説明

保存装置のサーボトラック形成方法とデータ保存装置

【課題】保存装置のサーボトラック形成方法を提供する。
【解決手段】
サーボトラック形成方法は、第1領域及び第2領域の少なくとも2つの領域を含むディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、ディスクの一面と基板の一面とが対応するように配され、基板の他面から基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、磁場に応答して、多数の磁気パターンに対応する磁気層の第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、保存装置に係り、より詳細には、保存装置のサーボトラック(servo track)形成方法と、前記方法によって形成されたサーボトラックを有するデータ保存装置とに関する。
【背景技術】
【0002】
一般的に、ハードディスクドライブ(Hard Disk Drive;HDD)は、ディスク形態の磁気記録媒体を回転させながら、その上に読み取り/書き込みヘッドを浮上させて情報を読出し/書込むデータ装置である。高い記録密度を有するHDDを作るためには、高い記録密度のサーボトラックを形成することは必須な事項である。従来のHDDでのサーボトラックを形成するためのサーボライティング(Servo Writing)技術は、物理的な限界がある。したがって、300kTPI以上の記録密度を有するサーボトラックを形成することが不可能であった。
【0003】
最近、HDDでマグネチックプリンティング(Magnetic printing)方法を用いてサーボトラックを形成する技術が提示された。マグネチックプリンティング方法は、サーボトラックを含む保存装置のディスクの上面に磁気物質を塗布して磁化方向に沿ってデータを保存することができる方法である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、マグネチックプリンティング方法を用いてサーボトラックを形成しても、サーボトラックの無信号区間、例えば、バッファ区間でノイズが発生することがある。このようなノイズは、データ信号にDCオフセット(offset)を与えてデータ信号の品質及び保存装置の誤動作を発生させる。
【0005】
そこで、本発明の目的とするところは、上記問題に鑑みてなされたものであり、DCノイズを除去することができる保存装置のサーボトラック形成方法を提供することにある。
【0006】
本発明が解決しようとする他の課題は、前記サーボトラック形成方法を用いて製造された保存装置及びシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、第1領域と第2領域とが定義されたディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の前記第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、を含む、サーボトラック形成方法が提供される。
【0008】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、データ保存領域とサーボトラック領域とを含む保存部と、前記保存部に接続されて信号を抽出するヘッドと、前記ヘッドから抽出された前記信号をフィルタリングするフィルターと、前記保存部と前記ヘッドの動作を制御するコントローラと、を含む、データ保存装置が提供される。
【0009】
前記保存部の前記サーボトラック領域は、第1領域と第2領域とが定義されたディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、を含んで形成される。
【0010】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、バスを通じてデータが入/出力されるデータ保存装置と、前記データ保存装置の動作を制御するCPUと、外部と接続されて、前記外部から前記データを提供されて前記データ保存装置に伝送するか、または前記データ保存装置から前記データを前記外部に伝送するインターフェースと、を含む、データ保存システムが提供される。
【発明の効果】
【0011】
以上説明したように本発明によれば、保存装置のサーボトラック領域にノイズを発生させると予想される部分、すなわち、無信号区間にあらかじめ異なる周波数の信号が抽出されるように磁化方向を形成して抽出された信号をフィルタリングすることによって、サーボトラック領域の保存領域でノイズが除去された信号を抽出することができるようになり、これにより、ノイズによる保存装置の誤動作を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態に係るサーボトラック形成方法のフローチャートである。
【図2】同実施形態に係るサーボトラック形成方法による工程図である。
【図3】同実施形態に係るサーボトラック形成方法による工程図である。
【図4】同実施形態に係るサーボトラック形成方法による工程図である。
【図5】同実施形態に係るサーボトラック形成方法による工程図である。
【図6】同実施形態に係るサーボトラック形成方法による工程図である。
【図7】図1〜図6を通じて形成されたデータ保存装置の概略的なブロック図である。
【図8】図7に示されたデータ保存装置を含むデータ保存システムの概略的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0014】
図1は、本発明の一実施形態によるサーボトラック形成方法のフローチャートであり、図2ないし図6は、図1に示されたサーボトラック形成方法による工程図である。
【0015】
本発明の実施形態による保存装置は、少なくとも一つのディスクを含みうる。それぞれのディスクは、少なくとも一つのデータ領域とサーボトラック領域とを含みうる。データ領域は、外部から提供されたデータが保存されるか、またはデータ領域に保存されたデータを外部に伝送することができる。サーボトラック領域には、データ領域の情報、例えば、プリアンブル情報、アドレス情報、セクター情報、トラック情報またはバースト情報のうちから少なくとも一つを保存することができる。サーボトラック領域は、前記の情報が保存される第2領域、すなわち、情報保存領域と、情報保存領域の前/後に形成された第1領域、すなわち、バッファ領域とを含みうる。
【0016】
まず、図1及び図2を参照すれば、本発明の実施形態による保存装置のサーボトラック形成方法は、保存装置のディスクに磁気層を形成する段階(S10)を含みうる。保存装置10のサーボトラック領域は、少なくとも2個の領域を含みうる。例えば、サーボトラック領域は、第1領域15と第2領域16とを含みうる。第1領域15は、サーボトラック領域の無信号区間、すなわち、バッファの役割を行うバッファ領域であり、第2領域16は、サーボトラック領域の情報保存区間、すなわち、サーボトラック情報またはデータ情報が保存された情報保存領域であり得る。
【0017】
前記第1領域15と第2領域16とを含むサーボトラック領域の上部、すなわち、ディスク11の一面に所定の厚さに磁気層12を形成しうる。例えば、磁気層12は、ディスク11の一面に磁気物質、例えば、外部から印加される磁場によって磁化方向が決定される磁気物質が塗布されて形成される。磁気物質は、プリンティング方式で塗布して形成しうるが、本発明は、これに制限されるものではない。磁気層12は、所定の単位で多数個区分され、それぞれの区分された単位磁気層13には、所定の方向に磁化方向が形成される。例えば、第1領域15の磁気層12は、少なくとも3個に区分された単位磁気層13が形成される。それぞれの単位磁気層13は、磁場の印加方向に沿って第1磁化方向14に形成される。
【0018】
多数の単位磁気層13を含む磁気層12は、磁場によって磁化方向が決定されることができる。例えば、ディスク11の背面、すなわち、磁気層12が形成されたディスク11の一面に対応する背面から磁気層12に向けて垂直な方向に磁場を印加することができる。これにより、磁気層12の多数の単位磁気層13は、印加される磁場の方向、例えば、第1磁化方向14を有しうる。本実施形態では、一例として、ディスク11の背面で磁場を印加して単位磁気層13が第1磁化方向14を形成する例をあげて説明するが、本発明は、これに制限されるものではない。すなわち、ディスク11の前面から垂直な方向に磁場を印加して単位磁気層13の磁化方向を形成する方法を使うこともできる。
【0019】
図1及び図3を参照すれば、保存装置のサーボトラック形成方法は、基板の一面に少なくとも一つの磁気パターンを形成する段階(S20)を含みうる。本実施形態では、前記図1及び図2を参照して説明された保存装置10のディスク11の磁気層12に所定の情報を記録するためのライティング(writing)装置20を形成しうる。ライティング装置20は、ディスク11の多数の単位磁気層13に対応する多数の磁気パターン23及び24を含み、前記多数の磁気パターン23及び24は、基板21、例えば、ウエーハなどの半導体基板に別途に形成される。
【0020】
基板21は、少なくとも2個の領域を含みうる、例えば、基板21は、第1磁気パターン領域25と第2磁気パターン領域26とを含みうる。第1磁気パターン領域25は、ディスク11の第1領域15に対応することができ、第2磁気パターン領域26は、ディスク11の第2領域16に対応することができる。第1磁気パターン領域25と第2磁気パターン領域26とを含む基板21の一面に磁気物質22を所定の厚さに塗布することができる。磁気物質22は、前述したように、外部から提供される磁場が通過することができる磁気物質で形成され、例えば、スピンコーティング法またはプリンティングコーティング法などで基板21に塗布されることができる。
【0021】
基板21に塗布された磁気物質22は、パターニングされる。例えば、磁気物質22は、各領域、すなわち、第1磁気パターン領域25と第2磁気パターン領域26とでそれぞれ異なる幅を有する少なくとも一つの磁気パターン23または24を形成するようにパターニングされる。例えば、基板21の第1磁気パターン領域25の磁気物質22は、パターニングされて第1幅d1を有する少なくとも一つの第1磁気パターン23を形成しうる。また、基板21の第2磁気パターン領域26の磁気物質22は、パターニングされて第2幅d2を有する少なくとも一つの第2磁気パターン24を形成しうる。
【0022】
ここで、少なくとも一つの第1磁気パターン23の幅、すなわち、第1幅d1は少なくとも一つの第2磁気パターン24の幅、すなわち、第2幅d2より小さく形成される。例えば、第1幅d1は、第2幅d2の1/N(ここで、Nは、2以上の整数)倍に形成される。少なくとも一つの第1磁気パターン23と少なくとも一つの第2磁気パターン24は、磁気物質22の上部でマスクを利用した写真エッチングまたは湿式/乾式エッチングなどを用いて形成されるが、これに制限されるものではない。
【0023】
図1及び図4を参照すれば、保存装置のサーボトラック形成方法は、ディスクと基板とが互いに対応するように配置させる段階(S30)を含みうる。言い換えれば、ディスク11の一面に形成された磁気層12と基板21の一面に形成された多数の磁気パターン23及び24とが互いに対向するように対応させることができる。この際、ディスク11の第1領域15に形成された多数の単位磁気層13は、基板21の第1磁気パターン領域25に形成された少なくとも一つの第1磁気パターン23とそれぞれ対応し、ディスク11の第2領域16に形成された多数の単位磁気層13は、基板21の第2磁気パターン領域26に形成された少なくとも一つの第2磁気パターン24にそれぞれ対応することができる。
【0024】
引き続き、図1、図4及び図5を参照すれば、保存装置のサーボトラック形成方法は、基板の背面から垂直な方向に磁場を印加(S41)し、磁気層の磁化方向を変更(S43)させる段階(S40)を含みうる。ディスク11と基板21とが互いに対応して配されれば、基板21の背面、すなわち、多数の磁気パターン23及び24が形成された基板21の一面に対応する背面から垂直な方向、例えば、多数の磁気パターン23及び24に向けて磁場を印加する。
【0025】
磁場は、基板21の多数の磁気パターン23及び24を通じて対応するディスク11の多数の単位磁気層13に印加されることができる。例えば、磁場は、ディスク11の磁気層12に形成された第1磁化方向14と実質的に逆方向を有し、垂直に基板21に印加されることができる。磁場は、多数の磁気パターン23及び24を通じて磁気層12に提供されて多数の単位磁気層13のそれぞれの磁化方向を変更させることができる。
【0026】
例えば、基板21の少なくとも一つの第1磁気パターン23に対応するディスク11の第1領域15の単位磁気層13は、第1磁化方向14に形成されている。基板21の背面で磁場が印加されれば、第1磁気パターン23に対応する単位磁気層13の第1磁化方向14は、第1磁気パターン23を通じて提供される磁場によって第1磁化方向14と実質的に逆方向、例えば、第2磁化方向17に変更されることができる。この際、第1磁気パターン23は、第1領域15の単位磁気層13より小さなサイズであるために、第1磁気パターン23が対応する単位磁気層13の一領域13aは、第2磁化方向17に形成され、単位磁気層13の残りの領域13bは、第1磁化方向14を保持することができる。
【0027】
また、基板21の少なくとも一つの第2磁気パターン24に対応するディスク11の第2領域16の単位磁気層13は、第1磁化方向14に形成されている。基板21の背面で磁場が印加されれば、第2磁気パターン24に対応する単位磁気層13の第1磁化方向14は、第2磁気パターン24を通じて提供される磁場によって第1磁化方向14と実質的に逆方向、例えば、第2磁化方向17に変更されることができる。この際、第2磁気パターン24は、第2領域16の単位磁気層13と実質的に同じサイズであり得る。
【0028】
引き続き、図1、図5及び図6を参照すれば、保存装置のサーボトラック形成方法は、ディスクの磁気層から信号を抽出し(S50)、これをフィルタリングする段階(S60)を含みうる。前述した段階を通じてディスク11の磁気層12には、第1磁化方向14と第2磁化方向17とを有する多数の単位磁気層13が形成される。このようなディスク11の磁気層12に信号を抽出することができる所定の装置、例えば、磁気層12から情報をリーディングすることができるヘッド150を隣接させ、磁気層12からデータ信号40または50を抽出することができる。
【0029】
例えば、ディスク11の第1領域15の単位磁気層13にヘッド150を隣接させて第1信号40を抽出することができる。また、ディスク11の第2領域16の単位磁気層13にヘッド150を隣接させて第2信号50を抽出することができる。抽出された第1信号40と第2信号50は、相異なる周期、すなわち、相異なる周波数を有しうる。例えば、ディスク11の第1領域15では、それぞれの単位磁気層13に形成された第1磁化方向14と第2磁化方向17とによってハイ(high)またはロー(low)レベルを有する第1周期T1の第1信号40が抽出されることができる。
【0030】
また、ディスク11の第2領域16では、それぞれの単位磁気層13ごとにハイまたはローレベルを有する第2周期T2の第2信号50が抽出されることができる。すなわち、第1領域15から抽出される第1信号40は、第2領域16から抽出される第2信号50より高い周波数を有する信号、例えば、短い周期の信号として抽出されることができる。第1信号40の第1周期T1は、第2信号50の第2周期T2の1/M(ここで、Mは、自然数)倍に抽出されることができる。
【0031】
一方、前述したように、ディスク11の第1領域15は、無信号区間であり、第2領域16は、サーボトラック情報が記録された区間であり得る。また、ノイズは、第1領域15から抽出された第1信号40に影響を及ぼすことができる。これにより、ディスク11の磁気層12から抽出された第1信号40と第2信号50とをフィルタリングして、ノイズが除去された正常な信号を抽出することができる。例えば、ノイズの影響を受ける第1信号40をフィルタリングすることができる。すなわち、第1信号40と第2信号50との周波数が異なるために、第2信号50のみを抽出することができる帯域フィルター、例えば、帯域通過フィルターまたは帯域遮断フィルターなどを第1信号40で除去することができる。
【0032】
以下で、前述した保存装置のサーボトラック形成方法を使って製造されたデータ保存装置及びこれを含むデータ保存システムについて説明する。
【0033】
図7は、図1ないし図6を通じて形成されたデータ保存装置の概略的なブロック図である。本実施形態では、説明の便宜上、前述した図1ないし図6がともに参照されて説明される。本実施形態のデータ保存装置200は、電磁的または磁気的にデータを保存することができ、容量対比生産コストの低いハードディスクドライブ(HDD)のようなデータ保存装置として具現可能である。また、本実施形態のデータ保存装置200は、ソリッドステートドライブ(SSD)のような不揮発性メモリデバイス(non−volatile memory device)としても具現可能である。
【0034】
図7を参照すれば、データ保存装置200は、保存部100、ヘッド150、コントローラ170及びフィルター160を含みうる。保存部100は、前記図1ないし図5を参照して説明したサーボトラックを含みうる。例えば、保存部100は、少なくとも一つのディスク11に形成され、各ディスク11には、データ保存領域とサーボトラック領域とを含みうる。ここで、ディスク11のサーボトラック領域には、前述したように、多数の単位磁気層13を含む磁気層12が形成され、それぞれの単位磁気層13は、第1磁化方向14または第2磁化方向17に形成される。
【0035】
ヘッド150は、前記図5を参照して説明したように、保存部100の磁気層12に隣接して信号を抽出することができる。コントローラ170は、ヘッド150と保存部100との動作を制御することができる。例えば、コントローラ170は、保存部100のディスク11が所定の速度で回転するように制御することができる。引き続き、ヘッド150を保存部100のディスク11に隣接するように移動させ、ディスク11からヘッド150を通じて所定の信号を抽出することができる。
【0036】
フィルター160は、ヘッド150を通じて抽出された信号をフィルタリングしてコントローラ170に提供することができる。例えば、前記図1及び図6を参照して説明したように、フィルター160は、ヘッド150がディスク11から抽出した第1信号40及び第2信号50のうち、ノイズの影響を受ける第1信号40をフィルタリングして除去することができる。
【0037】
図8は、図7に示されたデータ保存装置を含むデータ保存システムの概略的なブロック図である。本実施形態のデータ保存システム300は、コンピュータシステム、端末装置システム、入出力装置システムであり得る。また、データ保存システム300は、本発明の実施形態によるデータ保存装置200を含む任意のCE(consumer equipment)をすべて含み、例えば、CEは、HDDレコーダー(recorder)、携帯電話(cellular phone)とPDAなどの個人端末機(terminal)、コンピュータ(PC、ラップトップPC、ノート型パソコンなど)、ナビゲーターデバイス(navigator device)、ホームオートメーションシステム(home automation system)、音楽再生器(mp3プレーヤーなど)、カムコーダ、映像再生器(DVIXプレーヤーなど)、ストレージサーバ(storage sever)またはPMP(Potable Multimedia Player)などを例示することができる。また、本明細書では、説明の便宜上、データ保存システム300の一例として、コンピュータシステムを例として説明する。
【0038】
図8を参照すれば、データ保存システム300の一種であるコンピュータシステムは、バス270、中央情報処理装置(CPU)250、保存装置200及びインターフェース(I/F)260を含みうる。また、図面に示していないが、データ保存システム300は、バッテリー(図示せず)をさらに含んで携帯を可能にする。
【0039】
CPU250は、保存装置200の動作を制御することができる制御信号を生成することができ、バス270を通じて保存装置200に制御信号を提供することができる。保存装置200は、前記図7を参照して説明したように、保存部100、ヘッド150、フィルター160及びコントローラ170を含んで構成され、CPU250から提供された制御信号によって外部から提供されたデータが保存されるか、または保存されたデータを外部に伝送することができる。インターフェース260は、例えば、I/Oインターフェースまたは無線インターフェースであり、CPU250または保存装置200が外部と接続することができる通路の役割を行うことができる。
【0040】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【0041】
本発明の方法と装置は、データ保存システムに適用可能である。
【符号の説明】
【0042】
10 保存装置
11 ディスク
12 磁気層
15 第1領域
16 第2領域
20 ライティング装置
21 基板
25 第1磁気パターン領域
26 第2磁気パターン領域



【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1領域及び第2領域の少なくとも2つの領域を含むディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、
基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、
前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、
前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の前記第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、
を含むことを特徴とする、保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項2】
基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階は、
前記基板の前記一面に磁気物質を所定の厚さに形成する段階と、
前記磁気物質をパターニングして相異なる幅を有する少なくとも一つの第1磁気パターンと第2磁気パターンとをそれぞれ形成する段階と、を含み、
前記第1磁気パターンの幅は、前記第2磁気パターンの幅の1/N(Nは、2以上の整数)倍に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項3】
前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階は、
前記基板の前記第1磁気パターンを前記ディスクの第1領域に対応させ、前記基板の前記第2磁気パターンを前記ディスクの第2領域に対応させる段階であることを特徴とする、請求項2に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項4】
前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の前記第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階は、
前記磁場が、前記第1磁気パターンと前記第2磁気パターンとを通じて前記磁気層に提供させて、前記磁気層の前記第1磁化方向を実質的に逆方向である前記第2磁化方向に変更する段階であることを特徴とする、請求項3に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項5】
前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階は、
前記基板の他面から前記磁気層の前記第1磁化方向と実質的に逆方向を有する前記磁場を垂直な方向に印加する段階であることを特徴とする、請求項2に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項6】
前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階後に、
前記ディスクの前記第1領域から第1信号を抽出する段階と、
前記ディスクの前記第2領域から第2信号を抽出する段階と、
抽出された前記第1信号または前記第2信号をフィルタリングする段階と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項7】
前記第1信号の周期は、
前記第2信号の周期の1/M(Mは、自然数)倍であることを特徴とする、請求項6に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項8】
抽出された前記第1信号または前記第2信号をフィルタリングする段階は、
前記第1信号を除去する段階であることを特徴とする、請求項6に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項9】
第1領域と第2領域とが定義されたディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階は、
前記ディスクの前記一面に多数の単位磁気層を含む前記磁気層を形成する段階と、
前記磁気層の前記多数の単位磁気層のそれぞれが、前記第1磁化方向を有するように前記ディスクの前記一面または他面で第1方向の磁場を提供する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の保存装置のサーボトラック形成方法。
【請求項10】
データ保存領域とサーボトラック領域とを含む保存部と、
前記保存部に接続されて信号を抽出するヘッドと、
前記ヘッドから抽出された前記信号をフィルタリングするフィルターと、
前記保存部と前記ヘッドの動作を制御するコントローラと、を含み、
前記保存部の前記サーボトラック領域は、
第1領域及び第2領域の少なくとも2つの領域を含むディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、
基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、
前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、
前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、
を含んで形成されることを特徴とする、データ保存装置。
【請求項11】
バスを通じてデータが入/出力されるデータ保存装置と、
前記データ保存装置の動作を制御するCPUと、
外部と接続されて、前記外部から前記データを提供されて前記データ保存装置に伝送するか、または前記データ保存装置から前記データを前記外部に伝送するインターフェースと、を含み、
前記データ保存装置は、
データ保存領域とサーボトラック領域とを含む保存部と、
前記保存部に接続されて信号を抽出するヘッドと、
前記ヘッドから抽出された前記信号をフィルタリングするフィルターと、
前記保存部と前記ヘッドの動作を制御するコントローラと、を含み、
前記保存部の前記サーボトラック領域は、
第1領域及び第2領域の少なくとも2つの領域を含むディスクの一面に第1磁化方向を有する磁気層を形成する段階と、
基板の一面に相異なる幅を有する多数の磁気パターンを形成する段階と、
前記ディスクの一面と前記基板の一面とが対応するように配され、前記基板の他面から前記基板に垂直な方向に磁場を印加する段階と、
前記磁場に応答して、前記多数の磁気パターンに対応する前記磁気層の第1磁化方向を第2磁化方向に変更する段階と、
を含んで形成されることを特徴とするデータ保存システム。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2010−40166(P2010−40166A)
【公開日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−182801(P2009−182801)
【出願日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si,Gyeonggi−do 442−742(KR)
【Fターム(参考)】