【課題】 従来の光ピックアップ装置では、アウトガスが半導体レーザーの発光点近傍に進入することを防止するため、ガラスを基材とする光学部品によって、ホルダーの開口部を密閉しているが、光ピックアップ装置のコスト削減のため、当該光学部品の削減または他の材料での代替が進むと、アウトガスの進入が防げなくなる。
【解決手段】 ハウジング１内で２つの収納部１０ａ、１０ｂを区画し、一主面から他の主面まで貫通する貫通孔５が設けられた第１隔壁１ａと、発光素子３を保持して発光素子３からの光が通過する開口部８が設けられ開口部８の周囲が一主面側の貫通孔５の周囲と当接する発光素子ホルダー２と、周辺部が他の主面側の貫通孔９の周囲と当接する回折格子６とを具備し、発光素子ホルダー２、第１隔壁１ａおよび回折格子６によって閉じた空間Ｅが構成され、空間Ｅ内に発光素子３の発光点から回折格子６に至る光の光路が存在する。 （もっと読む）

【課題】多波長半導体レーザ装置の小型化を図ると共に、光ピックアップ装置の小型化及び低コスト化を図りながら、出射光のＳ／Ｎ比を向上させる。
【解決手段】本発明に係る多波長半導体レーザ装置１は、搭載基板２と、第１の基板１１、第１の半導体レーザ素子部２０、及び第１の半導体レーザ素子部２０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子部３０を有する第１の半導体レーザ素子１０と、第２の半導体レーザ素子部３０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子４０とを備えている。第１の半導体レーザ素子部２０は、第１の発光部Ａを含む第１の半導体層２２を有している。第２の半導体レーザ素子部３０は、第２の発光部Ｂを含む第２の半導体層３２を有している。第２の半導体レーザ素子４０は、第２の基板４１と、第３の発光部Ｃを含む第３の半導体層４２とを有している。第２の発光部Ｂは、搭載基板２のＸ方向の中央部Ｃ２の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】 光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行う光ピックアップ装置に組み込まれるレーザー装置として適した半導体レーザー装置を提供する。
【解決手段】 レーザー光を外部に放射する開口部１８がカバー硝子１９によって封止されるように構成されたキャップ１７をレーザー光を生成するレーザーチップ１６が搭載されているステム１３に溶接固定することによって組み立てられる半導体レーザー装置であり、前記カバー硝子１９を波長板にて構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】部品点数を減らすことにより、光ピックアップ装置のベース部材に対する金属カバーの取り付けを容易にしながら、取り付け安定性を損なわない金属カバーを備える光ピックアップを提供すること。
【解決手段】半導体レーザと、光学部材が搭載され、前記半導体レーザが取り付けられるベース部材と、前記半導体レーザを前記ベース部材に固定するカバー部材と、を備える光ピックアップ装置であって、前記カバー部材は、当該カバー部材の周縁部から突出して形成される突片部を備え、前記ベース部材は、前記突片部が挿し込まれることで当該突片部を挟持する挿入構を備えることとする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＬＤ（モードロックレーザ）部とＳＯＡ（半導体光増幅器）を備えたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。
【解決手段】ＳＯＡ１４の入射側導波路の横方向幅を当該ＳＯＡの入射側導波路の水平横モードがマルチモード（ＭＬＬＤ部の出射側導波路の横方向幅よりも大）となるように設定し、且つＳＯＡの入射側光結合において基本モード（シングルモード）が選択励起されるようにＭＬＬＤ部１０からＳＯＡへの入射光の倍率変換を行い、ＳＯＡの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、ＳＯＡ出射光の光強度分布が単峰特性とする。ＭＬＬＤ部からの入射光の倍率を変換（ＳＯＡへの入射光のスポットサイズを拡大）し、ＳＯＡの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。 （もっと読む）

【課題】発光電圧の異常により半導体レーザ素子が破壊されることを防止する。
【解決手段】
光ディスク装置の半導体レーザ素子破壊防止回路が、半導体レーザ素子の発光を指示する旨の発光指示信号を出力する発光指示回路部と、半導体レーザ素子を発光させるために半導体レーザ素子用電源から光出力制御回路部に供給される発光電圧を監視し、発光電圧に異常がないと判断するとき、半導体レーザ素子の発光を許可する旨の発光許可信号を出力する電圧監視回路部と、発光指示信号及び発光許可信号が入力されるときのみ、光出力制御回路部に半導体レーザ素子を発光させる発光許可回路部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部共振器を含むモードロックレーザ部と当該モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する半導体光増幅器とを有して構成されるＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）を記録用光源として用いる光記録システムにおいて、光源の大型化・高コスト化の防止を図りつつ、記録性能劣化の防止を図る。
【解決手段】上記モードロックレーザ部と上記半導体光増幅器との間に配されるアイソレータ部として、偏光ビームスプリッタと１／４波長板との組み合わせによるものを備える。これにより、光記録システムで最も影響が大となるＳＯＡ自己入射成分を少なくとも除去することができ、記録性能劣化の防止が図られる。また、従来用いられていたファラデーアイソレータとの比較でアイソレータ部の小型化、低コスト化が図られる。 （もっと読む）