光ピックアップ装置
【目的】 レーザ出射光の光利用効率が高く、製作しやすい光ピックアップ装置を提供する。
【構成】 半導体基板１上に装着された半導体レーザ素子２と、前記半導体基板１に設けた段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子２のレーザ光の出射端面に対向する反射ミラー３と、半導体基板１上に設けた光検出器５，６，７および８とを備え、半導体レーザ素子２の出射端面を反射ミラー３に近接して配置するとともに、半導体レーザ素子２の出射光軸を反射ミラー３と半導体基板１とに共通な垂直面に交差させて反射光１０が出射端面に当たらないようにエピ成長層側を半導体基板１に固定し、反射光１０がホログラム素子１３，１４に対してほぼ垂直になるように、半導体基板１を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。
【構成】 半導体基板１上に装着された半導体レーザ素子２と、前記半導体基板１に設けた段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子２のレーザ光の出射端面に対向する反射ミラー３と、半導体基板１上に設けた光検出器５，６，７および８とを備え、半導体レーザ素子２の出射端面を反射ミラー３に近接して配置するとともに、半導体レーザ素子２の出射光軸を反射ミラー３と半導体基板１とに共通な垂直面に交差させて反射光１０が出射端面に当たらないようにエピ成長層側を半導体基板１に固定し、反射光１０がホログラム素子１３，１４に対してほぼ垂直になるように、半導体基板１を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置などに用いられる光ピックアップ装置を小型化するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザ光を用いた記録再生装置が普及しつつあるが、そこに用いられる光ピックアップ装置の小型化が課題である。
【０００３】以下、従来の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。光ピックアップ装置を小型化する手段の一つは光学系の小型化であり、その手段として、シリコンの基板上に半導体レーザ素子や光検出器を一体化した光ピックアップ装置が種々提案されている。たとえば、特開昭６４−４６２４３号公報には図６および図７に示す光ピックアップ装置が開示されている。
【０００４】図６は上記従来の光ピックアップ装置の光学系の構成を断面図で示す。図において、半導体基板３４の上面３４ａおよび３４ｂとカバー部材３３の下面３３ａとが空間を介して対向するように配置され、半導体基板３４の上面３４ａには第１の光検出部３５と第２の光検出部３６とが形成され、また、半導体基板３４の上面３４ｂには半導体レーザ素子３７とモニタ用光検出部３８とが形成されている。上面３４ｂが上面３４ａに対して低くなるように段差が形成され、その段差面が半導体レーザ素子３７から出射するレーザ光ビームＬ1 に対向する全反射グレーティング部（以下、反射ミラーと記す）４０を構成している。半導体基板３４の上面３４ａは、たとえば、エッチング処理により精度よく加工されている。また、カバー部材３３の上面３３ｂにはホログラム素子により形成されたビームスプリッタ４１が設けられている。
【０００５】上記の構成において動作を説明すると、半導体レーザ素子３７から出射したレーザ光ビームＬ1 が、半導体基板３４の上面３４ａに設けられた反射ミラー４０により３本のレーザ光ビームＬ2 に分割され、上方に反射される。それら３本のレーザ光ビームＬ2はそれぞれカバー部材３３の下面３３ａから入射し、カバー部材３３を透過したのちカバー部材３３の上面３３ｂに設けられたビームスプリッタ４１に入射する。ビームスプリッタ４１に達したレーザ光ビームＬ2の一部はレーザ光ビームＬ3としてカバー部材３３を透過し、下面３３ａから出射する。出射したレーザ光ビームＬ3は第１の光検出部３５に入射し、その一部は第１の光検出部３５の上面とカバー部材３３の下面３３ａとで反射し、第２の光検出部３６に入射する。
【０００６】図７は従来の他の光ピックアップ装置の構成を断面図で示す。この光ピックアップ装置は、図６に示した光ピックアップ装置における反射ミラー４０の代わりにプリズム５０を用いたものである。
【０００７】以下、光ピックアップ装置に用いられる光源について説明する。光ピックアップ装置の光源としては、ガリウムヒ素（以下、ＧａＡｓと記す）基板上にエピタキシャル成長されたガリウムアルミニウムヒ素（以下、ＧａＡｌＡｓと記す）系のダブルヘテロ構造レーザが一般に使用されている。図８はその構成を斜視図で示す。図において、８１はガリウムアルミニウムヒ素（Ｇａ1-xＡｌxＡｓ）で構成された活性層であり、アルミニウムの組成比によって発振波長を６８０〜８８０ｎｍの範囲で選ぶことができる。たとえば、コンパクトディスクおよびビデオディスク用には７８０ｎｍの波長が使用され、光ディスク用高出力レーザには８３０ｎｍまたは７８０ｎｍの波長が使用されている。８２ａ，８２ｂはガリウムアルミニウムヒ素（Ｇａ1-yＡｌyＡｓ）で構成されたクラッド層であり、キャリア（電子、正孔）と光とを活性層８１内に閉じ込める役目をする。８３はＧａＡｓで構成されたキャップ層であり、電極抵抗を小さくするために設けられている。
【０００８】上記各層の集合体であるレーザチップの通常の大きさは、０．２５×０．３×０．１２ｍｍ程度であって非常に小さい。活性層８１にはｐｎ接合が形成され、ｐ電極８４を正、ｎ電極８５を負にして電圧を印加することにより活性層８１に電子と正孔が注入され、ある電流値でレーザ発振が起きる。レーザチップは通常、成長層側を下にして、銅ブロック８６上にシリコンなどにより構成したサブマウント８８上にろう材８７を介してマウントされる。レーザ共振器を構成するために必要な反射鏡８９は結晶のへき開面を利用して作られる。
【０００９】図９は図６に示した光ピックアップ装置における半導体レーザ素子３７と反射ミラー４０の近傍を拡大断面図で示す。半導体レーザ素子３７において、発光点のある活性層８１とキャツプ層８３側の端面までの高さＺ1は通常１０μｍ程度と小さいが、エピタキシャル成長により作成されるため高さＺ1の精度は高く、±１μｍ以下程度にできる。一方、活成層８１とＧａＡｓ基板８０側の端面までの高さＺ2は１００μｍ程度と大きく、その精度はＧａＡｓ基板８０の厚さ精度に依存する。ＧａＡｓ基板８０はウエハーを研磨またはエッチングして加工されるので、その厚さ精度は±１０μｍ程度であって、高さＺ1の精度に比べて数値が非常に大きい。
【００１０】シリコンの半導体基板３４の段差部分は上面３４ａをエッチングして加工される。エッチングの深さ（Ｈ1＋Ｈ2）は、エッチング時間の短縮および加工精度の確保のために、なるべく小さい方が望ましい。しかし、半導体レーザ素子３７の出射光Ｌ1のＮＡ（Numerical Aperture）値を大きくするためには、深さ（Ｈ1＋Ｈ2）を半導体レーザ素子３７の高さの２倍程度、すなわち２００μｍ程度にする必要があり、非常に大きな値となる。エッチングの深さを浅くしながらＮＡ値を大きくするために、半導体レーザ素子３７の発光点と反射ミラー４０との距離Ｘ1を可能な限り小さくする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光ピックアップ装置では、半導体基板上に半導体レーザ素子と光検出器とを備えた構成において、光ディスクからの戻り光をホログラム素子などの分割手段で光検出器に入射させ、たとえば、ビームサイズ法でフォーカシングエラー信号を検出する場合、２つの光検出器の一方は焦点の前で、他方は焦点の後で受光するように構成する必要があるが、光検出器をホログラム素子と平行に配置している従来の構成においては、ホログラム素子と２つの光検出器との距離が同じであるため、ホログラム素子の分割パワーを操作して、焦点位置をずらす構成が必要である。そのためには、その構成に適合した特別なホログラム素子を作成しなければならない。
【００１２】また、ＮＡ値を大きくするためには、図１０R>０に示したように、発光点と反射ミラー４０との距離Ｘ1を小さくすればよいが、あまり小さくすると半導体レーザ素子３７のＧａＡｓ基板側の高さＺ2が大きいので出射光が半導体レーザ素子３７の出射端面の部分３７ｄで遮られ、光の利用効率が低下するので、距離Ｘ1を小さくするには限度がある。
【００１３】また、図１１に示したように、ＮＡ値を大きくするために、半導体レーザ素子３７をＧａＡｓ基板側で半導体基板３４に固定した構成においては、光が半導体レーザ素子３７で遮られることは少なくなる。この場合、半導体レーザ素子３７のＺ2の寸法精度がＺ1に比べて悪いので発光点の高さ精度が得られず、図６における光検出器３５と光検出器３６における光スポットの大きさが変わってしまうと言う不都合がある。また、上面３４ａの高さＨ1を高くする必要があり、エッチングによる加工ができず、また、深く加工することが困難であるという問題がある。
【００１４】また、図７に示した構成においては、プリズム５０を容易に大きくできるのでＮＡ値は大きくできるが、Ｚ2の寸法精度が悪く、また、プリズムの添付精度が悪く、さらに、基板３４とプリズム５０が別部品なので製造しにくいといった問題がある。
【００１５】本発明は上記課題を解決するもので、小型化しながら高精度に製作でき、かつＮＡ値を大きくできる光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成するために、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置である。
【００１７】
【作用】本発明は上記構成において、半導体基板と反射ミラーとに共通な垂直面を含まない光軸を有する出射光の反射光は、半導体レーザ素子の出射端面を反射ミラーに近接して配置しても出射端面に当たらない方向に反射する。
【００１８】
【実施例】
（実施例１）以下、本発明の実施例の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例の光ピックアップ装置の構成を概略側断面図で示す。まず、本発明の光ピックアップ装置における半導体基板１と半導体レーザ素子２との位置関係について説明する。図２（ａ）は本実施例の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子とその近傍とを部分上面図で示し、図２（ｂ）は同側断面図で示す。図において、１は半導体基板、１ａはその表面、１ｂは半導体基板１をエッチング加工により形成された所定深さを有する凹部分の底部、２は半導体レーザ素子、３は前記凹部分における傾斜した平らな段差面で構成された反射ミラーである。半導体レーザ素子２は、図２（ａ）に示したように、その成長層側の面を底部１ｂに貼り付けて固定され、また、半導体レーザ素子２の出射端面の底面に平行な稜線を、底部１ｂの面と反射ミラー３との交線１ｃに対して傾けて取り付けることにより、半導体レーザ素子２の出射光の光軸が反射ミラー３と半導体基板１とに共通な垂直面に交差するように配置される。この設定により、反射光１０が半導体レーザ素子２の出射端面から遠ざかるように反射し、半導体レーザ素子２の発光点と反射ミラーとの距離を小さくしても反射光が半導体レーザ素子２の端面で遮られ難くなり、したがって、レーザ光の反射ミラー３への入射角を大きくしてＮＡ値を大きくできる。
【００１９】つぎに本発明の実施例の光ピックアップ装置の動作について説明する。図１において、反射光１０が半導体基板１に対して斜めに出射されるため、半導体基板１を傾け、光ディスク１１に対して反射光１０が垂直に入射するように設定する。半導体基板１の上面にはトラック方向（以下、Ｘ方向と記す）に関して、反射ミラー３上の反射中心を挟むように２分割光検出器５と２分割光検出器６とが配置され、また、光ディスク１１の半径方向（以下、Ｙ方向と記す）に関し、反射ミラー３上の反射中心を挟むように３分割光検出器７と３分割光検出器８とが配置されている。さらに、ガラスブロック１２の互いに平行に対向する表面のうち、反射ミラー３に対向する表面上にホログラム（以下、ＨＯＥと記す）素子ＨＯＥ1１３が形成され、もう一方の表面にＨＯＥ2１４が形成されている。ここで、２分割光検出器５と２分割光検出器６はそれぞれＸ方向の分割線で分割した２つの受光領域を構成し、３分割光検出器７と３分割光検出器８はそれぞれＹ方向の分割線で分割した３つの受光領域を構成する。
【００２０】上記構成において、半導体レーザ素子２から出射されたレーザ光９は反射ミラー３で反射され、反射光１０はＨＯＥ1１３とＨＯＥ2１４を透過して、０次光が対物レンズ１７で光ディスク１１に集光される。光ディスク１１からの戻り光は、対物レンズ１７を通って、ＨＯＥ1１３に入射してＸ方向に回折され、その±１次光は２分割光検出器５と２分割光検出器６で受光される。この２分割光検出器５と２分割光検出器６の出力信号からプッシュプル法によりトラッキングエラー信号と情報信号とを取り出す。また、ＨＯＥ2１４でＹ方向に回折された±１次光は、３分割光検出器７と３分割光検出器８で受光され、その出力信号からビームサイズ法によりフォーカシングエラー信号を取り出す。
【００２１】すなわち、２分割光検出器５と２分割光検出器６の受光素子５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂのそれぞれの光電出力をＴ5A，Ｔ5B，Ｔ6A，Ｔ6Bとすると、トラッキングエラー信号は、（Ｔ5A−Ｔ5B）＋（Ｔ6A−Ｔ6B）
なる演算により得ることができる。
【００２２】また、３分割光検出器７と３分割光検出器８の各受光素子を７Ａ，７Ｂ，７Ｃと８Ａ，８Ｂ，８Ｃとし、それらの出力をそれぞれＦ7A，Ｆ7B，Ｆ7CとＦ8A，Ｆ8B，Ｆ8Cとするとフォーカシングエラー信号は、（Ｆ7B＋Ｆ7C−Ｆ7A）−（Ｆ8B＋Ｆ8C−Ｆ8A）
なる演算により得ることができる。
【００２３】以上のように本実施例によれば、半導体レーザ素子の出射端面稜線が反射ミラーの稜線に対して傾斜させることにより出射光軸を半導体基板と反射ミラーとに共通な垂直面に交差させ、また、発光点と反射ミラーとの距離を小さく配置することにより、反射光が半導体レーザ素子の端面で遮られることなくＮＡ値を大きくできる。
【００２４】また、本実施例によれば、フォーカシングエラー信号を得るための分割用のＨＯＥ2１４の分割のパワーを均等にしても、ＨＯＥ2１４と３分割光検出器７との距離と、ＨＯＥ2１４と３分割光検出器８との距離とが異なっているため、３分割光検出器７と３分割光検出器８に入射する光は、焦点を前後とすることができる。
【００２５】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）は本実施例の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子とその近傍とを部分上面図で示し、図３（ｂ）は同側断面図で示す。図において、図２の実施例と同じ構成要素には同一番号を付与して説明を省略する。本実施例が第１の実施例と異なる点は、半導体レーザ素子２の２次へき開をレーザ光出射部分に対して均等ではなく、大きく偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ素子２の端部近傍から出射するようにしている。したがって、発光点を実施例１の場合よりもさらに反射ミラー３により近づけて設定できるので、ＮＡ値を大きくしても反射面の面積を小さくでき、したがって、エッチングにより加工した反射ミラーの深さが浅くて済み、より製作し易くなる。
【００２６】以上のように本実施例によれば、半導体レーザ素子２の２次へき開をレーザ光出射部分に対して均等ではなく、大きく偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ素子２の端部近傍から出射するようにするとともに、半導体レーザ素子の出射端面稜線が反射面の稜線に対して傾斜させて出射光の光軸を半導体面と反射面との共通な垂直面に交差させ、かつ、発光点と反射ミラーとの距離を小さく配置することにより、ＮＡ値を大きくできる。
【００２７】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。図４は本実施例の光ピックアップ装置の構成を部分上面図で示す。図４において、１は半導体基板、２は半導体レーザ素子、３は半導体基板１の上面をエッチング加工して形成した多角形の凹部の傾斜した平らな段差面により構成した反射ミラーであり、半導体レーザ素子２は実施例１と同様に、出射端面稜線が反射ミラー稜線に傾斜するように配置することにより、反射したレーザ光９が半導体レーザ素子２に干渉しないように設定している。また、１２は反射ミラー３の面に設けた段差であり、レーザ光９の当たっている反射面だけを半導体レーザ素子の出射端面に近付けて配置し、ＮＡ値を大きくしても反射面の面積を小さくでき、反射ミラー３のエッチング加工の深さを浅くできるので製作が容易になる。
【００２８】また、４はレーザ光９の出射パワーをモニタする後方モニタ用光検出器、５および６は２分割光検出器、７および８は３分割光検出器である。後方モニタ用光検出器４の位置は２分割光検出器５および６と、３分割光検出器７および８とレーザ光が干渉しない位置に設定できるため、前記各光検出器を凹部分に近づけて配置でき、小型化が可能となる。また、後方モニタ用光検出器４の後方には他の光検出器がなく、半導体レーザ素子２の後方出射光が後方モニタ用光検出器４以外の光検出器に入射しないので、オフセットなどを生じることがない。また、後方モニタ用光検出器４における反射光は反射ミラー３における反射光１０と方向が９０度程度ずれているので、半導体レーザ素子２の後方出射光が対物レンズなどに入射することを防止できる。
【００２９】図５（ａ），図５（ｂ）に半導体レーザ素子２を反射ミラー３に対して斜めにマウントする場合の実施例を上面図で示す。
【００３０】図５（ａ）は半導体基板１をエッチングで加工した段差面を複数個有する多角形の凹部の底面１ｂに、実施例１と同様に半導体レーザ素子２の出射端面稜線が反射ミラーの稜線に対して斜めになるように配置したときに、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが、ほぼ前記段差面の稜線部分に位置するように設定しておき、半導体レーザ素子２を凹部の底面にマウントするとき、この四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと４つの段差面との隙間Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄが均等になるように配置すれば、容易に所定の位置と角度でマウントできる。
【００３１】図５（ｂ）は半導体基板１をエッチング加工で凹部を形成し、半導体レーザ素子２をその出射端面稜線が反射ミラー３の稜線に対して斜めになるように配置したとき、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対向する部分に角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄを設けておく。半導体レーザ素子２をマウントするとき、この角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄに半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが一致するように配置すれば、容易に望んだ位置および角度でマウントできる。
【００３２】以上のように、本発明の実施例の光ピックアップ装置によれば、容易に反射ミラー３に対して、半導体レーザ素子２を斜めに精度よくマウントすることが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発明は、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置したことにより、フォーカシングエラー信号を得るためのホログラム素子での分割パワーを特別に変化させなくても、分割素子の距離が異なっているため、適正な配置にすることができ、また、レーザ光の一部と半導体レーザ素子との干渉がなくなり、十分なＮＡ値が確保できる。
【００３４】また、反射ミラーのレーザ光の当たっていない半導体レーザ素子側の部分を逃がす構成にすることにより、半導体レーザ素子と反射ミラーをさらに近づけることが可能となり、半導体基板をエッチングして作る反射ミラーの深さが浅くて済み、製作がより容易になる。また、半導体レーザ素子からのレーザ光出射位置を、半導体レーザ素子の直上から見て、中央よりも反射ミラー面に近い側へオフセットすることにより、半導体レーザ素子の発光点を反射ミラーにより近づけることが可能となり、上記と同様の効果が得られる。さらに、半導体レーザ素子の位置決め用マークを半導体基板上にエッチングにより設けることにより、半導体レーザ素子をマウントするとき、斜めに位置決めすることが大変容易になる。また、エッチングで反射ミラー面と同時に製作するために、位置決め用マークの製作も容易で、精度も高いものにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における光ピックアップ装置の構成を示す概略側断面図
【図２】（ａ）本発明の第１の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図
（ｂ）同側断面図
【図３】（ａ）本発明の第２の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図
（ｂ）同側断面図
【図４】本発明の第３の実施例における半導体基板上の半導体レーザ素子、反射ミラーおよび光検出器の位置関係を示す上面図
【図５】（ａ）本発明の第３の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の他の位置関係を示す上面図
（ｂ）同変形例の上面図
【図６】従来の光ピックアップ装置の一構成例を示す断面図
【図７】従来の光ピックアップ装置の他の構成例を示す断面図
【図８】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の構成を示す斜視図
【図９】光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ素子と反射ミラーとの近傍を拡大して示す断面図
【図１０】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図
【図１１】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図
【符号の説明】
１ 半導体基板
２ 半導体レーザ素子
３ 反射ミラー
５ ２分割光検出器
６ ２分割光検出器
７ ３分割光検出器
８ ３分割光検出器
９ 出射光
１０ 反射光
１１ 光ディスク
１３ ホログラム素子
１４ ホログラム素子
１７ 対物レンズ
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク装置などに用いられる光ピックアップ装置を小型化するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザ光を用いた記録再生装置が普及しつつあるが、そこに用いられる光ピックアップ装置の小型化が課題である。
【０００３】以下、従来の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。光ピックアップ装置を小型化する手段の一つは光学系の小型化であり、その手段として、シリコンの基板上に半導体レーザ素子や光検出器を一体化した光ピックアップ装置が種々提案されている。たとえば、特開昭６４−４６２４３号公報には図６および図７に示す光ピックアップ装置が開示されている。
【０００４】図６は上記従来の光ピックアップ装置の光学系の構成を断面図で示す。図において、半導体基板３４の上面３４ａおよび３４ｂとカバー部材３３の下面３３ａとが空間を介して対向するように配置され、半導体基板３４の上面３４ａには第１の光検出部３５と第２の光検出部３６とが形成され、また、半導体基板３４の上面３４ｂには半導体レーザ素子３７とモニタ用光検出部３８とが形成されている。上面３４ｂが上面３４ａに対して低くなるように段差が形成され、その段差面が半導体レーザ素子３７から出射するレーザ光ビームＬ1 に対向する全反射グレーティング部（以下、反射ミラーと記す）４０を構成している。半導体基板３４の上面３４ａは、たとえば、エッチング処理により精度よく加工されている。また、カバー部材３３の上面３３ｂにはホログラム素子により形成されたビームスプリッタ４１が設けられている。
【０００５】上記の構成において動作を説明すると、半導体レーザ素子３７から出射したレーザ光ビームＬ1 が、半導体基板３４の上面３４ａに設けられた反射ミラー４０により３本のレーザ光ビームＬ2 に分割され、上方に反射される。それら３本のレーザ光ビームＬ2はそれぞれカバー部材３３の下面３３ａから入射し、カバー部材３３を透過したのちカバー部材３３の上面３３ｂに設けられたビームスプリッタ４１に入射する。ビームスプリッタ４１に達したレーザ光ビームＬ2の一部はレーザ光ビームＬ3としてカバー部材３３を透過し、下面３３ａから出射する。出射したレーザ光ビームＬ3は第１の光検出部３５に入射し、その一部は第１の光検出部３５の上面とカバー部材３３の下面３３ａとで反射し、第２の光検出部３６に入射する。
【０００６】図７は従来の他の光ピックアップ装置の構成を断面図で示す。この光ピックアップ装置は、図６に示した光ピックアップ装置における反射ミラー４０の代わりにプリズム５０を用いたものである。
【０００７】以下、光ピックアップ装置に用いられる光源について説明する。光ピックアップ装置の光源としては、ガリウムヒ素（以下、ＧａＡｓと記す）基板上にエピタキシャル成長されたガリウムアルミニウムヒ素（以下、ＧａＡｌＡｓと記す）系のダブルヘテロ構造レーザが一般に使用されている。図８はその構成を斜視図で示す。図において、８１はガリウムアルミニウムヒ素（Ｇａ1-xＡｌxＡｓ）で構成された活性層であり、アルミニウムの組成比によって発振波長を６８０〜８８０ｎｍの範囲で選ぶことができる。たとえば、コンパクトディスクおよびビデオディスク用には７８０ｎｍの波長が使用され、光ディスク用高出力レーザには８３０ｎｍまたは７８０ｎｍの波長が使用されている。８２ａ，８２ｂはガリウムアルミニウムヒ素（Ｇａ1-yＡｌyＡｓ）で構成されたクラッド層であり、キャリア（電子、正孔）と光とを活性層８１内に閉じ込める役目をする。８３はＧａＡｓで構成されたキャップ層であり、電極抵抗を小さくするために設けられている。
【０００８】上記各層の集合体であるレーザチップの通常の大きさは、０．２５×０．３×０．１２ｍｍ程度であって非常に小さい。活性層８１にはｐｎ接合が形成され、ｐ電極８４を正、ｎ電極８５を負にして電圧を印加することにより活性層８１に電子と正孔が注入され、ある電流値でレーザ発振が起きる。レーザチップは通常、成長層側を下にして、銅ブロック８６上にシリコンなどにより構成したサブマウント８８上にろう材８７を介してマウントされる。レーザ共振器を構成するために必要な反射鏡８９は結晶のへき開面を利用して作られる。
【０００９】図９は図６に示した光ピックアップ装置における半導体レーザ素子３７と反射ミラー４０の近傍を拡大断面図で示す。半導体レーザ素子３７において、発光点のある活性層８１とキャツプ層８３側の端面までの高さＺ1は通常１０μｍ程度と小さいが、エピタキシャル成長により作成されるため高さＺ1の精度は高く、±１μｍ以下程度にできる。一方、活成層８１とＧａＡｓ基板８０側の端面までの高さＺ2は１００μｍ程度と大きく、その精度はＧａＡｓ基板８０の厚さ精度に依存する。ＧａＡｓ基板８０はウエハーを研磨またはエッチングして加工されるので、その厚さ精度は±１０μｍ程度であって、高さＺ1の精度に比べて数値が非常に大きい。
【００１０】シリコンの半導体基板３４の段差部分は上面３４ａをエッチングして加工される。エッチングの深さ（Ｈ1＋Ｈ2）は、エッチング時間の短縮および加工精度の確保のために、なるべく小さい方が望ましい。しかし、半導体レーザ素子３７の出射光Ｌ1のＮＡ（Numerical Aperture）値を大きくするためには、深さ（Ｈ1＋Ｈ2）を半導体レーザ素子３７の高さの２倍程度、すなわち２００μｍ程度にする必要があり、非常に大きな値となる。エッチングの深さを浅くしながらＮＡ値を大きくするために、半導体レーザ素子３７の発光点と反射ミラー４０との距離Ｘ1を可能な限り小さくする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光ピックアップ装置では、半導体基板上に半導体レーザ素子と光検出器とを備えた構成において、光ディスクからの戻り光をホログラム素子などの分割手段で光検出器に入射させ、たとえば、ビームサイズ法でフォーカシングエラー信号を検出する場合、２つの光検出器の一方は焦点の前で、他方は焦点の後で受光するように構成する必要があるが、光検出器をホログラム素子と平行に配置している従来の構成においては、ホログラム素子と２つの光検出器との距離が同じであるため、ホログラム素子の分割パワーを操作して、焦点位置をずらす構成が必要である。そのためには、その構成に適合した特別なホログラム素子を作成しなければならない。
【００１２】また、ＮＡ値を大きくするためには、図１０R>０に示したように、発光点と反射ミラー４０との距離Ｘ1を小さくすればよいが、あまり小さくすると半導体レーザ素子３７のＧａＡｓ基板側の高さＺ2が大きいので出射光が半導体レーザ素子３７の出射端面の部分３７ｄで遮られ、光の利用効率が低下するので、距離Ｘ1を小さくするには限度がある。
【００１３】また、図１１に示したように、ＮＡ値を大きくするために、半導体レーザ素子３７をＧａＡｓ基板側で半導体基板３４に固定した構成においては、光が半導体レーザ素子３７で遮られることは少なくなる。この場合、半導体レーザ素子３７のＺ2の寸法精度がＺ1に比べて悪いので発光点の高さ精度が得られず、図６における光検出器３５と光検出器３６における光スポットの大きさが変わってしまうと言う不都合がある。また、上面３４ａの高さＨ1を高くする必要があり、エッチングによる加工ができず、また、深く加工することが困難であるという問題がある。
【００１４】また、図７に示した構成においては、プリズム５０を容易に大きくできるのでＮＡ値は大きくできるが、Ｚ2の寸法精度が悪く、また、プリズムの添付精度が悪く、さらに、基板３４とプリズム５０が別部品なので製造しにくいといった問題がある。
【００１５】本発明は上記課題を解決するもので、小型化しながら高精度に製作でき、かつＮＡ値を大きくできる光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成するために、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置である。
【００１７】
【作用】本発明は上記構成において、半導体基板と反射ミラーとに共通な垂直面を含まない光軸を有する出射光の反射光は、半導体レーザ素子の出射端面を反射ミラーに近接して配置しても出射端面に当たらない方向に反射する。
【００１８】
【実施例】
（実施例１）以下、本発明の実施例の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例の光ピックアップ装置の構成を概略側断面図で示す。まず、本発明の光ピックアップ装置における半導体基板１と半導体レーザ素子２との位置関係について説明する。図２（ａ）は本実施例の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子とその近傍とを部分上面図で示し、図２（ｂ）は同側断面図で示す。図において、１は半導体基板、１ａはその表面、１ｂは半導体基板１をエッチング加工により形成された所定深さを有する凹部分の底部、２は半導体レーザ素子、３は前記凹部分における傾斜した平らな段差面で構成された反射ミラーである。半導体レーザ素子２は、図２（ａ）に示したように、その成長層側の面を底部１ｂに貼り付けて固定され、また、半導体レーザ素子２の出射端面の底面に平行な稜線を、底部１ｂの面と反射ミラー３との交線１ｃに対して傾けて取り付けることにより、半導体レーザ素子２の出射光の光軸が反射ミラー３と半導体基板１とに共通な垂直面に交差するように配置される。この設定により、反射光１０が半導体レーザ素子２の出射端面から遠ざかるように反射し、半導体レーザ素子２の発光点と反射ミラーとの距離を小さくしても反射光が半導体レーザ素子２の端面で遮られ難くなり、したがって、レーザ光の反射ミラー３への入射角を大きくしてＮＡ値を大きくできる。
【００１９】つぎに本発明の実施例の光ピックアップ装置の動作について説明する。図１において、反射光１０が半導体基板１に対して斜めに出射されるため、半導体基板１を傾け、光ディスク１１に対して反射光１０が垂直に入射するように設定する。半導体基板１の上面にはトラック方向（以下、Ｘ方向と記す）に関して、反射ミラー３上の反射中心を挟むように２分割光検出器５と２分割光検出器６とが配置され、また、光ディスク１１の半径方向（以下、Ｙ方向と記す）に関し、反射ミラー３上の反射中心を挟むように３分割光検出器７と３分割光検出器８とが配置されている。さらに、ガラスブロック１２の互いに平行に対向する表面のうち、反射ミラー３に対向する表面上にホログラム（以下、ＨＯＥと記す）素子ＨＯＥ1１３が形成され、もう一方の表面にＨＯＥ2１４が形成されている。ここで、２分割光検出器５と２分割光検出器６はそれぞれＸ方向の分割線で分割した２つの受光領域を構成し、３分割光検出器７と３分割光検出器８はそれぞれＹ方向の分割線で分割した３つの受光領域を構成する。
【００２０】上記構成において、半導体レーザ素子２から出射されたレーザ光９は反射ミラー３で反射され、反射光１０はＨＯＥ1１３とＨＯＥ2１４を透過して、０次光が対物レンズ１７で光ディスク１１に集光される。光ディスク１１からの戻り光は、対物レンズ１７を通って、ＨＯＥ1１３に入射してＸ方向に回折され、その±１次光は２分割光検出器５と２分割光検出器６で受光される。この２分割光検出器５と２分割光検出器６の出力信号からプッシュプル法によりトラッキングエラー信号と情報信号とを取り出す。また、ＨＯＥ2１４でＹ方向に回折された±１次光は、３分割光検出器７と３分割光検出器８で受光され、その出力信号からビームサイズ法によりフォーカシングエラー信号を取り出す。
【００２１】すなわち、２分割光検出器５と２分割光検出器６の受光素子５Ａ，５Ｂ，６Ａ，６Ｂのそれぞれの光電出力をＴ5A，Ｔ5B，Ｔ6A，Ｔ6Bとすると、トラッキングエラー信号は、（Ｔ5A−Ｔ5B）＋（Ｔ6A−Ｔ6B）
なる演算により得ることができる。
【００２２】また、３分割光検出器７と３分割光検出器８の各受光素子を７Ａ，７Ｂ，７Ｃと８Ａ，８Ｂ，８Ｃとし、それらの出力をそれぞれＦ7A，Ｆ7B，Ｆ7CとＦ8A，Ｆ8B，Ｆ8Cとするとフォーカシングエラー信号は、（Ｆ7B＋Ｆ7C−Ｆ7A）−（Ｆ8B＋Ｆ8C−Ｆ8A）
なる演算により得ることができる。
【００２３】以上のように本実施例によれば、半導体レーザ素子の出射端面稜線が反射ミラーの稜線に対して傾斜させることにより出射光軸を半導体基板と反射ミラーとに共通な垂直面に交差させ、また、発光点と反射ミラーとの距離を小さく配置することにより、反射光が半導体レーザ素子の端面で遮られることなくＮＡ値を大きくできる。
【００２４】また、本実施例によれば、フォーカシングエラー信号を得るための分割用のＨＯＥ2１４の分割のパワーを均等にしても、ＨＯＥ2１４と３分割光検出器７との距離と、ＨＯＥ2１４と３分割光検出器８との距離とが異なっているため、３分割光検出器７と３分割光検出器８に入射する光は、焦点を前後とすることができる。
【００２５】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）は本実施例の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子とその近傍とを部分上面図で示し、図３（ｂ）は同側断面図で示す。図において、図２の実施例と同じ構成要素には同一番号を付与して説明を省略する。本実施例が第１の実施例と異なる点は、半導体レーザ素子２の２次へき開をレーザ光出射部分に対して均等ではなく、大きく偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ素子２の端部近傍から出射するようにしている。したがって、発光点を実施例１の場合よりもさらに反射ミラー３により近づけて設定できるので、ＮＡ値を大きくしても反射面の面積を小さくでき、したがって、エッチングにより加工した反射ミラーの深さが浅くて済み、より製作し易くなる。
【００２６】以上のように本実施例によれば、半導体レーザ素子２の２次へき開をレーザ光出射部分に対して均等ではなく、大きく偏らせ、レーザ光９が半導体レーザ素子２の端部近傍から出射するようにするとともに、半導体レーザ素子の出射端面稜線が反射面の稜線に対して傾斜させて出射光の光軸を半導体面と反射面との共通な垂直面に交差させ、かつ、発光点と反射ミラーとの距離を小さく配置することにより、ＮＡ値を大きくできる。
【００２７】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例の光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。図４は本実施例の光ピックアップ装置の構成を部分上面図で示す。図４において、１は半導体基板、２は半導体レーザ素子、３は半導体基板１の上面をエッチング加工して形成した多角形の凹部の傾斜した平らな段差面により構成した反射ミラーであり、半導体レーザ素子２は実施例１と同様に、出射端面稜線が反射ミラー稜線に傾斜するように配置することにより、反射したレーザ光９が半導体レーザ素子２に干渉しないように設定している。また、１２は反射ミラー３の面に設けた段差であり、レーザ光９の当たっている反射面だけを半導体レーザ素子の出射端面に近付けて配置し、ＮＡ値を大きくしても反射面の面積を小さくでき、反射ミラー３のエッチング加工の深さを浅くできるので製作が容易になる。
【００２８】また、４はレーザ光９の出射パワーをモニタする後方モニタ用光検出器、５および６は２分割光検出器、７および８は３分割光検出器である。後方モニタ用光検出器４の位置は２分割光検出器５および６と、３分割光検出器７および８とレーザ光が干渉しない位置に設定できるため、前記各光検出器を凹部分に近づけて配置でき、小型化が可能となる。また、後方モニタ用光検出器４の後方には他の光検出器がなく、半導体レーザ素子２の後方出射光が後方モニタ用光検出器４以外の光検出器に入射しないので、オフセットなどを生じることがない。また、後方モニタ用光検出器４における反射光は反射ミラー３における反射光１０と方向が９０度程度ずれているので、半導体レーザ素子２の後方出射光が対物レンズなどに入射することを防止できる。
【００２９】図５（ａ），図５（ｂ）に半導体レーザ素子２を反射ミラー３に対して斜めにマウントする場合の実施例を上面図で示す。
【００３０】図５（ａ）は半導体基板１をエッチングで加工した段差面を複数個有する多角形の凹部の底面１ｂに、実施例１と同様に半導体レーザ素子２の出射端面稜線が反射ミラーの稜線に対して斜めになるように配置したときに、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが、ほぼ前記段差面の稜線部分に位置するように設定しておき、半導体レーザ素子２を凹部の底面にマウントするとき、この四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと４つの段差面との隙間Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄが均等になるように配置すれば、容易に所定の位置と角度でマウントできる。
【００３１】図５（ｂ）は半導体基板１をエッチング加工で凹部を形成し、半導体レーザ素子２をその出射端面稜線が反射ミラー３の稜線に対して斜めになるように配置したとき、半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに対向する部分に角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄを設けておく。半導体レーザ素子２をマウントするとき、この角部Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄに半導体レーザ素子２の四角２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが一致するように配置すれば、容易に望んだ位置および角度でマウントできる。
【００３２】以上のように、本発明の実施例の光ピックアップ装置によれば、容易に反射ミラー３に対して、半導体レーザ素子２を斜めに精度よくマウントすることが可能となる。
【００３３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発明は、半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レーザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置したことにより、フォーカシングエラー信号を得るためのホログラム素子での分割パワーを特別に変化させなくても、分割素子の距離が異なっているため、適正な配置にすることができ、また、レーザ光の一部と半導体レーザ素子との干渉がなくなり、十分なＮＡ値が確保できる。
【００３４】また、反射ミラーのレーザ光の当たっていない半導体レーザ素子側の部分を逃がす構成にすることにより、半導体レーザ素子と反射ミラーをさらに近づけることが可能となり、半導体基板をエッチングして作る反射ミラーの深さが浅くて済み、製作がより容易になる。また、半導体レーザ素子からのレーザ光出射位置を、半導体レーザ素子の直上から見て、中央よりも反射ミラー面に近い側へオフセットすることにより、半導体レーザ素子の発光点を反射ミラーにより近づけることが可能となり、上記と同様の効果が得られる。さらに、半導体レーザ素子の位置決め用マークを半導体基板上にエッチングにより設けることにより、半導体レーザ素子をマウントするとき、斜めに位置決めすることが大変容易になる。また、エッチングで反射ミラー面と同時に製作するために、位置決め用マークの製作も容易で、精度も高いものにできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における光ピックアップ装置の構成を示す概略側断面図
【図２】（ａ）本発明の第１の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図
（ｂ）同側断面図
【図３】（ａ）本発明の第２の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の位置関係を示す部分上面図
（ｂ）同側断面図
【図４】本発明の第３の実施例における半導体基板上の半導体レーザ素子、反射ミラーおよび光検出器の位置関係を示す上面図
【図５】（ａ）本発明の第３の実施例における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の他の位置関係を示す上面図
（ｂ）同変形例の上面図
【図６】従来の光ピックアップ装置の一構成例を示す断面図
【図７】従来の光ピックアップ装置の他の構成例を示す断面図
【図８】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラー近傍の構成を示す斜視図
【図９】光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ素子と反射ミラーとの近傍を拡大して示す断面図
【図１０】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図
【図１１】従来の光ピックアップ装置における半導体レーザ素子と反射ミラーとの位置関係を示す部分断面図
【符号の説明】
１ 半導体基板
２ 半導体レーザ素子
３ 反射ミラー
５ ２分割光検出器
６ ２分割光検出器
７ ３分割光検出器
８ ３分割光検出器
９ 出射光
１０ 反射光
１１ 光ディスク
１３ ホログラム素子
１４ ホログラム素子
１７ 対物レンズ
【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レ−ザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。
【請求項２】 レーザ光が当たらない反射ミラーの部分であって、半導体レーザ素子が近接する部分を半導体レーザ素子から遠ざけるように削除した請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】 レーザ光の出射位置が出射端面の中央よりも反射ミラーの反射面に近づく位置に偏っている半導体レーザ素子を用いた請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】 段差面の一部が半導体レーザ素子を半導体基板上に固定するときの位置決め用の段差を構成する請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項１】 半導体基板上に装着され、レーザ光を出射する半導体レ−ザ素子と、前記半導体基板を加工して設けた所定高さの傾斜した段差面を反射面とし、前記半導体レ−ザ素子の出射光を反射する反射ミラーと、前記半導体基板上に設けた複数の光検出器と、前記反射ミラーで反射したレーザ光を記録媒体面上に集光する対物レンズと、前記記録媒体面からの戻り光を分割して所定の前記光検出器に入射させるホログラム素子とを備えた光ピックアップ装置において、前記半導体レーザ素子の出射端面を前記反射ミラーに近接させるとともに出射光軸が前記半導体基板と前記反射ミラーとに共通な垂直面に交差するように配置することにより前記反射ミラーで反射したレーザ光が半導体レーザ素子の出射端面に当たらないようにして前記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長層側の面を前記半導体基板上に固定し、前記反射ミラーで反射したレーザ光が前記ホログラム素子に対してほぼ垂直に入射するように前記半導体基板を前記ホログラム素子に対して傾けて配置した光ピックアップ装置。
【請求項２】 レーザ光が当たらない反射ミラーの部分であって、半導体レーザ素子が近接する部分を半導体レーザ素子から遠ざけるように削除した請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】 レーザ光の出射位置が出射端面の中央よりも反射ミラーの反射面に近づく位置に偏っている半導体レーザ素子を用いた請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】 段差面の一部が半導体レーザ素子を半導体基板上に固定するときの位置決め用の段差を構成する請求項１記載の光ピックアップ装置。
【図２】
【図３】
【図１】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図３】
【図１】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開平６−１８０８５２
【公開日】平成６年（１９９４）６月２８日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−３３１４９６
【出願日】平成４年（１９９２）１２月１１日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
【公開日】平成６年（１９９４）６月２８日
【国際特許分類】
【出願日】平成４年（１９９２）１２月１１日
【出願人】（０００００５８４３）松下電子工業株式会社 (43)
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