれによる二酸化炭素の副生が生じる。また、シリカアルミナやモレキュラシーブスは二フッ化カルボニルとの反応によってフッ素化が起こる点で好ましくない。
【００１６】
また、吸着剤として、活性炭を用いた場合、活性炭に、二フッ化カルボニルの分解を引き起こさないものの、不純物であるフッ化水素とともに目的物である二フッ化カルボニルも共吸着されてしまうといった問題がある。
【００１７】
一方、吸着剤としてモレキュラーシービングカーボンを用いた場合、不純物であるフッ化水素とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去し、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【００１８】
このことは、おそらく一般に活性炭では、平均細孔径が１０Å〜３０Åであり、さらに細孔径分布がブロードであるのに対して、モレキュラーシービングカーボンでは、細孔径分布がシャープであることに起因していると考えられる。
そして、本発明者らは、このような知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち本発明は、以下の[１]〜［６］に関する。
［１］二フッ化カルボニルと、不純物としてフッ化水素と、を含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。
［２］ 前記モレキュラーシービングカーボンが、３〜１０Åの平均細孔径を有することを特徴とする［１］に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［３］ 前記モレキュラーシービングカーボンが、モレキュラーシービングカーボン３Ａ、モレキュラーシービングカーボン４Ａおよびモレキュラーシービングカーボン５Ａからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする［１］または［２］に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［４］ 前記粗二フッ化カルボニルを前記モレキュラーシービングカーボンに、６０℃以下の温度で、接触させることを特徴とする［１］〜［３］の何れかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［５］ 前記粗二フッ化カルボニルに含有されるフッ化水素の量が、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、０．５体積％以下であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
［６］ 前記粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、フッ化水素の濃度を、精製後の二フッ化カルボニル全体量に対して、２０volｐｐｍ以下に低減させることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の精製方法によれば、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから、不純物とともに目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の二フッ化カルボニルの精製方法は、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルを、モレキュラーシービングカーボンに接触させて、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする。
【００２２】
以下、本発明に係る二フッ化カルボニルの精製方法について、詳細に説明する。
本発明の精製方法の精製対象である粗二フッ化カルボニルは、二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗製物であり、公知の二フッ化カルボニルの製造方法により得られる。例えば、下記の製造方法が挙げられる。
（１）一酸化炭素とフッ素ガスとを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法（例えば、国際公開第０５/５６４７２号パンフレット）
（２）二酸化炭素とフッ素ガスとを反応させて、二フッ化カルボニルを製造する方法（例えば、特開平１１−１１６２１６号公報）
（３）一酸化炭素と金属フッ化物とを反応させる方法（例えば、特開２００３−１４６６２０号公報）
【００２３】
また、粗二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、通常、０．１〜１．５体積％の範囲であるが、０．５体積％以下であることが好ましく、０．１〜０．５体積％の範囲にあることがより好ましい。フッ化水素の濃度が上記範囲にあれば、本願発明の精製方法を使って、より効率的にフッ化水素を除去することができる。
【００２４】
また、上記粗二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、ＦＴ―ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析して得られる値である。
本発明の精製方法では、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴としている。このようにフッ化水素の除去にモレキュラーシービングカーボンを使用することで、粗二フッ化カルボニルから不純物（フッ化水素）とともに、目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる。
【００２５】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンは、素材が炭素製であり、特有のシャープな細孔径分布を有する。それに対して、一般的な活性炭は、１０〜３０Åの平均細孔径を有し、さらにブロードな細孔径分布を有する点で異なる。
【００２６】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンの平均細孔径は、３〜１０Åであることが好ましく、３〜５Åであることがより好ましい。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により求められる。
【００２７】
本発明の精製方法において使用されるモレキュラーシービングカーボンは、特に限定されるものではないが、例えば、シャープな細孔径分布を有し、不純物（フッ化水素）をより選択的に吸着・除去できることから、モレキュラーシービングカーボン３Ａ（平均細孔径：３Å）、モレキュラーシービングカーボン４Ａ（平均細孔径：４Å）およびモレキュラーシービングカーボン５Ａ（平均細孔径：５Å）からなる群から選択される少なくとも１つであることが好ましい。
【００２８】
ここで、上記細孔径分布は、細孔径分布測定装置を用いて得られる窒素吸着等温線に基づいて算出される。具体的には、まず、細孔径分布測定装置のサンプルセルにサンプルを入れて、サンプルセル内部を７７．４Ｋ（窒素の沸点）に冷却した状態で、サンプルセルに窒素ガスを導入し、容量法により窒素ガスの吸着量Ｖ〔ｃｍ3／ｇ〕を測定する。このとき、サンプルセルに導入する窒素ガスの圧力Ｐ〔ｍｍＨｇ〕を徐々に上げる。次いで、その圧力Ｐ〔ｍｍＨｇ〕を窒素ガスの飽和蒸気圧Ｐ0〔ｍｍＨｇ〕で割った相対圧力Ｐ／Ｐ0に対し、吸着量Ｖ〔ｃｍ3／ｇ〕をプロットすることにより、窒素吸着等温線を得られる。ここで、窒素吸着等温線に基づく細孔径分布解析としては、例えばＢＪＨ（Barrett-Joyner-Halenda）法が一般的に知られている。
【００２９】
なお、ＢＪＨ法による細孔径分布解析自体は、公知の方法であり、例えばＪ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，７３巻，３７３ページ（１９５１年）に開示されている。
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させるにあたり、気相で接触させてもよく、気液あるいは液相で接触させてもよい。この中でも、接触処理の速度が高く、効率性が良いことから、液相で接触させることが好ましい。
【００３０】
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させる態様としては、回分式、連続式、固定床式、懸濁床式等の公知の方式であってよい。この中でも、この固定床に粗二フッ化カルボニルを連続的に流す方法が経済的に有利であるので、固定床式で粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させることが好ましい。
【００３１】
工業的には、固定床式吸着塔を２塔設け、一方の吸着塔にて不純物であるフッ化水素が飽和吸着すれば、別の吸着塔に二フッ化カルボニルが供給されるように、流路を切り替える公知の方法により連続的に精製を行なうことができる。
【００３２】
この場合、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させるにあたり、粗二フッ化カルボニルの液基準の空間速度（ＬＨＳＶ：液空間速度）は、含まれるフッ化水素の濃度や粗二フッ化カルボニルの体積量によって適宣選択されるが、通常０．５〜１０ｈｒ-1の範囲であることが好ましい。このような範囲のＬＨＳＶ（液空間速度）にすると、二フッ化カルボニル中に含まれるフッ化水素を効率よく除去することができる。
【００３３】
粗二フッ化カルボニルとモレキュラーシービングカーボンとの接触を回分式で行う場合には、過剰な処理時間を労することなく精製処理するために、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる時間（接触時間）は、５〜１００時間であることが好ましく、１０〜５０時間であることがより好ましい。
【００３４】
粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる際の温度（接触温度）は、なるべく低い温度であることが好ましく、通常は６０℃以下であり、好ましくは、−２０〜６０℃、より好ましくは−１０〜４０℃の範囲である。接触温度が上記範囲にあれば、エネルギ−損失を抑え経済的にも効率的にも有利に二フッ化カルボニルを精製することができる。
【００３５】
粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる際の圧力（接触圧力）は、特に限定されないが、液相で接触させる場合は、二フッ化カルボニルが液相に保持される圧力であればよく、通常、０．３〜６ＭＰａ、好ましくは０．３〜２ＭＰaの範囲である。このような範囲の接触圧力にすると、接触処理のための処理設備の費用等を抑えることができ、経済的である。
【００３６】
また、本発明の精製方法において、粗二フッ化カルボニルからのフッ化水素の除去量は、二フッ化カルボニルの用途や、精製条件等を考慮して適宜調節することができる。例えば、精製後の二フッ化カルボニル全体量（体積）に対して、フッ化水素の濃度を、好ましくは２０ｖｏｌｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｖｏｌｐｐｍ以下に低減することがより好ましい。なお、上記の精製された二フッ化カルボニル中のフッ化水素の濃度は、ＦＴ―ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析して得られる値である。
【００３７】
このような範囲のフッ化水素濃度を有する二フッ化カルボニルは、半導体製造工程を精密に制御することができ、二フッ化カルボニルを輸送する容器や、半導体装置を腐食することもない。このため、上記二フッ化カルボニルは、半導体製造工程における各用途（クリーニングガス用、エッチングガス用）として好適に使用され得る。
【００３８】
また、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させる前に、モレキュラーシービングカーボンが、脱水処理されていることが好ましい。脱水処理されたモレキュラーシービングカーボンに、粗二フッ化カルボニルを接触させることにより、効率的に不純物を吸着することができ、不純物の吸着量を増加させることができる。この脱水処理方法としては、例えば、窒素、希ガス等の不活性ガス雰囲気で、１５０〜２００℃の条件下で、５〜１００時間加熱して、モレキュラーシービングカーボンを脱水する方法が挙げられる。
【００３９】
なお、粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンと接触させて、モレキュラーシービングカーボンが飽和吸着に達した場合、モレキュラーシービングカーボンに再生処理を行なうことにより、再使用も可能である。
【００４０】
このようなモレキュラーシービングカーボンの再生処理方法としては、例えば、該モレキュラーシービングカーボンをチャンバーに導入し、該チャンバー内に窒素ガスを供給しながら、チャンバー内の雰囲気温度を段階的に上昇させて加熱処理し、例えば２００℃で、モレキュラーシービングカーボンからフッ化水素が検出されなくなるまで加熱処理を継続し、その後室温まで雰囲気温度を下げて再生する方法が挙げられる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の二フッ化カルボニルの精製方法について、実施例を示して説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
１．粗二フッ化カルボニルの製造（合成例１）
一酸化炭素を供給するための供給口、フッ素ガスを供給するための供給口、生成ガスを排出するための排気口および反応器外部に冷却用のジャケットを備え、さらに、反応器内部の気体の混合をよくするために、反応器内部にニッケル製充填物が充填されたニッケル製反応器（内径１インチ、長さ１ｍ）を準備した。
【００４２】
次いで、上記反応容器内部の温度を室温（約３０℃）に維持し、窒素ガスを流しながら、一酸化炭素を４．８ＮＬ／ｈｒ、フッ素ガスを４．８ＮＬ／ｈｒで供給した後、窒素ガスの供給を停止し、一酸化炭素とフッ素ガスとの反応を開始した。
【００４３】
反応開始後、約２時間で反応器内の最高温度が約２２０℃に達した。その後、排出ガス組成をＦＴ−ＩＲで分析したところ、二フッ化カルボニル収率は約９３．２％であった。反応を継続しながら、排出ガスを冷却しながらＳＵＳ製シリンダー（容積２Ｌ）に液化物を捕集した。
【００４４】
さらに、得られた液化物を、以下の条件で蒸留し、液化粗二フッ化カルボニル（４５０ｇ）を回収した。この回収した液化粗二フッ化カルボニルをＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）により分析し、成分比率を分析した。分析結果は、表１に示す。
【００４５】
（蒸留条件および操作）
蒸留スケール：上記液化物 仕込み量 約３５０ｇ
蒸留塔 ：充填塔 １６ｍｍ×１３３５ｍｍ
充填物 ：ヘリパック Ｎｏ．２（東京特殊金網製） 約２６７ｍｌ
理論段数 ：４０段
圧力：約０．８ＭＰａ
塔頂温度 ：約−４０℃
還流比：１５
【００４６】
２．吸着剤の調製
以下、本実施例および比較例において使用された各種吸着剤について説明する。
【００４７】
（１）吸着剤１の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａ（ＭＳＣ−４Ａ：日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径：４Å）を、不活性ガス雰囲気、１６０℃の条件下で２４時間放置し、モレキュラーシービングカーボン４Ａ中に含まれる水分を除去して、吸着剤１を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００４８】
（２）吸着剤２の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、モレキュラーシービングカーボン５Ａ（ＭＳＣ−５Ａ：日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径：５Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤２を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００４９】
（３）吸着剤３の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、ゼオライト（ナトリウムアルミノシリケート）製のモレキュラーシーブス４Ａ（ユニオン昭和（株）製、平均細孔径：４Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤３を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００５０】
（４）吸着剤４の調製
モレキュラーシービングカーボン４Ａの代わりに、粒状活性炭である粒状白鷺ＫＬ（日本エンバイロケミカル（株）製、平均細孔径約３０Å）に変更したこと以外は、吸着剤１と同様にして、吸着剤４を調製した。なお、上記平均細孔径は、Ａｒガスを用いるガス吸着法により測定された値である。
【００５１】
[実施例１]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤１（３．６５ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５２】
次いで、シリンダー容器内部に、合成例１で調製された液化粗二フッ化カルボニル（５３．５１ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１８℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５３】
表１から明らかなように、吸着剤１を用いることによりＣＯＦ2の分解や、吸着剤１によるＣＯＦ2の吸着は認められなかった。また、吸着剤１によってフッ化水素を選択的に除去し、フッ化水素の含有量を１０ｖｏｌｐｐｍ未満に低減することができた。
【００５４】
[実施例２]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤２（３．７１ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５５】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５１．５２ｇ）を充填し、時々撹拌しながら０℃で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５６】
表１から明らかなように、吸着剤２を用いることによりＣＯＦ2の分解や、吸着剤２によるＣＯＦ2の吸着は認められなかった。また、吸着剤２によって、フッ化水素を選択的に除去し、フッ化水素の含有量を１０ｖｏｌｐｐｍ未満に低減することができた。
【００５７】
[比較例１]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤３（１２．１ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００５８】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５０．２１ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１９℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００５９】
表１から明らかなように、吸着剤３を使用することにより、ＣＯＦ2が分解されてしまい、二酸化炭素が生成した。また、吸着剤３を使用した場合、吸着剤１〜２を使用した場合に比べて、フッ化水素が有効に除去されなかった。
【００６０】
[比較例２]
内容積が１００ｍｌのＳＵＳ製シリンダー容器に、上記吸着剤４（３．９ｇ）を充填し、シリンダー容器内部を真空乾燥し、冷却した。
【００６１】
次いで、シリンダー容器内部に上記液化粗二フッ化カルボニル（５２．６５ｇ）を充填し、時々撹拌しながら室温（１８℃）で、約１２時間放置した。放置後、液相部の一部を抜き出して、ＦＴ−ＩＲ（セル：ＣａＦ2）にて分析を行なった。分析結果を表１に示す。
【００６２】
表１から明らかなように、吸着剤４を使用した場合、ＣＯＦ2の分解は起こらないものの、粗二フッ化カルボニルのガス成分が、種類を問わず、吸着剤４に吸着された。すなわち、吸着剤４を使用した場合、不純物であるフッ化水素等とともに、目的物である二フッ化カルボニルも共吸着されてしまい、フッ化水素が選択的に吸着・除去されなかった。
【００６３】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の二フッ化カルボニルの精製方法によれば、不純物（フッ化水素）を含む粗二フッ化カルボニルから目的物（二フッ化カルボニル）が吸着剤に共吸着されることを低減し、不純物（フッ化水素）を選択的に吸着・除去して、効率的かつ安価・簡便に高純度な二フッ化カルボニルを得ることができる二フッ化カルボニルの精製方法を提供することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項２】
前記モレキュラーシービングカーボンが、３〜１０Åの平均細孔径を有することを特徴とする請求項１に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項３】
前記モレキュラーシービングカーボンが、モレキュラーシービングカーボン３Ａ、モレキュラーシービングカーボン４Ａおよびモレキュラーシービングカーボン５Ａからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項４】
前記粗二フッ化カルボニルを前記モレキュラーシービングカーボンに、６０℃以下の温度で、接触させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項５】
前記粗二フッ化カルボニルに含有されるフッ化水素の量が、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、０．５体積％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項６】
前記粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、フッ化水素の濃度を、精製後の二フッ化カルボニル全体量に対して、２０volｐｐｍ以下に低減させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項１】
二フッ化カルボニルと不純物としてフッ化水素とを含有する粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、前記粗二フッ化カルボニルからフッ化水素を除去することを特徴とする二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項２】
前記モレキュラーシービングカーボンが、３〜１０Åの平均細孔径を有することを特徴とする請求項１に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項３】
前記モレキュラーシービングカーボンが、モレキュラーシービングカーボン３Ａ、モレキュラーシービングカーボン４Ａおよびモレキュラーシービングカーボン５Ａからなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項４】
前記粗二フッ化カルボニルを前記モレキュラーシービングカーボンに、６０℃以下の温度で、接触させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項５】
前記粗二フッ化カルボニルに含有されるフッ化水素の量が、粗二フッ化カルボニル全体量１００体積％に対して、０．５体積％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【請求項６】
前記粗二フッ化カルボニルをモレキュラーシービングカーボンに接触させて、フッ化水素の濃度を、精製後の二フッ化カルボニル全体量に対して、２０volｐｐｍ以下に低減させることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の二フッ化カルボニルの精製方法。
【公開番号】特開２０１１−１６６８６（Ｐ２０１１−１６６８６Ａ）
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６２５７８（Ｐ２００９−１６２５７８）
【出願日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月９日（２００９．７．９）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
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