光電子増倍管
【課題】 安定した検出精度を実現する微細構造の光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 内部が真空に維持された外囲器を備え、該外囲器内に、光電面(22)と、電子増倍部(31)と、陽極(32)とが配置されている。特に、電子増倍部(31)及び陽極(32)を取り囲む外囲器の内部空間に配置されには1又はそれ以上の制御電極(320)が電子増倍部(31)の電子放出端から伸びた1又はそれ以上の接続部を介して電気的に接続されている。この構成において、電子増倍部(31)の電子入射端と電子放出端との間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することより、電子増倍部(31)には、光電面(22)側から陽極(32)側に向かって徐々に増加する電位勾配が形成されるとともに、該電子増倍部(32)の電子放出端と陽極(32)との間に十分な電位差が与えられ、安定した検出精度が得られる。
【解決手段】 内部が真空に維持された外囲器を備え、該外囲器内に、光電面(22)と、電子増倍部(31)と、陽極(32)とが配置されている。特に、電子増倍部(31)及び陽極(32)を取り囲む外囲器の内部空間に配置されには1又はそれ以上の制御電極(320)が電子増倍部(31)の電子放出端から伸びた1又はそれ以上の接続部を介して電気的に接続されている。この構成において、電子増倍部(31)の電子入射端と電子放出端との間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することより、電子増倍部(31)には、光電面(22)側から陽極(32)側に向かって徐々に増加する電位勾配が形成されるとともに、該電子増倍部(32)の電子放出端と陽極(32)との間に十分な電位差が与えられ、安定した検出精度が得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、光電面によって生成された光電子をカスケード増倍する電子増倍部を有する光電子増倍管に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から光センサとして光電子増倍管(PMT:Photo−Multiplier Tube)が知られている。光電子増倍管は、光を電子に変換する光電面(Photocathode)、集束電極、電子増倍部、及び陽極を備え、それらを真空容器に収めて構成される。このような光電子増倍管では、光が光電面に入射すると、光電面から真空容器中に光電子が放出される。その光電子は集束電極によって電子増倍部に導かれ、該電子増倍部によってカスケード増倍される。陽極は増倍された電子のうち到達した電子を信号として出力する(例えば、下記特許文献1及び特許文献2参照)。
【特許文献1】特許第3078905号公報
【特許文献2】特開平4−359855号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
発明者らは、従来の光電子増倍管について検討した結果、以下のような課題を発見した。
【0004】
すなわち、光センサの用途が多様化するにつれ、より小型の光電子増倍管が求められている。一方、このような光電子増倍管の小型化に伴い、当該光電子増倍管を構成する部品に高精度の加工技術が要求されるようになってきた。特に、部品自体の微細化が進めば、該部品間における精密な配置が実現し難くなってくるため、高い検出精度は得られず、また、製造された光電子増倍管ごとに検出精度のバラツキが大きくなってしまう。
【0005】
上述のような状況においても、電子増倍部には、光電面側に位置する端部(電子入射端)と陽極側に位置する端部(電子放出端)との間に所定の電圧が印加される。このとき、電子増倍部では、カスケード増倍された電子が光電面側から陽極側へ向かうよう電位勾配(光電面側から陽極側へ向かって電位が徐々に増加する)が形成される。しかしながら、実際には、陽極と電子増倍部における電子放出端との電位差が十分に与えられなければ、陽極へ到達する二次電子の数が激減してしまい、実用的な検出精度が得られないという課題があった。
【0006】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、より効率的にカスケード増倍された二次電子を取り出すことにより安定した検出精度を実現する微細構造の光電子増倍管を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明に係る光電子増倍管は、光電面によって生成された光電子をカスケード増倍する電子増倍部を有する光センサであって、該光電面の配置位置により、光の入射方向と同じ方向に光電子を放出する透過型光電面を有する光電子増倍管と、光の入射方向と異なる方向に光電子を放出する反射型光電面を有する光電子増倍管がある。
【0008】
具体的に当該光電子増倍管は、光電子増倍管内部が真空状態に維持された外囲器と、該外囲器内に収納された光電面と、該外囲器内に収納された電子増倍部と、少なくとも一部が該外囲器内に収納された陽極と、電子増倍部の電子放出端と陽極との十分な電位差を確保するための1又はそれ以上の制御電極を備える。上記外囲器は、ガラス材料からなる下側フレームと、電子増倍部と陽極とが一体的にエッチング加工された側壁フレームと、ガラス材料又はシリコン材料からなる上側フレームとで構成されている。
【0009】
上記電子増倍部は、電子の進行方向に沿って伸びた溝部を有する。溝部はエッチング技術により微細加工された一対の壁部により規定される。該溝部を規定する一対の壁部それぞれの表面には、光電面からの光電子をカスケード増倍するための二次電子放出面が表面に形成された1又はそれ以上の凸部が、該電子の進行方向に沿って設けられている。このように二次電子放出面が形成された壁部表面に凸部が設けられることにより、陽極に向かう電子が該壁部に衝突する可能性が飛躍的に高くなるため、微細構造においても十分な電子増倍率が得られる。なお、現実的には、二次電子放出面は、凸部表面のみならず、該凸部表面を含む壁部の表面全体及び溝部に挟まれた底部に形成される。
【0010】
特に、この発明に係る光電子増倍管において、1又はそれ以上の制御電極は、電子増倍部及び陽極を取り囲む外囲器の内部空間に配置されている。また、これら制御電極はカスケード増倍された電子が放出される電子増倍部の電子放出端とそれぞれ電気的に接続されるとともに、該電子放出端よりも高い電位に設定される。なお、制御電極の電位は、陽極の電位と等しいかそれ以下であるのが好ましい。
【0011】
この構成により、電子増倍部では、光電面側から陽極側に向かって徐々に電位が増加する電位勾配が形成されるとともに、該電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差が確保される。すなわち、電子増倍部の光電面側に位置する端部と制御電極との間に、該電子増倍部の溝部に電位勾配を形成するための電圧を印加することにより、電子放出端における電位を従来よりも低く設定することができ、その結果、該電子放出端と陽極との間に十分な電位差が確保される。
【0012】
なお、上記制御電極は、電子増倍部の電子放出端から伸びた複数の配線部に接続された状態で、該電子増倍部とともに陽極を挟むよう配置されてもよい。この場合、1つの制御電極が用意されればよい。また、電子増倍部の電子放出端、複数の配線部及び制御電極によって囲まれた領域内に陽極が配置されているような構成であってもよい。
【0013】
また、この発明に係る光電子増倍管において、上記制御電極は、加工し易いシリコンならなるのが好ましい。
【発明の効果】
【0014】
以上のようにこの発明によれば、電子増倍部における電子放出端から延びた配線部に電気的に接続された制御電極をさらに設け、電子入射端と電子放出端の間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することにより、該電子増倍部に電位勾配が形成された状態で電子放出端の電位を従来よりも低下させることができる。その結果、電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差を与えることができ、電子増倍部内でカスケード増倍された二次電子を効率的に陽極へ導くことが可能になる(安定した検出精度が得られる)。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
以下、この発明に係る光電子増倍管の各実施形態を、図1〜図11を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一部分には同一符号を付して、重複する説明を省略する。
【0016】
図1は、この発明に係る光電子増倍管の第1実施形態の構造を示す斜視図である。この図1に示された光電子増倍管1aは、透過型の光電面を有する光電子増倍管であって、上側フレーム2(ガラス基板)と、側壁フレーム3(シリコン基板)と、下側フレーム4(ガラス基板)により構成された外囲器を備える。この光電子増倍管1aは光電面への光の入射方向と、電子増倍部での電子の走行方向が交差する、つまり図1中の矢印Aで示された方向から光が入射されると、光電面から放出された光電子が電子増倍部に入射し、矢印Bで示された方向に該光電子が走行して行くことにより二次電子をカスケード増倍する光電子増倍管である。引き続いて各構成要素について説明する。
【0017】
図2は、図1に示された光電子増倍管1aを上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4に分解して示す斜視図である。上側フレーム2は、矩形平板状のガラス基板20を基材として構成されている。ガラス基板20の主面20aには矩形の凹部201が形成されており、凹部201の外周はガラス基板20の外周に沿うように形成されている。凹部201の底部には光電面22が形成されている。この光電面22は凹部201の長手方向の一端近傍に形成されている。ガラス基板20の主面20aと対向する面20bには孔202が設けられており、孔202は光電面22に達している。孔202内には光電面端子21が配置され、該光電面端子21は光電面22に電気的に接触している。なお、この第1実施形態では、ガラス材料からなる上側フレーム2自体が透過窓として機能する。
【0018】
側壁フレーム3は、矩形平板状のシリコン基板30を基材として構成されている。シリコン基板30の主面30aからそれに対向する面30bに向かって、凹部301及び貫通部302が形成されている。凹部301及び貫通部302は共にその開口が矩形であって、凹部301及び貫通部302は互いに連結されており、その外周はシリコン基板30の外周に沿うように形成されている。
【0019】
凹部301内には電子増倍部31が形成されている。電子増倍部31は、凹部301の底部301aから互いに沿うように立設している複数の壁部311を有する。このように、壁部311それぞれの間には溝部が構成されている。この壁部311の側壁(各溝部を規定する側壁)及び底部301aには二次電子放出材料からなる二次電子放出面が形成されている。壁部311は凹部301の長手方向に沿って設けられており、その一端は凹部301の一端と所定の距離を開けて配置され、他端は貫通部302に臨む位置に配置されている。貫通部302内には陽極32とともに、電子増倍部31の電子放出端から伸びた配線部と電気的に接続された制御電極320が配置されている。これら陽極32及び制御電極320は貫通部302の内壁との間に空隙部を設けて配置されており、下側フレーム4に陽極接合、拡散接合、更には低融点金属(例えばインジウムなど)等の封止材を用いた接合など(以下、単に接合と記載された場合は、これら接合のいずれかを指す)によって固定されている。
【0020】
下側フレーム4は、矩形平板状のガラス基板40を基材として構成されている。ガラス基板40の主面40aからそれに対向する面40bに向かって、孔401、孔402、及び孔403がそれぞれ設けられている。孔401には光電面側端子41が、孔402には陽極端子42が、孔403には制御電極端子43が、それぞれ挿入固定されている。また、陽極端子42は側壁フレーム3の陽極32に電気的に接触する一方、制御電極端子43は側壁フレーム3の制御電極320に電気的に接触している。
【0021】
図3は、図1中のI−I線に沿った光電子増倍管1aの構造示す断面図である。既に説明されたように、上側フレーム2の凹部201の一端における底部分には光電面22が形成されている。光電面22には光電面端子21が電気的に接触しており、光電面端子21を介して光電面22に所定電圧が印加される。上側フレーム2の主面20a(図2参照)と側壁フレーム3の主面30a(図2参照)とが接合(陽極接合、拡散接合、封止材による接合など)されることにより、上側フレーム2が側壁フレーム3に固定される。
【0022】
上側フレーム2の凹部201に対応する位置には側壁フレーム3の凹部301及び貫通部302が配置されている。側壁フレーム3の凹部301には電子増倍部31が配置されており、凹部301の一端の壁と電子増倍部31との間には空隙部301bが形成されている。この場合、上側フレーム2の光電面22の直下に側壁フレーム3の電子増倍部31の一端が位置することになる。側壁フレーム3の貫通部302内には陽極32が配置されている。陽極32は貫通部302の内壁と接しないように配置されているので、陽極32と貫通部302との間には空隙部302aが形成されている。また、陽極32は下側フレーム4の主面40a(図2参照)に接合により固定されている。
【0023】
側壁フレーム3の面30b(図2参照)と下側フレーム4の主面40a(図2参照)とが接合されることにより、下側フレーム4が側壁フレーム3に固定される。このとき、側壁フレーム3の電子増倍部31も下側フレーム4に接合により固定される。それぞれガラス材料からなる上側フレーム2及び下側フレーム4が側壁フレーム3を挟み込んだ状態で、それぞれ該側壁フレームに接合されることにより、当該電子増倍管1aの外囲器が得られる。なお、この外囲器内部には空間が形成されており、これら上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4からなる外囲器を組み立てる際に真空気密の処理がなされて該外囲器の内部が真空状態に維持される(詳細は後述する)。
【0024】
なお、図3には、図示されていないが、陽極32の左右(図3が示された紙面に対して垂直方向)には制御電極320が配置されており、下側フレーム4における陽極端子402の左右にも制御電極端子403が存在する(図2参照)。下側フレーム4の光電面側端子401及び制御電極端子403はそれぞれ側壁フレーム3のシリコン基板30に接触しているので、光電面側端子401及び制御電極端子403にそれぞれ所定の電圧を印加することでシリコン基板30の長手方向(光電面22から光電子が放出される方向と交差する方向、電子増倍部31を二次電子が走行する方向)に電位差を生じさせることができる。また、下側フレーム4の陽極端子402は側壁フレーム3の陽極32に電気的に接触しているので、陽極32に到達した電子を信号として取り出すことができる。
【0025】
図4には、側壁フレーム3の壁部311近傍の構造が示されている。シリコン基板30の凹部301内に配置されている壁部311の側壁には凸部311aが形成されている。凸部311aは対向する壁部311に互い違いになるように交互に配置されている。凸部311aは壁部311の上端から下端まで一様に形成されている。
【0026】
光電子増倍管1aは、以下のように動作をする。すなわち、下側フレーム4の光電面側端子401には−2000Vが、制御電極端子403には0Vがそれぞれ印加されている。なお、シリコン基板30の抵抗は約10MΩである。また、シリコン基板30の抵抗値は、シリコン基板30のボリューム、例えば厚さを変えることによって調整することができる。例えば、シリコン基板の厚さを薄くすることによって、抵抗値を上げることができる。ここで、ガラス材料からなる上側フレーム2を介して光電面22に光が入射すると、光電面22から側壁フレーム3に向けて光電子が放出される。この放出された光電子は、光電面22の直下に位置する電子増倍部31に到達する。シリコン基板30の長手方向には電位差が生じているので、電子増倍部31に到達した光電子は陽極32側へ向かう。電子増倍部31は複数の壁部311で規定される溝が形成されている。したがって、光電面22から電子増倍部31に到達した光電子は壁部311の側壁及び互いに対向する側壁311間の底部301aに衝突し、複数の二次電子を放出する。電子増倍部31では次々に二次電子のカスケード増倍が行われ、光電面から電子増倍部へ到達する光電子1個当たり105〜107個の二次電子が生成される。この生成された二次電子は陽極32に到達し、陽極端子402から信号として取り出される。
【0027】
次に、電子増倍部31における電子放出端と陽極32との電位差を確保するための制御電極の配置について、比較例とともに図5〜8を用いて説明する。
【0028】
図5(a)は、比較例に係る光電子増倍管における陽極32の配置を示す側壁フレーム3の平面図であり、図5(b)は、図5(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0029】
この比較例に係る光電子増倍管では、電子増倍部31の電子放出端付近(裏面コンタクト領域Aとして示された領域)が陽極32と同電位になるよう、光電面側端部と領域Aとの間に所定電圧が印可されている。この場合、図5(b)に示されたように、電子増倍部31における電位勾配は、電子放出端付近で飽和してしまい、該電子放出端と陽極32との間では電位差が生じていない。その結果、電子放出端付近では十分に二次電子が増倍されず、かつ陽極32への到達電子数も激減してしまう(安定した検出精度が得られない)。
【0030】
一方、図6(a)は、この係る光電子増倍管における制御電極320の第1配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図6(b)は、図6(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0031】
この第1配置例では、制御電極320が電子増倍部31とともに陽極32を挟むように配置されるとともに、該電子増倍部31の電子放出端から陽極32を挟むように伸びた複数の配線部と電気的に接続されている。すなわち、この第1配置例では、電子増倍部31、配線部、及び制御電極で取り囲まれた領域内に陽極32が配置されている。また、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0032】
上述のような構成において、電子増倍部31と制御電極320との間にも電圧降下が発生し、該電子増倍部31には、制御電極320に向かって徐々に増加するよう電位勾配が形成され、かつ電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも滑らかな電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0033】
図7(a)は、この発明に係る光電子増倍管における制御電極320の第2配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図7(b)は、図7(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0034】
この第2配置例では、制御電極320が陽極32を挟んだ状態で該陽極32の左右に配置されるとともに、該電子増倍部31の電子放出端から伸びた複数の配線部それぞれと電気的に接続されている。すなわち、この第2配置例では、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0035】
上述のような構成においても、第1配置例と同様に、電子増倍部31には、制御電極320に向かって滑らかな電位勾配が形成されるとともに、電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも滑らかな電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0036】
一方、制御電極320の配置位置は、上述のような陽極32の周辺に限定されるものではない。図8(a)は、この発明に係る光電子増倍管における制御電極320の第3配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図8(b)は、図8(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0037】
この第3配置例では、制御電極320が陽極32の左右ではなく、電子増倍部31を挟むように該電子増倍部31の左右に配置される。このとき、電子増倍部31の電子放出端から伸びた複数の配線部それぞれと電気的に接続されている。この第3配置例では、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0038】
上述のような構成においても、電子増倍部31には、制御電極320に滑らかな電位勾配が形成されるとともに、電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0039】
なお、上述の実施形態では、透過型の光電面を有する光電子電子増倍管について説明したが、この発明に係る光電子増倍管は、反射型の光電面を有していてもよい。例えば、電子増倍部31に、その陽極側端とは逆側の端部に光電面を形成することにより、反射型光電面を有する光電子増倍管が得られる。また、電子増倍部31の陽極側とは逆の端部側に陽極側に対面する傾斜面を形成し、この傾斜面上に光電面を形成することによっても反射型の光電子増倍管が得られる。いずれの構造でも、他の構造は上述の電子増倍管1aと同様の構造を有した状態で、反射型の光電面を有する光電子増倍管が得られる。
【0040】
また、上述の実施形態では、外囲器内に配置される電子増倍部31が側壁フレーム3を構成するシリコン基板30と接触した状態で一体形成されている。しかしながら、このように側壁フレーム3と電子増倍部31とが接触した状態では、該電子増倍部31が側壁フレーム3を介した外部雑音の影響を受けてしまい、検出精度が低下する可能性がある。そこで、側壁フレーム3と一体的に形成される電子増倍部31及び陽極32は、該側壁フレーム3から所定距離離間した状態で、ガラス基板40(下側フレーム4)にそれぞれ配置されてもよい。具体的には、空隙部301bが貫通部になり、光電面側端子401は電子増倍部31の光電面側端部に電気的に接触するように配置される。
【0041】
さらに、上述の実施形態では、外囲器の一部を構成する上側フレーム2がガラス基板20で構成されており、このガラス基板20自体が透過窓と機能している。しかしながら、上側フレーム2はシリコン基板で構成されてもよい。この場合、該上側フレーム2又は側壁フレーム3の何れかに、透過窓が形成される。透過窓の形成方法は、例えば、スパッタガラス基板の両面がシリコン基板で挟まれたSOI(Silicon OnInsulator)基板の両面をエッチングし、露出したスパッタガラス基板の一部を透過窓として利用することができる。また、シリコン基板に数μmで柱状又はメッシュ状のパターンを形成し、この部分を熱酸化させることでガラス化してもよい。また、透過窓形成域のシリコン基板を厚さ数μm程度になるようエッチングし、熱酸化させることでガラス化させてもよい。この場合、シリコン基板の両面からエッチングしてもよいし、片側のみからエッチングしてもよい。
【0042】
次に、図1に示された光電子増倍管1aの製造方法の一例について説明する。当該光電子増倍管を製造する場合には、直径4インチのシリコン基板(図2の側壁フレーム3の構成材料)と、同形状の2枚のガラス基板(図2の上側フレーム2及び下側フレーム4の構成材料)とが準備される。それらには、微小な領域(例えば、数ミリ四方)ごとに以下に説明する加工が施される。以下に説明する加工が終了すると領域ごとに分割して光電子増倍管が完成する。引き続いて、その加工方法について、図9及び図10を用いて説明する。
【0043】
まず、図9(a)に示されたように、厚さ0.3mm、比抵抗30kΩ・cmのシリコン基板50(側壁フレーム3に相当)が準備される。このシリコン基板50の両面にそれぞれシリコン熱酸化膜60及びシリコン熱酸化膜61が形成される。シリコン熱酸化膜60及びシリコン熱酸化膜61は、DEEP−RIE(Reactive Ion Etching)加工時のマスクとして機能する。続いて、図9(b)に示されたように、レジスト膜70がシリコン基板50の裏面側に形成される。レジスト膜70には、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部701が形成されている。この状態でシリコン熱酸化膜61がエッチングされると、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙部に対応する除去部611が形成される。なお、図示されていないが、この際、図2の制御電極320及び配線部に該当する部位等、他の貫通部分に関しても同様の処理が行われる。
【0044】
図9(b)に示された状態からレジスト膜70が除去された後、DEEP−RIE加工が行われる。図9(c)に示されたように、シリコン基板50には、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する空隙部501が形成される。続いて、図9(d)に示されたように、レジスト膜71がシリコン基板50の表面側に形成される。レジスト膜71には、図2の壁部311と凹部301との間の空隙に対応する除去部711と、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部712と、図2の壁部311相互の間の溝に対応する除去部(図示せず)と、が形成されている。この状態でシリコン熱酸化膜60がエッチングされると、図2の壁部311と凹部301との間の空隙に対応する除去部601と、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部602と、図2の壁部311相互の間の溝に対応する除去部(図示せず)と、が形成される。
【0045】
図9(d)の状態からシリコン熱酸化膜61が除去された後、シリコン基板50の裏面側にガラス基板80(下側フレーム4に相当)が陽極接合される(図9(e)参照)。このガラス基板80には、図2の孔401に相当する孔801、図2の孔402に対応する孔802がそれぞれ予め加工されている。なお、図示されていないが、陽極32となる部分の左右(図9が示された紙面に対して垂直方向)には、制御電極320となる部分も形成されており、図2の孔403に対応する孔803も孔802の左右に予め加工されている。続いて、シリコン基板50の表面側では、DEEP−RIE加工が行われる。レジスト膜71はDEEP−RIE加工時のマスク材として機能し、アスペクト比の高い加工を可能にする。DEEP−RIE加工後、レジスト膜71及びシリコン熱酸化膜61が除去される。図10(a)に示されたように、予め裏面から空隙部501の加工がなされていた部分についてはガラス基板80に到達する貫通部が形成されることにより、図2の陽極32に相当する島状部52及び図2の制御電極320及び配線部に相当する構造等(図示せず)がそれぞれ形成される。この陽極32に相当する島状部52はガラス基板80に陽極接合により固定される。また、このDEEP−RIE加工の際に、図2の壁部311間の溝に相当する溝部51と、図2の壁部311と凹部301との空隙に相当する凹部503とも形成される。ここで、溝部51の側壁及び底部301aには二次電子放出面が形成される。
【0046】
続いて、図10(b)に示されたように、上側フレーム2に相当するガラス基板90が準備される。ガラス基板90には座ぐり加工で凹部901(図2の凹部201に相当)が形成されており、ガラス基板90の表面から凹部901に至るように孔902(図2の孔202に相当)が設けられている。図10(c)に示されたように、図2の光電面端子21に相当する光電面端子92が孔902に挿入固定されるとともに、凹部901には光電面91が形成される。
【0047】
図10(a)まで加工が進んだシリコン基板50及びガラス基板80と、図10(c)まで加工が進んだガラス基板90とが、図10(d)に示されたように、真空気密の状態で接合される。その後、図2の光電面側端子41に相当する光電面側端子81が孔801に、図2の陽極端子42に相当する陽極端子82が孔802に、図2の制御電極端子43に相当する制御電極端子83が孔803(図示せず)に、それぞれ挿入固定されることで、図10(e)に示された状態となる。この後、チップ単位で切り出されることにより、図1及び図2に示されたような構造を有する光電子増倍管が得られる。
【0048】
次に、上述のような構造を有する光電子増倍管1aが適用される光モジュールについて説明する。図11(a)は、光電子増倍管1aが適用された分析モジュールの構造を示す図である。分析モジュール85は、ガラスプレート850と、ガス導入管851と、ガス排気管852と、溶媒導入管853と、試薬混合反応路854と、検出部855と、廃液溜856と、試薬路857を備える。ガス導入管851及びガス排気管852は、分析対象となるガスを分析モジュール85に導入又は排気するために設けられている。ガス導入管851から導入されたガスは、ガラスプレート850上に形成された抽出路853aを通り、ガス排気管852から外部に排出される。したがって、溶媒導入管853から導入された溶媒を抽出路853aを通すことによって、導入されたガス中に特定の関心物質(例えば、環境ホルモンや微粒子)が存在した場合、それらを溶媒中に抽出することができる。
【0049】
抽出路853aを通った溶媒は、抽出した関心物質を含んで試薬混合反応路854に導入される。試薬混合反応路854は複数あり、試薬路857からそれぞれに対応する試薬が導入されることで、試薬が溶媒に混合される。試薬が混合された溶媒は反応を行いながら試薬混合反応路854を検出部855に向かって進行する。検出部855において関心物質の検出が終了した溶媒は廃液溜856に廃棄される。
【0050】
検出部855の構成を、図11(b)を参照しながら説明する。検出部855は、発光ダイオードアレイ855aと、光電子増倍管1aと、電源855cと、出力回路855bを備える。発光ダイオードアレイ855aは、ガラスプレート850の試薬混合反応路854それぞれに対応して複数の発光ダイオードが設けられている。発光ダイオードアレイ855aから出射された励起光(図中実線矢印)は、試薬混合反応路854に導かれる。試薬混合反応路854には関心物質が含まれうる溶媒が流れており、試薬混合反応路854内において関心物質が試薬と反応した後、検出部855に対応する試薬混合反応路854に励起光が照射され、蛍光又は透過光(図中破線矢印)が光電子増倍管1aに到達する。この蛍光又は透過光は光電子増倍管1aの光電面22に照射される。
【0051】
既に説明したように光電子増倍管1aには複数の溝(例えば20チャネル相当分)を有する電子増倍部が設けられているので、どの位置の(どの試薬混合反応路854の)蛍光又は透過光が変化したのかを検出できる。この検出結果は出力回路855bから出力される。また、電源855cは光電子増倍管1aを駆動するための電源である。なお、ガラスプレート850上にはガラス薄板(図示しない)が配置されていて、ガス導入管851、ガス排気管852、溶媒導入管853とガラスプレート850との接点部及び廃液溜856と試薬路857の試料注入部を除き、抽出路853a、試薬混合反応路854、試薬路857(試料注入部を除く)等を覆っている。
【0052】
以上のようにこの発明によれば、電子増倍部における電子放出端から延びた配線部に電気的に接続された制御電極をさらに設け、電子入射端と電子放出端の間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することにより、該電子増倍部の電位勾配が形成された状態で電子放出端野電位を従来よりも低下させることができる。その結果、電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差を与えることができ、電子増倍部内でカスケード増倍された二次電子を効率的に陽極へ導くことが可能になる(安定した検出精度が得られる)。
【0053】
また、電子増倍部31の溝部を規定する壁部311の表面に所望の高さを有する凸部311aが設けられることにより、電子増倍効率を飛躍的に向上させることができる。
【0054】
また、電子増倍部31にはシリコン基板30aを微細加工することにより溝が形成されており、また、シリコン基板30aはガラス基板40aに接合されているため、振動する部分がない。したがって、各実施形態に係る光電子増倍管は耐震性、耐衝撃性に優れている。
【0055】
陽極32は、ガラス基板40aに接合されているため、溶接時の金属飛沫がない。このため、各実施形態に係る光電子増倍管は電気的な安定性や耐震性、耐衝撃性が向上している。陽極32は、その下面全体でガラス基板40aと接合されるため、衝撃、振動で陽極32が振動しない。このため、当該光電子増倍管は耐震性、耐衝撃性が向上している。
【0056】
また、当該電子増倍管の製造では、内部構造を組み立てる必要がなく、ハンドリングが簡単なため作業時間が短い。上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4によって構成される外囲器(真空容器)と内部構造が一体的に構成されているので容易に小型化できる。内部には個々の部品がないため、電気的、機械的な接合が不要である。
【0057】
電子増倍部31では、壁部311で構成される複数の溝の側壁に電子が衝突しながらカスケード増倍していく。このため、構造が簡単で多くの部品を必要としないため容易に小型化可能である。
【0058】
上述のような構造を有する光電子増倍管が適用された分析モジュール85によれば、微小な粒子の検出が可能となる。また、抽出から反応、検出までを連続して行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【0059】
この発明に係る光電子増倍管は、微弱光の検出を必要とする種々の検出分野への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0060】
【図1】この発明に係る光電子増倍管の第1実施形態の構成を示す斜視図である。
【図2】図1に示された光電子増倍管の組立工程図である。
【図3】図1中のI−I線に沿った光電子増倍管の構造を示す断面図である。
【図4】図1に示された光電子増倍管における電子増倍部の構造を示す斜視図である。
【図5】この発明に係る電子増倍管の効果を説明するために用意された比較例の構成及び電位勾配を示す図である。
【図6】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極の代表的な配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図7】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極の他の配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図8】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極のさらに他の配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図9】図1に示された光電子増倍管の製造工程を説明するための図である(その1)。
【図10】図1に示された光電子増倍管の製造工程を説明するための図である(その2)。
【図11】この発明に係る光電子増倍管が適用された検出モジュールの構成を示す図である。
【符号の説明】
【0061】
1a…光電子増倍管、2…上側フレーム、3…側壁フレーム、4…下側フレーム(ガラス基板)、22…光電面、31…電子増倍部、32…陽極、42…陽極端子、320…制御電極。
【技術分野】
【0001】
この発明は、光電面によって生成された光電子をカスケード増倍する電子増倍部を有する光電子増倍管に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来から光センサとして光電子増倍管(PMT:Photo−Multiplier Tube)が知られている。光電子増倍管は、光を電子に変換する光電面(Photocathode)、集束電極、電子増倍部、及び陽極を備え、それらを真空容器に収めて構成される。このような光電子増倍管では、光が光電面に入射すると、光電面から真空容器中に光電子が放出される。その光電子は集束電極によって電子増倍部に導かれ、該電子増倍部によってカスケード増倍される。陽極は増倍された電子のうち到達した電子を信号として出力する(例えば、下記特許文献1及び特許文献2参照)。
【特許文献1】特許第3078905号公報
【特許文献2】特開平4−359855号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
発明者らは、従来の光電子増倍管について検討した結果、以下のような課題を発見した。
【0004】
すなわち、光センサの用途が多様化するにつれ、より小型の光電子増倍管が求められている。一方、このような光電子増倍管の小型化に伴い、当該光電子増倍管を構成する部品に高精度の加工技術が要求されるようになってきた。特に、部品自体の微細化が進めば、該部品間における精密な配置が実現し難くなってくるため、高い検出精度は得られず、また、製造された光電子増倍管ごとに検出精度のバラツキが大きくなってしまう。
【0005】
上述のような状況においても、電子増倍部には、光電面側に位置する端部(電子入射端)と陽極側に位置する端部(電子放出端)との間に所定の電圧が印加される。このとき、電子増倍部では、カスケード増倍された電子が光電面側から陽極側へ向かうよう電位勾配(光電面側から陽極側へ向かって電位が徐々に増加する)が形成される。しかしながら、実際には、陽極と電子増倍部における電子放出端との電位差が十分に与えられなければ、陽極へ到達する二次電子の数が激減してしまい、実用的な検出精度が得られないという課題があった。
【0006】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、より効率的にカスケード増倍された二次電子を取り出すことにより安定した検出精度を実現する微細構造の光電子増倍管を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明に係る光電子増倍管は、光電面によって生成された光電子をカスケード増倍する電子増倍部を有する光センサであって、該光電面の配置位置により、光の入射方向と同じ方向に光電子を放出する透過型光電面を有する光電子増倍管と、光の入射方向と異なる方向に光電子を放出する反射型光電面を有する光電子増倍管がある。
【0008】
具体的に当該光電子増倍管は、光電子増倍管内部が真空状態に維持された外囲器と、該外囲器内に収納された光電面と、該外囲器内に収納された電子増倍部と、少なくとも一部が該外囲器内に収納された陽極と、電子増倍部の電子放出端と陽極との十分な電位差を確保するための1又はそれ以上の制御電極を備える。上記外囲器は、ガラス材料からなる下側フレームと、電子増倍部と陽極とが一体的にエッチング加工された側壁フレームと、ガラス材料又はシリコン材料からなる上側フレームとで構成されている。
【0009】
上記電子増倍部は、電子の進行方向に沿って伸びた溝部を有する。溝部はエッチング技術により微細加工された一対の壁部により規定される。該溝部を規定する一対の壁部それぞれの表面には、光電面からの光電子をカスケード増倍するための二次電子放出面が表面に形成された1又はそれ以上の凸部が、該電子の進行方向に沿って設けられている。このように二次電子放出面が形成された壁部表面に凸部が設けられることにより、陽極に向かう電子が該壁部に衝突する可能性が飛躍的に高くなるため、微細構造においても十分な電子増倍率が得られる。なお、現実的には、二次電子放出面は、凸部表面のみならず、該凸部表面を含む壁部の表面全体及び溝部に挟まれた底部に形成される。
【0010】
特に、この発明に係る光電子増倍管において、1又はそれ以上の制御電極は、電子増倍部及び陽極を取り囲む外囲器の内部空間に配置されている。また、これら制御電極はカスケード増倍された電子が放出される電子増倍部の電子放出端とそれぞれ電気的に接続されるとともに、該電子放出端よりも高い電位に設定される。なお、制御電極の電位は、陽極の電位と等しいかそれ以下であるのが好ましい。
【0011】
この構成により、電子増倍部では、光電面側から陽極側に向かって徐々に電位が増加する電位勾配が形成されるとともに、該電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差が確保される。すなわち、電子増倍部の光電面側に位置する端部と制御電極との間に、該電子増倍部の溝部に電位勾配を形成するための電圧を印加することにより、電子放出端における電位を従来よりも低く設定することができ、その結果、該電子放出端と陽極との間に十分な電位差が確保される。
【0012】
なお、上記制御電極は、電子増倍部の電子放出端から伸びた複数の配線部に接続された状態で、該電子増倍部とともに陽極を挟むよう配置されてもよい。この場合、1つの制御電極が用意されればよい。また、電子増倍部の電子放出端、複数の配線部及び制御電極によって囲まれた領域内に陽極が配置されているような構成であってもよい。
【0013】
また、この発明に係る光電子増倍管において、上記制御電極は、加工し易いシリコンならなるのが好ましい。
【発明の効果】
【0014】
以上のようにこの発明によれば、電子増倍部における電子放出端から延びた配線部に電気的に接続された制御電極をさらに設け、電子入射端と電子放出端の間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することにより、該電子増倍部に電位勾配が形成された状態で電子放出端の電位を従来よりも低下させることができる。その結果、電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差を与えることができ、電子増倍部内でカスケード増倍された二次電子を効率的に陽極へ導くことが可能になる(安定した検出精度が得られる)。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
以下、この発明に係る光電子増倍管の各実施形態を、図1〜図11を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一部分には同一符号を付して、重複する説明を省略する。
【0016】
図1は、この発明に係る光電子増倍管の第1実施形態の構造を示す斜視図である。この図1に示された光電子増倍管1aは、透過型の光電面を有する光電子増倍管であって、上側フレーム2(ガラス基板)と、側壁フレーム3(シリコン基板)と、下側フレーム4(ガラス基板)により構成された外囲器を備える。この光電子増倍管1aは光電面への光の入射方向と、電子増倍部での電子の走行方向が交差する、つまり図1中の矢印Aで示された方向から光が入射されると、光電面から放出された光電子が電子増倍部に入射し、矢印Bで示された方向に該光電子が走行して行くことにより二次電子をカスケード増倍する光電子増倍管である。引き続いて各構成要素について説明する。
【0017】
図2は、図1に示された光電子増倍管1aを上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4に分解して示す斜視図である。上側フレーム2は、矩形平板状のガラス基板20を基材として構成されている。ガラス基板20の主面20aには矩形の凹部201が形成されており、凹部201の外周はガラス基板20の外周に沿うように形成されている。凹部201の底部には光電面22が形成されている。この光電面22は凹部201の長手方向の一端近傍に形成されている。ガラス基板20の主面20aと対向する面20bには孔202が設けられており、孔202は光電面22に達している。孔202内には光電面端子21が配置され、該光電面端子21は光電面22に電気的に接触している。なお、この第1実施形態では、ガラス材料からなる上側フレーム2自体が透過窓として機能する。
【0018】
側壁フレーム3は、矩形平板状のシリコン基板30を基材として構成されている。シリコン基板30の主面30aからそれに対向する面30bに向かって、凹部301及び貫通部302が形成されている。凹部301及び貫通部302は共にその開口が矩形であって、凹部301及び貫通部302は互いに連結されており、その外周はシリコン基板30の外周に沿うように形成されている。
【0019】
凹部301内には電子増倍部31が形成されている。電子増倍部31は、凹部301の底部301aから互いに沿うように立設している複数の壁部311を有する。このように、壁部311それぞれの間には溝部が構成されている。この壁部311の側壁(各溝部を規定する側壁)及び底部301aには二次電子放出材料からなる二次電子放出面が形成されている。壁部311は凹部301の長手方向に沿って設けられており、その一端は凹部301の一端と所定の距離を開けて配置され、他端は貫通部302に臨む位置に配置されている。貫通部302内には陽極32とともに、電子増倍部31の電子放出端から伸びた配線部と電気的に接続された制御電極320が配置されている。これら陽極32及び制御電極320は貫通部302の内壁との間に空隙部を設けて配置されており、下側フレーム4に陽極接合、拡散接合、更には低融点金属(例えばインジウムなど)等の封止材を用いた接合など(以下、単に接合と記載された場合は、これら接合のいずれかを指す)によって固定されている。
【0020】
下側フレーム4は、矩形平板状のガラス基板40を基材として構成されている。ガラス基板40の主面40aからそれに対向する面40bに向かって、孔401、孔402、及び孔403がそれぞれ設けられている。孔401には光電面側端子41が、孔402には陽極端子42が、孔403には制御電極端子43が、それぞれ挿入固定されている。また、陽極端子42は側壁フレーム3の陽極32に電気的に接触する一方、制御電極端子43は側壁フレーム3の制御電極320に電気的に接触している。
【0021】
図3は、図1中のI−I線に沿った光電子増倍管1aの構造示す断面図である。既に説明されたように、上側フレーム2の凹部201の一端における底部分には光電面22が形成されている。光電面22には光電面端子21が電気的に接触しており、光電面端子21を介して光電面22に所定電圧が印加される。上側フレーム2の主面20a(図2参照)と側壁フレーム3の主面30a(図2参照)とが接合(陽極接合、拡散接合、封止材による接合など)されることにより、上側フレーム2が側壁フレーム3に固定される。
【0022】
上側フレーム2の凹部201に対応する位置には側壁フレーム3の凹部301及び貫通部302が配置されている。側壁フレーム3の凹部301には電子増倍部31が配置されており、凹部301の一端の壁と電子増倍部31との間には空隙部301bが形成されている。この場合、上側フレーム2の光電面22の直下に側壁フレーム3の電子増倍部31の一端が位置することになる。側壁フレーム3の貫通部302内には陽極32が配置されている。陽極32は貫通部302の内壁と接しないように配置されているので、陽極32と貫通部302との間には空隙部302aが形成されている。また、陽極32は下側フレーム4の主面40a(図2参照)に接合により固定されている。
【0023】
側壁フレーム3の面30b(図2参照)と下側フレーム4の主面40a(図2参照)とが接合されることにより、下側フレーム4が側壁フレーム3に固定される。このとき、側壁フレーム3の電子増倍部31も下側フレーム4に接合により固定される。それぞれガラス材料からなる上側フレーム2及び下側フレーム4が側壁フレーム3を挟み込んだ状態で、それぞれ該側壁フレームに接合されることにより、当該電子増倍管1aの外囲器が得られる。なお、この外囲器内部には空間が形成されており、これら上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4からなる外囲器を組み立てる際に真空気密の処理がなされて該外囲器の内部が真空状態に維持される(詳細は後述する)。
【0024】
なお、図3には、図示されていないが、陽極32の左右(図3が示された紙面に対して垂直方向)には制御電極320が配置されており、下側フレーム4における陽極端子402の左右にも制御電極端子403が存在する(図2参照)。下側フレーム4の光電面側端子401及び制御電極端子403はそれぞれ側壁フレーム3のシリコン基板30に接触しているので、光電面側端子401及び制御電極端子403にそれぞれ所定の電圧を印加することでシリコン基板30の長手方向(光電面22から光電子が放出される方向と交差する方向、電子増倍部31を二次電子が走行する方向)に電位差を生じさせることができる。また、下側フレーム4の陽極端子402は側壁フレーム3の陽極32に電気的に接触しているので、陽極32に到達した電子を信号として取り出すことができる。
【0025】
図4には、側壁フレーム3の壁部311近傍の構造が示されている。シリコン基板30の凹部301内に配置されている壁部311の側壁には凸部311aが形成されている。凸部311aは対向する壁部311に互い違いになるように交互に配置されている。凸部311aは壁部311の上端から下端まで一様に形成されている。
【0026】
光電子増倍管1aは、以下のように動作をする。すなわち、下側フレーム4の光電面側端子401には−2000Vが、制御電極端子403には0Vがそれぞれ印加されている。なお、シリコン基板30の抵抗は約10MΩである。また、シリコン基板30の抵抗値は、シリコン基板30のボリューム、例えば厚さを変えることによって調整することができる。例えば、シリコン基板の厚さを薄くすることによって、抵抗値を上げることができる。ここで、ガラス材料からなる上側フレーム2を介して光電面22に光が入射すると、光電面22から側壁フレーム3に向けて光電子が放出される。この放出された光電子は、光電面22の直下に位置する電子増倍部31に到達する。シリコン基板30の長手方向には電位差が生じているので、電子増倍部31に到達した光電子は陽極32側へ向かう。電子増倍部31は複数の壁部311で規定される溝が形成されている。したがって、光電面22から電子増倍部31に到達した光電子は壁部311の側壁及び互いに対向する側壁311間の底部301aに衝突し、複数の二次電子を放出する。電子増倍部31では次々に二次電子のカスケード増倍が行われ、光電面から電子増倍部へ到達する光電子1個当たり105〜107個の二次電子が生成される。この生成された二次電子は陽極32に到達し、陽極端子402から信号として取り出される。
【0027】
次に、電子増倍部31における電子放出端と陽極32との電位差を確保するための制御電極の配置について、比較例とともに図5〜8を用いて説明する。
【0028】
図5(a)は、比較例に係る光電子増倍管における陽極32の配置を示す側壁フレーム3の平面図であり、図5(b)は、図5(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0029】
この比較例に係る光電子増倍管では、電子増倍部31の電子放出端付近(裏面コンタクト領域Aとして示された領域)が陽極32と同電位になるよう、光電面側端部と領域Aとの間に所定電圧が印可されている。この場合、図5(b)に示されたように、電子増倍部31における電位勾配は、電子放出端付近で飽和してしまい、該電子放出端と陽極32との間では電位差が生じていない。その結果、電子放出端付近では十分に二次電子が増倍されず、かつ陽極32への到達電子数も激減してしまう(安定した検出精度が得られない)。
【0030】
一方、図6(a)は、この係る光電子増倍管における制御電極320の第1配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図6(b)は、図6(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0031】
この第1配置例では、制御電極320が電子増倍部31とともに陽極32を挟むように配置されるとともに、該電子増倍部31の電子放出端から陽極32を挟むように伸びた複数の配線部と電気的に接続されている。すなわち、この第1配置例では、電子増倍部31、配線部、及び制御電極で取り囲まれた領域内に陽極32が配置されている。また、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0032】
上述のような構成において、電子増倍部31と制御電極320との間にも電圧降下が発生し、該電子増倍部31には、制御電極320に向かって徐々に増加するよう電位勾配が形成され、かつ電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも滑らかな電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0033】
図7(a)は、この発明に係る光電子増倍管における制御電極320の第2配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図7(b)は、図7(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0034】
この第2配置例では、制御電極320が陽極32を挟んだ状態で該陽極32の左右に配置されるとともに、該電子増倍部31の電子放出端から伸びた複数の配線部それぞれと電気的に接続されている。すなわち、この第2配置例では、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0035】
上述のような構成においても、第1配置例と同様に、電子増倍部31には、制御電極320に向かって滑らかな電位勾配が形成されるとともに、電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも滑らかな電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0036】
一方、制御電極320の配置位置は、上述のような陽極32の周辺に限定されるものではない。図8(a)は、この発明に係る光電子増倍管における制御電極320の第3配置例を示す側壁フレーム3の平面図であり、図8(b)は、図8(a)に対応した位置における電位(電位勾配)を示すグラフである。
【0037】
この第3配置例では、制御電極320が陽極32の左右ではなく、電子増倍部31を挟むように該電子増倍部31の左右に配置される。このとき、電子増倍部31の電子放出端から伸びた複数の配線部それぞれと電気的に接続されている。この第3配置例では、制御電極320自体が裏面コンタクト領域Aとなり、陽極32と同電位に設定される。
【0038】
上述のような構成においても、電子増倍部31には、制御電極320に滑らかな電位勾配が形成されるとともに、電子放出端と陽極32との間に十分な電位差Bが確保される。さらに、電子増倍部31の電子放出端と陽極32との間の空間にも電位勾配が形成されているので、該電子放出端から放出された二次電子は、効率的に陽極32に到達することが可能になり、安定した検出精度が得られる。また、印加される電圧を制御する以外にも、配線部の長さや断面積を調節することによって、電子増倍部31の電位勾配及び電子放出端と陽極32との電位差Bを簡単に制御することが可能である。
【0039】
なお、上述の実施形態では、透過型の光電面を有する光電子電子増倍管について説明したが、この発明に係る光電子増倍管は、反射型の光電面を有していてもよい。例えば、電子増倍部31に、その陽極側端とは逆側の端部に光電面を形成することにより、反射型光電面を有する光電子増倍管が得られる。また、電子増倍部31の陽極側とは逆の端部側に陽極側に対面する傾斜面を形成し、この傾斜面上に光電面を形成することによっても反射型の光電子増倍管が得られる。いずれの構造でも、他の構造は上述の電子増倍管1aと同様の構造を有した状態で、反射型の光電面を有する光電子増倍管が得られる。
【0040】
また、上述の実施形態では、外囲器内に配置される電子増倍部31が側壁フレーム3を構成するシリコン基板30と接触した状態で一体形成されている。しかしながら、このように側壁フレーム3と電子増倍部31とが接触した状態では、該電子増倍部31が側壁フレーム3を介した外部雑音の影響を受けてしまい、検出精度が低下する可能性がある。そこで、側壁フレーム3と一体的に形成される電子増倍部31及び陽極32は、該側壁フレーム3から所定距離離間した状態で、ガラス基板40(下側フレーム4)にそれぞれ配置されてもよい。具体的には、空隙部301bが貫通部になり、光電面側端子401は電子増倍部31の光電面側端部に電気的に接触するように配置される。
【0041】
さらに、上述の実施形態では、外囲器の一部を構成する上側フレーム2がガラス基板20で構成されており、このガラス基板20自体が透過窓と機能している。しかしながら、上側フレーム2はシリコン基板で構成されてもよい。この場合、該上側フレーム2又は側壁フレーム3の何れかに、透過窓が形成される。透過窓の形成方法は、例えば、スパッタガラス基板の両面がシリコン基板で挟まれたSOI(Silicon OnInsulator)基板の両面をエッチングし、露出したスパッタガラス基板の一部を透過窓として利用することができる。また、シリコン基板に数μmで柱状又はメッシュ状のパターンを形成し、この部分を熱酸化させることでガラス化してもよい。また、透過窓形成域のシリコン基板を厚さ数μm程度になるようエッチングし、熱酸化させることでガラス化させてもよい。この場合、シリコン基板の両面からエッチングしてもよいし、片側のみからエッチングしてもよい。
【0042】
次に、図1に示された光電子増倍管1aの製造方法の一例について説明する。当該光電子増倍管を製造する場合には、直径4インチのシリコン基板(図2の側壁フレーム3の構成材料)と、同形状の2枚のガラス基板(図2の上側フレーム2及び下側フレーム4の構成材料)とが準備される。それらには、微小な領域(例えば、数ミリ四方)ごとに以下に説明する加工が施される。以下に説明する加工が終了すると領域ごとに分割して光電子増倍管が完成する。引き続いて、その加工方法について、図9及び図10を用いて説明する。
【0043】
まず、図9(a)に示されたように、厚さ0.3mm、比抵抗30kΩ・cmのシリコン基板50(側壁フレーム3に相当)が準備される。このシリコン基板50の両面にそれぞれシリコン熱酸化膜60及びシリコン熱酸化膜61が形成される。シリコン熱酸化膜60及びシリコン熱酸化膜61は、DEEP−RIE(Reactive Ion Etching)加工時のマスクとして機能する。続いて、図9(b)に示されたように、レジスト膜70がシリコン基板50の裏面側に形成される。レジスト膜70には、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部701が形成されている。この状態でシリコン熱酸化膜61がエッチングされると、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙部に対応する除去部611が形成される。なお、図示されていないが、この際、図2の制御電極320及び配線部に該当する部位等、他の貫通部分に関しても同様の処理が行われる。
【0044】
図9(b)に示された状態からレジスト膜70が除去された後、DEEP−RIE加工が行われる。図9(c)に示されたように、シリコン基板50には、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する空隙部501が形成される。続いて、図9(d)に示されたように、レジスト膜71がシリコン基板50の表面側に形成される。レジスト膜71には、図2の壁部311と凹部301との間の空隙に対応する除去部711と、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部712と、図2の壁部311相互の間の溝に対応する除去部(図示せず)と、が形成されている。この状態でシリコン熱酸化膜60がエッチングされると、図2の壁部311と凹部301との間の空隙に対応する除去部601と、図2の貫通部302と陽極32との間の空隙に対応する除去部602と、図2の壁部311相互の間の溝に対応する除去部(図示せず)と、が形成される。
【0045】
図9(d)の状態からシリコン熱酸化膜61が除去された後、シリコン基板50の裏面側にガラス基板80(下側フレーム4に相当)が陽極接合される(図9(e)参照)。このガラス基板80には、図2の孔401に相当する孔801、図2の孔402に対応する孔802がそれぞれ予め加工されている。なお、図示されていないが、陽極32となる部分の左右(図9が示された紙面に対して垂直方向)には、制御電極320となる部分も形成されており、図2の孔403に対応する孔803も孔802の左右に予め加工されている。続いて、シリコン基板50の表面側では、DEEP−RIE加工が行われる。レジスト膜71はDEEP−RIE加工時のマスク材として機能し、アスペクト比の高い加工を可能にする。DEEP−RIE加工後、レジスト膜71及びシリコン熱酸化膜61が除去される。図10(a)に示されたように、予め裏面から空隙部501の加工がなされていた部分についてはガラス基板80に到達する貫通部が形成されることにより、図2の陽極32に相当する島状部52及び図2の制御電極320及び配線部に相当する構造等(図示せず)がそれぞれ形成される。この陽極32に相当する島状部52はガラス基板80に陽極接合により固定される。また、このDEEP−RIE加工の際に、図2の壁部311間の溝に相当する溝部51と、図2の壁部311と凹部301との空隙に相当する凹部503とも形成される。ここで、溝部51の側壁及び底部301aには二次電子放出面が形成される。
【0046】
続いて、図10(b)に示されたように、上側フレーム2に相当するガラス基板90が準備される。ガラス基板90には座ぐり加工で凹部901(図2の凹部201に相当)が形成されており、ガラス基板90の表面から凹部901に至るように孔902(図2の孔202に相当)が設けられている。図10(c)に示されたように、図2の光電面端子21に相当する光電面端子92が孔902に挿入固定されるとともに、凹部901には光電面91が形成される。
【0047】
図10(a)まで加工が進んだシリコン基板50及びガラス基板80と、図10(c)まで加工が進んだガラス基板90とが、図10(d)に示されたように、真空気密の状態で接合される。その後、図2の光電面側端子41に相当する光電面側端子81が孔801に、図2の陽極端子42に相当する陽極端子82が孔802に、図2の制御電極端子43に相当する制御電極端子83が孔803(図示せず)に、それぞれ挿入固定されることで、図10(e)に示された状態となる。この後、チップ単位で切り出されることにより、図1及び図2に示されたような構造を有する光電子増倍管が得られる。
【0048】
次に、上述のような構造を有する光電子増倍管1aが適用される光モジュールについて説明する。図11(a)は、光電子増倍管1aが適用された分析モジュールの構造を示す図である。分析モジュール85は、ガラスプレート850と、ガス導入管851と、ガス排気管852と、溶媒導入管853と、試薬混合反応路854と、検出部855と、廃液溜856と、試薬路857を備える。ガス導入管851及びガス排気管852は、分析対象となるガスを分析モジュール85に導入又は排気するために設けられている。ガス導入管851から導入されたガスは、ガラスプレート850上に形成された抽出路853aを通り、ガス排気管852から外部に排出される。したがって、溶媒導入管853から導入された溶媒を抽出路853aを通すことによって、導入されたガス中に特定の関心物質(例えば、環境ホルモンや微粒子)が存在した場合、それらを溶媒中に抽出することができる。
【0049】
抽出路853aを通った溶媒は、抽出した関心物質を含んで試薬混合反応路854に導入される。試薬混合反応路854は複数あり、試薬路857からそれぞれに対応する試薬が導入されることで、試薬が溶媒に混合される。試薬が混合された溶媒は反応を行いながら試薬混合反応路854を検出部855に向かって進行する。検出部855において関心物質の検出が終了した溶媒は廃液溜856に廃棄される。
【0050】
検出部855の構成を、図11(b)を参照しながら説明する。検出部855は、発光ダイオードアレイ855aと、光電子増倍管1aと、電源855cと、出力回路855bを備える。発光ダイオードアレイ855aは、ガラスプレート850の試薬混合反応路854それぞれに対応して複数の発光ダイオードが設けられている。発光ダイオードアレイ855aから出射された励起光(図中実線矢印)は、試薬混合反応路854に導かれる。試薬混合反応路854には関心物質が含まれうる溶媒が流れており、試薬混合反応路854内において関心物質が試薬と反応した後、検出部855に対応する試薬混合反応路854に励起光が照射され、蛍光又は透過光(図中破線矢印)が光電子増倍管1aに到達する。この蛍光又は透過光は光電子増倍管1aの光電面22に照射される。
【0051】
既に説明したように光電子増倍管1aには複数の溝(例えば20チャネル相当分)を有する電子増倍部が設けられているので、どの位置の(どの試薬混合反応路854の)蛍光又は透過光が変化したのかを検出できる。この検出結果は出力回路855bから出力される。また、電源855cは光電子増倍管1aを駆動するための電源である。なお、ガラスプレート850上にはガラス薄板(図示しない)が配置されていて、ガス導入管851、ガス排気管852、溶媒導入管853とガラスプレート850との接点部及び廃液溜856と試薬路857の試料注入部を除き、抽出路853a、試薬混合反応路854、試薬路857(試料注入部を除く)等を覆っている。
【0052】
以上のようにこの発明によれば、電子増倍部における電子放出端から延びた配線部に電気的に接続された制御電極をさらに設け、電子入射端と電子放出端の間に印加されていた電圧を電子入射端と制御電極の間に印加することにより、該電子増倍部の電位勾配が形成された状態で電子放出端野電位を従来よりも低下させることができる。その結果、電子増倍部における電子放出端と陽極との間に十分な電位差を与えることができ、電子増倍部内でカスケード増倍された二次電子を効率的に陽極へ導くことが可能になる(安定した検出精度が得られる)。
【0053】
また、電子増倍部31の溝部を規定する壁部311の表面に所望の高さを有する凸部311aが設けられることにより、電子増倍効率を飛躍的に向上させることができる。
【0054】
また、電子増倍部31にはシリコン基板30aを微細加工することにより溝が形成されており、また、シリコン基板30aはガラス基板40aに接合されているため、振動する部分がない。したがって、各実施形態に係る光電子増倍管は耐震性、耐衝撃性に優れている。
【0055】
陽極32は、ガラス基板40aに接合されているため、溶接時の金属飛沫がない。このため、各実施形態に係る光電子増倍管は電気的な安定性や耐震性、耐衝撃性が向上している。陽極32は、その下面全体でガラス基板40aと接合されるため、衝撃、振動で陽極32が振動しない。このため、当該光電子増倍管は耐震性、耐衝撃性が向上している。
【0056】
また、当該電子増倍管の製造では、内部構造を組み立てる必要がなく、ハンドリングが簡単なため作業時間が短い。上側フレーム2、側壁フレーム3、及び下側フレーム4によって構成される外囲器(真空容器)と内部構造が一体的に構成されているので容易に小型化できる。内部には個々の部品がないため、電気的、機械的な接合が不要である。
【0057】
電子増倍部31では、壁部311で構成される複数の溝の側壁に電子が衝突しながらカスケード増倍していく。このため、構造が簡単で多くの部品を必要としないため容易に小型化可能である。
【0058】
上述のような構造を有する光電子増倍管が適用された分析モジュール85によれば、微小な粒子の検出が可能となる。また、抽出から反応、検出までを連続して行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【0059】
この発明に係る光電子増倍管は、微弱光の検出を必要とする種々の検出分野への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【0060】
【図1】この発明に係る光電子増倍管の第1実施形態の構成を示す斜視図である。
【図2】図1に示された光電子増倍管の組立工程図である。
【図3】図1中のI−I線に沿った光電子増倍管の構造を示す断面図である。
【図4】図1に示された光電子増倍管における電子増倍部の構造を示す斜視図である。
【図5】この発明に係る電子増倍管の効果を説明するために用意された比較例の構成及び電位勾配を示す図である。
【図6】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極の代表的な配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図7】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極の他の配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図8】第1実施形態に係る光電子増倍管において、制御電極のさらに他の配置及び電位勾配を説明するための図である。
【図9】図1に示された光電子増倍管の製造工程を説明するための図である(その1)。
【図10】図1に示された光電子増倍管の製造工程を説明するための図である(その2)。
【図11】この発明に係る光電子増倍管が適用された検出モジュールの構成を示す図である。
【符号の説明】
【0061】
1a…光電子増倍管、2…上側フレーム、3…側壁フレーム、4…下側フレーム(ガラス基板)、22…光電面、31…電子増倍部、32…陽極、42…陽極端子、320…制御電極。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部が真空状態に維持された外囲器と、
前記外囲器内に収納され、該外囲器を介して取り込まれた光に応じて電子を該外囲器の内部に放出する光電面と、
前記外囲器内に収納され、電子の進行方向に沿って伸びた溝部を有する電子増倍部と、
前記外囲器内に収納され、前記電子増倍部でカスケード増倍された電子のうち到達した電子を信号として取り出すための陽極と、
前記電子増倍部及び前記陽極を取り囲む前記外囲器の内部空間に配置された1又はそれ以上の制御電極であって、カスケード増倍された電子が放出される前記電子増倍部の電子放出端とそれぞれ電気的に接続されるとともに、該電子放出端よりも高い電位に設定される制御電極を備えた光電子増倍管。
【請求項2】
前記制御電極は、前記電子増倍部の電子放出端から伸びた複数の配線部に接続された状態で、前記電子増倍部とともに前記陽極を挟むよう配置されており、前記陽極は、前記電子増倍部の電子放出端、前記複数の配線部及び前記制御電極によって囲まれた領域内に配置されていることを特徴とする請求項1記載の光電子増倍管。
【請求項3】
前記制御電極の電位は、前記電子増倍部における電子放出端の電位よりも高く、かつ前記陽極の電位と等しいかそれ以下に設定されることを特徴とする請求項1又は2記載の光電子増倍管。
【請求項4】
前記制御電極は、シリコンからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の光電子増倍管。
【請求項1】
内部が真空状態に維持された外囲器と、
前記外囲器内に収納され、該外囲器を介して取り込まれた光に応じて電子を該外囲器の内部に放出する光電面と、
前記外囲器内に収納され、電子の進行方向に沿って伸びた溝部を有する電子増倍部と、
前記外囲器内に収納され、前記電子増倍部でカスケード増倍された電子のうち到達した電子を信号として取り出すための陽極と、
前記電子増倍部及び前記陽極を取り囲む前記外囲器の内部空間に配置された1又はそれ以上の制御電極であって、カスケード増倍された電子が放出される前記電子増倍部の電子放出端とそれぞれ電気的に接続されるとともに、該電子放出端よりも高い電位に設定される制御電極を備えた光電子増倍管。
【請求項2】
前記制御電極は、前記電子増倍部の電子放出端から伸びた複数の配線部に接続された状態で、前記電子増倍部とともに前記陽極を挟むよう配置されており、前記陽極は、前記電子増倍部の電子放出端、前記複数の配線部及び前記制御電極によって囲まれた領域内に配置されていることを特徴とする請求項1記載の光電子増倍管。
【請求項3】
前記制御電極の電位は、前記電子増倍部における電子放出端の電位よりも高く、かつ前記陽極の電位と等しいかそれ以下に設定されることを特徴とする請求項1又は2記載の光電子増倍管。
【請求項4】
前記制御電極は、シリコンからなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の光電子増倍管。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2007−48631(P2007−48631A)
【公開日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−232488(P2005−232488)
【出願日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【出願人】(000236436)浜松ホトニクス株式会社 (1,479)
【公開日】平成19年2月22日(2007.2.22)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【出願人】(000236436)浜松ホトニクス株式会社 (1,479)
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