半導体パッケージ
【課題】所望のランド数を確保しながら、実装基板に確実に接続される半導体パッケージを提供する。
【解決手段】LGAパッケージでは、基板2の外周側に外周ランド群3が設けられ、内周側に内周ランド群4が設けられている。外周ランド群3では2列のランド3a,3bが配置され、内周ランド群4では2列のランド4a,4bが配置されている。各ランド3a,3b,4a,4bは、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離Lは、ピッチPの1.5倍とされる。
【解決手段】LGAパッケージでは、基板2の外周側に外周ランド群3が設けられ、内周側に内周ランド群4が設けられている。外周ランド群3では2列のランド3a,3bが配置され、内周ランド群4では2列のランド4a,4bが配置されている。各ランド3a,3b,4a,4bは、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離Lは、ピッチPの1.5倍とされる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体パッケージに関し、特に、複数のランドを有して実装基板に実装される半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体チップ(ICチップ)を樹脂で封止した半導体パッケージの一つに、LGA(Land Grid Arrey)パッケージがある。LGAパッケージでは、たとえば、ガラスエポキシ等の基板の表面上にICチップが搭載されている。ICチップの各端子は、ワイヤボンディングによって基板上に形成された所定の銅配線に電気的に接続されている。一方、基板の裏面には複数のランドが所定のピッチをもって形成されている。銅配線は、基板を貫通するヴィアを介して、対応するランドに電気的に接続されている。基板上に搭載されたICチップは、エポキシレジン等の封止樹脂により封止されている。
【0003】
一方、LGAパッケージが実装される実装基板には、LGAパッケージのランドの配置に対応した複数のランドが形成されている。LGAパッケージの各ランドを、実装基板の対応するランドにはんだ付けすることによって、LGAパッケージが実装基板に実装されることになる。このとき、所定の金属マスクを用いて実装基板のランド上にはんだペーストが塗布される。
【0004】
次に、はんだペーストが塗布された実装基板の上に、LGAパッケージの対応するランドが配置される。所定の温度のもとでリフローを行ないはんだペーストを溶融させて、LGAパッケージのランドが実装基板の所定のランドに電気的に接続される。こうして、LGAパッケージが実装基板に実装される。なお、この種の半導体パッケージを開示した文献として、特許文献1あるいは特許文献2がある。
【特許文献1】特開2002−261226号公報
【特許文献2】特開2006−261492号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来の半導体パッケージでは、次のような問題があった。近年、電子機器の軽量化および小型化のニーズに応えるために、LGAパッケージにも小型化が求められている。LGAパッケージの小型化を図るには、ランドのピッチも縮める必要があり、そして、そのランドが接続される実装基板のランドのピッチも縮める必要がある。
【0006】
上述したように、実装基板のランドにははんだペーストが塗布される。ランドのピッチが縮まり、ランドに塗布するはんだペーストと、そのランドに隣接する他のランドに塗布するはんだペーストとを接触させないように塗布しようとすれば、1つのランドに供給するはんだペーストの量を減らす必要がある。ところが、1つのランドに供給されるはんだペーストの量が少なくなると、LGAパッケージのランドが実装基板のランドに確実に接続されなくなり、実装(接続)の不良を引き起こすおそれがある。
【0007】
ランド一つあたりのはんだペーストの供給量を確保する手段としては、はんだペーストを塗布する際の金属マスクの厚さを厚くする手法と、はんだペーストを塗布する領域を広げる手法とがある。前者の手法では、金属マスクを取り外す際に金属マスクにはんだペーストが付着するなどして、塗布されるはんだペーストの量にばらつきが生じやすいことから、主に後者の手法が採用される。
【0008】
実装基板のランドのピッチが、たとえば、0.8mmピッチ、あるいは、0.65mmピッチの場合では、実装基板の表面にランドを格子状(フルマトリックス状)に配置しても、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することができる。ところが、ランドのピッチが0.5mm以下に縮まると、フルマトリックス状のランド配置では、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することが困難になる。
【0009】
しかしながら、これを解消しようとして、実装基板のランドの配置パターンをフルマトリックス状の配置パターンから、1列分のランドをなくした配置パターンに変更しようとすると、この配置パターンに対応する半導体パッケージのランドでは、その数が、LGAパッケージとして機能させるために要求されるランドの数に足りなくなってしまうという問題があった。
【0010】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、所望のランド数を確保しながら、実装基板に確実に接続される半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明に係る半導体パッケージは、主表面を有する所定の基板と、第1ランド群と第2ランド群とを備えている、第1ランド群は、基板の外周に沿って主表面に形成され、X方向と、X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。第2ランド群は、第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、X方向とY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。その所定の距離は、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。
【0012】
本発明に係る他の半導体パッケージは、外周ランド群と内周ランド群とを備えている。外周ランド群は、所定の基板における矩形状の領域の外周に沿って形成され、第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。内周ランド群は、外周ランド群の内側の領域に第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となる。
【発明の効果】
【0013】
本発明に係る半導体パッケージでは、第1ランド群と第2ランド群との距離が、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。これにより、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。
【0014】
本発明に係る他の半導体パッケージでは、内周ランド群の最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるように内周ランド群が形成されていることで、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明に係る半導体パッケージとしてLGAパッケージについて説明する。図1および図2に示すように、LGAパッケージ1では、たとえば、ガラスエポキシ等の基板2の表面上にダイアタッチ材6を介在させて、ICチップ7が搭載されている。ICチップ7の各端子は、金線8(ワイヤボンディング)によって、基板2上に形成された所定の銅配線9に電気的に接続されている。一方、図3および図4に示すように、基板2の裏面には、複数のランド3a,3b,4a,4bが所定のピッチをもって形成されている。ランドの配置パターンについては後述する。銅配線9は、基板2を貫通するヴィア11を介して、対応するランド3a,3b,4a,4bに電気的に接続されている。基板2上に搭載されたICチップ7は、エポキシレジン等の封止樹脂10により封止されている。
【0016】
次に、基板2の裏面に露出するランドの配置パターンについて説明する。図5に示すように、LGAパッケージでは、基板2の外周側に外周ランド群3が設けられ、内周側に内周ランド群4が設けられている。外周ランド群3では、基板2の外周に沿って2列のランド3a,3bが配置されている。内周ランド群4は外周ランド群3によって囲まれた領域に位置し、内周ランド群4では、外周ランド群3のランド3bに沿って、2列のランド4a,4bが配置されている。
【0017】
図6に示すように、外周ランド群3の各ランド3a,3bは、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。また、内周ランド群4の各ランド4a,4bも、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。外周ランド群3のうち、内側に位置するランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離(ランドの中心)Lは、ピッチPの1.5倍とされる。
【0018】
次に、LGAパッケージが実装される実装基板について説明する。図7および図8に示すように、実装基板21の表面には、LGAパッケージの外周ランド群3の各ランド3a,3bに対応するランド23a,23bが配置された外周ランド群23と、LGAパッケージの内周ランド群4の各ランド4a,4bに対応するランド24a,24bが配置された内周ランド群24a,24bが形成されている。また、実装基板21では、ランド23a,23b,24a,24b以外の領域は、ソルダレジスト22によって覆われている。
【0019】
次に、上述したLGAパッケージ1の実装基板への実装方法について説明する。まず、実装基板のランドにはんだペーストを塗布するための金属マスクが、実装基板にセットされる。図9に示すように、金属マスク31には、ランドに対応した開口31aが形成されている。各開口31aは、対応するランド23a,23b,24a,24bに供給するはんだペーストの量を確保するために、略円形のランド23a,23b,24a,24bを露出する他に、その周辺の領域(ランド周辺領域)を露出する態様で、たとえば楕円形状に形成されている。
【0020】
特に、外周ランド群23のうち、内側に位置するランド23bについては、ランド周辺領域が、各ランドのピッチPの1.5倍の距離Lに設定されたランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。また、内周ランド群24のうち、外側に位置するランド24aについても、ランド周辺領域が、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。
【0021】
次に、図10に示すように、その金属マスク31の上にはんだペースト32が塗布される。塗布されたはんだペースト32をスキージ34を用いて金属マスク31の開口31aに充填することにより、図11に示すように、各ランド23a,23b,24a,24bにはんだペースト32が印刷される。その後、金属マスク31が取り外される。
【0022】
次に、図12に示すように、LGAパッケージ1が、実装基板(図示せず)に対して所定の位置に配置される。次に、図13に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bを、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bに接触させる。次に、所定の温度のもとで、リフロー処理を施すことによりはんだペースト32を溶融させ、その後、冷却する。こうして、図14に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bが、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bにはんだ33によって接続されて、LGAパッケージ1が実装基板21に実装される。
【0023】
上述したLGAパッケージ1では、実装基板のランドに対応したランドとして、外周ランド群3と内周ランド群4が形成され、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている(図6参照)。これにより、フルマトリックス状のランドの配置から1列分のランドを空けたLGAパッケージの場合と比べて、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。次に、このことについて説明する。
【0024】
まず、LGAパッケージとして、たとえば11行×11列のフルマトリックス(ピッチP)のランドを想定したLGAパッケージでは、ランドの総数は121個となる。そのランドの配置から、1列分のランドを空けたランド配置として、図15に示すように、外側から3番目のランドを空けた配置を想定する。この場合には、、外周ランド群103のランド103bと、その直近に位置する、内周ランド群のランド104aとのX方向またはY方向の距離LLは、ピッチPの2倍となる。そして、このLGAパッケージでは、ランドの総数は96個となる。
【0025】
これに対して、上述したLGAパッケージ1では、図16に示すように、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている。これにより、ランドのピッチがたとえば0.5mmよりも狭くなっても、ランドの総数は105個となって、図15に示されるLGAパッケージの場合と比較して、ランドの数を9個増やすことができる。その結果、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
【0026】
なお、上述したLGAパッケージでは、略正方形状の領域にランドが形成され、一辺に対応するランドの数が等しい場合を例に挙げて説明したが、LGAパッケージとしては、略長方形の領域にランドが形成されて、短辺に対応するランドの数と長辺に対応するランドの数が異なるLGAパッケージの場合にも適用することができる。
【0027】
また、上述したLGAパッケージでは、ランド3bとその直近に位置するランド4aとのX方向またはY方向の距離Lとして、ピッチPの1.5倍の場合を例に挙げて説明したが、この距離Lは、ピッチPの1.5倍に限られるものではなく、ピッチPの1.5倍以上で、ピッチPの2倍よりも短ければ、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
【0028】
さらに、金属マスクの開口の形状として、楕円形状を例に挙げて説明したが、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されたランド周辺領域を露出することができる形状であれば、楕円形状に限られない。
【0029】
また、LGAパッケージとしては、内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域にピッチPをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、その一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにしたLGAパッケージとすればよい。たとえば、図16に示されるLGAパッケージでは、11行×11列のフルマトリックス状のランド配置から、図15に示される2列の外周ランド群103のランドを除いた後の一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数は7であるところ、図16に示すように、内周ランド群の外周の一辺に位置するランドの数が、そのランドの数7から1を差し引いた6になっていることがわかる。
【0030】
変形例
上述した実施の形態では、半導体パッケージとして、LGAパッケージを例に挙げて説明したが、はんだボールがランドに接続されたBGA(Ball Grid Arrey)パッケージについても、上述したランドの配置を適用することが可能である。
【0031】
BGAパッケージの場合においても、BGAパッケージを実装基板に実装する際には、実装基板にはんだペーストが塗布される。BGAパッケージの小型化に伴って、はんだボールの大きさが小さくなるとともに、実装基板のランドのピッチが狭くなってくると、BGAパッケージと、対応する実装基板のランドとを接続するはんだの量が不足してくることが十分に考えられる。
【0032】
そのような場合に、たとえば図5に示されるランドの配置を採用することで、図17に示すように、BGAパッケージ41の各はんだボール43に対応する、実装基板のランド23a,23b,24a24bに対して、所定量のはんだペースト32を供給することができる。その結果、ランドの数を確保しながら、BGAパッケージを実装基板21に確実に実装することができる。
【0033】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の実施の形態に係るLGAパッケージの一部内部構造を含む斜視図である。
【図2】同実施の形態において、図1に示す断面線II−IIにおける断面図である。
【図3】同実施の形態において、LGAパッケージのランドから見たLGAパッケージの斜視図である。
【図4】同実施の形態において、図3に示す断面線IV−IVにおける部分断面図である。
【図5】同実施の形態において、ランドの配置を示す平面図である。
【図6】同実施の形態において、図5に示すランドの部分拡大平面図である。
【図7】同実施の形態において、LGAパッケージの実装基板への実装方法を説明するための実装基板に形成されたランドの配置を示す部分平面図である。
【図8】同実施の形態において、図7に示す断面線VIII−VIIにおける部分断面図である。
【図9】同実施の形態において、LGAパッケージを実装基板へ実装する方法の一工程を示す平面図である。
【図10】同実施の形態において、図9に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図11】同実施の形態において、図10に示される工程の後に行われる工程を示す、図9に示す断面線XI−XIにおける部分断面図である。
【図12】同実施の形態において、図11に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図13】同実施の形態において、図12に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図14】同実施の形態において、図13に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図15】比較のための従来のランドの配置を示す平面図である。
【図16】同実施の形態において、LGAパッケージの効果を説明するためのランドの配置を示す平面図である。
【図17】同実施の形態において、変形例に係るBGAパッケージを実装基板へ実装する方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【0035】
1 LGAパッケージ、2 基板、3 外周ランド群、3a ランド、3b ランド、4 内周ランド群、4a ランド、4b ランド、5 ソルダレジスト、6 ダイアッタチ材、7 ICチップ、8 金線、9 銅配線、10 エポキシレジン(封止樹脂)、11 ヴィア、21 実装基板、22 ソルダレジスト、23 外周ランド群、23a ランド、23b ランド、24 内周ランド群、24a ランド、24b ランド、31 メタルマスク、31a 開口、32 はんだペースト、33 はんだ、34 スキージ、41 BGAパッケージ、42 ランド、43 はんだボール。
【技術分野】
【0001】
本発明は半導体パッケージに関し、特に、複数のランドを有して実装基板に実装される半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体チップ(ICチップ)を樹脂で封止した半導体パッケージの一つに、LGA(Land Grid Arrey)パッケージがある。LGAパッケージでは、たとえば、ガラスエポキシ等の基板の表面上にICチップが搭載されている。ICチップの各端子は、ワイヤボンディングによって基板上に形成された所定の銅配線に電気的に接続されている。一方、基板の裏面には複数のランドが所定のピッチをもって形成されている。銅配線は、基板を貫通するヴィアを介して、対応するランドに電気的に接続されている。基板上に搭載されたICチップは、エポキシレジン等の封止樹脂により封止されている。
【0003】
一方、LGAパッケージが実装される実装基板には、LGAパッケージのランドの配置に対応した複数のランドが形成されている。LGAパッケージの各ランドを、実装基板の対応するランドにはんだ付けすることによって、LGAパッケージが実装基板に実装されることになる。このとき、所定の金属マスクを用いて実装基板のランド上にはんだペーストが塗布される。
【0004】
次に、はんだペーストが塗布された実装基板の上に、LGAパッケージの対応するランドが配置される。所定の温度のもとでリフローを行ないはんだペーストを溶融させて、LGAパッケージのランドが実装基板の所定のランドに電気的に接続される。こうして、LGAパッケージが実装基板に実装される。なお、この種の半導体パッケージを開示した文献として、特許文献1あるいは特許文献2がある。
【特許文献1】特開2002−261226号公報
【特許文献2】特開2006−261492号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、従来の半導体パッケージでは、次のような問題があった。近年、電子機器の軽量化および小型化のニーズに応えるために、LGAパッケージにも小型化が求められている。LGAパッケージの小型化を図るには、ランドのピッチも縮める必要があり、そして、そのランドが接続される実装基板のランドのピッチも縮める必要がある。
【0006】
上述したように、実装基板のランドにははんだペーストが塗布される。ランドのピッチが縮まり、ランドに塗布するはんだペーストと、そのランドに隣接する他のランドに塗布するはんだペーストとを接触させないように塗布しようとすれば、1つのランドに供給するはんだペーストの量を減らす必要がある。ところが、1つのランドに供給されるはんだペーストの量が少なくなると、LGAパッケージのランドが実装基板のランドに確実に接続されなくなり、実装(接続)の不良を引き起こすおそれがある。
【0007】
ランド一つあたりのはんだペーストの供給量を確保する手段としては、はんだペーストを塗布する際の金属マスクの厚さを厚くする手法と、はんだペーストを塗布する領域を広げる手法とがある。前者の手法では、金属マスクを取り外す際に金属マスクにはんだペーストが付着するなどして、塗布されるはんだペーストの量にばらつきが生じやすいことから、主に後者の手法が採用される。
【0008】
実装基板のランドのピッチが、たとえば、0.8mmピッチ、あるいは、0.65mmピッチの場合では、実装基板の表面にランドを格子状(フルマトリックス状)に配置しても、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することができる。ところが、ランドのピッチが0.5mm以下に縮まると、フルマトリックス状のランド配置では、所望の量のはんだペーストを塗布する領域を確保することが困難になる。
【0009】
しかしながら、これを解消しようとして、実装基板のランドの配置パターンをフルマトリックス状の配置パターンから、1列分のランドをなくした配置パターンに変更しようとすると、この配置パターンに対応する半導体パッケージのランドでは、その数が、LGAパッケージとして機能させるために要求されるランドの数に足りなくなってしまうという問題があった。
【0010】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、所望のランド数を確保しながら、実装基板に確実に接続される半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明に係る半導体パッケージは、主表面を有する所定の基板と、第1ランド群と第2ランド群とを備えている、第1ランド群は、基板の外周に沿って主表面に形成され、X方向と、X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。第2ランド群は、第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、X方向とY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。その所定の距離は、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。
【0012】
本発明に係る他の半導体パッケージは、外周ランド群と内周ランド群とを備えている。外周ランド群は、所定の基板における矩形状の領域の外周に沿って形成され、第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置されている。内周ランド群は、外周ランド群の内側の領域に第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置されている。内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となる。
【発明の効果】
【0013】
本発明に係る半導体パッケージでは、第1ランド群と第2ランド群との距離が、第1ランド群において第2ランド群側に位置する第1ランドと、第2ランド群において第1ランドに直近の第2ランドとの、X方向の距離およびY方向の距離のいずれかが、第1ピッチの1.5倍以上で第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定されている。これにより、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。
【0014】
本発明に係る他の半導体パッケージでは、内周ランド群の最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域に第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるように内周ランド群が形成されていることで、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0015】
本発明に係る半導体パッケージとしてLGAパッケージについて説明する。図1および図2に示すように、LGAパッケージ1では、たとえば、ガラスエポキシ等の基板2の表面上にダイアタッチ材6を介在させて、ICチップ7が搭載されている。ICチップ7の各端子は、金線8(ワイヤボンディング)によって、基板2上に形成された所定の銅配線9に電気的に接続されている。一方、図3および図4に示すように、基板2の裏面には、複数のランド3a,3b,4a,4bが所定のピッチをもって形成されている。ランドの配置パターンについては後述する。銅配線9は、基板2を貫通するヴィア11を介して、対応するランド3a,3b,4a,4bに電気的に接続されている。基板2上に搭載されたICチップ7は、エポキシレジン等の封止樹脂10により封止されている。
【0016】
次に、基板2の裏面に露出するランドの配置パターンについて説明する。図5に示すように、LGAパッケージでは、基板2の外周側に外周ランド群3が設けられ、内周側に内周ランド群4が設けられている。外周ランド群3では、基板2の外周に沿って2列のランド3a,3bが配置されている。内周ランド群4は外周ランド群3によって囲まれた領域に位置し、内周ランド群4では、外周ランド群3のランド3bに沿って、2列のランド4a,4bが配置されている。
【0017】
図6に示すように、外周ランド群3の各ランド3a,3bは、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。また、内周ランド群4の各ランド4a,4bも、X方向とY方向とにピッチPをもって配置されている。外周ランド群3のうち、内側に位置するランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離(ランドの中心)Lは、ピッチPの1.5倍とされる。
【0018】
次に、LGAパッケージが実装される実装基板について説明する。図7および図8に示すように、実装基板21の表面には、LGAパッケージの外周ランド群3の各ランド3a,3bに対応するランド23a,23bが配置された外周ランド群23と、LGAパッケージの内周ランド群4の各ランド4a,4bに対応するランド24a,24bが配置された内周ランド群24a,24bが形成されている。また、実装基板21では、ランド23a,23b,24a,24b以外の領域は、ソルダレジスト22によって覆われている。
【0019】
次に、上述したLGAパッケージ1の実装基板への実装方法について説明する。まず、実装基板のランドにはんだペーストを塗布するための金属マスクが、実装基板にセットされる。図9に示すように、金属マスク31には、ランドに対応した開口31aが形成されている。各開口31aは、対応するランド23a,23b,24a,24bに供給するはんだペーストの量を確保するために、略円形のランド23a,23b,24a,24bを露出する他に、その周辺の領域(ランド周辺領域)を露出する態様で、たとえば楕円形状に形成されている。
【0020】
特に、外周ランド群23のうち、内側に位置するランド23bについては、ランド周辺領域が、各ランドのピッチPの1.5倍の距離Lに設定されたランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。また、内周ランド群24のうち、外側に位置するランド24aについても、ランド周辺領域が、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されている。
【0021】
次に、図10に示すように、その金属マスク31の上にはんだペースト32が塗布される。塗布されたはんだペースト32をスキージ34を用いて金属マスク31の開口31aに充填することにより、図11に示すように、各ランド23a,23b,24a,24bにはんだペースト32が印刷される。その後、金属マスク31が取り外される。
【0022】
次に、図12に示すように、LGAパッケージ1が、実装基板(図示せず)に対して所定の位置に配置される。次に、図13に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bを、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bに接触させる。次に、所定の温度のもとで、リフロー処理を施すことによりはんだペースト32を溶融させ、その後、冷却する。こうして、図14に示すように、LGAパッケージ1の各ランド3a,3b,4a,4bが、対応する実装基板21の各ランド23a,23b,24a,24bにはんだ33によって接続されて、LGAパッケージ1が実装基板21に実装される。
【0023】
上述したLGAパッケージ1では、実装基板のランドに対応したランドとして、外周ランド群3と内周ランド群4が形成され、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている(図6参照)。これにより、フルマトリックス状のランドの配置から1列分のランドを空けたLGAパッケージの場合と比べて、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの数も確保することができる。次に、このことについて説明する。
【0024】
まず、LGAパッケージとして、たとえば11行×11列のフルマトリックス(ピッチP)のランドを想定したLGAパッケージでは、ランドの総数は121個となる。そのランドの配置から、1列分のランドを空けたランド配置として、図15に示すように、外側から3番目のランドを空けた配置を想定する。この場合には、、外周ランド群103のランド103bと、その直近に位置する、内周ランド群のランド104aとのX方向またはY方向の距離LLは、ピッチPの2倍となる。そして、このLGAパッケージでは、ランドの総数は96個となる。
【0025】
これに対して、上述したLGAパッケージ1では、図16に示すように、外周ランド群3のランド3bと、その直近に位置する、内周ランド群4のランド4aとのX方向またはY方向の距離LがピッチPの1.5倍に設定されている。これにより、ランドのピッチがたとえば0.5mmよりも狭くなっても、ランドの総数は105個となって、図15に示されるLGAパッケージの場合と比較して、ランドの数を9個増やすことができる。その結果、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
【0026】
なお、上述したLGAパッケージでは、略正方形状の領域にランドが形成され、一辺に対応するランドの数が等しい場合を例に挙げて説明したが、LGAパッケージとしては、略長方形の領域にランドが形成されて、短辺に対応するランドの数と長辺に対応するランドの数が異なるLGAパッケージの場合にも適用することができる。
【0027】
また、上述したLGAパッケージでは、ランド3bとその直近に位置するランド4aとのX方向またはY方向の距離Lとして、ピッチPの1.5倍の場合を例に挙げて説明したが、この距離Lは、ピッチPの1.5倍に限られるものではなく、ピッチPの1.5倍以上で、ピッチPの2倍よりも短ければ、はんだペーストの供給量を確保しながら、ランドの総数も確保することができる。
【0028】
さらに、金属マスクの開口の形状として、楕円形状を例に挙げて説明したが、ランド23bとランド24aとの間の領域に確保されたランド周辺領域を露出することができる形状であれば、楕円形状に限られない。
【0029】
また、LGAパッケージとしては、内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、矩形状の領域にピッチPをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、外周ランド群に対応するランドを除いた後の、その一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにしたLGAパッケージとすればよい。たとえば、図16に示されるLGAパッケージでは、11行×11列のフルマトリックス状のランド配置から、図15に示される2列の外周ランド群103のランドを除いた後の一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数は7であるところ、図16に示すように、内周ランド群の外周の一辺に位置するランドの数が、そのランドの数7から1を差し引いた6になっていることがわかる。
【0030】
変形例
上述した実施の形態では、半導体パッケージとして、LGAパッケージを例に挙げて説明したが、はんだボールがランドに接続されたBGA(Ball Grid Arrey)パッケージについても、上述したランドの配置を適用することが可能である。
【0031】
BGAパッケージの場合においても、BGAパッケージを実装基板に実装する際には、実装基板にはんだペーストが塗布される。BGAパッケージの小型化に伴って、はんだボールの大きさが小さくなるとともに、実装基板のランドのピッチが狭くなってくると、BGAパッケージと、対応する実装基板のランドとを接続するはんだの量が不足してくることが十分に考えられる。
【0032】
そのような場合に、たとえば図5に示されるランドの配置を採用することで、図17に示すように、BGAパッケージ41の各はんだボール43に対応する、実装基板のランド23a,23b,24a24bに対して、所定量のはんだペースト32を供給することができる。その結果、ランドの数を確保しながら、BGAパッケージを実装基板21に確実に実装することができる。
【0033】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】本発明の実施の形態に係るLGAパッケージの一部内部構造を含む斜視図である。
【図2】同実施の形態において、図1に示す断面線II−IIにおける断面図である。
【図3】同実施の形態において、LGAパッケージのランドから見たLGAパッケージの斜視図である。
【図4】同実施の形態において、図3に示す断面線IV−IVにおける部分断面図である。
【図5】同実施の形態において、ランドの配置を示す平面図である。
【図6】同実施の形態において、図5に示すランドの部分拡大平面図である。
【図7】同実施の形態において、LGAパッケージの実装基板への実装方法を説明するための実装基板に形成されたランドの配置を示す部分平面図である。
【図8】同実施の形態において、図7に示す断面線VIII−VIIにおける部分断面図である。
【図9】同実施の形態において、LGAパッケージを実装基板へ実装する方法の一工程を示す平面図である。
【図10】同実施の形態において、図9に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図11】同実施の形態において、図10に示される工程の後に行われる工程を示す、図9に示す断面線XI−XIにおける部分断面図である。
【図12】同実施の形態において、図11に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図13】同実施の形態において、図12に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図14】同実施の形態において、図13に示される工程の後に行なわれる工程を示す断面図である。
【図15】比較のための従来のランドの配置を示す平面図である。
【図16】同実施の形態において、LGAパッケージの効果を説明するためのランドの配置を示す平面図である。
【図17】同実施の形態において、変形例に係るBGAパッケージを実装基板へ実装する方法の一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【0035】
1 LGAパッケージ、2 基板、3 外周ランド群、3a ランド、3b ランド、4 内周ランド群、4a ランド、4b ランド、5 ソルダレジスト、6 ダイアッタチ材、7 ICチップ、8 金線、9 銅配線、10 エポキシレジン(封止樹脂)、11 ヴィア、21 実装基板、22 ソルダレジスト、23 外周ランド群、23a ランド、23b ランド、24 内周ランド群、24a ランド、24b ランド、31 メタルマスク、31a 開口、32 はんだペースト、33 はんだ、34 スキージ、41 BGAパッケージ、42 ランド、43 はんだボール。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
主表面を有する所定の基板と、
前記基板の外周に沿って前記主表面に形成され、X方向と、前記X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置された第1ランド群と、
前記第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、前記X方向と前記Y方向とにそれぞれ前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された第2ランド群と
を備え、
前記所定の距離は、前記第1ランド群において前記第2ランド群側に位置する第1ランドと、前記第2ランド群において前記第1ランドに直近の第2ランドとの、前記X方向の距離および前記Y方向の距離のいずれかが、前記第1ピッチの1.5倍以上で前記第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定された、半導体パッケージ。
【請求項2】
前記第1ランド群では、前記基板における矩形状の領域の外周に沿って複数の前記第1ランドが所定数の列をもって配置され、
前記第2ランド群では、複数の前記第2ランドは前記第1ランド領域の内側の領域に所定数の列をもって配置された、請求項1記載の半導体パッケージ。
【請求項3】
前記第1ランドおよび前記第2ランドは、ランドグリッドアレイ態様である、請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
【請求項4】
所定の基板における矩形状の領域の外周に沿って形成され、第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置された外周ランド群と、
前記外周ランド群の内側の領域に前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された内周ランド群と、
を備え、
前記内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、前記矩形状の領域に前記第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、前記外周ランド群に対応するランドを除いた後の、前記一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにした、半導体パッケージ。
【請求項5】
前記第1ランドおよび前記第2ランドは、ランドグリッドアレイ態様である、請求項4に記載の半導体パッケージ。
【請求項1】
主表面を有する所定の基板と、
前記基板の外周に沿って前記主表面に形成され、X方向と、前記X方向と交差するY方向とにそれぞれ第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置された第1ランド群と、
前記第1ランド群と所定の距離を隔てて形成され、前記X方向と前記Y方向とにそれぞれ前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された第2ランド群と
を備え、
前記所定の距離は、前記第1ランド群において前記第2ランド群側に位置する第1ランドと、前記第2ランド群において前記第1ランドに直近の第2ランドとの、前記X方向の距離および前記Y方向の距離のいずれかが、前記第1ピッチの1.5倍以上で前記第1ピッチの2倍よりも短い距離に設定された、半導体パッケージ。
【請求項2】
前記第1ランド群では、前記基板における矩形状の領域の外周に沿って複数の前記第1ランドが所定数の列をもって配置され、
前記第2ランド群では、複数の前記第2ランドは前記第1ランド領域の内側の領域に所定数の列をもって配置された、請求項1記載の半導体パッケージ。
【請求項3】
前記第1ランドおよび前記第2ランドは、ランドグリッドアレイ態様である、請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
【請求項4】
所定の基板における矩形状の領域の外周に沿って形成され、第1ピッチをもって複数の第1ランドが配置された外周ランド群と、
前記外周ランド群の内側の領域に前記第1ピッチをもって複数の第2ランドが配置された内周ランド群と、
を備え、
前記内周ランド群では、最外周の一辺に位置するランドの数が、前記矩形状の領域に前記第1ピッチをもってマトリックス状にランドを配置した状態から、前記外周ランド群に対応するランドを除いた後の、前記一辺に対応する辺に沿って位置するランドの数から1を差し引いた数となるようにした、半導体パッケージ。
【請求項5】
前記第1ランドおよび前記第2ランドは、ランドグリッドアレイ態様である、請求項4に記載の半導体パッケージ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2010−153751(P2010−153751A)
【公開日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−333063(P2008−333063)
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【公開日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
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