半導体チップのチップＩＤマーキング方法及びマーキング装置
【課題】 半導体チップのチップＩＤのマーキングにおいて、半導体チップの表面に凹凸がある場合でも、所定の形状にチップＩＤをマーキングでき、チップレベルのトレーサビリティーに適用できるマーキング方法及び装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキングする半導体チップのチップＩＤマーキング方法において、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキングする方法および装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキングする半導体チップのチップＩＤマーキング方法において、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキングする方法および装置を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体チップのチップＩＤマーキング方法及びマーキング装置に関する。特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップＩＤを各半導体チップにマーキングすることによってチップレベルのトレーサビリティーに適用できるマーキング方法及びマーキング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップの製造工程ではウエハカセットへのＩＤマーキング又は、ウエハへのＩＤマーキングによって生産管理及び品質管理が行われていた。そのため、管理できる生産情報、品質情報はウエハカセット単位又は、ウエハ単位迄であった。
【０００３】
半導体チップに固有のＩＤをマーキングする事によって、生産時の歩留まり向上のためにウエハ内のチップ位置による問題点の改善等に利用できる。また、半導体チップ出荷後においての不具合発生時にチップＩＤを検出する事によって、製造情報の解析や不良品の絞り込みにも利用することができる。
【０００４】
チップＩＤのマーキング方法には、特開２０００−２５２１７６号等に開示されているレーザによるマーキング方法や、特開平７−３０７２５７号等に開示されている、ヒューズやメモリセルによる電気的なＩＤ付加方法が知られている。
【０００５】
しかし、これらの方法を摘要するためには半導体チップの回路部内にＩＤエリアやヒューズまたはメモリセルの為のエリアを設ける必要があり、チップにＩＤマーキングする場所を確保することによる物理的チップサイズの拡大化、あるいはＩＤマーキングサイズを小さくする為にＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上による技術的困難さや装置のコスト高の要因となっていた。
【０００６】
チップＩＤには、特開２００２−２８０２７６号に開示されている様に、プローブテストの結果から良品のチップにのみにＩＤをマーキングする方法があった。しかし、不良品のレベルを識別する事ができず、不良品の不具合の原因解析やその後の工程の検査結果との比較ができなかった。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２５２１７６号
【特許文献２】特開平０７−３０７２５７号
【特許文献３】特開２００２−２８０２７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体チップの表面に段差がある場合、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れたりし、そのＩＤドットの形状を保つことができず、チップＩＤの視認性が良好ではなかった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、コスト的に有利なＩＤサイズを確保できるマーキング方法及びマーキング装置を提供する事に加え、半導体チップの表面に段差がある場合でも、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れることなく、ＩＤドットの形状を保つことができるチップＩＤのマーキング方法及び装置を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１及び請求項１１に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状に配列姿が残っている状態までに半導体チップにチップＩＤをマーキングする事と、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする。ここで述べるチップＩＤとは、各チップ固有に設定された情報であり、ウエハの識別やウエハ面内のチップ位置情報も含む識別情報を意味する。
【００１１】
さらに、半導体チップの表面に段差がある場合、ＩＤドットを一層塗布とした場合、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れる場合があるが、ＩＤドットを複数回重ねて塗布することで、そのＩＤドットの形状を保ち、チップＩＤの視認性が良好になるという利点がある。
【００１２】
請求項２及び請求項１２に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１３】
請求項３及び請求項１３に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１４】
従来のＩＤマーキングで用いられていた、「電気的」な方法、例えば、ヒューズやメモリでＩＤを付加する方法では、回路内にその領域が必要であり、製品によってはヒューズやメモリが無く、前記の方式が用いられない場合もあった。本出願の発明の様に、半導体チップの表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする場合は、チップサイズは製品機能として必要な回路部のみを要し、製品となる半導体チップの表面保護膜上にチップの全面サイズを用いてＩＤマーキングをすることができる。当該出願の発明の方式であれば、半導体チップサイズ全面にマーキングするため、ＩＤサイズの一辺を５００〜１０００マイクロメートル程度にまで拡大してマーキングすることができ、マーキング装置の過度な高精度化が不要となり、コストダウンが望める。
【００１５】
上記の発明により、従来の方法の様にＩＤマーキングを追記する部分の場所確保のためにチップサイズが大きくなり、要求されるＩＤサイズ全体を小さくするという、マーキング装置の高精度化に費用と労力をかけるなどの欠点を回避できる。
【００１６】
請求項４及び請求項１４に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１７】
請求項５及び請求項１５に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップ表面の段差部を吸収し、チップ表面を平坦にする事を特徴とする。
【００１８】
請求項６及び請求項１６に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする。
【００１９】
半導体チップ内の回路や素子の構成によって、半導体チップの表面の色が大きく変化している物がある。そのような半導体チップの表面にチップＩＤを塗布すると、チップＩＤの塗布面の色の変化とＩＤドットの色のコントラストを見分ける必要が生じ、ＩＤドットに使用できるＩＤ材料の色が限定されたり、塗布したチップＩＤの読み取り時に照明の工夫が必要になったりしていた欠点を回避することができる。
【００２０】
上記の問題点を解決するために、塗布面の変化を隠す様に、例えば、チップ表面色よりも濃い色のベース部材を塗布し、その上にベース部材よりも薄い色のチップＩＤのＩＤ材料を使うことで、チップＩＤの読み取りを容易且つ確実にすることができる。
【００２１】
請求項７及び請求項１７に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップＩＤ塗布面の濡れ性を調整し、ＩＤドットの大きさを調整することにより、チップＩＤの大きさを調整する事を特徴とする。
【００２２】
濡れ性については、半導体チップの表面に直接チップＩＤのＩＤドットを塗布すると、直径が２５０ミクロンメートルに濡れ広がる場合であっても、チップ表面に撥水コートを塗布することで、直径が５０マイクロメートルまでＩＤドットを小さくすることができるなど、チップＩＤのＩＤドットの大きさを調整することができる。
【００２３】
請求項８及び請求項１８に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にＸ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００２４】
上記の様に、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップＩＤを検出することができ、確実且つ迅速にチップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。
【００２５】
チップの生産過程において、Ｘ線を透過しやすいチップＩＤのＩＤ材料を使用した場合、パッケージング工程後はチップＩＤが見えなくなりチップＩＤを確認する手段が無くなる。この場合、チップＩＤの情報はパッケージング工程前に読み取り機で読取りを行い、チップＩＤ情報を記憶装置に格納するなどして、パッケージング工程後のパッケージ表面へのパッケージＩＤマーキング工程まで情報の伝達が必要となる。
【００２６】
該情報の伝達は生産ラインが正常に動作しておれば問題ないが、異常の発生などで、整列している生産中の半導体チップの数が変動した場合、どのチップがどのチップＩＤ情報だったかという関係が不明確になってしまう。従い、確実なトレーサビリティーができなくなる問題点が考えられる。
【００２７】
従い、Ｘ線を透過し難いＩＤ材料を使用した場合は、パッケージング工程後のパッケージ表面にパッケージＩＤをマーキングする直前にＸ線でチップ表面のチップＩＤを読取り、そのチップＩＤ、又は、チップＩＤ情報と関連のあるＩＤを直ちにパッケージ表面にパッケージＩＤとしてマーキングする事ができる。さらに、パッケージ表面へのパッケージＩＤマーキング後であっても確認のために、Ｘ線でチップＩＤを確認する事も可能となる。それによって、確実なトレーサビリティーが可能となる。
【００２８】
請求項９及び請求項１９に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、チップＩＤのマーキングが半導体チップに非接触のマーキングである事を特徴とする。
【００２９】
非接触でのマーキングであれば、チップＩＤの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の間隔を厳密に補正することなく、当該記載方法に限らないが、例えば、インクジェット方式や非接触ディスペンサ方式など間隔調整がラフで良い塗布方法も採用することができ、高さ方向の調整機構などの装置の簡易化が図れる。また、塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の動作が不要となり、塗布速度の高速化が図れる。
【００３０】
請求項１０及び請求項２０に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、チップＩＤのマーキングをインクジェットによりマーキングする事を特徴とする。
【００３１】
非接触でのマーキングについては、特に上記の様な効果が得られるが、特にその方法の中でも、インクジェット方式を用いることが優れている。例えば、数から数十ｋＨｚでＩＤドットを連続塗布することができ、塗布対象の半導体ウエハを数十ｍｍ／ｓｅｃから数百ｍｍ／ｓｅｃで高速走行塗布する事が可能になる。また、チップＩＤの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の間隔を０．５〜１．０ｍｍ程度と大きく、且つ、間隔に±０．１ｍｍ程度の変動があっても塗布への影響がない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明のマーキング方法及びマーキング装置はウエハ形状で配列している工程までにチップＩＤをマーキングすることで、半導体チップの生産工程時やチップ出荷後の不具合発生時であってもチップＩＤを検出する事によって、ウエハやウエハ内チップ座標までトレースする事ができる。
【００３３】
さらに、チップＩＤを構成するＩＤドットを複数回重ねて塗布するので、そのＩＤドットの形状を保ち、チップＩＤの視認性が良好になる。。
【００３４】
また、回路部に関係なく表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする事でチップの微細化にも対応でき、マーキング装置のコストも安くできる。さらに、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップＩＤを検出するこができ、確実で迅速なチップレベルのトレーサビリティーが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。
【図２】半導体製造工程とチップＩＤの関係を示す図である。
【図３】半導体チップとチップＩＤの関係であって、従来方法と本発明の方法を示す図である。
【図４】ベース部材が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図５】ベース部材が有る場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図６】複数回の材料塗布でチップＩＤをマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図７】インクジェットでチップＩＤのＩＤドットを走行塗布している状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下に添付の図面に示す実施例に基づいて、本発明のマーキング方法及びマーキング装置を詳細に説明する。
【００３７】
図１は半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。図に示すように半導体ウエハ１にはウエハ固有のＩＤであるウエハＩＤ２がマーキングされており、半導体チップ３は規則的にウエハ面内に配列している。各半導体チップ３にはそれぞれ固有のチップＩＤ４がマーキングされる。
【００３８】
図２は半導体製造工程とチップＩＤ４の関係を示す図である。図に示すようにウエハ工程１００で、例えばウエハ検査のプローブ電気テスト１０１が実施された場合、該ウエハの検査結果１１１は該ウエハのウエハＩＤ２のＩＤとともにデータベース１１０に格納される。ウエハ工程で実施されるその他の検査や工程情報は同様にウエハＩＤ２のＩＤとともにデータベースに格納される。
【００３９】
ウエハ工程１００中であって、ダイシング１０４工程であっても半導体ウエハ１形状に配列している工程までにチップＩＤマーキング１０３を実施する。その際、チップＩＤ４と半導体ウエハ１面内の座標やウエハＩＤ２などの関連情報をＩＤ情報１１３としてデータベース１１０に格納される。又は、半導体ウエハ１面内の座標やウエハＩＤ２などの関連情報をチップＩＤ４のＩＤに含ませることもできる。
【００４０】
ダイシング１０４工程後で半導体チップ３が個片になり、チップ検査１０５が実施された場合、該チップの検査結果１１５は該チップのチップＩＤ４のＩＤとともにデータベース１１０に格納される。又は、該チップの検査結果１１５はデータベース１１０に格納する代わりに、チップＩＤ４のＩＤに含ませることもできる。
【００４１】
また、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップのチップＩＤに通常のチップ識別情報だけでなく、チップＩＤマーキングよりも前工程の検査結果の情報を含める事を特徴とすることもできる。
【００４２】
これにより、不良品や良品のレベルの識別がチップＩＤの読取りを行うだけで可能となり、不具合の原因解析や特性別の出荷などを迅速に行うことができる。
【００４３】
このように全ての検査や工程情報とウエハＩＤ２、チップＩＤ４がデータベース１１０に集まる事で、情報が途切れる事無く、チップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。例えば、チップ出荷後に不具合が発生した場合であっても、チップＩＤ４を検出する事ができれば、データベース１１０と照合する事で、どのウエハのどの座標にあったチップであるか、製造時のウエハ検査結果１１１はどうか、チップ検査結果１１５はどうか、と云うように追って解析することができる。
【００４４】
図３は半導体チップとチップＩＤの関係であって、従来方法１５、本発明の方法１６を示す図である。従来方法１５では半導体チップ３の回路部６内にレーザによるマーキング方法等でＩＤをマーキングしていた。そのため、回路部６と同様にチップＩＤ４の大きさがチップの大きさに影響を与え、チップサイズの増加、又はＩＤサイズを縮小化する場合に、平行して、ＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上を施さなければならず、技術的にも煩雑さが増し、それに基づきコスト高となっていた。
【００４５】
一方、本願発明の方法１６では半導体チップ３の回路部６を保護している表面保護膜５の上面にチップＩＤ４をマーキングする。このことによって、回路部６のサイズや配置に左右されることなく、半導体チップ３の表面保護膜５上にチップ全面の大きさとなるチップＩＤ４をマーキングするので、チップの微細化にも対応でき、マーキング装置の製造コストも安くできる。
【００４６】
図４はベース部材９が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。図に示すように半導体チップ３の回路部６に段差部１０がある場合を示し、表面保護膜５の上面にＩＤドット７を塗布すると段差部分に塗布部材が流れ込んだり、ドット形状が崩れ異常なＩＤドット８の様になる場合があった。また、半導体チップ３の回路部６に色の変化（回路部６に対し異色回路部６６）がある場合、ＩＤドット７と透明に近い表面保護膜５を介して見える回路部６と色の異なる異色回路部６６のコントラストが悪くなる場合が生じた。
【００４７】
而して、図５にベース部材９が有る場合の半導体チップの断面を示す。図５に示すように半導体チップ３の表面の回路部６に段差部１０や色の変化（回路部６に対し色の異なる異色回路部６６）がある場合、表面保護膜５の上にベース部材９を塗布した後、ＩＤドット７を塗布することによってチップＩＤがマーキングされる。この事によって、ＩＤドットの塗布面を平坦にする事ができ、ＩＤドット７のドット形状を保ち、ＩＤドット７と塗布面となるベース部材９のコントラストを強調し、チップＩＤ４の視認性を良好にすることができた。
【００４８】
また、ベース部材９をチップＩＤ４の塗布面の濡れ性を調整できる材料にすることで、ＩＤドット７の大きさを調整し、チップＩＤ４の大きさを調整する事ができた。
【００４９】
また、図６は複数回の材料塗布でチップＩＤ４をマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。図６に示すように半導体チップ３の表面に段差部１０がある場合、ＩＤドット７の１層目を塗布する場合、段差部分に塗布部材が流れ込んだりすることにより、ドット形状が崩れる場合があるが、ＩＤドット７の２層目やＩＤドット７の３層目を塗布する場合のようにＩＤドット７を複数回重ねて塗布することで、該ＩＤドット７は図に示す様に積層された塗布層からなる形状を保ち、チップＩＤ４の視認性を良好にすることができた。
【００５０】
さらに、図７は、半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである場合の例であるが、非接触のディスペンサーやインクジェットなどの方式が用いられるが、本願では、インクジェットを用いた例を図で示している。
【実施例１】
【００５１】
図４、図５に対応する実施例は、同一のＩＤ部材を塗布した場合でも、図４のベース部材９が無い場合はチップ表面の段差部１０に塗布部材が流れ込んだり、ＩＤドット７の形状が崩れる場合があり、ＩＤドット７を塗布したチップＩＤ４を２次元コードリーダで読取る事ができなかった。また、図４の様にベース部材９が無い場合はＩＤドット７の直径が３００〜２００マイクロメートルと大きくなったが、図５の様に撥水効果のあるベース部材９を塗布する事でＩＤドット７の直径を１００〜５０マイクロメートルまで微細化することができた。
【００５２】
図６に対応する実施例は、ＩＤドット７を１回塗布したチップＩＤ４は、２次元コードリーダで読取る事ができなかったが、２回又は３回塗布したチップＩＤ４は２次元コードリーダで読取る事ができた。
【００５３】
図７に対応する実施例は、図の様に、半導体ウエハ上に配列した半導体チップ３は、Ｚ軸方向２４に示す上下方向に高さ調整するとともに、インクジェットヘッド２１に相対してウエハの走行方向２３方向へ走行させるものである。インクジェットヘッド２１のノズルから半導体チップ３の位置に応じてチップＩＤ４のＩＤドット７として、ＩＤ材料２２を順次吐き出し、チップＩＤ４をマーキングする。
【００５４】
図７では、表面保護膜５上に直接ＩＤドット７を塗布しているが、図５に示す様に、ベース部材９を使用する場合は、ベース部材９表面にＩＤ材料２２を同様に塗布しマーキングする。
【００５５】
非接触でのマーキングなので、チップＩＤ４の塗布面と図７に図示する様に、インクジェットヘッド２１の高さ方向（Ｚ軸方向２４）の間隔を厳密に補正することが不要となり、塗布速度の高速化が図れた。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は半導体チップのＩＤマーキング方法及びマーキング装置に関する発明であり、特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップＩＤを各半導体チップにマーキングすることによって半導体チップレベルのトレーサビリティーを可能とするマーキング方法及びマーキング装置に関する。
【符号の説明】
【００５７】
１ 半導体ウエハ
２ ウエハＩＤ
３ 半導体チップ
４ チップＩＤ
５ 表面保護膜
６ 回路部
６６ 異色回路部
７ ＩＤドット
８ 異常なＩＤドット
９ ベース部材
１０ 段差部
１２ 組立後チップ
２１ インクジェットヘッド
２２ ＩＤ材料
２３ ウエハの走行方向
２４ Ｚ軸方向
１００ ウエハ工程
１０１ ウエハ検査
１０２ ウエハ最終検査
１０３ チップＩＤマーキング
１０４ ダイシング
１０５ チップ検査
１１０ データベース
１１１ ウエハ検査結果
１１３ ＩＤ情報
１１５ チップ検査結果
１２０ チップ組立工程
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体チップのチップＩＤマーキング方法及びマーキング装置に関する。特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップＩＤを各半導体チップにマーキングすることによってチップレベルのトレーサビリティーに適用できるマーキング方法及びマーキング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップの製造工程ではウエハカセットへのＩＤマーキング又は、ウエハへのＩＤマーキングによって生産管理及び品質管理が行われていた。そのため、管理できる生産情報、品質情報はウエハカセット単位又は、ウエハ単位迄であった。
【０００３】
半導体チップに固有のＩＤをマーキングする事によって、生産時の歩留まり向上のためにウエハ内のチップ位置による問題点の改善等に利用できる。また、半導体チップ出荷後においての不具合発生時にチップＩＤを検出する事によって、製造情報の解析や不良品の絞り込みにも利用することができる。
【０００４】
チップＩＤのマーキング方法には、特開２０００−２５２１７６号等に開示されているレーザによるマーキング方法や、特開平７−３０７２５７号等に開示されている、ヒューズやメモリセルによる電気的なＩＤ付加方法が知られている。
【０００５】
しかし、これらの方法を摘要するためには半導体チップの回路部内にＩＤエリアやヒューズまたはメモリセルの為のエリアを設ける必要があり、チップにＩＤマーキングする場所を確保することによる物理的チップサイズの拡大化、あるいはＩＤマーキングサイズを小さくする為にＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上による技術的困難さや装置のコスト高の要因となっていた。
【０００６】
チップＩＤには、特開２００２−２８０２７６号に開示されている様に、プローブテストの結果から良品のチップにのみにＩＤをマーキングする方法があった。しかし、不良品のレベルを識別する事ができず、不良品の不具合の原因解析やその後の工程の検査結果との比較ができなかった。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２５２１７６号
【特許文献２】特開平０７−３０７２５７号
【特許文献３】特開２００２−２８０２７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
半導体チップの表面に段差がある場合、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れたりし、そのＩＤドットの形状を保つことができず、チップＩＤの視認性が良好ではなかった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解消し、コスト的に有利なＩＤサイズを確保できるマーキング方法及びマーキング装置を提供する事に加え、半導体チップの表面に段差がある場合でも、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れることなく、ＩＤドットの形状を保つことができるチップＩＤのマーキング方法及び装置を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１及び請求項１１に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状に配列姿が残っている状態までに半導体チップにチップＩＤをマーキングする事と、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする。ここで述べるチップＩＤとは、各チップ固有に設定された情報であり、ウエハの識別やウエハ面内のチップ位置情報も含む識別情報を意味する。
【００１１】
さらに、半導体チップの表面に段差がある場合、ＩＤドットを一層塗布とした場合、ＩＤ材料がその段差の部分に流れ込んだり、ＩＤドットの形状が崩れる場合があるが、ＩＤドットを複数回重ねて塗布することで、そのＩＤドットの形状を保ち、チップＩＤの視認性が良好になるという利点がある。
【００１２】
請求項２及び請求項１２に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１３】
請求項３及び請求項１３に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１４】
従来のＩＤマーキングで用いられていた、「電気的」な方法、例えば、ヒューズやメモリでＩＤを付加する方法では、回路内にその領域が必要であり、製品によってはヒューズやメモリが無く、前記の方式が用いられない場合もあった。本出願の発明の様に、半導体チップの表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする場合は、チップサイズは製品機能として必要な回路部のみを要し、製品となる半導体チップの表面保護膜上にチップの全面サイズを用いてＩＤマーキングをすることができる。当該出願の発明の方式であれば、半導体チップサイズ全面にマーキングするため、ＩＤサイズの一辺を５００〜１０００マイクロメートル程度にまで拡大してマーキングすることができ、マーキング装置の過度な高精度化が不要となり、コストダウンが望める。
【００１５】
上記の発明により、従来の方法の様にＩＤマーキングを追記する部分の場所確保のためにチップサイズが大きくなり、要求されるＩＤサイズ全体を小さくするという、マーキング装置の高精度化に費用と労力をかけるなどの欠点を回避できる。
【００１６】
請求項４及び請求項１４に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００１７】
請求項５及び請求項１５に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップ表面の段差部を吸収し、チップ表面を平坦にする事を特徴とする。
【００１８】
請求項６及び請求項１６に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする。
【００１９】
半導体チップ内の回路や素子の構成によって、半導体チップの表面の色が大きく変化している物がある。そのような半導体チップの表面にチップＩＤを塗布すると、チップＩＤの塗布面の色の変化とＩＤドットの色のコントラストを見分ける必要が生じ、ＩＤドットに使用できるＩＤ材料の色が限定されたり、塗布したチップＩＤの読み取り時に照明の工夫が必要になったりしていた欠点を回避することができる。
【００２０】
上記の問題点を解決するために、塗布面の変化を隠す様に、例えば、チップ表面色よりも濃い色のベース部材を塗布し、その上にベース部材よりも薄い色のチップＩＤのＩＤ材料を使うことで、チップＩＤの読み取りを容易且つ確実にすることができる。
【００２１】
請求項７及び請求項１７に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にベース部材を塗布する事で、チップＩＤ塗布面の濡れ性を調整し、ＩＤドットの大きさを調整することにより、チップＩＤの大きさを調整する事を特徴とする。
【００２２】
濡れ性については、半導体チップの表面に直接チップＩＤのＩＤドットを塗布すると、直径が２５０ミクロンメートルに濡れ広がる場合であっても、チップ表面に撥水コートを塗布することで、直径が５０マイクロメートルまでＩＤドットを小さくすることができるなど、チップＩＤのＩＤドットの大きさを調整することができる。
【００２３】
請求項８及び請求項１８に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、半導体チップの表面にＸ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事を特徴とする。
【００２４】
上記の様に、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップＩＤを検出することができ、確実且つ迅速にチップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。
【００２５】
チップの生産過程において、Ｘ線を透過しやすいチップＩＤのＩＤ材料を使用した場合、パッケージング工程後はチップＩＤが見えなくなりチップＩＤを確認する手段が無くなる。この場合、チップＩＤの情報はパッケージング工程前に読み取り機で読取りを行い、チップＩＤ情報を記憶装置に格納するなどして、パッケージング工程後のパッケージ表面へのパッケージＩＤマーキング工程まで情報の伝達が必要となる。
【００２６】
該情報の伝達は生産ラインが正常に動作しておれば問題ないが、異常の発生などで、整列している生産中の半導体チップの数が変動した場合、どのチップがどのチップＩＤ情報だったかという関係が不明確になってしまう。従い、確実なトレーサビリティーができなくなる問題点が考えられる。
【００２７】
従い、Ｘ線を透過し難いＩＤ材料を使用した場合は、パッケージング工程後のパッケージ表面にパッケージＩＤをマーキングする直前にＸ線でチップ表面のチップＩＤを読取り、そのチップＩＤ、又は、チップＩＤ情報と関連のあるＩＤを直ちにパッケージ表面にパッケージＩＤとしてマーキングする事ができる。さらに、パッケージ表面へのパッケージＩＤマーキング後であっても確認のために、Ｘ線でチップＩＤを確認する事も可能となる。それによって、確実なトレーサビリティーが可能となる。
【００２８】
請求項９及び請求項１９に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、チップＩＤのマーキングが半導体チップに非接触のマーキングである事を特徴とする。
【００２９】
非接触でのマーキングであれば、チップＩＤの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の間隔を厳密に補正することなく、当該記載方法に限らないが、例えば、インクジェット方式や非接触ディスペンサ方式など間隔調整がラフで良い塗布方法も採用することができ、高さ方向の調整機構などの装置の簡易化が図れる。また、塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の動作が不要となり、塗布速度の高速化が図れる。
【００３０】
請求項１０及び請求項２０に記載の様に、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、チップＩＤのマーキングをインクジェットによりマーキングする事を特徴とする。
【００３１】
非接触でのマーキングについては、特に上記の様な効果が得られるが、特にその方法の中でも、インクジェット方式を用いることが優れている。例えば、数から数十ｋＨｚでＩＤドットを連続塗布することができ、塗布対象の半導体ウエハを数十ｍｍ／ｓｅｃから数百ｍｍ／ｓｅｃで高速走行塗布する事が可能になる。また、チップＩＤの塗布面と塗布ヘッドの高さ方向（Ｚ方向）の間隔を０．５〜１．０ｍｍ程度と大きく、且つ、間隔に±０．１ｍｍ程度の変動があっても塗布への影響がない。
【発明の効果】
【００３２】
本発明のマーキング方法及びマーキング装置はウエハ形状で配列している工程までにチップＩＤをマーキングすることで、半導体チップの生産工程時やチップ出荷後の不具合発生時であってもチップＩＤを検出する事によって、ウエハやウエハ内チップ座標までトレースする事ができる。
【００３３】
さらに、チップＩＤを構成するＩＤドットを複数回重ねて塗布するので、そのＩＤドットの形状を保ち、チップＩＤの視認性が良好になる。。
【００３４】
また、回路部に関係なく表面保護膜上にチップＩＤをマーキングする事でチップの微細化にも対応でき、マーキング装置のコストも安くできる。さらに、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事によって、組立後のチップであっても非破壊でチップＩＤを検出するこができ、確実で迅速なチップレベルのトレーサビリティーが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。
【図２】半導体製造工程とチップＩＤの関係を示す図である。
【図３】半導体チップとチップＩＤの関係であって、従来方法と本発明の方法を示す図である。
【図４】ベース部材が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図５】ベース部材が有る場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図６】複数回の材料塗布でチップＩＤをマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。
【図７】インクジェットでチップＩＤのＩＤドットを走行塗布している状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下に添付の図面に示す実施例に基づいて、本発明のマーキング方法及びマーキング装置を詳細に説明する。
【００３７】
図１は半導体ウエハ内にウエハ形状で配列している半導体チップを示す図である。図に示すように半導体ウエハ１にはウエハ固有のＩＤであるウエハＩＤ２がマーキングされており、半導体チップ３は規則的にウエハ面内に配列している。各半導体チップ３にはそれぞれ固有のチップＩＤ４がマーキングされる。
【００３８】
図２は半導体製造工程とチップＩＤ４の関係を示す図である。図に示すようにウエハ工程１００で、例えばウエハ検査のプローブ電気テスト１０１が実施された場合、該ウエハの検査結果１１１は該ウエハのウエハＩＤ２のＩＤとともにデータベース１１０に格納される。ウエハ工程で実施されるその他の検査や工程情報は同様にウエハＩＤ２のＩＤとともにデータベースに格納される。
【００３９】
ウエハ工程１００中であって、ダイシング１０４工程であっても半導体ウエハ１形状に配列している工程までにチップＩＤマーキング１０３を実施する。その際、チップＩＤ４と半導体ウエハ１面内の座標やウエハＩＤ２などの関連情報をＩＤ情報１１３としてデータベース１１０に格納される。又は、半導体ウエハ１面内の座標やウエハＩＤ２などの関連情報をチップＩＤ４のＩＤに含ませることもできる。
【００４０】
ダイシング１０４工程後で半導体チップ３が個片になり、チップ検査１０５が実施された場合、該チップの検査結果１１５は該チップのチップＩＤ４のＩＤとともにデータベース１１０に格納される。又は、該チップの検査結果１１５はデータベース１１０に格納する代わりに、チップＩＤ４のＩＤに含ませることもできる。
【００４１】
また、本発明に係る半導体チップのチップＩＤマーキング方法及び装置では、各半導体チップのチップＩＤに通常のチップ識別情報だけでなく、チップＩＤマーキングよりも前工程の検査結果の情報を含める事を特徴とすることもできる。
【００４２】
これにより、不良品や良品のレベルの識別がチップＩＤの読取りを行うだけで可能となり、不具合の原因解析や特性別の出荷などを迅速に行うことができる。
【００４３】
このように全ての検査や工程情報とウエハＩＤ２、チップＩＤ４がデータベース１１０に集まる事で、情報が途切れる事無く、チップレベルでのトレーサビリティーが可能となる。例えば、チップ出荷後に不具合が発生した場合であっても、チップＩＤ４を検出する事ができれば、データベース１１０と照合する事で、どのウエハのどの座標にあったチップであるか、製造時のウエハ検査結果１１１はどうか、チップ検査結果１１５はどうか、と云うように追って解析することができる。
【００４４】
図３は半導体チップとチップＩＤの関係であって、従来方法１５、本発明の方法１６を示す図である。従来方法１５では半導体チップ３の回路部６内にレーザによるマーキング方法等でＩＤをマーキングしていた。そのため、回路部６と同様にチップＩＤ４の大きさがチップの大きさに影響を与え、チップサイズの増加、又はＩＤサイズを縮小化する場合に、平行して、ＩＤドットの微細化やマーキング装置の精度向上を施さなければならず、技術的にも煩雑さが増し、それに基づきコスト高となっていた。
【００４５】
一方、本願発明の方法１６では半導体チップ３の回路部６を保護している表面保護膜５の上面にチップＩＤ４をマーキングする。このことによって、回路部６のサイズや配置に左右されることなく、半導体チップ３の表面保護膜５上にチップ全面の大きさとなるチップＩＤ４をマーキングするので、チップの微細化にも対応でき、マーキング装置の製造コストも安くできる。
【００４６】
図４はベース部材９が無い場合の半導体チップの断面を示す図である。図に示すように半導体チップ３の回路部６に段差部１０がある場合を示し、表面保護膜５の上面にＩＤドット７を塗布すると段差部分に塗布部材が流れ込んだり、ドット形状が崩れ異常なＩＤドット８の様になる場合があった。また、半導体チップ３の回路部６に色の変化（回路部６に対し異色回路部６６）がある場合、ＩＤドット７と透明に近い表面保護膜５を介して見える回路部６と色の異なる異色回路部６６のコントラストが悪くなる場合が生じた。
【００４７】
而して、図５にベース部材９が有る場合の半導体チップの断面を示す。図５に示すように半導体チップ３の表面の回路部６に段差部１０や色の変化（回路部６に対し色の異なる異色回路部６６）がある場合、表面保護膜５の上にベース部材９を塗布した後、ＩＤドット７を塗布することによってチップＩＤがマーキングされる。この事によって、ＩＤドットの塗布面を平坦にする事ができ、ＩＤドット７のドット形状を保ち、ＩＤドット７と塗布面となるベース部材９のコントラストを強調し、チップＩＤ４の視認性を良好にすることができた。
【００４８】
また、ベース部材９をチップＩＤ４の塗布面の濡れ性を調整できる材料にすることで、ＩＤドット７の大きさを調整し、チップＩＤ４の大きさを調整する事ができた。
【００４９】
また、図６は複数回の材料塗布でチップＩＤ４をマーキングする場合の半導体チップの断面を示す図である。図６に示すように半導体チップ３の表面に段差部１０がある場合、ＩＤドット７の１層目を塗布する場合、段差部分に塗布部材が流れ込んだりすることにより、ドット形状が崩れる場合があるが、ＩＤドット７の２層目やＩＤドット７の３層目を塗布する場合のようにＩＤドット７を複数回重ねて塗布することで、該ＩＤドット７は図に示す様に積層された塗布層からなる形状を保ち、チップＩＤ４の視認性を良好にすることができた。
【００５０】
さらに、図７は、半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである場合の例であるが、非接触のディスペンサーやインクジェットなどの方式が用いられるが、本願では、インクジェットを用いた例を図で示している。
【実施例１】
【００５１】
図４、図５に対応する実施例は、同一のＩＤ部材を塗布した場合でも、図４のベース部材９が無い場合はチップ表面の段差部１０に塗布部材が流れ込んだり、ＩＤドット７の形状が崩れる場合があり、ＩＤドット７を塗布したチップＩＤ４を２次元コードリーダで読取る事ができなかった。また、図４の様にベース部材９が無い場合はＩＤドット７の直径が３００〜２００マイクロメートルと大きくなったが、図５の様に撥水効果のあるベース部材９を塗布する事でＩＤドット７の直径を１００〜５０マイクロメートルまで微細化することができた。
【００５２】
図６に対応する実施例は、ＩＤドット７を１回塗布したチップＩＤ４は、２次元コードリーダで読取る事ができなかったが、２回又は３回塗布したチップＩＤ４は２次元コードリーダで読取る事ができた。
【００５３】
図７に対応する実施例は、図の様に、半導体ウエハ上に配列した半導体チップ３は、Ｚ軸方向２４に示す上下方向に高さ調整するとともに、インクジェットヘッド２１に相対してウエハの走行方向２３方向へ走行させるものである。インクジェットヘッド２１のノズルから半導体チップ３の位置に応じてチップＩＤ４のＩＤドット７として、ＩＤ材料２２を順次吐き出し、チップＩＤ４をマーキングする。
【００５４】
図７では、表面保護膜５上に直接ＩＤドット７を塗布しているが、図５に示す様に、ベース部材９を使用する場合は、ベース部材９表面にＩＤ材料２２を同様に塗布しマーキングする。
【００５５】
非接触でのマーキングなので、チップＩＤ４の塗布面と図７に図示する様に、インクジェットヘッド２１の高さ方向（Ｚ軸方向２４）の間隔を厳密に補正することが不要となり、塗布速度の高速化が図れた。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は半導体チップのＩＤマーキング方法及びマーキング装置に関する発明であり、特に、ウエハ状態の時点から各半導体チップのチップＩＤを各半導体チップにマーキングすることによって半導体チップレベルのトレーサビリティーを可能とするマーキング方法及びマーキング装置に関する。
【符号の説明】
【００５７】
１ 半導体ウエハ
２ ウエハＩＤ
３ 半導体チップ
４ チップＩＤ
５ 表面保護膜
６ 回路部
６６ 異色回路部
７ ＩＤドット
８ 異常なＩＤドット
９ ベース部材
１０ 段差部
１２ 組立後チップ
２１ インクジェットヘッド
２２ ＩＤ材料
２３ ウエハの走行方向
２４ Ｚ軸方向
１００ ウエハ工程
１０１ ウエハ検査
１０２ ウエハ最終検査
１０３ チップＩＤマーキング
１０４ ダイシング
１０５ チップ検査
１１０ データベース
１１１ ウエハ検査結果
１１３ ＩＤ情報
１１５ チップ検査結果
１２０ チップ組立工程
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキングする半導体チップのチップＩＤマーキング方法において、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項２】
半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項３】
半導体チップ表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上の寸法のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項４】
半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項５】
前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項６】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項７】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップＩＤマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項８】
半導体チップ表面にチップＩＤマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤマーキングをする事を特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項９】
半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項１０】
半導体チップのチップＩＤマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項１１】
半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキング半導体チップのチップＩＤマーキング装置であって、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１２】
半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１３】
半導体チップ表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上の寸法のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１４】
半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１５】
前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１６】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１７】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップＩＤマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１８】
半導体チップ表面にチップＩＤマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて
、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項
１１から請求項１７のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１９】
半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項１１から請求項１８のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項２０】
半導体チップのチップＩＤマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とす
る請求項１１から請求項１９のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装
置。
【請求項１】
半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキングする半導体チップのチップＩＤマーキング方法において、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項２】
半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項３】
半導体チップ表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上の寸法のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項４】
半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項５】
前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項６】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項７】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップＩＤマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項８】
半導体チップ表面にチップＩＤマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤマーキングをする事を特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項９】
半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項１０】
半導体チップのチップＩＤマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング方法。
【請求項１１】
半導体チップの製造工程で、ウエハ工程中および／またはダイシング工程後であってもウエハ形状で配列している工程までに固有のチップＩＤを半導体チップにマーキング半導体チップのチップＩＤマーキング装置であって、
半導体チップのチップＩＤのマーキングが複数回の材料塗布でおこなわれる事を特徴とする半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１２】
半導体チップの表面保護膜上に半導体チップのチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１３】
半導体チップ表面に少なくとも一辺が５００マイクロメートル以上の寸法のチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１４】
半導体チップ表面にベース部材を塗布した後、チップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１５】
前記ベース部材が半導体チップ表面の段差を吸収し、半導体チップの表面を平坦にする事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１６】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤとチップＩＤの塗布面のコントラストを強調する事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１７】
前記ベース部材が半導体チップのチップＩＤの塗布面の濡れ性を調整し、半導体チップのチップＩＤマーキングの大きさを調整する事を特徴とする請求項１４に記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１８】
半導体チップ表面にチップＩＤマーキングが材料を塗布することでおこなわれるにおいて
、Ｘ線を透過しにくい材料を使用してチップＩＤをマーキングする事を特徴とする請求項
１１から請求項１７のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項１９】
半導体チップのチップＩＤマーキングがチップに非接触のマーキングである事を特徴とする請求項１１から請求項１８のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装置。
【請求項２０】
半導体チップのチップＩＤマーキングがインクジェットによりおこなわれる事を特徴とす
る請求項１１から請求項１９のいずれかに記載の半導体チップのチップＩＤマーキング装
置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１２−２１２９１４（Ｐ２０１２−２１２９１４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１３９４１１（Ｐ２０１２−１３９４１１）
【出願日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【分割の表示】特願２００７−２７５３２５（Ｐ２００７−２７５３２５）の分割
【原出願日】平成１９年１０月２３日（２００７．１０．２３）
【出願人】（０００２１９３１４）東レエンジニアリング株式会社 (505)
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【分割の表示】特願２００７−２７５３２５（Ｐ２００７−２７５３２５）の分割
【原出願日】平成１９年１０月２３日（２００７．１０．２３）
【出願人】（０００２１９３１４）東レエンジニアリング株式会社 (505)
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